JPH0265007A - 電子回路用部材およびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、エレクトロニクス分野にて用いられる超電導
体薄膜素子を用いた電子回路用部材およびその製造方法
に関する。

従来の技術 超電導体をエレクトロニクス用のデバイスとするには、
基板上に設けられた超電導薄膜をエツチングしてパター
ン化することが必要である。かかる超電導体のパターン
ニングは、第３図に示すごとく主に超電導体薄膜２上へ
のフォトレジスト４の直接塗布、マスクを介しての露光
、未露光部分の除去（現像）、エツチング（電子回路の
刻み込み）、レジスト除去の各工程からなり、回路パタ
ーンが形成される。これら電子回路に用いられる超電導
体、特にＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系などの高温超電導体は耐
水性が低く、水分と反応して超電導体表面にＢａ（ＯＨ
）ｅか析出し特性の劣化を生ずる。

しかしながら、従来のパターンニングではエツチング工
程で主にリン酸水溶液などの水溶液を使用するため、超
電導体薄膜２のエツチング断面がダメージ５を受け、特
性劣化を招く。また、フォトレジストと接した超電導体
の薄膜面もフォトレジストの溶剤として用いた有機溶剤
により劣化し、さらにレノストを超電導体の表面より剥
離する際に使用する有機溶剤によっても薄膜表面は一層
特性が劣化する。

本発明の目的は、超電導薄膜の特性劣化の極めて少ない
電子回路中間体およびその製造法を提供するものである
。

課題を解決する丸めの手段 本発明は、基板、該基板上に設けられた超電導体薄膜、
および該超電導体薄膜表面に設けられたＡｕまたはＰｔ
の薄膜からなることを特徴とする電子回路用部材および
その製造方法を提供するものである。

第１図および第２図は、いずれら本発明の電子回路用部
材の製造法を示す概略図である。本発明の電子回路用部
材は、第１図すおよび第２図すに示すごとく、基板ｌ上
に形成された所定のパターンをａする超電導体薄膜２、
該超電導体薄膜のさらに」二面に設けられたＡｕ膜ある
いはＰｔ膜からなる。

本発明の電子回路用部材の製造にあたっては、Ａｕ膜ま
たはＰｔ膜をエツチングマスクとして超電導体薄膜のエ
ツチングを行・う第１の方法（第１図参照）、およびＡ
ｕ膜、Ｐｔ膜を超電導体薄膜とレジスト（エツチングマ
スク）との中間層として用いてエツチングを行う第２の
方法（第２図参照）が用いられる。

本発明の電子回路用部材を製造するには、基板１上に設
けられた超電導体薄膜２の表面にＡ　シｌまたはＰｔの
貴金属薄膜３を形成する。

かかる基板としては、従来公知のものをいずれら用いる
ことができ、例えばＭｇＯ，，５ｒＴｉ０３などの基板
が用いられる。

また、これらの基板上に設けられた超電導体薄膜はＹ　
ＢａｔＣＵａＯｔ−ｘ、Ｂ　ｊｔｓ　ｒ２’ｃａｔｃＬ
Ｉ３０４などの水分と反応しやすい超電導体薄膜、ある
いはその他の従来公知の超電導薄膜をスパッタリング法
、ＥＢ蒸着法などにて設けたものがいずれも用いられる
。

本発明方法のうち第１のＡｕ膜またはＰｔ膜をエツチン
グマスクとする方法では、第１図に示すごとく、まず面
記超電導体薄膜２の表面にＣｕ。

Ｓｕｓなどをメタルマスクとして真空蒸着法、スパッタ
リング法など従来公知の金属薄膜形成方法を用い、所望
のパターンを有する貴金属薄膜３を形成する。

このようにして超電導薄膜上に形成された貴金属薄膜の
厚さは０．１〜２μ尻程度が好ましい。

つぎにかかる貴金属薄膜３をエツチングマスクとしてエ
ツチングを行う。エツチング液としては、リン酸水溶液
などを用いて公知のエツチング法により超電導薄膜のエ
ツチングを行い、所望のパターンの形成された電子回路
中間体を作成する。

一方、第２図に示すごとく、第２の方法であるＡｕ薄膜
、Ｐｔ薄膜を中間膜とする製造法では、面記と同様の超
電導薄膜２を設けた基板ｌの全面に真空蒸着法、スパッ
タリング法など適宜の方法でＡｕまたはＰｔの貴金属薄
膜３を形成する。ついで、その上に従来公知の方法によ
りレジストを塗布し、露光、現像を行い所定のパターン
のレジスト膜４を形成する。つぎにスパッタエツチング
などのドライエツチング法により、貴金属薄膜３をエツ
チングして超電導体を露出し、ついで前記レジスト膜４
をエツチングマスクとし公知の方法により超電導体薄膜
のエツチングを行う。最後に、レジスト膜４をアセトン
などの有機溶剤を用いて貴金属薄膜３より除去する。

このようにして作成された電子回路中間体は、センサー
や種々の電子デバイスとされる。

昨■ 超電導薄膜の表面に設けられたＡｕ膜、Ｐｔ膜がエツチ
ング液などの水分、レジストの溶剤から超電導薄膜を保
護する。

Ｘ嵐鯉 つぎに本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。

実施例Ｉ ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いＭｇＯ基板上に超電
導体薄膜（Ｙ　＋　Ｂ　ａｔ　Ｃｕ３０７、：　厚さ１
ｌｌｙ）を形成した。ついで該超電導体薄膜上に所定の
パターンのメタルマスクを用いＡｕ膜のパターンを真空
蒸着した。蒸着は真空加熱蒸着装置（Ｅ−２５０Ａ、（
株）島津製作所製）を使用し、真空度１Ｏ−１ｌＴｏｏ
ｒ１モリブデンボードにて５５ｖ１９０Ａの条件で行っ
た。

つぎに上記超電導体薄膜上のＡｕ膜をエツチングマスク
とし、ＩＮリン酸水溶液（２３±１℃）を用い高温超電
導体薄膜をエツチングした。

このようにして得られたデバイス中間体のエッヂング断
面は、第１図すに示すごとくダメージ５をうけ、特性劣
化が生じているが、超電導の薄膜表面は従来法のように
レジストとは反応せず特性が保持された。

得られた電子回路中間体の超電導体薄膜のＴｃは初期値
８５Ｋから８３Ｋに低下したにすぎず水分等による劣化
がなく優れた特性を示した。

実施例２ 実施例１で用いた超電導薄膜を有する基板の表面全体に
Ａｕ膜を実施例Ｉと同様の条件で真空蒸着した。つぎに
、該超電導体薄膜上にフォトレジスト（マイクロボノッ
ト１４００−３１、シプレー社製）を塗布（スピナー回
転数４０００ｒｐｍ）　Ｌ、所定の回路パターンを通し
て露光（露光装置：キャノン（株）製、ＰｔＡ−５０１
）を行った。ついで、アセトンにより未露光部分を除去
して現像を行った。

現像により露出した部分のＡｕ膜をＲＦマグネトロンス
ハッ’）装置ヲ用いて逆スパツタ（スパッタエツチング
）にてエツチングした （放電ガス：Ａｒ、４　ｒｎ　Ｔ　ｏｏｒ　）　ｏ超電
導薄膜を実施例Ｉと同様にリン酸水溶液にてエツチング
した（第２図参照）。

得られた電子回路中間体の超電導体薄膜は、Ｔｃが８３
にであり（初期値８５Ｋ）　、実施例１と同様、水分等
による劣化がなく浸れた特性を示した。

比較例１ 実施例２で用いた超電導体薄膜を有する基板上にＡｕ膜
を施すことなく直接に実施例２にて行ったと同様の方法
、条件でレジスト塗布した後、露光、現像を行った。

得られた電子回路中間体の超電導体薄膜はＴｃ、か７５
Ｋ（初期値８５Ｋ）と大きく低下し、第３図ａおよびｂ
に示ずごとく、超電導薄膜のエッヂング断面だけでなく
広い面積を有するレジストとの接触部もダメージ５を受
けていた。

合服ｐり１ 本発明によれば、超電導薄膜のエツチング液、レジスト
、あるいはレジスト剥離に用いる溶剤による特性の劣化
かない。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明方法を示す概略説明図、第
３図は従来法を示す概略説明図。 に基板、２；超電導体薄膜、３：貴金属薄膜、４・レジ
スト膜。 第１図 第２図 ↓エツチング ↓ニー１＋ン７＋ 第３図 ↓　エラ＋〉フ゛

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板、該基板上に設けられた超電導体薄膜、およ
   び該超電導体薄膜表面に設けられたＡｕまたはＰｔの薄
   膜からなることを特徴とする電子回路用部材。
2. （２）超電導体薄膜の表面に所望のパターンにてＡｕま
   たはＰｔ薄膜を形成し、得られた金属薄膜をエッチング
   マスクとして超電導体薄膜のエッチングを行うことを特
   徴とする電子回路用部材の製造法。
3. （３）（ｉ）超電導体薄膜の表面にＡｕまたはＰｔの薄
   膜を形成する工程、（ｉｉ）該金属薄膜上にレジストを
   塗布し、ついで所望のパターンにもとづき露光、現像を
   行う工程、（ｉｉｉ）ついでレジストの除去された部分
   の金属薄膜をエッチングする工程、（ｉｖ）得られた所
   望のパターンのレジストをエッチングマスクとしてエッ
   チングを行う工程 からなることを特徴とする電子回路部材の製造法。