KR0138006B1 - 광도파로 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 광디스크의 기록재생에 사용하는 광헤드의 광학소자나 광회로에 있어서의 아이솔레이터기능을 가진 광박막부품등에 사용되는 광도파로 및 그 제조방법에 관한것으로서, 전자회로, 광회로를 1개의 기판위에 모놀리드식으로 집적화하는 것이 가능하고, 또 도파로층을 다층화형성시킨 고기능이며 콤팩트한 광도파로 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 하며, 그 구성에 있어서, 실리콘기판(1)상에 산화실리콘층(2)을 가지고, 그 위에 실리콘화합물로 이루어진 광도파층(3), 또 그 상부의 일부분에 단부가 경사형상으로 형성된 저굴절률의 산화알루미늄(4)을 가지고, 또 그상부를 포함한 전체면에 하부와 동일한 고굴절률의 실리콘화합물에 의해서 오버코팅한 구조를 가지고 있다. 또, 그 제조방법으로서, 광도파층(3)및 저굴절률층(4)이 진공프로세스를 사용한 박막에 의해 형성되는 동시에, 저굴절률층위에 레지스트(5)를 도포하고, 저온베이킹에 의한 노광패러닝한후에, 연산계의 에칭액에 의해서 습식에칭하는 것으로 한 것이다.

Description

광도파로 및 그 제조방법

제1도는 본 발명의 제 1실시예에 있어서의 광도파로의 사시도,

제2도는 본 발명의 제 1실시예의 광도파로의 제조프로세스를 설명하기 위한 단면도,

제3도는 본 발명의 제 2실시예에 있어서의 광도파로의 사시도,

제4도는 본 발명의 제 2실시예의 광도파로의 제조프로세스를 설명하기 위한 단면도,

제5도는 종래의 광도파로의 기본구성도,

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1:실리콘 기판2,23:산화실리콘막

3a:질화실리콘막(베이스막)3b:질화실리콘막(오버코팅막)

3c:질화실리콘막((3a)와(3b)의 합성막) 4:산화알루미늄막

5,25:레지스트21:석영유리기판

22:NiCr 막24a:질화실리콘막(1차모드광입사영역)

24b:질화실리콘막(0차모드광출사영역)26:노광부

본 발명은 광디스크의 기록재생에 사용하는 광헤드의 광학소자나 광학회로에 있어서의 아이솔레이터기능을 가진 광박막부품등에 사용되는 광도파로 및 그 제조방법에 관한 것이다.

광도파로는 현재 주류가 되고 있는 전자의 흐름을 제어하는 전기회로에 대해서 보다 많은 정보량을 고속으로 또한 주위의 전자파의 영향을 받는 일없이 제어하는 것이 가능한 광을 사용한 회로를 실현하기 위하여 필요하게 되는 광을 도파시키는 회로를 말한다.

이하, 종래의 광도파로에 대해서 도면을 참조해서 설명한다.

제5도는 종래의 광도파형아이솔레이터의 기본구성을 표시한 것이다.

제5도에 있어서, (11)은 LiNBO₃등의 단결정기판, (12)는 Ti확산영역, (13)은 Ti의 비확산영역, (14)는 광입력단부, (15)는 광입출력단부, (16)은 광출력단부, (17)은 Y자 분기부이다.

이상과 같은 구성으로 이루어진 광도파로에 대해서 이하 그 동작에 대해서 설명한다.

LiNBO₃단결정기판(11)상에 형성한 Ti 확산영역(12)은, 비확산영역(13)에 비해서 굴절률이 크게 되기 때문에, 광입력단부(14)로부터 입사된 광은,Ti의 비확산영역(13)에 퍼지는 일없이 Ti확산영역(12)내에 가두어넣어진 그대로 도파해가고, 광입출력단부(15)로부터 방사된다. 또 광입출력단부(15)로부터 입사한 광도 마찬가지로, Ti확산영역(12)내에 가두어넣어진 그대로, 광출력단부(16)까지 도파한다. 이때, Y자분기부(17)의 형상에 의한 도파손실로 인해서 광출력단부(16)에 비해서 광입력단부(14)에는 거의 광이 도파하지 않는다. 또 이 LiNBO₃을 사용한 소자는, 전극을 인가함으로써 음향광학효과에 의해 여러 가지의 광디바이스로서의 기능을 실현할 수 있다.

그러나, 상기의 종래구성에서는, 광원이 되는 반도체레이저나 광검출기등의 유닛을 광도파로회로와는 별도로 구성시키지 않고서는 디바이스로서의 기능을 발휘할 수 없다.또 광도파로에의 광의 도입,도출을 위한 프리즘등의 광학부품이 필요하게 되고, 조립성의면에서도 매우 고정밀도의 얼라인먼트기술이 요구된다. 또, Y자분기부에서의 손실이 크기 때문에, 입사광과 검출광과의 강도비가 작아지고, 고휘도의 광원 또는 고감도의 검출기가 필요하게 된다. 또, 기판면내의 2차원의 영역내에서만 광회로를 구성시키지 않으면 안되기 때문에, 디바이스의 소형경량화가 곤란하게 된다는 문제점은 가지고 있었다.

본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하는 것으로서, 전자회로, 광회로를 1개의 기판위에 모놀리드식으로 집적화하는 것이 가능하고, 또 도파로층을 다층화형성시킨 혹은 입사광과 검출광을 기판상의 동 광도파로층에 도파시키면서, 지손실, 고능률로 입사광과 검출광을 분리하는 것이 가능한 다층화형성시킨, 고기능이며 콤팩트한광도파로 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

이 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제 1구성의 광도파로는, 실리콘기판상에 산화실리콘층을 가지고, 그 위에 실리콘화합물로 이루어진 광도파층, 또 그 상부의 일부분에 단부가 경사형상으로 형성된 저굴절률의 산화알루미늄층을 가지고, 또 그 상부를 포함한 전체면에 하부와 동일한 고굴절률의 실리콘화합물에 의해서 오버코딩한 구조를 가지고 있다. 또, 그 제조방법으로서, 광도파층 및 저굴절률층이 전공프로세스를 사용한 박막에 의해 형성되는 동시에, 저굴절률층위에 레지스트를 도포하고, 저온베이킹에 의한 노광패터닝한후에 인산계의 에칭액에 의해서 습식에칭하는 것을 특징으로 하고 있다.

또, 본 발명의 제 2구성의 광도파로는, 유리기판상의 일부분에 스텝형상의 단부를 가진 금속층을 가지고, 그 상부를 포함한 전체면에 저굴절률층을 가지고, 또 그 위에 광도파층의 막두께의 40~50%의 단차를 가진 고굴절률의 광도파층을 오버코팅한 구조를 가지고 있다. 또, 그 제조방법으로서, 금속층, 저굴절률층 및 광도파층이 진공프로세스를 사용한 박막에 의해 형성되고 금속층위에 레지스트를 도포하고, 노광패러닝후, 에칭에 의해 스텝형상의 단부를 형성하는 것을 특징으로 하고 있다.

상기 제 1구성에 의해, Si 기판상에 광도파로를 형성할 수 있기 때문에, 광원이되는 반도체레이저 및 광검출기를 동일한기판상에 만들어 넣는 것이 가능하게 된다.

Si 기판에 직접 실리콘화합물의 광도파층을 형성하면, 광도파층보다 Si기판의 굴절률이 커지고 광을 가두어넣을 수 없게 된다. Si기판상의 산화실리콘층은, 실리콘화합물보다도 굴절률이 작기 때문에, 광학적인 버퍼층으로서의 역할을 다하고 있다.

실리콘화합물위에 형성한 저굴절률의 산화알루미늄층은, 광도파층보다도 굴절률이 낮기 때문에 클래드층으로서 작용하고, 광을 입체적으로 분기하는 것이 가능하게 된다.

또 그 단부가 경사현상으로 형성됨으로써, 그 상부에 광도파층을 오버코팅하는 것만으로도 광분기에 발생하는 손실을 저감할 수 있고, 아이솔레이터로서 기능을 실현할 수 있다.

또, 저굴절률층위에 레지스트를 도포하고, 베이킹온도를 변화시킨 저온베이킹에 의한 노광패터닝을 하므로써, 레지스트와 저굴절률층과의 부착력을 제어하고, 습식에칭시에 에칭액을 레지스트와 저굴절률층과의 사이에 적극적으로 진입시키고, 사이드에칭을 진행시키는 것이 가능하게 되고, 그 단부의 경사형상을 제어할 수 있다.

인산계의 에칭액에 의해, 저굴절률층의 산화알루미늄은 에칭되나, 광도파층인 실리콘화합물은 에칭되지 않기 때문에, 선택적으로 저굴절률층만을 에칭하는 것이 가능하게 되고, 광도파층이 적층되는 부분에서의 표면오목볼록현상에 의한 산란손실을 저감할 수 있다.

또, 상기 제 2구성에 의해 기판상의 광도파로내를 진행하는 광온, 광도파층의 막두께의 40~50%의 단차부분에 의해서 저손실인 그대로, 광학모드가 고효율로 0차모드로 변환되기 때문에, 1차모드의 입사광과 0차모드의 검출광을 그레이팅렌즈에 의해 검출부에 방사시킬때에 방사각도에 차가 생겨서, 입사광과 검출광을 분리하는 것이 가능하게 된다.

유리기판상의 금속층은, 그 막판두께에 따른 단차를 광도파층위에 형성시키기 위한 베이스막으로서의 역할을 다하는 동시에, 광도파로층으로부터의 광출력시에 미러로서도 작용하여 출사효율을 향상시키고 있다.

저굴절률층은, 광도파층보다도 굴절률이 작기 때문에, 광학적인 버퍼층으로서 광의도파시에 광을 가두어두는 역할을 다하고 있다.

또, 광도파로층에 링형상의 그레이팅렌즈를 에칭가공함으로써, 광의 입출사기능 및 집광기능을 유리(또는 Si)기판상에 만들어 넣는것도 가능하게 된다.

광도파층 및 저굴절률층으 제조방법으로서, 스퍼터링이나 (CVD)법등의 진공프로세스를 사용함으로써, 도입가스에 의한 반응성의 제어에 의해, 필요하게 되는 막의 굴절률을 변화시키는 것이 가능하게 된다.

또, 금속층위에 레지스트를 도포하고, 노광패터닝을 하므로써 임의형상의 금속층단부형상을 형성할 수 있고, 습식에칭에 의해 스텝형상의 단부가 형성된다.

이하, 본 발명의 실시예에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.

제1도는 본 발명의 제 1실시예의 광도파로의 사시도이다.

제1도에 있어서, (1)은 실리콘기판, (2)는 산화실리콘막, (3a), (3b), 및(3c)는 질산실리콘막, (4)는 산화알루미늄막이다.

이상과 같이 구성된 광도파로에 대해서 이하 그 동작에 대해서 설명한다. 질화실리콘막(3b)은 산화알루미늄막(4)보다도 굴절률이 크기 때문에, 질화실리콘막(3b)에 광은 가두어넣어지면서 도파한다. 마찬가지로, 질화실리콘막(3c)은, 산화질리콘막(2)보다도 굴절률이 크기 때문에, 질화실리콘막(3c)내에 광은 가두어넣어지면서 도파한다. 또, 질화실리콘막(3a)은 산화실리막(2) 및 산화알루미늄막(4)보다도 굴절률이 크기 때문에, 질화실리콘막(3a)내에 광은 가두어넣어지면서 도파한다.

이때의 입사광은 동실리콘기판(1)상에 만들어넣어진 반도체레이져(도시생략)로부터의 광을, 질화실리콘막(3b)면위에 에칭가공형성된, 링형상의 그레이팅렌즈등(도시생략)에 의해 질화실리콘막(3b)내에 도입할 수 있다.

질화실리콘막(3b)을 도파해온 광은, 질화실리콘막(3c)에까지 도파한다. 그리고, 질화실리콘막(3c)면위에 질화실리콘막(3b)위와 마찬가지로 에칭가공된,링형상의 그레이팅렌즈등(도시생략)에 의해, 광을 외부에 출사하는 동시에 집광시킬 수 있다.

또 그 동광학계에 의해 외부로부터의 광을 도입하고, 질화실리콘막(3c)내를 도파시키는 것도 가능하다.

질화실리콘막(3c)내를 도파해온 광은, 질화실리콘막(3a)에 도파한다. 이때, 산화알루미늄막(4)의 단부가 경사형상으로 형성되어 있기 때문에,질화실리콘막(3c)내로부터 질화실리콘막(3b)에는, 광은 거의 도파하지 않게 된다.

질화실리콘막(3b)와(3c)만을 고려하면, 광아이솔레이터의 기능을 가지고 있다.

또 전체구성으로서는 3차원의 광방향성결합기로서의 기능을 실현한다.

다음에 본 실시예의 광도파로의 제조방법에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.

제2도의 (a)~(g)는 본 실시예의 광도파로의 제조프로세스를 표시한 단면도이다.

이하, 각 프로세스에 대해서, 제 2도(a)~(g)를 참조하면서 설명한다.

먼저, 제 2도(a)에 표시한 바와같이 실리콘기판(1)의 위에 스퍼터링이나 CVD등에 의한 진공프로세스에 의해 산화실리콘막(2)을 전체면에 형성한다. 이때의 형성방법으로는, 수증기산화방법등의 방식도 가능하다. 실리콘기판(1)의 대신에 석영기판을 사용하면, 이 공정을 생략하는 것도 가능하다.

다음에 제 2도(b)와 같이 산화실리콘막(2)위에 전체면에 질화실리콘막(3a)을 약 0.5μm 정도 성막한다. 이때 Si₃N₃를 타겟으로 한 Ar과 N₂, O₂가스에 의한 반응성스퍼터링에 의해 N₂, O₂가스분압을 제어해서 질화실로콘막(3a)의 굴절률을 제어하는 것도 가능하다. 마찬가지로 SiH₄, NH₃, N₂, N₂O가스등을 사용한 플라즈마 CVD법에 의해 굴절률 및 도파손실을 제어한 성막도 가능하다.

다음에 제 2도(c)에 표시한 바와같이 질화실리콘막(3a)위에 전체면에 산화알루미늄막(4)을 약 1μm성막한다. 이때 산화알루미늄막(4)의 굴절률이 질화실리콘막(3a)의 굴절률보다도 낮아지도록 한다.

그리고, 산화알루미늄막(4)의 상면에 스핀코터에 의해 레지스트(5)를 도포하고 통상의 베이킹도보다 저온에서 베이킹한다. 또 소망의 패턴형상을 한 마스크(도시생략)을 얼라인먼트해서 포개고, 마스크위로부터 UV광을 노광한다. 그리고, 현상액에 의해서 레지스트를 현상함으로써, 제2도(d)에 표시한 바와같이, 레지스트(5)를 부분적으로 형성한다.

다음에 제2도(d)의 상태의 공작물을 인산계의 에칭액을 투입해서 산화알루미늄막(4)의 레지스트(5)가 상부에 형성되어있지 않은 부분을 습식에칭한다. 이때에, 산화알루미늄막(4)과 레지스트(5)의 계면에도 에칭액이 침투해서 사이드에칭되기 때문에, 제2도(e)에 표시한 바와 같은 형상의 산화알루미늄막(4)으로 가공된다.

이때, 질화실리콘(3a)는 인산에는 에칭되지 않기 때문에 산화알루미늄막(4)만을 선택적으로 에칭한다. 또한 선택적으로 에칭할 수 있는 막과 에칭액과의 조합 및 굴절률의 조건을 만족하는 것이면, 다른 재료의 막 및 에칭액을 사용해도 된다.

그리고 세정, 건조한 후, 레지스트(5)를 애싱에 의해 제거함으로써, 제2도(f)와 같이 산화알루미늄막(4)을 노출시킨다.

마지막으로, 제2도(b)에서 형성했을때와 동일한프로세스에서 상부전체면에 질화실리콘막(3b)을 약 0.5μm정도 성막하여 오버코팅한다. 이때 질화실리콘막(3b)의 굴절률을 산화실리콘막(3a)과 동일하게 하는 조건으로 성막함으로써, 질화실리콘막(3c)을 제2도(g)와 같이 형성할 수 있다.

제3도는 본 발명의 제 2실시예의 광도파로의 사시도이다.

제3도에 있어서(21)은 석영유리기판, (22)는 NiCr막, (23)은 산화실리콘막, (24a) 및 (24b)는 질화실리콘막이다.

이상과 같이 구성된 광도파로에 대해서 이하 그 동작에 대해서 설명한다.

질화실리콘막(24a) 및 (24b)은 산화실리콘막(23)보다도 굴절률이 크기 때문에 질화실리콘막(24a) 및 (24b)내에 광은 가두어넣어지면서 도파한다.

이때의 입사광은 석영유리기판(21)의 이면에 배치된 반도체레이저(도시생략)로부터의 광을, 질화실리콘막(24a)면위에 에칭가공형성된, 링현상의 그레이팅렌즈등(도시생략)에 의해, 질화실리콘막(24a)내에 도입할 수 있다.

질화실리콘막(24a)내를 도파해온 광은, 질화실리콘막(24b)에까지 도파한다. 이때 질화실리콘막(24a)과 (24b)의 사이에 존재하는 스텝현상의 단차를 광이 통과할때에 입사광으로서 1차모드의 광을 사용하면, 저손실인 그대로 광학모드가 고효율로 0차 모드로 변환된다.

스텝현상의 단차가 질화실리콘막(24a) 및 (24b)의 막두께의 40%이하일 경우 및 50%이상일 경우는, 변환효율이 크게 저하하기 때문에, 변화효율이 극대가 되도록 40~50%의 범위로 한다. 그리고 이것은 NiCr막(22)의 막두께를 제어함으로써 단차가 40~50%의 범위내로 하는 것이 가능하다.

그리고, 질화실리콘막(24b)면위에 질화실리콘막(24a)위와 마찬가지로의 에칭가공형성된, 링형상의 그레이팅렌즈등(도시생략)에 의해 광을 외부에 출사하는 동시에 집광할 수 있다. 이때 NiCr막(22)이 미러로서 기능함으로써, 출사효율을 향상시키는 것이 가능하게 된다. 또, 그 동 광학계에 의해, 외부로부터의 광을 도입하고, 질화실리콘막(24b)내를 도파시키는 것도 가능하다.

질화실리콘막(24b)내를 도파해온 광은, 질화실리콘막(24a)에 도파한다. 이때 질화실리콘막(24b) 와 (24a)의 사이에 존재하는 스텝현상의 단차를 광이 통과할때에는 0차모드의 광은 대부분이 0차모드 그대로 통과하고, 1차모드로는 그다지 변환되지 않는다. 그리고, 1차모드의 입사광과 0차모드의 검출광을 질화실리콘막(24a) 위의 그레이팅렌즈(도시생략)에 의해 방사시킬때에, 그 광의 모드특성의 차이에 의해 방사각도에 차가생기고, 반도체레이저의 근처에 배치된 광검출기(도시생략)에, 0차모드의 광만 검출할 수 있고, 입사광과 검출광을 분리하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 전체구성으로서는 단열의 광도파층만으로도 입사광과 검출광을 모드변환에 의해 분리하는 기능을 실현한다.

다음에, 본 실시예의 광도파로의 제조방법에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.

제4도의(a)~(g)는 본 실시예의 광도파로의 제조프로세스를 표시한 단면도이다.

이하, 각 프로세스에 대해서, 제4도(a)~(g)를 참조하면서 설명한다.

먼저, 제4도(a)에 표시한 바와같이 석영유리기판(21)의 위에 스퍼터링이나 증착법등의 진공프로세스에 의해 NiCr막(22)을 전체면에 형성한다. NiCr 막(22)의 막두께는 질화실리콘막(24)의 막두께의 40~50%의 막두께가 되도록 형성한다.

이때의 재료로서는 NiCr이외의 금속막(알루미늄등)이어도 가능하다.

다음에, 제4도(b)와 같이, NiCr막(22)위의 전체면에 스핀코터에 의해, 레지스트(25)를 도포하고, 가열플레이트등에 의해서 베이킹한다. 또, 소망의 패턴형상을한 마스크(도시생략)를 얼라인먼트해서 포개고, 마스크상으로부터 UV광을 노광하고, 제4도(c)에 표시한 바와같이 레지스트(25)의 일부분을 노광한다. 그리고, 현상액에 의해서 레지스트를 현상함으로써, 제4도(d)에 표시한 바와같이, 레지스트(25)를 부분적으로 형성하고, 그후 가열플레이트등에 의해서 다시 베이킹한다.

다음에, 제4도(d)의 상태의 공작물을 에칭액에 투입해서, NiCr막(22)의 상부에 레지스트(25)가 형성되어 있지 않은 부분을 습식에칭하고, 또 세정, 건조한후 레지스트(25)를 애싱에 의해 제거함으로써, 제4도(e)에 표시한 바와같은 단부가 스텝형상의 NiCr막(22)으로 가공된다.

다음에, 제4도(f)에 표시한 바와같이 석영유리기판(21)및 NiCr막(22)위의 전체면에, 산화실리콘막(23)을 약 1μm 성막한다. 이때, 산화실리콘막(23)의 굴절률이 질화실리콘막(24)의 굴절률보다도 낮게 되도록 한다.

마지막으로 제4도(g)에 표시한 바와같이, 상부전체면에, 질화실리콘막(24)을 성막하여 오버코팅한다. 이때 Si₃N₄이나 Si를 타겟으로해서, Ar과 N₂, O₂가스등에 의한 반응성스퍼터링법에 의해 N₂, O₂가스분압 및 배기능력을 제어해서, 질화실리콘막(24)의 굴절률을 제어하는 것도 가능하다. 마찬가지로 SiH₄, NH₃, N₂, N₂O 가스등을 사용한 플라즈마 CVD 법에 의해, 굴절률 및 도파손실을 제어한 성막도 가능하다.

이상과 같이 본 발명은 실리콘기판위에 산화실리콘층을 형성하고, 그 위에 질화실리콘막으로 이루어진 광도파층, 또 그 상부의 일부분에 단부가 검사형상으로 형성된 저굴절률의 산화알루미늄층을 형성하고, 또 그 상부를 포함한 전체면에 하부와 동일한 고굴절률의 질화실리콘막에 의해서 오버코팅함으로서, 전자회로, 광회로를 1개의 기판위에 모놀리드식으로 집적화하는 것이 가능하게 되고, 또 도파로층을 다층화형성시킨 고기능이며 콤팩트한 광도파로를 제공할 수 있다. 또 그 제조방법으로서, 광도파층 및 저굴절률층이 진공프로세스를 사용한 박막에 의해 형성되는 동시에, 저굴절률층위에 레지스트를 도포하고, 저온베이킹에 의한 노광패터닝한후에, 인산계의 에칭액에 의해서 습식에칭함으로써, 종래의 반도체제조프로세스를 사용한 생산방식을 실현할 수 있는 것이다.

또, 본 발명에 의하면 유리기판상의 일부분에 스텝형상의 단부를 가진 금속층을 가지고, 그 상부를 포함한 전체면에 저굴절률층을 가지고, 또 그 위에 광도파층의 막두께 40~50%의 단차를 가진 고굴절률의 광도파층을 오버코팅함으로써, 입사광과 검출광을 기판상의 동광도파로층에 도파시키면서, 저손실, 고능률로 입사광과 검출광을 분리하는 것이 가능한, 고기능이며 콤팩트한 광도파로를 제공할 수 있다. 또 그 제조방법으로서, 금속층, 저굴절률층 및 광도파층이 진공프로세스를 사용한 막층에 의해 형성되고, 금속층위에 레지스트를 도포하고, 노광패터닝후, 에칭에 의해 스텝형상의 단부를 형성함으로써, 종래의 반도체의 제조프로세스장치를 사양한 단순프로세스에 의한 저코스트의 생산방식을 실현할 수 있는 것이다.

Claims (6)

1. 실리콘기판상에 산화실리콘층을 가지고, 그 위에 광도파층을 가진 광도파로에 있어서, 광도파층의 또 그 상부의 일부분에만 단부가 경사형상으로 형성된 저굴절률층을 가지고, 또 그 상부를 포함한 전체면에 하부의 광도파층과 동일 굴절률을 가진 층을 오버코팅한 구조를 가진 것을 특징으로 하는 광도파로.
2. 제1항에 있어서, 광도파로가 실리콘화합물이고, 단부가 경사형상으로 형성된 저굴절률층이 산화알루미늄인 것을 특징으로 하는 광도파로.
3. 광도파층 및 저굴절률층이 진공프로세스를 사용한 박막에 의해 형성되고, 저굴절률층위에 레지스트를 도포하고, 저온베이킹에 의한 노광패터닝후에, 인산기의 에칭액에 의해서 습식에칭하는 것을 특징으로 하는 광도파로의 제조방법.
4. 유리기판상의 일부분에 스텝형상의 단부를 가진 금속층을 가지고, 또 그 상부를 포함한 전체면에 저굴절률층을 가진 광도파로에 있어서, 그 위에 단차를 가진 고굴절률의 광도파층을 오버코팅한 구조를 가진 것을 특징으로 하는 광도파로.
5. 제4항에 있어서, 광도파층의 단차가 광도파층의 막두께의 40~50%인것을 특징으로 하는 광도파로.
6. 제4항에 있어서, 금속층, 저굴절률층 및 광도파층이 박막에 의해 형성되고, 금속층위에 레지스트를 도포하고, 노광패터닝후, 에칭에 의해 스텝형상의 단부를 형성하는 것을 특징으로 하는 광도파로.