KR20180078356A - 기판 상에 구조화된 코팅을 생성하는 방법, 코팅된 기판, 및 코팅된 기판을 갖는 반제품 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법에 관한 것으로, 상기 방법은: 코팅될 표면을 갖는 기판을 제공하는 단계, 및 적어도 하나의 증발 코팅 물질의 열적 증발에 의해 코팅될 기판의 표면 상에, 적어도 하나의 증발 코팅 물질, 즉 산화 알루미늄, 이산화 실리콘, 질화 실리콘 또는 이산화 티타늄을 증착시킴으로써, 코팅될 기판의 표면 상에 구조화된 코팅을 생성하고 추가적 구조화를 이용하는 단계를 포함한다. 본 발명은 추가로, 코팅된 기판 및 코팅된 기판을 갖는 반제품에 관한 것이다.

Description

기판 상에 구조화된 코팅을 생성하는 방법, 코팅된 기판, 및 코팅된 기판을 갖는 반제품{METHOD FOR PRODUCING A STRUCTURED COATING ON A SUBSTRATE, COATED SUBSTRATE, AND SEMI-FINISHED PRODUCT HAVING A COATED SUBSTRATE}
본 발명은 구조화된 코팅된 기판들의 분야의 기술들에 관한 것이다.
코팅될 기판 표면 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법은 문서 DE 102 22 609 B4에 설명되어 있다. 알려진 프로세스는 네거티브 구조화를 갖는 제1 층이, 코팅될 기판 표면에 적용되는 리프트-오프 방법과 관련된다. 그 다음에, 제2 층이 상기 표면 상에 증착되어, 제1 층 상에 위치된 제2 층의 섹션들을 갖는 제1 층은 최종적으로, 적어도 부분적으로 제거될 수 있다. 증발에 의해, 증발 유리 물질을 포함하는 제2 층을 증착함으로써, 구조화된 코팅은 알려진 방법을 이용하여 생성된다.
알려진 리프트-오프 프로세스에 부가하여, 기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위해 마스크 구조화가 이용될 수 있고, 구조화된 코팅은 하나 이상의 쉐도우 마스크들을 이용하여 생성된다. 쉐도우 마스크는 기판의 영역들이, 증착되는 물질로부터 자유롭게 유지될 수 있게 한다.
기판 상에 구조화된 코팅을 형성하는 2가지 상술된 방법들은 소위 추가적 구조화의 특수한 특성들이다.
본 발명에 의해 해결되는 문제점은, 기판 상의 구조화된 코팅의 생성과 관련하여 개선된 기술들을 창출하는 것이다.
이 문제점은, 독립청구항 제 1 항에 따른 코팅될 표면 상에 구조화된 코팅을 생성하는 방법, 독립청구항 제 19 항에 따른 코팅된 기판, 및 독립청구항 제 30 항에 따른 코팅된 기판을 갖는 반제품(semi-finished product)에 의해 본 발명에 따라 해소된다. 본 발명의 바람직한 실시예들은 종속청구항들의 청구대상이다.
본 발명의 일 양상에 따라, 기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법이 창출되고, 상기 방법은: 코팅될 표면을 갖는 기판을 제공하는 단계, 및 적어도 하나의 증발 코팅 물질의 열적 증발에 의해 코팅될 기판의 표면 상에, 적어도 하나의 증발 코팅 물질, 즉 산화 알루미늄, 이산화 실리콘, 질화 실리콘 또는 이산화 티타늄을 증착시키고 추가적 구조화를 이용함으로써, 코팅될 기판의 표면 상에 구조화된 코팅을 생성하는 단계를 포함한다. 구조화된 코팅은 플라즈마-증진 열적 전자 빔 증발에 의해 완전히 또는 단지 부분적으로 생성된다.
본 발명의 추가의 양상은, 적어도 하나의 증발 코팅 물질, 즉 산화 알루미늄, 이산화 실리콘, 질화 실리콘 또는 이산화 티타늄의 적어도 일부로 이루어진 구조화된 코팅이 표면 상에 형성되는 기판을 갖는, 코팅된 기판, 특히 상기 방법에 따라 생성된 기판에 관련된다.
본 발명의 다른 양상에 따라, 기판, 코팅될 기판의 표면 상의 적어도 하나의 층 물질로 이루어진 제1 층 ― 코팅될 표면의 하나 이상의 섹션들은 제1 층으로부터 자유롭고, 네거티브 구조는 제1 층을 갖는 표면 상에 형성됨 ―, 및 제1 층이 제공된 표면 상의, 적어도 하나의 증발 코팅 물질, 즉 산화 알루미늄, 이산화 실리콘, 질화 실리콘 또는 이산화 티타늄으로 이루어진 제2 층을 나타내는, 코팅된 기판을 갖는 반제품이 생성된다.
본 발명의 지원으로, 적어도 하나의 증발 코팅 물질, 즉 산화 알루미늄, 이산화 실리콘, 질화 실리콘 또는 이산화 티타늄을 증착함으로써, 기판 상에 구조화를 갖는 효율적인 방식으로 상이한 애플리케이션들에 대해 개별적으로 설계된 코팅들을 생성하기 위한 기회가 창출된다. 이들 물질들은 구성된 기판 코팅들이 상이한 애플리케이션들을 위해 제공될 수 있게 한다.
이용되는 증발 코팅 물질 및 애플리케이션에 따라 다양한 개선들이 가능하도록, 개별적인 또는 결합된 이점들은 상이한 증발 코팅 물질들과 함께 유도될 수 있다. 그러므로, 최신기술에서 이용되는, 증발 유리 물질의 유사한 두께의 층들과 비교하여 단일 성분계 이산화 실리콘의 증발 층들은, 특히 자외선 파장 범위 내에서 보다 높은 광학 송신을 갖는다. 이산화 실리콘에 대한 브레이크다운 전압은 또한 보다 높다. 산화 알루미늄은 높은 스크래치 레지스턴스 및 높은 광학 굴절율에 의해 특징지어진다. 이는 특히, 플루오르화수소산(hydrofluoric acid)에 의해 부식되지(corrode) 않는다. 이산화 티타늄은 매우 높은 광학 굴절율을 갖는다. 질화 실리콘은 높은 브레이크다운 전압을 나타내고, 부가하여, 증발 유리와 비교해 높은 광학 굴절율을 갖는다.
놀랍게도, 이들 단일 성분계들이 증발 유리와 비교하여 상당히 보다 높은 용융 온도를 나타내지만, 플라즈마-증진 전자 빔 증발에 의해 지시된 증발 코팅 물질들을 갖는 구조화된 코팅이 가능한 것으로 알려졌다. 이러한 사실에도 불구하고, 과도한 기판 온도들로 인해 발생할 수 있는 단점들이 회피되는 것이 가능하였다. 증발 유리 물질로서 이용되는 보로실리케이트(borosilicate) 유리의 용융 온도가 약 1300 ℃지만, 여기에서 제안된 증발 물질들에 대해 다음의 값들이 알려졌다: 이산화 실리콘 - 대략 1713 ℃, 산화 알루미늄 - 대략 2050 ℃, 이산화 티타늄 - 대략 1843 ℃, 그리고 질화 실리콘 - 대략 1900 ℃.
증발 코팅 물질의 플라즈마-증진 열적 전자 빔 증발의 이용은 개선된 층 증착을 용이하게 한다. 구조화된 코팅의 생성시 요구되는 층 특징들을 생성하기 위해, 플라즈마-증진 열적 증발은 요구되는 애플리케이션에 적합해지도록 개별적으로 변경될 수 있다. 플라즈마 증진의 지원으로, 예컨대, 층 접착력 및 층 내의 고유 압축력 또는 인장 응력(tensile stress)들이 제어되고 개선될 수 있다. 부가하여, 증발 층의 화학양론(stoichiometry)이 영향받을 수 있다.
본 발명의 상이한 실시예들에서, 구조화된 코팅은 단일 층 또는 다중 층들로서 실시될 수 있다. 다중-계층화된 설계에서, 제1 증발 물질의 적어도 하나의 부분 층 및 다른 증발 물질의 적어도 하나의 추가적 부분 층이 증착될 수 있는 것으로 제시될 수 있다. 예컨대, 제1 부분 층은 이산화 실리콘으로부터 형성되고, 그 다음에 상기 제1 부분 층 상에 산화 알루미늄의 층이 형성되는 것으로 제시될 수 있다.
일 실시예에서, 플라즈마-증진 열적 전자 빔 증발에 의해 증착되는 코팅의 하나 또는 여러 부분 층들에 부가하여, 하나 또는 여러 추가적 부분 층들이 스퍼터링 또는 CVD(화학 기상 증착)와 같은 다른 생성 방법들을 이용하여 형성된다. 생성 방법들은 또한, 예컨대 질화 실리콘 또는 이산화 실리콘 코팅시에 이용될 수 있다. 구조화된 코팅의 하나 이상의 부분 층들은, 하나 또는 여러 부분 층들의 증착 이전에 그리고/또는 하나 또는 여러 부분 층들의 증착 이후에 프로세싱될 수 있다.
플라즈마 증진은 또한, 기상-증착 층의 높은 품질을 촉진한다. 양호한 컴팩팅(compacting) 및 그에 따른 밀폐 특징들이 이것의 결과로서 생성될 수 있다. 개선된 층 성장으로 인해 많지 않은 결점들이 발생한다. 코팅될 기판은 예비가열(preheat)될 필요가 없다. 이러한 종류의 코팅은 또한 IAD 콜드 코팅으로 지칭된다. 이 경우의 특정 이점은 높은 증착율이 획득될 수 있다는 것이고, 이는 프로세싱 시간들이 전체적인 생성 동안 최적화될 수 있다는 것을 의미한다. 통상적인 증발 프로세스들에서, 기판들은 높은 층 품질을 획득하기 위해 강한 예비가열을 겪어야만 한다. 이는 콘덴싱된 입자들의 보다 큰 탈착에 이르고, 그러므로, 달성될 수 있는 증발율을 감소시킨다. 더욱이, 플라즈마 증진은, 코팅될 기판 표면 상의 증발되는 입자들의 이방성 접촉(anisotropic encounter)을 획득하기 위해, 증기(vapour)가 플라즈마 빔에 의해 지향될 수 있음을 의미한다. 이것의 결과는, 층 증착이 링크들 없이 획득될 수 있다는 것이다. 링크들은 코팅될 기판의 표면 상의 상이한 영역들 사이에 원하지 않는 접속들이다.
바람직한 프로세스 실시예들에서, 다음의 프로세스 특징들 중 하나 이상이 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 플라즈마-증진 열적 전자 빔 증발은 대략 20 ㎚/min 내지 대략 2 ㎛/min 사이의 증발율로 발생한다. 산소, 질소, 및/또는 아르곤 플라즈마가 이용되는 것으로 제시될 수 있다. 대안적으로 또는 부가하여, 열적 증발을 위한 프로세스 단계는 코팅될 표면의 세척 및/또는 활성화를 위한 사전처리에 후속하는 것으로 제시될 수 있다. 사전처리는 플라즈마, 특히 산소, 질소 및/또는 아르곤 플라즈마를 이용하여 수행될 수 있다. 사전처리는 바람직하게, 원위치에, 다시 말해, 열적 증발 이전에 코팅 머신 내의 제 위치에서 발생한다.
본 발명의 실용적인 실시예에서, 적어도 하나의 증발 코팅 물질의 열적 증발을 위한 단계는 적어도 2개의 증발 소스들의 공동-증발을 위한 단계를 포함하는 것으로 제시될 수 있다. 적어도 2개의 증발 소스들의 공동-증발에 의해, 동일한 또는 상이한 물질들이 증착될 수 있다.
본 발명의 하나의 바람직한 실시예는 구조화된 코팅이, 비-균일 물질 조성(composition)으로 코팅될 표면의 평면에 수직하는 일 방향으로 생성되는 것으로 제시한다.
본 발명의 개선은 바람직하게, 코팅될 기판의 표면 상의 구조화된 코팅의 생성이 여러 번 수행되는 것으로 제시한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 구조화된 코팅은 기판의 적어도 2개의 포인트들 상에 생성되는 것으로 제시될 수 있다. 구조화된 코팅은 예컨대, 기판의 전단부 및 후단부 상에 발생될 수 있다. 전단부 및 후단부 상의 구조화된 층 증착은 동시의 또는 연속적인 증착 프로세스들 동안 발생할 수 있다.
본 발명의 개선은, 기판은 추가적 기판에 접속되는 것으로 제시할 수 있다. 추가적 기판은, 다음의 구조적 엘리먼트들의 그룹으로부터 선택된 구조적 엘리먼트의 컴포넌트일 수 있다: 반도체 구조적 엘리먼트, 광전자 구조적 엘리먼트 및 마이크로-전기기계적 구조적 엘리먼트.
본 발명의 바람직한 개선은, 구조화된 코팅의 구조들이 적어도 부분적으로 충전되는 것으로 제시한다. 전기적으로 도전성이고 그리고/또는 투명한 물질이, 구조화된 코팅을 적어도 부분적으로 충전하기 위해 이용된다.
본 발명의 실용적인 실시예에서, 적어도 하나의 도전성 영역이 기판 상에 생성되는 것으로 제시될 수 있다. 하나 이상의 스트립 컨덕터들은 적어도 하나의 도전성 영역에 의해 코팅될 표면 상에 그리고/또는 구조화된 코팅 상에 생성될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예는 본드 층이 구조화된 코팅 상에 형성되는 것으로 제시한다. 본드 층은 예컨대, 후속 금속화를 위한 시드 층 및/또는 접착 층을 포함한다.
본 발명의 개선은 바람직하게, 구조화된 코팅이 다중-층 코팅으로서 형성되는 것으로 제시한다. 일 실시예에서, 다중-층 코팅은 이산화 실리콘과 증발 유리 물질 또는 이산화 실리콘과 산화 알루미늄의 층들로부터 형성되어, 증발 유리 물질 또는 산화 알루미늄의 부분 층은 이산화 실리콘 상에 상부 층을 형성한다. 이러한 상황에서, 열적 증발 이외의 증착 기술들이 하나 이상의 부분 층들을 생성하기 위해 이용되는 것으로 제시될 수 있다. 이들은 예컨대, 스퍼터링을 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 구조화된 코팅은, 대략 0.05 ㎛ 내지 대략 50 ㎛ 사이의 층 두께, 바람직하게 대략 0.1 ㎛ 내지 대략 10 ㎛ 사이의 층 두께, 더욱 바람직하게 대략 0.5 ㎛ 내지 대략 3 ㎛ 사이의 층 두께로 형성되는 것으로 제시될 수 있다.
본 발명의 개선은, 코팅될 표면 상에 적어도 하나의 증발 코팅 물질의 증착 동안, 기판이 대략 120 ℃, 바람직하게 대략 100 ℃의 최대 기판 온도를 나타내는 것으로 제시할 수 있다. 이 낮은 기판 온도는, 예컨대 플라스틱들 및 폴리머 필름들과 같은 온도-민감 물질들, 예컨대 레지스트들, 및 또한 예컨대 Ⅲ/Ⅴ 반도체 광-검출기(photo-detector)들과 같은 온도-민감 컴포넌트들을 코팅하는 경우에 특히 바람직하다. 플라즈마-증진 열적 전자 빔 증발을 이용하는 것은, 최신기술에서 통상적으로 제공되는 것과 같은 후속 어닐링을 요구함이 없이, 생성된 층들이 일 실시예에서 충분히 컴팩트될 수 있게 한다.
본 발명의 바람직한 개선은, 기판이 다음의 물질들 중 적어도 하나를 포함하는 기판으로서 공급되는 것으로 제시한다: 유리, 금속, 플라스틱들, 세라믹들, 무기물 절연재, 유전체 및 반도체 물질. 실리콘 또는 갈륨 비화물은 가능한 반도체 물질들의 예들이다.
본 발명의 실용적인 실시예에서, 추가적 구조화의 경우에서 다음의 구조화 프로세스들 중 적어도 하나가 수행되는 것으로 제시될 수 있다:
- 구조화된 코팅이 쉐도우 마스크를 이용하여 생성되는 마스크 구조화, 및
- 구조화된 코팅의 생성이 다음의 단계들을 포함하는, 네거티브 구조에 의한 구조화:
- 코팅될 기판 표면 상에 적어도 하나의 층 물질이 증착되고, 코팅될 표면의 하나 이상의 섹션들은 증착된 층 물질을 제거함으로써 노출되는, 코팅될 기판 표면 상에 네거티브 구조들을 갖는 제1 층의 생성 단계,
- 적어도 하나의 증발 코팅 물질의 열적 증발에 의해, 제1 층이 제공된 기판의 표면 상에 적어도 하나의 증발 코팅 물질의 제2 층의 증착 단계, 및
- 제1 층의 적어도 부분적 제거 단계.
네거티브 구조들에 의한 구조화는 또한 리프트-오프 구조화 또는 리프트-오프 프로세스로서 지칭된다. 일 실시예에서, 제1 층의 적어도 부분적인 제거를 위한 단계는, 코팅된 기판을 평탄화를 위한 단계를 포함한다. 더욱이, 예컨대, 그라인딩 및/또는 랩핑 및/또는 폴리싱에 의한 기계적 제거를 위한 단계는, 부가하여 또는 대안으로서 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 네거티브 구조들의 형성은, 제1 코팅의 구조화된 프린팅, 특히 스크린-프린팅에 의한 구조화된 프린팅을 위한 단계를 제공할 수 있다. 네거티브 구조들의 생성은, 리소그래픽 구조화 및/또는 리소그래픽 그레이 스케일 구조화를 위한 단계를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 네거티브 구조들은 또한, 포토구조화할 수 있는 층의 애플리케이션을 위한 단계를 포함할 수 있다. 이러한 상황에서, 레지스트 물질의 애플리케이션을 위한 단계가 제공될 수 있다. 네거티브 구조화를 위한 단계는 증착된 층 물질을 용매로 용해시키기 위한 단계를 포함할 수 있다. 개선에서, 제1 층의 적어도 부분적 제거를 위한 단계는 습식-화학적 제거 및/또는 건식-화학적 제거를 위한 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예는, 네거티브 구조에 의한 구조화를 이용하여, 제2 층은 제1 층에 대한 하나 이상의 액세스들을 갖는 비-근접(non-closed) 층으로서 생성되는 것으로 제시한다.
본 발명의 개선은 바람직하게, 네거티브 구조에 의한 구조화를 이용하여, 제2 층은 후-처리(after-treatment)를 겪는 것으로 제시한다. 후-처리는 습식-화학적 수단 및/또는 건식-화학적 수단에 의해 및/또는 예컨대, 템퍼링에 의해 및/또는 CMP(화학 기계적 폴리싱)에 의해 및/또는 제2 층의 전기적 도핑을 위한 단계에 의해 수행된다. 전기적 도핑의 경우에, 층의 전기적 특징들에 영향을 주기 위해, 적어도 하나의 도핑 물질은 통상적으로, 매트릭스 물질에 임베딩된다.
본 발명의 개선은, 네거티브 구조에 의한 구조화를 이용하여, 제2 층은 에지 표면들을 비스듬하게(obliquely) 리버팅(revert)하여 형성되는 것으로 제시할 수 있다. 제2 층의 에지 표면들은 이때 층 하부(beneath)에 수직하지 않지만, 제2 층을 향하여 경사져있다(inclined).
본 발명의 바람직한 개선은, 네거티브 구조에 의한 구조화를 이용하여, 제1 층은 포토레지스트 물질로부터 적어도 부분적으로 생성되는 것으로 제시한다. 포토레지스트 물질의 애플리케이션은 예컨대, 스핀-코팅 및/또는 스프레잉 및/또는 전기증착 및/또는 라미네이팅에 의해 수행되는 코팅 단계에서 발생한다. 이러한 상황에서 또는 포토레지스트 물질이 이용되지 않는 실시예들에서 또한, 제1 층의 부분적 제거를 위한 단계는, 제1 층을 엠보싱 또는 에칭하기 위한 단계를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 포토레지스트 물질의 애플리케이션은 포토레지스트 필름의 애플리케이션에 걸쳐 발생할 수 있다.
일 실시예에서, 포토레지스트 물질의 제1 층은 대략 150 ℃의 최대 온도에서 크로스-링크(소프트베이크(softbake))된다. 그에 따라, 리프트-오프 프로세스의 특별히 완만한 실행이 용이하게 된다.
본 발명에 따른 코팅된 기판과 본 발명에 따른 반제품과 관련하여, 기판 상의 구조화된 코팅을 생성하기 위한 프로세스의 바람직한 실시예들에 관해 이루어진 설명들이 그에 따라 여기에 적용된다.
코팅된 기판의 및/또는 반제품의 바람직한 실시예들은 다음의 특징들 중 하나 또는 여럿을 제공한다. 플라즈마-증진 열적 전자 빔 증발에 의해 증착된 하나 또는 여러 층들은 바람직하게, 적어도 DIN 12116에 따른 Class 2에 따라 내산성(acid resistant)이다. DIN 12116에 대한 참조가 동일한 라인들에 따라 이루어진다. 따라서, 테스트될 표면은 6시간 동안 염산(hydrochloric acid)(c
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5.6 ㏖/l)에서 보일링된다. 그 다음에, 중량 손실(weigh loss)은 ㎎/100㎠로 결정된다. Class 2는, 6시간 후의 표면 중량 손실의 절반이 0.7 ㎎/100㎠이고 최대 1.5 ㎎/100㎠인 경우에 존재한다. 더욱 바람직한 것은, 6시간 이후의 표면 중량 손실의 절반이 최대 0.7 ㎎/100㎠인 Class 1이다.
대안적으로 또는 부가하여, Class 2에 따르는, 더욱 바람직하게 DIN 52322(ISO 695)에 따른 Class 1에 따르는 기본 레지스턴스(base resistance)가 제공된다. 여기에서, 또한, 동일한 라인들을 따라 참조가 이루어진다. 기본 레지스턴스를 결정하기 위해, 표면들은 3시간 동안 보일링 수액(boiling aqueous solution)에 노출된다. 상기 수액은, 수산화나트륨(sodium hydroxide)(c = 1 ㏖/l) 및 탄산나트륨(sodium carbonate)(c = 0.5 ㏖/l)의 동일한 부분들로 이루어졌다. 중량 손실들이 결정된다. Class 2는, 3시간 이후의 표면 중량 손실이 75 ㎎/100㎠ 이상이고 최대 175 ㎎/100㎠인 경우에 존재한다. Class 1에 따라, 3시간 이후의 표면 중량 손실은 최대 75 ㎎/100㎠ 이다.
일 실시예에서, 플라즈마-증진 열적 전자 빔 증발에 의해 증착된 하나 또는 여러 층들은, DIN 12111(ISO 719)에 따른 Class 2를, 바람직하게는 Class 1을 적어도 만족하는 가수분해 레지스턴스(hydrolytic resistance)를 나타내는 것으로 제시된다.
대안적으로 또는 이에 부가하여, 용매 레지스턴스(solvent resistance)가 또한 형성된다. 바람직한 실시예에서, 플라즈마-증진 열적 전자 빔 증발에 의해 증착된 층들은 +500 MPa 미만의 내부 층 응력(stress)을 나타내고, 플러스 부호는 층 내의 압축 응력을 표시한다. 바람직하게, +200 MPa 내지 +250 MPa 사이 및 -20 MPa 내지 +50MPa 사이의 내부 층 응력이 생성되고, 마이너스 부호는 층 내의 인장 응력(tensile stress)을 표시한다.
부가하여 또는 대안적으로, 층들은 ISO 9385에 따라 적어도 HK 0.1/20=400의 크누우프 경도(Knoop hardness)를 갖는 스크래치-레지스턴스일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 플라즈마-증진 열적 전자 빔 증발에 의해 증착된 층들은, 10 ㎛ 스타일러스(stylus)를 이용한 나노인덴터(nanoindenter) 테스트에서 100 mN보다 큰 가로방향력들(lateral forces)로 실리콘에 매우 양호하게 접착하는 것으로 제시된다.
생성 방법은 상술한 층 특징들 중 하나 이상을 생성하도록 적응될 수 있다.
본 발명은 도면 범위 내의 도면들을 참조하고 바람직한 예시적 실시예들을 이용하여 아래에서 더욱 상세하게 설명된다.
도 1은 증발 코팅 물질의 플라즈마-증진 열적 전자 빔 증발에 의해 구조화된 층이 증착될 기판의 개략도를 도시한다.
도 2는 증착되는 구조화된 층의 네거티브 이미지에 대응하는 마이크로-구조화를 나타내는, 기판 상에 증착되는 레지스트를 갖는 도 1로부터의 기판의 개략도를 도시하고, 상기 구조화는 리소그래피에 의해 형성된다.
도 3은 이제 기판 상에 증착되는 증발 코팅 물질의 층을 갖는, 도 2로부터의 기판의 개략도를 도시한다.
도 4는 레지스트가 제거된 도 3으로부터의 기판의 개략도를 도시한다.
도 5는 네거티브 구조를 갖는 레지스트의 층 및 증발 층이 기판 상에 형성되는 반제품을 도시한다.
도 6은 네거티브 구조를 갖는 레지스트의 층 및 증발 층이 기판 상에 형성되는 추가적 반제품을 도시한다.
도 7은 다수의 추가적 구조화에 의해, 구조화된 증발 층들이 기판 상에 형성되는 구성의 개략도를 도시한다.
도 8은 다수의 추가적 구조화에 의해, 다수의 증발 층들이 증착되는 구성의 개략도를 도시한다.
도 9는 추가적 구조화에 의해, 구조화된 코팅이 기판 상에 형성되는 구성의 개략도를 도시하고, 여기서 중간 섹션은 구조화된 코팅 내에 충전되는 물질을 제공받는다.
도 10은 구조화되지 않은 및 구조화된 증발 층이 생성되는 구성의 개략도를 도시한다.
도 11은 기판 섹션의 개략도를 도시한다.
도 12는 추가적 구조화에 의해 생성된 증발 층이, 본드/시드 층이 제공되는 기판 상에 형성되는 구성의 개략도를 도시한다.
도 13은 도 12로부터의 구성을 위에서부터 비스듬하게 도시한다.
도 14는 네거티브 이미지를 이용하여 기판에 적용된 레지스트가 증발 층에 의해 완전히 둘러싸이는 구성의 개략도를 도시한다.
도 15는 기계적 평탄화(planarisation)에 후속하는 도 14에 따른 구성을 도시한다.
도 16은 레지스트 물질의 네거티브 구조들의 에지 표면들이 비스듬하게 연장하는 구성의 개략도를 도시한다.
도 17은 레지스트 물질을 분리시키기 위한 리프트-오프 프로세스에 후속하는 도 16에 따른 구성을 도시한다.
도 1은 증발 코팅 물질, 즉 산화 알루미늄, 이산화 실리콘, 질화 실리콘 또는 이산화 티타늄의 구조화된 층이 열적 증발에 의해 기판(1) 상에 증착될 기판(1)의 개략도를 도시하고, 여기서 플라즈마-증진 전자 빔 증발이 이용된다. 본 명세서에 설명된 예시적 실시예에서, 구조화된 층은 아래에 더욱 상세하게 설명되는 리프트-오프 프로세스의 지원으로 생성된다.
도 2는 기판(1) 상에서, 증착될 층을 위해 요구되는 마이크로구조화의 네거티브 이미지가, 알려진 리소그래피에 의해 포토레지스트(2)에 적용되는, 도 1로부터의 기판(1)의 개략도를 도시한다.
그 다음에, 증발 코팅 물질이 열적 증발에 의해 증착되어, 증발 층(3)이 도 3에 따라 생성된다. 일 실시예에서, 이 경우에 플라즈마-증진 열적 전자 빔 증발은 층 증착을 위해 이용된다. 증발 층(3)은 단일 층 또는 다중-층이다.
유전체 층의 증착 동안, 기판(1)은 대략 120 ℃보다 낮은, 바람직하게 대략 100 ℃보다 낮은 기판 온도에서 유지된다. 증발 코팅 물질의 증착은 플라즈마에 의해 증진되고, 프로세스를 위해 예컨대, 산소 및 아르곤 가스들이 이용된다. 준비적 단계에서, 증발 코팅 물질이 증착될 표면은 아르곤 및 산소를 포함하는 플라즈마를 이용하여 사전-세척되거나 조절된다. 층(3)의 증착에 포함되는 상이한 시간 간격들 동안, 이용되는 플라즈마는 증발 층 내에 원하는 층 특징들을 생성하기 위해, 특히 플라즈마의 가스 조성 및 플라즈마 출력에 관하여 상이한 설정들을 갖는다.
도 4는 포토레지스트 층(2)이 제거된, 도 3으로부터의 기판의 개략도를 도시한다.
추가의 예시적 실시예들이 도 5 내지 도 17을 참조하여 아래에서 설명된다. 이 경우에, 동일한 참조 번호들은 도 1 내지 도 4와 동일한 형상부들을 위해 이용되었다.
열적 증발이 플라즈마-증진되었다면, 대응하는 물질 및 특징들 변화도(gradient)는 플라즈마 파라미터들의 타겟팅된 변화를 통해 획득될 수 있다. 그러므로, 예컨대 폐쇄 영역을 밀폐하여 설계하기 위해, 예컨대, 상이한 컴팩팅(compacting)이 증발 코팅 물질 내에서 이용될 수 있다. 물질 및 특징 변화도는 부드러운 전이의 형태로 점진적으로 발생될 수 있거나(도 5 참조), 또는 증착되는 증발 물질, 예컨대 다른 프로세스의 지원으로 또한 증착될 수 있는 추가적 물질의 애플리케이션의 갑작스러운 변화 또는 플라즈마 파라미터들의 갑작스러운 변화에 의해 급작스럽게 발생될 수 있다(도 6). 이 방식에서, 구조화된 비-반사적(anti-reflex) 코팅들은 상이한 굴절율들을 갖는 층들의 다수의 애플리케이션에 의해 생성될 수 있다.
도 5 및 도 6은 각각 네거티브 구조를 갖는 레지스트 층(2) 및 증발 층(3)이 기판(1) 상에 형성되는 반제품을 도시하고, 상기 증발 층은, 점진적인 또는 부드러운 물질 전이(도 5 참조) 또는 갑작스러운 물질 전이(도 6 참조)를 이용하여 형성된다. 도 3에 따르면, 구조화된 증발 층은 제거 프로세스의 지원으로 노출될 수 있다.
도 7은 다수의 추가적 구조화에 의해 구조화된 증발 층들(70, 71, 72)이 기판(1) 상에 형성되는 구성의 개략도를 도시한다. 리프트-오프 프로세스가 여러 번 수행되었다. 일 예시적 실시예에서, 낮은 광학 굴절율을 갖는 구조화된 층(72)이 기판(1) 상에 먼저 증착되고, 실시예에서 이는 이산화 실리콘(SiO2)이다. 다음으로 층(72)의 증발 코팅 물질보다 높은 광학 굴절율을 갖는, 예컨대 산화 알루미늄(Al2O3)인 증발 코팅 물질의 증발 층(70)의 구조화된 증착이 뒤따른다. 예컨대, 층(70)의 증발 물질보다 낮은 광학 굴절율을 갖는 물질, 예컨대 이산화 실리콘의 증기 증발 층(71)이 새로운 구조화된 증착에 의해 최종적으로 증착된다. 이 경우에, 증발 층(70)은 완전히 둘러싸여서, 예컨대, 광학 도파관이 형성될 수 있다.
도 8은 다수의 추가적 구조화에 의해 다수의 증발 층들(80, 81, 82)이 기판(1) 상에 증착되고, 그에 따라 구조화된 코팅이 형성되는 구성의 개략도를 도시한다. 기판(1) 상의 구조화된 코팅의 다중-계층화된 형성은, 예컨대 일 실시예에서 다중-계층화된 회절 엘리먼트들이 되는 것을 가능하게 한다. 복수의 증발 층들(80, 81, 82) 중 1, 2 또는 심지어 3개 증발 층들 모두는 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 그러나, 2 또는 심지어 3개의 상이한 증발 물질들이 다양한 증발 층들(80, 81, 82)을 생성하기 위해 이용되는 것으로 또한 제시될 수 있다. 대안적인 실시예에서, 다중-계층화된 코팅의 1 또는 2개의 층들은, 열적 증발에 의해서가 아닌 다른 생성 방법들, 예컨대 스퍼터링 또는 CVD의 지원으로 기판(1) 상에 생성되는 것으로 제시될 수 있다. 부가하여, 다수의 증발 층들(80, 81, 82) 중 하나는 금속화 층일 수 있다.
도 9는 추가적 구조화에 의해 구조화된 코팅(90)이 기판(1) 상에 형성되는 구성의 개략도를 도시하고, 구조화된 코팅(90)의 중간 영역(91)은, 예컨대, 전기적으로 도전된 그리고/또는 광학적으로 투명한 물질의 증착에 의해 생성된 물질 충전(92)을 제공받는다. 그에 따라, 예컨대, 전기적으로 도전된 물질로 이루어진 "매립된(buried)" 스트립 컨덕터가 형성될 수 있다. 이를 달성하기 위해, 예컨대 TiW/Cu로 이루어진 얇은 시드 층이 스퍼터링에 의해 중간 영역(91) 내에 그리고 구조화된 코팅(90)에 적용된다. 이에 뒤따라, 충전될 중간 영역(91) 위에 자유롭게 구조화되는 포토레지스트 마스킹이 수행된다. 다음으로, 전기갈바닉(electrogalvanic) 프로세스에서 구조화된 코팅(90)의 상부 에지 위에 구리가 증착된다. 열적 증발에 의해 형성된, 구조화된 코팅(90) 상의 마스킹을 노출시키고 시드 층을 제거함으로써, 이전에 노출된 기판(1) 상의 영역들, 특히 중간 영역(91)이 구리 스트립 컨덕터로 충전된다.
도 10은 구조화되지않은 증발 층(100)이 기판(1) 상에 생성되는 구성의 개략도를 도시한다. 전기적 도전성 물질로부터 상기 증발 층(100) 상에 형성된 스트립 컨덕터들(101)은 추가적 구조화의 지원으로 생성되는 구조화된 증발 층(102)에 의해 적어도 부분적으로 커버링된다. 구조화된 증발 층(102) 내의 개구(103)를 통한 전기적 접촉이 가능하다.
도 10의 구성에서 전기적 스트립 컨덕터들이 재분포(redistribution)를 위해 이용될 수 있는 방법을 도시하는 도 11은, 기판 섹션의 개략도를 도시한다. 주변적으로 배치된 접촉 패드들(110)은, 보다 큰, 2-차원 접촉 영역들(112)을 갖는 스트립 컨덕터들(111)에 걸쳐 배선된다. 금속 구조들은 구조화되지않은 기본 층(도 10 참조)에 적용되고, 큰 접촉 영역들(112)을 통해서 단지 개방되는 층에 의해 커버링된다. 이러한 종류의 구성은 컴포넌트들의 플립-칩 어셈블리와 함께 특히 바람직하다.
도 12는 시드 또는 본드 층(121)이 적용되는 증발 층(120)이 추가적 구조화에 의해 기판(1) 상에 형성되는 구성의 개략도를 도시한다. 예컨대, 시드 또는 본드 층은 접착 층일 수 있고, 이와 함께 기판(1)을 갖는 구성이 추가의 기판에 접착된다(도시되지 않음). 따라서, 폐쇄된 공동이 프레임 구조를 갖는 제1 기판과 제2 기판 사이에 형성될 수 있다. 이는 예컨대, 기판(1) 상에 광학적으로 활성인 영역들을 캡슐화(encapsulate)하기 위해 이용될 수 있다. 이러한 종류의 프레임 구조에 대한 시드 층의 선택적인 애플리케이션이 또한 제공될 수 있고, 프레임 구조는, 예컨대 구리로 이루어진다. 2개의 기판들이 링크되는 경우, 제2 기판은 예컨대, 주석(tin)으로 이루어진 금속화된 영역들을 가질 수 있다. 그 다음에, 2개의 기판들은 공융(eutectic) 본드에 의해 합쳐질(join) 수 있다. 도 13은 도 12의 구성을 위에서부터 비스듬하게 도시한다.
도 14는 네거티브 이미지를 이용하여 기판(1)에 적용된 레지스트(2)가 증발 층(140)에 의해 완전히 둘러싸이는 구성의 개략도를 도시한다. 이를 뒤따르는 프로세스 단계에서, 기판(1) 상의 합성 층은 기계적 프로세싱, 예컨대, 랩핑, 그라인딩 및/또는 폴리싱에 의해 평탄화된다. 기계적 작업의 결과가 도 15에 도시된다. 잔여 마스크(2)를 용해시켜버림으로써(dissolve away), 구조화된 증발 층(140)이 노출될 수 있다.
도 16은 레지스트 물질(2)의 네거티브 구조들의 에지 영역들(160)이 비스듬하게 연장하여(run), 도 17에 따른 구조화된 코팅(3)의 에지 영역들(170)이 마찬가지로 비스듬하게 형성되지만, 반전하는 경사(reverse slant)를 갖지 않는 구성의 개략도를 도시한다. 도 17에 따른 구성은 레지스트 물질(2)의 제거의 결과로서 드러난다. 에지 영역들(170)은 사면(bevel)의 포지티브 앵글을 갖는다. 이 방식으로 설계된 구조화된 코팅(3)은, 예컨대, 하나 이상의 스트립 컨덕터들(도시되지 않음)이 에지 영역들(170)을 통해 가이드되는 후속 금속화를 위해 바람직하다.
상기 설명된 예시적 실시예들과 함께, 리프트-오프 프로세스에 의해 선택적으로 수행되는 추가적 구조화에 대한 참조가 이루어졌다. 대안적으로, 추가적 구조화는 쉐도우 마스크 기술을 이용하여 수행될 수 있다. 이 경우에, 하나 또는 여러 마스크들은 증발 코팅 물질로부터 자유롭게 유지되는, 코팅되는 기판 상의 쉐도우 영역들에 통상적으로 이용된다. 쉐도우 마스크 기술과 함께, 다중-계층화된, 구조화된 코팅들을 증착하기 위한 다양한 이용이 또한 가능하다.
상기 설명에서, 청구범위에서, 그리고 도면에서 개시되는 본 발명의 특징들은, 본 발명의 상이한 실시예들에서 본 발명의 인식을 위해 개별적으로 및 또한 임의의 조합으로의 양자 모두에서 중요할 수 있다.

Claims (32)

  1. 기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법으로서,
    코팅될 표면을 갖는 기판을 제공하는 단계; 및
    적어도 하나의 증발 코팅 재료의 열적 증발에 의해 코팅될 상기 기판의 상기 표면 상에, 적어도 하나의 증발 코팅 재료, 즉 알루미늄 산화물, 실리콘 이산화물, 실리콘 질화물 또는 티타늄 이산화물을 증착함으로써 코팅될 상기 기판의 상기 표면상에 구조화된 코팅을 생성하고, 추가적 구조화를 이용하는 단계 ― 상기 열적 증발은 플라즈마-증진 열적 전자 빔 증발로서 수행됨 ―
    를 포함하는,
    기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 증발 코팅 재료의 상기 열적 증발을 위한 단계는, 적어도 2개의 증발 소스들을 이용한 동시-증발(co-evaporation)을 위한 단계를 포함하는,
    기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 구조화된 코팅은, 비-균일 재료 조성(composition)으로 코팅되는 상기 표면의 평면에 수직하는 방향으로 생성되는,
    기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 한 항에 있어서,
    코팅되는 상기 기판의 상기 표면 상의 구조화된 코팅의 생성은 여러 번 수행되는,
    기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 한 항에 있어서,
    상기 구조화된 코팅은 상기 기판의 적어도 2개의 측부들 상에 생성되는,
    기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 한 항에 있어서,
    상기 기판은 다른 기판에 접속되는,
    기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 한 항에 있어서,
    상기 구조화된 코팅의 구조들은 적어도 부분적으로 충전되는,
    기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 도전성 영역이 상기 기판 상에 생성되는,
    기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 한 항에 있어서,
    본드 층이 상기 구조화된 코팅 상에 형성되는,
    기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 한 항에 있어서,
    상기 구조화된 코팅은 다중-계층화된 코팅으로서 형성되는,
    기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 한 항에 있어서,
    상기 구조화된 코팅은 대략 0.05 ㎛ 내지 대략 50 ㎛ 사이의 층 두께로, 바람직하게 대략 0.1 ㎛ 내지 대략 10 ㎛ 사이의 층 두께로, 그리고 더욱 바람직하게 대략 0.5 ㎛ 내지 대략 3 ㎛ 사이의 층 두께로 형성되는,
    기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 한 항에 있어서,
    코팅될 상기 표면 상의 상기 적어도 하나의 증발 코팅 재료의 증착 동안, 상기 기판은 대략 120 ℃, 바람직하게 대략 100 ℃의 최대 기판 온도를 나타내는,
    기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 한 항에 있어서,
    유리, 금속, 플라스틱들, 세라믹들, 무기물 절연재, 유전체 및 반도체 물질 중 적어도 하나를 포함하는 기판이 상기 기판으로서 공급되는,
    기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 한 항에 있어서,
    추가적 구조화의 경우에 다음의 구조화 프로세스들:
    상기 구조화 코팅이 쉐도우 마스크를 이용하여 생성되는 마스크 구조화; 및
    상기 구조화된 코팅의 생성이 다음의 단계들을 포함하는, 네거티브 구조에 의한 구조화
    중 적어도 하나가 수행되고,
    상기 단계들은:
    코팅될 기판 표면 상에 적어도 하나의 층 재료가 증착되고, 코팅될 상기 표면의 하나 이상의 섹션들은 상기 증착된 층 재료를 제거함으로써 노출되는, 코팅될 상기 기판 표면 상에 네거티브 구조들을 갖는 제 1 층의 생성 단계,
    상기 적어도 하나의 증발 코팅 재료의 열적 증발에 의해 상기 제 1 층이 제공된 상기 기판의 상기 표면 상에 적어도 하나의 증발 코팅 재료의 제 2 층의 증착 단계, 및
    상기 제 1 층의 적어도 부분적 제거 단계를 포함하는,
    기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    네거티브 구조에 의한 구조화를 이용하여, 상기 제 2 층은, 상기 제 1 층에 대한 하나 이상의 액세스들을 갖는 비-근접(non-closed) 층으로서 생성되는,
    기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법.
  16. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
    네거티브 구조에 의한 구조화를 이용하여, 상기 제 2 층은 후-처리(after-treatment)되는,
    기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법.
  17. 제 14 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    네거티브 구조에 의한 구조화를 이용하여, 상기 제 2 층은 에지 표면들을 비스듬하게 리버팅(obliquely revert)하여 형성되는,
    기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법.
  18. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    네거티브 구조에 의한 구조화를 이용하여, 상기 제 1 층은 적어도 부분적으로 포토레지스트 재료로부터 생성되는,
    기판 상에 구조화된 코팅을 생성하기 위한 방법.
  19. 제 1 항 내지 제 18항 중 적어도 한 항에 따른 방법에 따라 특별히 생성된 코팅된 기판으로서,
    적어도 하나의 증발 코팅 재료, 즉 알루미늄 산화물, 실리콘 이산화물, 실리콘 질화물 또는 티타늄 이산화물의 적어도 일부로 이루어진 구조화된 코팅이 표면 상에 형성되는 기판을 갖는,
    코팅된 기판.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 구조화된 코팅은 코팅될 상기 표면의 평면에 수직하는 방향으로 비-균일 재료 조성을 나타내는,
    코팅된 기판.
  21. 제 19 항 또는 제 20 항에 있어서,
    상기 구조화된 코팅은 상기 기판의 적어도 2개의 측부들 상에 형성되는,
    코팅된 기판.
  22. 제 19 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 하나의 추가적 기판에 접속되는,
    코팅된 기판.
  23. 제 19 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구조화된 코팅의 구조들은 적어도 부분적으로 충전되는,
    코팅된 기판.
  24. 제 19 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 도전성 영역이 상기 기판 상에 형성되는,
    코팅된 기판.
  25. 제 19 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,
    본드 층이 상기 구조화된 코팅 상에 형성되는,
    코팅된 기판.
  26. 제 19 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구조화된 코팅은 다중-계층화된 코팅으로서 형성되는,
    코팅된 기판.
  27. 제 19 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구조화된 코팅은, 대략 0.05 ㎛ 내지 대략 50 ㎛ 사이의 층 두께, 바람직하게 대략 0.1 ㎛ 내지 대략 10 ㎛ 사이의 층 두께, 그리고 더욱 바람직하게 대략 0.5 ㎛ 내지 대략 3 ㎛ 사이의 층 두께로 형성되는,
    코팅된 기판.
  28. 제 19 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 유리, 금속, 플라스틱들, 세라믹들, 무기물 절연재, 유전체 및 반도체 재료 중 적어도 하나를 포함하는,
    코팅된 기판.
  29. 제 19 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구조화된 코팅은 특징들:
    적어도 DIN 12116에 따른 Class 2에 따르는 내산성(acid resistant),
    Class 2에 따르는, 더욱 바람직하게 DIN 52322(ISO 695)에 따른 Class 1에 따르는 기본 레지스턴스(base resistance),
    적어도 DIN 12111(ISO 719)에 따른 Class 2에 따르는, 바람직하게는 Class 1에 따르는 가수분해 레지스턴스(hydrolytic resistance),
    +500 MPa 미만의 내부 층 응력(stress),
    +200 MPa 내지 +250 MPa 사이 및 또한 -20 MPa 내지 +50MPa 사이의 내부 층 응력, 및
    ISO 9385에 따르는 적어도 HK 0.1/20=400의 크누우프 경도(knoop hardness)
    중 하나 이상을 나타내는,
    코팅된 기판.
  30. 코팅된 기판을 갖는 반제품(semi-finished product)으로서,
    상기 코팅된 기판은:
    기판,
    코팅될 상기 기판의 표면 상의, 적어도 하나의 층 재료로 이루어진 제 1 층 ― 코팅될 상기 표면의 하나 이상의 섹션들은 상기 제 1 층으로부터 자유롭고, 네거티브 구조들은 상기 제 1 층을 갖는 상기 표면 상에 형성됨 ―, 및
    상기 제 1 층이 제공된 상기 표면 상의, 적어도 하나의 증발 코팅 재료, 즉 알루미늄 산화물, 실리콘 이산화물, 실리콘 질화물 또는 티타늄 이산화물로 이루어진 제 2 층
    을 나타내는,
    반제품.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 제 2층은 상기 제 1 층에 하나 이상의 액세스들을 갖는 비-근접 층으로서 생성되는,
    반제품.
  32. 제 30 항 또는 제 31 항에 있어서,
    상기 제 1 층은 적어도 부분적으로 포토레지스트 재료로부터 형성되는,
    반제품.
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