JP3857707B2 - 光デバイスの製造方法 - Google Patents

光デバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3857707B2
JP3857707B2 JP2004535833A JP2004535833A JP3857707B2 JP 3857707 B2 JP3857707 B2 JP 3857707B2 JP 2004535833 A JP2004535833 A JP 2004535833A JP 2004535833 A JP2004535833 A JP 2004535833A JP 3857707 B2 JP3857707 B2 JP 3857707B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical device
manufacturing
mask
opening
predetermined value
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004535833A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2004025343A1 (ja
Inventor
眞示 丸山
誠一 池田
浩二 寺田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of JPWO2004025343A1 publication Critical patent/JPWO2004025343A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3857707B2 publication Critical patent/JP3857707B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/131—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by using epitaxial growth
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/125—Bends, branchings or intersections
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12083—Constructional arrangements
    • G02B2006/12104—Mirror; Reflectors or the like
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12166—Manufacturing methods
    • G02B2006/12173—Masking
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12166—Manufacturing methods
    • G02B2006/12176—Etching
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイスの製造方法に関し、特に、光通信デバイスや光ピックアップなどに用いられる光デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、光導波路を用いた光デバイスが光スイッチなどに利用されている。例えば非特許文献１に記載されているように、マッハツェンダー干渉計（ＭＺＩ）回路を用いて光の光路を切り替える光通信デバイスがある。
【０００３】
このような光デバイスにおいて、光量を測定するために信号光の一部を導波路の上部方向に取り出し、ＰＤ（フォトダイオード）などを用いて受光することがある。このような光デバイスの場合、基板に形成した溝の側壁の少なくとも一部が傾斜面となるように形成し、その傾斜面を光の反射面として利用する方法が有効である。
【非特許文献１】
Ａ．Ｈｉｍｅｎｏ ｅｔ．ａｌ．，“Ｓｉｌｉｃａ−Ｂａｓｅｄ Ｐｌａｎａｒ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ”，ＩＥＥＥ．Ｊ．Ｓｅｌｅｃｔｅｄ Ｔｏｐｉｃｓ Ｑｕａｎｔａｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ｖｏｌ．４，ｎｏ．６，ｐｐ．９１３，１９９８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
膜に溝を掘る場合、反応性イオンエッチング法などのドライエッチング法が一般によく用いられる。反応性ドライエッチング法を用いて、基板上に、概ね垂直な側壁（垂直面）と傾斜を持つ側壁（傾斜面）を有する溝を形成する場合、傾斜面をエッチングする部分のマスクにも傾斜をつけることが必要となる。
【０００５】
例えば、マスク材料と被エッチング材料のエッチング選択比が１であれば、図１に示すように、作製したい傾斜面と同一角度でマスク材の角度をつける必要がある。図１では基板１０上に被エッチング膜１２が形成され、その上にマスク１４とマスク１５が形成されている。マスク１４は垂直面１４ａを有し、マスク１５は傾斜面１５ａを有している。
【０００６】
また、マスクに角度をつける代わりに、図２に示すように、マスク１６を階段状に積み重ねて階段面１６ａを形成することで被エッチング膜１２の傾斜面をエッチングすることは可能であるが、滑らかな傾斜面を形成する場合は、階段面１６ａの段数を多くする必要があり、レジストでこのマスク１６を形成するとしてもレジストの複数回の塗布、露光、現像工程が必要となる。
【０００７】
これらのプロセス工程が増えることは、マスクの精度が悪くなり、形成される傾斜面のばらつきが大きくなることや、工数が増大するため、高コスト化という問題があった。
【０００８】
本発明は、プロセス工程の増加を防止し、マスクの精度が高く、傾斜面のばらつきが小さく、製造コストを低く抑えることができる光デバイスの製造方法を提供することを総括的な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この目的を達成するため、本発明は、基板表面と平行な方向に伝播する光の光軸方向を前記基板表面に対し角度を持つ方向に変化させる光デバイスの製造方法であって、前記基 板表面における開口幅が所定値より十分に大きい値から前記光軸方向と平行な一方向に向かって前記所定値より十分に小さい値まで減少する三角形状の主開口部と、前記主開口部に連結され前記開口幅が前記一方向に向かって前記所定値より十分に小さい値を維持する連結開口部と、前記連結開口部に連結され前記開口幅が前記所定値より十分に小さい値から前記一方向に向かって前記所定値より十分に大きい値まで増加する三角形状のダミー開口部を持つマスクを設け、ドライエッチングにより溝を形成する工程を有するよう構成される。
【発明の効果】
【００１０】
このような光デバイスの製造方法によれば、１工程でマスクを作成できるのでプロセス工程の増加を防止でき、マスクの精度が高く、傾斜面のばらつきが小さくなり、製造コストを低く抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１２】
本発明では、垂直な側壁（垂直面）と傾斜を持つ側壁（傾斜面）を有する溝を形成するプロセスを、マイクロローディング効果を用いたドライエッチングによって一度のプロセスにて行う。マイクロローディングとは、エッチングプロセスにおいて、エッチングを行う領域の面積に依存して、エッチングレートが異なることで、面積が狭い領域程エッチングレートが低くなる。すなわち、マスク材料の形状により、マイクロローディングをコントロールすることで、任意の傾斜を持つ傾斜面のエッチングが可能となる。
【００１３】
上記の垂直面と傾斜面を有する溝を一度のプロセスで形成するためには、傾斜面の上側に当たる部分のマスク開口部の幅を狭くし、傾斜面の下側に当たる部分の開口部の幅を広くすることで開口面積の差を生じさせる。つまり、マスク開口部の狭い部分は、マイクロローディング効果によって、エッチングレートが低下してエッチングされ難くなり、反対にマスク開口部の広い部分は、エッチングレートの低下がなくエッチングされ易いため、エッチングレートの変化により傾斜面が形成される。これにより、このようにすれば、マスクを階段状に形成して傾斜面を形成する必要がなく、工数の大幅な削減ができる。
【００１４】
本発明では、図３に示すように、ほぼ三角形のマスク開口部２０を有するマスク２２を形成する。このマスク２２を用いて反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行えば、図４に示すように、被エッチング膜２４に垂直面２４ａと傾斜面２４ｂを有する溝２６を形成することができる。この際、マスク２２の形状に傾斜面を形成する必要もない。
【００１５】
図５は、本発明方法で用いるマスクの一実施例の平面図を示す。同図中、マスク開口部３０を有するマスク３４を形成する。マスク開口部３０はほぼ三角形の主開口部３１及びダミー開口部３２と、これらの頂点を結ぶ連結開口部３３とから構成されている。
【００１６】
主開口部３１とダミー開口部３２は連結開口部３３の延在方向と直交する辺がほぼ２００μｍとされ、この辺の両端の頂点は曲率半径ほぼ３０μｍの円弧状に形成する。これは、マスク３４のパターンニング時に頂点近傍からひび割れが生じるのを防止するためである。
【００１７】
ここで、主開口部３１の３つの頂点をすべて半径３０μｍの円弧にしてしまうと、反射面として利用するのに十分な角度の傾斜面をマイクロローディング効果で形成することは難しくなる。従って、主開口部３１とダミー開口部３２の向き合った頂点間を幅２μｍまで狭め、連結開口部３３で連結している。
【００１８】
こうすることで、主開口部３１の頂点での幅を２μｍにすることができ、反射面として利用するのに十分な角度の傾斜面をマイクロローディング効果で形成することが可能となり、なおかつ、マスク３４のひび割れを防ぐことができる。ダミー開口部３２は連結開口部３３の末端処理のために設けられており、必ずしもダミー開口部３２を主開口部３１と鏡対称にしなくとも良い。
【００１９】
図６は、被エッチング膜に垂直面と傾斜面を有する溝を形成した一実施例の断面図を示す。同図中、シリコン基板４０上にＳｉＯ２を主成分とする厚さ約５０μｍの被エッチング膜４２をＣＶＤ法により形成する。被エッチング膜４２内には光導波路４３が形成されている。
【００２０】
この被エッチング膜４２に図５のマスクを重ね、反応性イオンエッチングを行うことにより被エッチング膜４２に垂直面４２ａと傾斜面４２ｂを有する溝４４を形成する。傾斜面４２ｂの角度は４９．８°であった。溝４４は主開口部３１によって形成され、同様に垂直面４２ｃと傾斜面４２ｄを有する溝４５がダミー開口部３２によって形成される。なお、溝４４，４５の平面形状は、図５に示すマスクの主開口部３１，ダミー開口部３２と同様である。
【００２１】
ここで、光導波路４３を伝搬した光は垂直面４２ａから溝４４内に出射され、傾斜面４２ｂに照射されて図６の上方に反射される。なお、傾斜面４２ｂに例えば金やアルミニュームなどの金属を蒸着すれば光反射率を向上できる。また、傾斜面４２ｂに例えば金を蒸着し、溝４４内をマッチング材にて充填した後、反射光の光軸に合わせフォトダイオードを搭載すれば光導波路４３を伝搬した光のモニタ機能を実現できる。
【００２２】
次に、本発明の製造工程について詳しく説明する。まず、図７（Ａ）に示すように、シリコン基板５０上にＳｉＯ２を主成分とする被エッチング膜５２を形成する。被エッチング膜５２内には光導波路が形成される。更に、被エッチング膜５２上の全面にマスクとなるクロム（Ｃｒ）層５４を形成する。
【００２３】
次に、図７（Ｂ）に示すように、レジスト５６を形成したのちマスク位置のレジスト５６を除去する。この後、レジスト５６を用いてクロム層５４をエッチングし、図７（Ｃ）に示すように、クロムのマスク５５を形成する。このマスク５５の形状が例えば図５に示すようなものである。
【００２４】
更に、マスク５５を用いて反応性イオンエッチングを行うことにより、図７（Ｄ）に示すように、垂直面と傾斜面を有する溝５８を形成する。
【００２５】
このように、１工程でマスクを作成できるのでプロセス工程の増加を防止でき、マスクの精度が高く、傾斜面のばらつきが小さくなり、製造コストを低く抑えることができる。
【００２６】
上記実施例では、光導波路からの出射光に対する反射面について説明したが、光ファイバからの射出光に対する反射面でも同様に扱える。また、半導体レーザや発光ダイオードなどの光源を溝の内部に収納し、上記光源からの射出光に対する反射面を扱うことも可能であり、ＣＤやＤＶＤ等の光ピックアップなどに適用して好適である。
【００２７】
更に、図８（Ａ）の平面図に示すように、光の入射側の幅が狭く、射出側の幅が広いほぼ三角形のマスク開口部６０を有するマスク６２を形成する。このマスク６２を用いて反応性イオンエッチングを行えば、図８（Ｂ）に示すように、被エッチング膜６４に傾斜面６４ａと垂直面６４ｂを有する溝６６を形成することができる。この場合には、光導波路６５を伝搬した光を基板６８方向（図中、下方）に射出することも容易に行うことができる。
【００２８】
図９は、本発明の光デバイスを適用した光通信デバイスの一実施例の斜視図を示す。同図中、シリコン基板７０上にＳｉＯ２を主成分とする光導波路形成膜７２を形成する。光導波路形成膜７２内には光導波路７３，７４，７５が形成されている。光導波路７３は外部から光を入力され、一端は遮光溝７８で終端されている。光導波路７４は外部に光を出力する。光導波路７３，７４は互いに近接して３ｄＢカップラ７６，７７が形成されており、３ｄＢカップラ７６，７７の中間位置における光導波路７３上に加熱素子７９が設けられている。この加熱素子７９を駆動するか否かによって、光導波路７３に入力される光信号を光導波路７４から出力するか否かを切り替える光スイッチを構成している。
【００２９】
また、光導波路７３，７５は互いに近接してカップラ８０を構成している。カップラ８０は光導波路７３を伝搬する光の１／２０を光導波路７５に分ける。光導波路７５の一端には図６に示すような溝８２が形成されている。そして、この溝の傾斜面の上部には反射光の光軸に受光面を合わせたフォトダイオード８４が搭載されている。フォトダイオード８４は光導波路７５を通して伝搬する光をモニタする。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】従来の傾斜面製造方法を説明するための図である。
【図２】従来の傾斜面製造方法を説明するための図である。
【図３】本発明方法を説明するための平面図である。
【図４】本発明方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明方法で用いるマスクの一実施例の平面図である。
【図６】被エッチング膜に垂直面と傾斜面を有する溝を形成した一実施例の断面図である。
【図７】本発明の製造工程を説明するための図である。
【図８】本発明方法を説明するための平面図，断面図である。
【図９】本発明の光デバイスを適用した光通信デバイスの一実施例の斜視図である。

Claims (6)

  1. 基板表面と平行な方向に伝播する光の光軸方向を前記基板表面に対し角度を持つ方向に変化させる光デバイスの製造方法であって、
    前記基板表面における開口幅が所定値より十分に大きい値から前記光軸方向と平行な一方向に向かって前記所定値より十分に小さい値まで減少する三角形状の主開口部と、前記主開口部に連結され前記開口幅が前記一方向に向かって前記所定値より十分に小さい値を維持する連結開口部と、前記連結開口部に連結され前記開口幅が前記所定値より十分に小さい値から前記一方向に向かって前記所定値より十分に大きい値まで増加する三角形状のダミー開口部を持つマスクを設け、ドライエッチングにより溝を形成する工程を
    有することを特徴とする光デバイスの製造方法。
  2. 請求項１記載の光デバイスの製造方法において、
    前記所定値は、三角形状の頂点近傍で前記マスクにひび割れが生じるのを防止するのに十分な値であることを特徴とする光デバイスの製造方法。
  3. 請求項２記載の光デバイスの製造方法において、
    前記所定値は３０μｍであり、前記所定値より十分に大きい値は２００μｍであり、前記所定値より十分に小さい値は２μｍであることを特徴とする光デバイスの製造方法。
  4. 請求項１乃至３のいずれか１項記載の光デバイスの製造方法において、
    前記ドライエッチングは、反応性イオンエッチングであることを特徴とする光デバイスの製造方法。
  5. 請求項１乃至４のいずれか１項記載の光デバイスの製造方法において、
    前記溝の傾斜面に反射膜を形成する工程を
    有することを特徴とする光デバイスの製造方法。
  6. 請求項５記載の光デバイスの製造方法において、
    前記反射膜は、金属膜であることを特徴とする光デバイスの製造方法。
JP2004535833A 2002-09-11 2002-09-11 光デバイスの製造方法 Expired - Fee Related JP3857707B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2002/009295 WO2004025343A1 (ja) 2002-09-11 2002-09-11 光デバイス及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2004025343A1 JPWO2004025343A1 (ja) 2006-01-12
JP3857707B2 true JP3857707B2 (ja) 2006-12-13

Family

ID=31986084

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004535833A Expired - Fee Related JP3857707B2 (ja) 2002-09-11 2002-09-11 光デバイスの製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20060024593A1 (ja)
JP (1) JP3857707B2 (ja)
WO (1) WO2004025343A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4948185B2 (ja) * 2007-01-19 2012-06-06 古河電気工業株式会社 平面光波回路
KR101387694B1 (ko) 2013-03-29 2014-04-21 우리로광통신주식회사 평면 광도파로 소자의 반사면 형성 방법
JP6232751B2 (ja) * 2013-05-31 2017-11-22 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光変調器
JP6239989B2 (ja) * 2014-01-17 2017-11-29 Ｎｔｔエレクトロニクス株式会社 光路変換構造体、発光モジュール及び受光モジュール
KR101598805B1 (ko) * 2014-03-27 2016-03-02 주식회사 우리로 평면 광도파로 소자의 반사면 형성 방법

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6167169A (en) * 1994-09-09 2000-12-26 Gemfire Corporation Scanning method and architecture for display
JP3424867B2 (ja) * 1994-12-06 2003-07-07 富士通株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US6087266A (en) * 1997-06-27 2000-07-11 Lam Research Corporation Methods and apparatus for improving microloading while etching a substrate
JP3570874B2 (ja) * 1997-12-25 2004-09-29 京セラ株式会社 光接続構造
US6785447B2 (en) * 1998-10-09 2004-08-31 Fujitsu Limited Single and multilayer waveguides and fabrication process
JP2001330746A (ja) * 2000-03-13 2001-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光モジュールおよびその製造方法、ならびに光回路装置
US20010053260A1 (en) * 2000-03-13 2001-12-20 Toshiyuki Takizawa Optical module and method for producing the same, and optical circuit device
US6760529B2 (en) * 2001-12-11 2004-07-06 Intel Corporation Three-dimensional tapered optical waveguides and methods of manufacture thereof

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004025343A1 (ja) 2004-03-25
US20060024593A1 (en) 2006-02-02
JPWO2004025343A1 (ja) 2006-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9329346B2 (en) Integrated circuit coupling system with waveguide circuitry and method of manufacture thereof
US9482816B2 (en) Radiation coupler
US20140023311A1 (en) Practical silicon photonic multi-function integrated-optic chip for fiber sensor applications
US6913705B2 (en) Manufacturing method for optical integrated circuit having spatial reflection type structure
TW201331650A (zh) 平面光子電路之垂直光耦合器
JPH11153719A (ja) プレーナ導波路ターニングミラーを有する光集積回路
WO2006136194A1 (en) Method for fabricating a turning mirror for optical devices
JP3857707B2 (ja) 光デバイスの製造方法
US7805037B1 (en) Multiplexer having improved efficiency
WO2005060522A2 (en) Low-loss compact reflective turns in optical waveguides
JP5535037B2 (ja) シリコン光学ベンチに関する改良されたミラー設計
JP3200996B2 (ja) 光導波路装置
EP3842845A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device
JP2783817B2 (ja) 光導波路装置の製造方法
JP3436035B2 (ja) 光導波路素子の製造方法
JP2010127999A (ja) 平面導波路素子
WO1995025973A1 (fr) Procede de production d'un dispositif guide d'ondes a reflexion
JP3018787B2 (ja) 光導波路の製造方法
JP2000147289A (ja) 光導波路およびその製造方法
US7420734B2 (en) Planar waveguide grating devices having controlled polarization dependent sensitivity and method of manufacturing thereof
JPH04255270A (ja) 光集積化素子
JP3290888B2 (ja) レーザ測長器およびその製造方法
JPH04301625A (ja) 光機能素子
JP2002350665A (ja) 空間反射型構造を有する光集積回路の製造方法および光集積回路
JPH10111423A (ja) 半導体偏波回転素子

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060606

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060807

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060912

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060914

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3857707

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090922

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100922

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100922

Year of fee payment: 4

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100922

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100922

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110922

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120922

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120922

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130922

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees