JPH11106910A - 薄膜の成膜方法 - Google Patents
薄膜の成膜方法Info
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- JPH11106910A JPH11106910A JP27097497A JP27097497A JPH11106910A JP H11106910 A JPH11106910 A JP H11106910A JP 27097497 A JP27097497 A JP 27097497A JP 27097497 A JP27097497 A JP 27097497A JP H11106910 A JPH11106910 A JP H11106910A
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Abstract
使用しても、、光学特性の優れた薄膜を成膜する。 【解決手段】 少なくとも金属フッ化物を含む材料をタ
ーゲットとし、放電ガスを成膜室に導入しながら高周波
電力をターゲットに投入してプラズマを発生させ、スパ
ッタリングにより基板上に薄膜を形成するに先立って基
板上に薄膜を形成することのないプレスパッタリングを
行うにあたり、前記プラズマ中の金属フッ化物を構成す
る分子の発光強度の値またはプラズマ中の金属フッ化物
を構成する分子の発光強度を、金属フッ化物を構成する
金属原子、放電ガスのいずれかの発光強度で除した値を
監視し、この値が基板上に薄膜を形成する際に必要な所
望の値よりも高い状態でプレスパッタリングを行う。タ
ーゲット表面に形成された変質膜をプレスパッタリング
で除去するため、良好な薄膜を成膜できる。
Description
によって薄膜を成膜する方法に関し、特に反射防止膜等
の光学薄膜をスパッタリング法によって成膜する方法に
関する。
の基板に成膜する場合、材料を加熱して蒸発させて基板
に付着させる真空蒸着法が主に使われてきた。この真空
蒸着法に対し、自動化・省力化・大面積基板への適用
性、さらにはスパッタリング粒子のエネルギーが蒸着粒
子に比べて1〜2桁高いことによる低温成膜の可能性な
どの点で有利なところから、近年、スパッタリング法に
よるコーティングが多く行われている。
物質としては、SiO2 やZrO2などの金属酸化物の
他に、屈折率が低いなどの特性を有していることからC
aF 2 やMgF2 などの金属フッ化物がしばしば用いら
れている。これらの金属フッ化物は300℃程度の基板
加熱を行いながら真空蒸着する場合には、光吸収がな
く、機械的強度の高い良質な膜となる。ところが金属フ
ッ化物をスパッタリング法によって成膜した場合には、
以下に述べるような重大な問題が存在する。
バッキングプレートに結合された板状の金属フッ化物、
例えばMgF2 をターゲットとしてArなどの希ガスを
含む放電ガスによってスパッタリングするが、この場合
のプラズマの発光を分光してスペクトルにすると、図9
に示すように、放電ガス(Ar)以外では、波長285
nm付近や518nm付近のMg原子の発光しか観察で
きない。これは、プラズマ中に存在して飛散する粒子が
主にMg原子であることを示しており、放電ガスのイオ
ンがターゲットに衝突した際に、ターゲットであるMg
F2 がMgとFとに解離してスパッタリングされている
ことを示唆している。このような状態で成膜された膜は
Fが不足し、化学量論比から外れた状態となり、可視域
に強い光吸収が生じる。
素を含有するガスを用いることにより、解離したフッ素
を補充する技術が開発されており、例えば特開平4−2
89165号公報では、金属フッ化物をスパッタリング
する際に、スパッタリングガスとして不活性ガスとフッ
素ガスまたはフッ素含有化合物ガスとの混合ガスを用い
ている。
MgF2 等の金属フッ化物の薄膜は目視では透明である
が、分光光度計で測定したところ、可視域での光吸収が
充分少ないものではなく、光学薄膜としての機能を充分
に有するものではない。また、補充するフッ素ガスやフ
ッ素含有化合物などのフッ素系ガスは、腐食性が極めて
高い特性を有し、成膜装置に用いられている真空チャン
バーやポンプ、真空油などを劣化させる問題を有してい
る。さらに人体にも有害で、特別な排ガス処理装置が必
要となる等、生産性、安全性での問題点を有している。
態や放電ガスの種類、ガス圧力、高周波電力等の種々の
条件を変えて実験を行い、鋭意研究した結果、成膜の条
件によっては図10のようにプラズマ中に放電ガス(こ
の場合O原子、O2 分子)やMg原子の他にMgF分子
の発光(波長359nm付近)が観察できることを見い
出した。
があるということは、飛散する粒子にMgF2 の分子が
あることを示している。MgF分子の発光強度が高くな
る、すなわちMgF2 が分子の状態で飛散する確率が高
くなると、Fが解離することが少なくなり、結果として
成膜される膜の光吸収を少なくすることができる。
的に規程できないが、例えばMgF 2 の顆粒状材料や熱
的に断熱されたMgF2の板状材料などをターゲットと
し、O2 ガスなどを放電ガスに用い、ガス圧力を0.0
5〜5Pa程度に保ち、2W/cm2 程度以上の高周波
電力を投入したときなどの条件下でMgF分子の発光が
現れることが判明している。また、MgF分子の発光が
現れる条件では、ターゲットの温度が600℃程度以上
の高温になっていることが放射温度計により確認されて
いる。これらのことから、MgF2 の分子の状態で飛散
するのは、MgF2 の材料が高温に加熱され、分子の状
態で蒸発するか、しないかの状態の時に、放電ガスイオ
ンによりたたかれて(すなわち、スパッタリングされ
て)飛散したためであると推察できる。
ればよいわけではない。すなわち、放電ガスやMg原子
の発光強度に対してMgF分子の発光強度が相対的に高
くなりすぎると、薄膜の光吸収は少なくなるが、このと
き基板への加熱を行わない場合には、薄膜の機械的強度
が低くなり易い。このような条件では、ターゲットの温
度が1000℃程度以上に高くなっていることが放射温
度計により確認されている。このことから、こうした条
件ではMgF2 がスパッタリングされるよりも分子の状
態で蒸発する確率が高くなり、飛散する蒸発粒子のエネ
ルギーがスパッタ粒子に比べて1〜2桁程度低くなるた
めに、真空蒸着と同様に基板の加熱を行わない限り、得
られる膜の機械的強度が低くなると推察される。
つ基板への加熱を行わなくても、機械的強度が高い、金
属フッ化物(例えばMgF2 )の薄膜を安定して得るた
めには、金属フッ化物を構成する分子であるMgF分子
の発光強度と、金属フッ化物を構成する金属原子である
Mg原子、放電ガス(原子、分子)の発光強度との相対
的な強度関係を適切な値にする必要がある。
分子の発光強度は、上述したようにターゲット材料の形
態や温度、放電ガスの種類、放電ガスの圧力、高周波電
力など種々の条件に依存して変化するので、これらの条
件を適正化する必要がある。例えば、図11に示すよう
に、高周波電力を変えることにより、Mg原子や放電ガ
スに対するMgF分子の発光強度を容易に調整すること
ができる。
ような従来の成膜方法には次のような問題点を有してい
る。真空蒸着法では、一度成膜に使用したMgF2 など
の蒸着材料は再度使用しないが、スパッタリング法の場
合、ターゲット材料は消耗が激しくなるまで繰り返し成
膜に使用することが多い。ところが、上述したような成
膜方法により、例えばMgF2 膜を成膜する場合、一度
成膜に使用したMgF2 ターゲット材料を用いると、未
使用の材料の時に適正であった条件でも、Mg原子や放
電ガスに対するMgF分子の発光強度が未使用の時と比
べて高くなりにくくなる。この傾向は材料を成膜に繰り
返し使用するにつれて顕著となっている。
ガスイオンによりMgF2 ターゲット材料の表面が常に
スパッタリングされているので、成膜中では常に新しい
MgF2材料が表面に露出している。しかし、一度成膜
した後は、材料が高温になっているため、化学的に活性
なガスを用いた場合には、MgF2 ターゲット材料の表
面がガス(上記の場合O2 )と化学反応を起こし、表面
に薄い変質層(上記の場合MgO等の酸化層)ができ
る。この変質層はMgF2 ではないため、MgF分子の
発光強度が未使用の時と比べて高くなりにくいと考えら
れる。そして、このようにMg原子や放電ガスに対する
MgF分子の発光強度が低いままで、基板に薄膜を形成
すると、光吸収が生じたり、得られた膜の屈折率が高く
なるという問題が生じる。
2 に比べてスパッタ周率が低く、スパッタリングされに
くいばかりでなく、MgF2 に比べて蒸気圧が低いた
め、蒸発も起こりにくい。このため、薄膜を形成するに
先立って基板上に薄膜を形成することなく予備のスパッ
タリングを行うプレスパッタリングを、基板上に薄膜を
実際に形成する時と同条件で、長時間行っても、生成し
た変質層の除去ができないものである。
たものであり、MgF2 等の金属フッ化物をターゲット
とし、スパッタリング法で成膜するにあたり、ターゲッ
ト材料を繰り返し成膜に使用しても、光吸収が少なく、
且つ充分な機械的強度を有する薄膜を得ることのできる
薄膜の成膜方法を提供することを目的とする。
め、請求項1の発明は、少なくとも金属フッ化物を含む
材料をターゲットとし、放電ガスを成膜室に導入しなが
ら高周波電力をターゲットに投入してプラズマを発生さ
せ、スパッタリングにより基板上に薄膜を形成するに先
立って基板上に薄膜を形成することのないプレスパッタ
リングを行うにあたり、前記プラズマ中の金属フッ化物
を構成する分子の発光強度の値またはプラズマ中の金属
フッ化物を構成する分子の発光強度を、金属フッ化物を
構成する金属原子、放電ガスのいずれかの発光強度で除
した値を監視し、この値が基板上に薄膜を形成する際に
必要な所望の値よりも高い状態でプレスパッタリングを
行うことを特徴とする。
物を含む材料をターゲットとし、放電ガスを成膜室に導
入しながら高周波電力をターゲットに投入してプラズマ
を発生させ、スパッタリングにより基板上に薄膜を形成
するに先立って基板上に薄膜を形成することのないプレ
スパッタリングを行うにあたり、前記ターゲットの温度
を、前記基板上に薄膜を形成するに際し必要な温度より
も高くすることを特徴とする。
物を含む材料をターゲットとし、放電ガスを成膜室に導
入しながら高周波電力をターゲットに投入してプラズマ
を発生させ、スパッタリングにより基板上に薄膜を形成
するに先立って基板上に薄膜を形成することのないプレ
スパッタリングを行うにあたり、前記基板上に薄膜を形
成する際に必要な電力よりも高い高周波電力を前記ター
ゲットに投入することを特徴とする。
金属フッ化物としては、MgF2 を始めとして、AlF
3 、LiF、NaF、CaF2 、SrF2 、BaF2 、
CeF3 、NdF3 、LaF3 、SmF3 、NaAlF
3 、NaAlF14等の内の1種または2種以上を選択す
ることができる。また、ターゲットとなる材料は、これ
らの金属フッ化物を主成分とする材料であれば良く、金
属酸化物等、その他の材料が混合されていても良い。
パッタリングを行うにあたり、プラズマ中の金属フッ化
物を構成する分子の発光強度の値またはプラズマ中の金
属フッ化物を構成する分子の発光強度を、金属フッ化物
を構成する金属原子、放電ガスのいずれかの発光強度で
除した値を監視し、この値が基板上に薄膜を形成する際
に必要な所望の値よりも高い状態で意図的にプレスパッ
タリングを行うので、変質層が除去され、本来の金属フ
ッ化物を表面に露出させることができる。
においては、プレスパッタリングと同様に、プラズマ中
の金属フッ化物を構成する分子の発光強度の値またはプ
ラズマ中の金属フッ化物を構成する分子の発光強度を、
金属フッ化物を構成する金属原子、放電ガスのいずれか
の発光強度で除した値を監視し、この値を所望の値で基
板に膜を形成することにより、光吸収が生じたり、得ら
れた薄膜の屈折率が高くなるという問題が生じない。
に薄膜を形成する際に必要なターゲット温度よりも高い
温度でプレスパッタリングを行っている。これにより、
プレスパッタリングを行うにあたり、プラズマ中の金属
フッ化物を構成する分子の発光強度の値またはプラズマ
中の金属フッ化物を構成する分子の発光強度を金属フッ
化物を構成する金属原子、放電ガスのいずれかの発光強
度で除した値を、基板上に薄膜を形成する際に必要な値
よりも高い状態にすることができる。このため、ターゲ
ット材料表面の変質層が蒸発したり、分子の状態で蒸発
するか、しないかの状態で、放電ガスイオンにより効率
よくスパッタリングされるため、特にターゲット材料の
表面に生成した変質層を効率よく除去できる。
に薄膜を形成する際に必要な高周波電力よりも高い電力
をターゲットに投入してプレスパッタリングを行うの
で、基板上に薄膜を形成する際に必要なターゲット温度
よりも高い温度にすることができる。これにより、ター
ゲット温度が上昇してターゲット材料表面の変質層が蒸
発し易くなると共に、放電ガスイオンにより効率よくス
パッタリングされるため、特にターゲット材料の表面に
生成した変質層を効率よく除去できる。また、プレスパ
ッタリングの時に、ターゲット材料の表面に生成した変
質層が効率よく除去されるので、プレスパッタリング時
間も短くなる。
いる成膜装置を示す。成膜室となる真空槽1内部の上部
には、基板2が回転可能に配置されている。ターゲット
3としては、粒径0.5〜1mmの顆粒であるMgF2
が使用される。このMgF2 ターゲット3は、石英製の
皿4に充填された状態で、直径4インチ(約100m
m)マグネトロンカソード5上に載置されている。この
カソード5はスパッタリング用高周波電源6と接続され
ている。
形成されている。放電ガスの流量はマスフローコントロ
ーラ8によって制御され、これにより真空槽1内のガス
圧力が制御される。
2000nmの光を透過する石英製の窓部11が設けら
れており、この窓部11の外側には分光器12が配置さ
れている。分光器12は発生したプラズマ9からの発光
10の強度を測定するものである。さらに、ターゲット
3の上方には、開閉装置14に取り付けられたシャッタ
ー13が配置されている。
7(屈折率1.52)からなる光学ガラスを使用し、こ
の基板2を真空槽1内に設置した後、不図示の真空ポン
プにり真空槽1内を1×10-4Paまで排気する。この
とき基板2の加熱は行わなかった。
ローコントローラー8により流量を制御しながら、ガス
導入口7から真空槽1内に導入し、ガス圧力を4×10
-1Paに調整する。そして、高周波電源6から高周波電
力をマグネトロンカソード5に供給し、プラズマ9を発
生させる。このプラズマ9によりMgF2 ターゲット3
は加熱され、同時にプラズマ9中の放電ガスのイオンに
より、スパッタリングされて真空槽1内に飛散する。
通過し、真空槽1外に設置された分光器12に取り込ま
れる。分光器12は波長220〜800nmの範囲の光
を分光し、ラインセンサーにより瞬時にそれぞれの波長
の発光強度および所望の波長の発光強度比を測定する。
なお、石英窓11がターゲット3から十分に遠い位置に
設置されているので、飛散した粒子が窓部11に付着し
て、発光強度に影響を及ぼすことは無視できる。
950Wとし、2分間保持した後、550Wに下げてさ
らに2.5分間プレスパッタリングを行った。このと
き、プラズマ9からの発光10を分光器12により分光
して、MgF分子(波長359nm)の発光強度の値
と、MgF分子(359nm)/Mg原子(285n
m)及びMgF分子(波長359nm)/O原子(波長
777nm)の発光強度比を測定した。
2を回転させ、開閉装置14を駆動してシャッター13
を開放することにより、基板2上にMgF2 膜を成膜し
た。この実施の形態では、MgF2 ターゲット材料を5
回まで繰り返し使用して成膜を行った。
定したMgF分子の発光強度、図6はMgF分子/O原
子の発光強度の比、図7はMgF分子/Mg原子の発光
強度の比のそれぞれの時間変化を材料の使用回数ごとに
プロット下結果を示す。
の発光強度、MgF分子/O原子の発光強度の比及びM
gF分子/Mg原子の発光強度比の値は、それぞれ高い
高周波電力を投入したことにより一端高くなり、その
後、高周波電力を下げることにより低下し、材料の使用
回数によらずほぼ同じ値に収束している。このように同
じ条件で同じ発光強度(比)の値に収束していること
は、プレスパッタリングが終了した時点で、材料の表面
に酸化槽などの変質層がなくなっていることを示してい
る。また、発光強度(比)が同じ値であることは、成膜
される粒子の分子状態が同じであることを示しており、
同じ特性の膜を得ることができる。
ゲットの温度を不図示の赤外放射温度計で測定した。こ
の測定の結果、発光強度(比)が高くなっている時間帯
は1000℃程度の高温となっており、プレスパッタリ
ングが終了した時点では600℃程度になっていること
が確認された。
の後、実際に基板上に成膜した光学的膜厚130nmの
MgF2 膜の性質を示し、材料使用回数によらず同等と
なっている。
特性を示す。MgF2 膜の屈折率は1.39と真空蒸着
法で得たものと同等に低いため、図5に示すように可視
域(波長400〜700nm)で2%以下であり、反射
防止膜として有効となる。また可視域(波長400〜7
00nm)での膜の光吸収も、0.5%未満と真空蒸着
法で得たものと同等に少なく、光学的になんら問題はな
いものである。さらには、基板2の加熱を行っていない
にも関わらず、密着性、擦傷性などの膜の機械的強度も
良好で、実用上十分となっていた。
止膜としたが、TiO2 、Ta2 O 5 等の高屈折率の酸
化物からなる薄膜と組み合わせた多層膜としても良く、
これにより反射防止膜以外のエッジフィルターやビーム
スプリッター等の光学薄膜を作製することができる。
に示す条件で成膜した。上述した成膜では、初期の高周
波電力950Wとし、2分間保持した後、550Wに下
げて2.5分間プレスパッタリングを行ったが、初期の
高周波電力を600〜1200Wとして、実験によっ
て、保持時間を最適化してプレスパッタリングし、その
後、成膜することにより、同様の結果が得られた。
となく、MgF分子の発光強度、MgF分子/O原子及
びMgF分子/Mg原子の発光強度比を監視しながら、
高周波電力を調整し、高周波電力が600〜1200W
の範囲になるようにしても、同様の結果となった。
ド5に設け、実際に薄膜を成膜するスパッタリングより
も冷却媒体の供給量を少なくしてプレスパッタリングし
てターゲットの温度を高くしても同様の結果となった。
ット材料としてMgF2 を用いたが、AlF3 、Li
F、NaF、CaF2 、SrF2 、BaF2 、Ce
F3 、NdF3 、SmF3 、NaAlF3 、NaAlF
14等の内の1種または2種以上を適宜選択しても、ほぼ
同様の結果が得られた。
N2 やH2 Oガスを用いても、変質層の問題が生じる。
このため、放電ガスとしてN2 やH2 Oガスを用いて、
実施の形態と同様に処理したところ、ほぼ同様に変質層
除去の効果が得られた。
膜装置及び材料を用い、高周波電力を550Wに固定し
て、4.5分間プレスパッタリングを行い、実施の形態
と同様にMgF 2 ターゲット材料を5回まで繰り返し使
用して成膜を行った。
ング時に測定したMgF分子の発光強度、MgF分子/
O原子及びMgF分子/Mg原子の発光強度比の時間変
化を材料の使用回数ごとに取った結果をそれぞれ示す。
これらの結果から分かるように、MgF分子の発光強
度、MgF分子/O原子及びMgF分子/Mg原子の発
光強度比の値は時間の経過に従い、徐々に高くなり、収
束するが、材料の使用回数が増えるに従い、収束する値
が低下している。このように同一の条件でMgF分子の
発光強度、MgF分子/O原子及びMgF分子/Mg原
子の発光強度比の収束する値が材料の使用回数によって
徐々に低下していることは、材料の表面に酸化層などの
変質層が徐々に増えていることを示している。
/O原子及びMgF分子/Mg原子の発光強度比の値が
低下していることは、MgF2 の解離が増え、成膜され
る粒子にMg原子の割合が増えていることを示してお
り、得られる膜の組成や特性が変化する。
を不図示の赤外放射温度計で測定したところ、材料の使
用回数によらず、プレスパッタリングが終了した時点で
は600℃程度になっていることが確認された。
グの終了後、実際に基板上で成膜した光学的膜厚130
nmのMgF2 膜の性質を示す。表2に示すように材料
使用回数によって変化し、可視域(波長400〜700
nm)での膜の光吸収が大きくなり、屈折率もやや大き
くなる傾向となっている。特に宇a膜の光吸収は、材料
を再使用すると可視域(波長400〜700nm)で6
%以上となり、反射防止膜としては性能上問題となる。
の発明を含んでいる。
をターゲットとし、放電ガスを成膜室に導入しながら高
周波電力をターゲットに投入してプラズマを発生させ、
スパッタリングにより基板上に薄膜を形成するに先立っ
て基板上に薄膜を形成することのないプレスパッタリン
グを行うにあたり、上記プラズマ中の金属フッ化物を構
成する分子の発光強度の値またはプラズマ中の金属フッ
化物を構成する分子の発光強度を、金属フッ化物を構成
する金属原子、放電ガスのいずれかの発光強度で除した
値を監視し、この値が基板上に薄膜を形成する際に必要
な所望の値よりも高い状態でプレスパッタリングを行う
ことを特徴とする薄膜の成膜方法。
上記プレスパッタリングを行うにあたり、プラズマ中の
金属フッ化物を構成する分子の発光強度の値またはプラ
ズマ中の金属フッ化物を構成する分子の発光強度を金属
フッ化物を構成する金属原子、放電ガスのいずれかの発
光強度で除した値を、基板上に薄膜を形成する際に必要
な所望の値よりも高い状態にするために、上記基板上に
薄膜を形成する際に必要な所望のターゲット温度よりも
高い温度でプレスパッタリングを行うことを特徴とする
薄膜の成膜方法。
て、上記プレスパッタリングを行うにあたり、基板上に
薄膜を形成する際に必要な所望のターゲット温度よりも
高い温度にするために、基板上に薄膜を形成する際に必
要な所望の高周波電力よりも高い電力をターゲットに投
入してプレスパッタリングを行うことを特徴とする薄膜
の成膜方法。
て、上記ターゲットの冷却媒体の供給量を、上記基板に
薄膜を形成する際に供給する量よりも少なくすることを
特徴とする薄膜の成膜方法。
て、所定の成膜回数が経過した後に行うプレスパッタリ
ングに際し、上記ターゲットの温度を上記基板上に薄膜
を形成する際に必要な温度よりも高くして行うことを特
徴とする薄膜の成膜方法。
ゲット材料を加熱してプレスパッタリングするプレスパ
ッタリング工程と、上記第1の温度よりも高い第2の温
度のターゲット材料を加熱して成膜するスパッタリング
工程と、を備えていることを特徴とする薄膜の成膜方
法。
料をターゲットとし、放電ガスを成膜室に導入しながら
高周波電力をターゲットに投入してプラズマを発生さ
せ、スパッタリングにより基板上に薄膜を形成するに先
立って基板上に薄膜を形成することのないプレスパッタ
リングを行うにあたり、上記プラズマ中の金属フッ化物
に起因する発光強度を監視し、この発光強度の基づいた
条件でプレスパッタリングを行うことを特徴とする薄膜
の成膜方法。
よれば、プラズマ中の金属フッ化物を構成する分子の発
光強度の値またはプラズマ中の金属フッ化物を構成する
分子の発光強度を金属フッ化物を構成する金属原子、放
電ガスのいずれかの発光強度で除した値を監視し、この
値が基板上に薄膜を形成する際に必要な値よりも高い状
態でプレスパッタリングを行うため、ターゲット材料を
繰り返し成膜に使用しても、光吸収が少なく、且つ充分
な機械的強度を有する薄膜を形成できる。
属フッ化物を構成する分子の発光強度の値またはプラズ
マ中の金属フッ化物を構成する分子の発光強度を金属フ
ッ化物を構成する金属原子、放電ガスのいずれかの発光
強度で除した値を基板上に薄膜を形成する際に必要な所
望の値よりも高い状態にする手段として、ターゲット温
度を基板上に薄膜を形成する際に必要な温度よりも高い
温度とするため、ターゲット材料を繰り返し成膜に使用
しても、光吸収が少なく、且つ充分な機械的強度を有す
る薄膜を形成できる。
形成する際に必要な高周波電力よりも高い電力をターゲ
ットに投入してプレスパッタリングを行うため、ターゲ
ット材料を繰り返し成膜に使用しても、光吸収が少な
く、且つ充分な機械的強度を得ることのできる薄膜を形
成できる。
ーゲットの使用回数毎に測定した特性図である。
強度の比をターゲットの使用回数毎に測定した特性図で
ある。
光強度の比をターゲットの使用回数毎に測定した特性図
である。
である。
ットの使用回数毎に測定した特性図である。
の比をターゲットの使用回数毎に測定した特性図であ
る。
度の比をターゲットの使用回数毎に測定した特性図であ
る。
ペクトルの特性図である。
たプラズマのスペクトルの特性図である。
たときに発生したプラズマのスペクトルの特性図であ
る。
Claims (3)
- 【請求項1】 少なくとも金属フッ化物を含む材料をタ
ーゲットとし、放電ガスを成膜室に導入しながら高周波
電力をターゲットに投入してプラズマを発生させ、スパ
ッタリングにより基板上に薄膜を形成するに先立って基
板上に薄膜を形成することのないプレスパッタリングを
行うにあたり、 前記プラズマ中の金属フッ化物を構成する分子の発光強
度の値またはプラズマ中の金属フッ化物を構成する分子
の発光強度を、金属フッ化物を構成する金属原子、放電
ガスのいずれかの発光強度で除した値を監視し、この値
が基板上に薄膜を形成する際に必要な所望の値よりも高
い状態でプレスパッタリングを行うことを特徴とする薄
膜の成膜方法。 - 【請求項2】 少なくとも金属フッ化物を含む材料をタ
ーゲットとし、放電ガスを成膜室に導入しながら高周波
電力をターゲットに投入してプラズマを発生させ、スパ
ッタリングにより基板上に薄膜を形成するに先立って基
板上に薄膜を形成することのないプレスパッタリングを
行うにあたり、 前記ターゲットの温度を、前記基板上に薄膜を形成する
に際し必要な温度よりも高くすることを特徴とする薄膜
の成膜方法。 - 【請求項3】 少なくとも金属フッ化物を含む材料をタ
ーゲットとし、放電ガスを成膜室に導入しながら高周波
電力をターゲットに投入してプラズマを発生させ、スパ
ッタリングにより基板上に薄膜を形成するに先立って基
板上に薄膜を形成することのないプレスパッタリングを
行うにあたり、 前記基板上に薄膜を形成する際に必要な電力よりも高い
高周波電力を前記ターゲットに投入することを特徴とす
る薄膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27097497A JPH11106910A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 薄膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP27097497A JPH11106910A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 薄膜の成膜方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11106910A true JPH11106910A (ja) | 1999-04-20 |
Family
ID=17493634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27097497A Pending JPH11106910A (ja) | 1997-10-03 | 1997-10-03 | 薄膜の成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11106910A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003023084A1 (fr) * | 2001-09-05 | 2003-03-20 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation cathodique de fluorure et son procede de preparation |
-
1997
- 1997-10-03 JP JP27097497A patent/JPH11106910A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003023084A1 (fr) * | 2001-09-05 | 2003-03-20 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation cathodique de fluorure et son procede de preparation |
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