JPH04255270A - 光集積化素子 - Google Patents
光集積化素子Info
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- JPH04255270A JPH04255270A JP1639191A JP1639191A JPH04255270A JP H04255270 A JPH04255270 A JP H04255270A JP 1639191 A JP1639191 A JP 1639191A JP 1639191 A JP1639191 A JP 1639191A JP H04255270 A JPH04255270 A JP H04255270A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体光デバイ
ス、より詳しくは、半導体レーザと光変調素子との組合
せなどをひとつの化合物半導体基板に形成した光集積化
素子に関する。特に、本発明は光集積化素子の光素子間
の光結合の改善に関する。
ス、より詳しくは、半導体レーザと光変調素子との組合
せなどをひとつの化合物半導体基板に形成した光集積化
素子に関する。特に、本発明は光集積化素子の光素子間
の光結合の改善に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、光素子（半導体レーザ、光変調素
子、受光素子など）を単体で使用するだけでなく、複数
の光素子を集積化する研究・開発が盛んに行われている
（例えば、光集積回路特集、電子情報通信学会論文誌、
Ｖｏｌ．Ｊ７１−Ｃ Ｎｏ．５， １９８８， Ｍａｙ
、第５号参照）。
子、受光素子など）を単体で使用するだけでなく、複数
の光素子を集積化する研究・開発が盛んに行われている
（例えば、光集積回路特集、電子情報通信学会論文誌、
Ｖｏｌ．Ｊ７１−Ｃ Ｎｏ．５， １９８８， Ｍａｙ
、第５号参照）。
【０００３】このような集積化された光素子を製作する
際には、個々の光素子製作も重要であるが光素子間の結
合も重要な要素であり、光結合効率を高くすることが求
められている。従来の化合物半導体基板に形成した光集
積化素子では、結合すべき光素子の光導波路に厚さの違
いがあっても、その段差のままに通常の液相エピタキシ
ャル成長法を利用して接合している。例えば、化合物半
導体半導体レーザと化合物半導体光変調素子と組合せの
例では、半導体レーザの活性層およびクラッド層（さら
にキャップ層）の光導波路の厚さが、光変調素子の光吸
収層の光導波路の厚さよりも厚く、光吸収層を液相エピ
タキシャル成長法で半導体レーザの光導波路と接合する
ように形成している。この場合を、図１〜図４を参照し
て説明する。
際には、個々の光素子製作も重要であるが光素子間の結
合も重要な要素であり、光結合効率を高くすることが求
められている。従来の化合物半導体基板に形成した光集
積化素子では、結合すべき光素子の光導波路に厚さの違
いがあっても、その段差のままに通常の液相エピタキシ
ャル成長法を利用して接合している。例えば、化合物半
導体半導体レーザと化合物半導体光変調素子と組合せの
例では、半導体レーザの活性層およびクラッド層（さら
にキャップ層）の光導波路の厚さが、光変調素子の光吸
収層の光導波路の厚さよりも厚く、光吸収層を液相エピ
タキシャル成長法で半導体レーザの光導波路と接合する
ように形成している。この場合を、図１〜図４を参照し
て説明する。
【０００４】図１に示すように、化合物半導体基板（Ｉ
ｎＰ単結晶基板）１を用意し、半導体レーザ形成箇所に
回折格子の凹凸２を形成する。図２に示すように、この
基板１の上に光ガイド層（発光波長１．１μｍのＧａＩ
ｎＡｓＰ層）３、エッチングストッパー層の薄いＩｎＰ
層（厚さ２０ｎｍ） ４、半導体レーザの活性層（発光
波長１．５５μｍのＧａＩｎＡｓＰ層、厚さ０．１５μ
ｍ）５およびクラッド層（ＩｎＰ層、厚さ０．２５μｍ
）６を連続液相エピタキシャル成長で積層形成する。従
って、層５および６の合計厚さは約０．４μｍとなる。 なお、ＩｎＰ層４は製造上の便宜のためにあり、必須で
はない。
ｎＰ単結晶基板）１を用意し、半導体レーザ形成箇所に
回折格子の凹凸２を形成する。図２に示すように、この
基板１の上に光ガイド層（発光波長１．１μｍのＧａＩ
ｎＡｓＰ層）３、エッチングストッパー層の薄いＩｎＰ
層（厚さ２０ｎｍ） ４、半導体レーザの活性層（発光
波長１．５５μｍのＧａＩｎＡｓＰ層、厚さ０．１５μ
ｍ）５およびクラッド層（ＩｎＰ層、厚さ０．２５μｍ
）６を連続液相エピタキシャル成長で積層形成する。従
って、層５および６の合計厚さは約０．４μｍとなる。 なお、ＩｎＰ層４は製造上の便宜のためにあり、必須で
はない。
【０００５】図３に示すように、クラッド層６の上にＳ
ｉＯ２をＣＶＤ法で堆積し、選択エッチングして半導体
レーザとなる部分にＳｉＯ２層７を形成する。このＳｉ
Ｏ２層７ををマスクとして、光変調素子に相当する部分
のＧａＩｎＡｓＰ層５およびＩｎＰ層６を選択エッチン
グ除去する。 次に、図４に示すように、この状態で再度液層エピタキ
シャル成長によって光変調素子の部分でのＩｎＰ層４の
上に光吸収層（発光波長１．４３μｍのＧａＩｎＡｓＰ
層）８を形成する。その際に、活性層５およびクラッド
層６の表出側面にて化合物半導体が厚く堆積し（盛り上
がって約０．４μｍ厚さとななり）、徐々に所定の光吸
収層８の所定厚さ（０．１３μｍ）に到るまでの傾斜部
（接続層）９が生じてしまう。
ｉＯ２をＣＶＤ法で堆積し、選択エッチングして半導体
レーザとなる部分にＳｉＯ２層７を形成する。このＳｉ
Ｏ２層７ををマスクとして、光変調素子に相当する部分
のＧａＩｎＡｓＰ層５およびＩｎＰ層６を選択エッチン
グ除去する。 次に、図４に示すように、この状態で再度液層エピタキ
シャル成長によって光変調素子の部分でのＩｎＰ層４の
上に光吸収層（発光波長１．４３μｍのＧａＩｎＡｓＰ
層）８を形成する。その際に、活性層５およびクラッド
層６の表出側面にて化合物半導体が厚く堆積し（盛り上
がって約０．４μｍ厚さとななり）、徐々に所定の光吸
収層８の所定厚さ（０．１３μｍ）に到るまでの傾斜部
（接続層）９が生じてしまう。
【０００６】それから、ＳｉＯ２層７を除去し、再びＣ
ＶＤ法によってＳｉＯ２を堆積し、選択エッチングによ
ってストライプＳｉＯ２層（図示せず）とし、これをマ
スクとして基板１に達するまで半導体層３、４、５、６
および８（傾斜部９を含む）を選択エッチングして、所
定幅（１〜１．５μｍ）のストライプにする。ストライ
プＳｉＯ２層を除去してから、液相エピタキシャル成長
によって全面にＩｎＰを堆積して、化合物半導体ストラ
イプを完全に覆い、半導体レーザのキャップ層ないし光
変調素子のクラッド層を形成する。そして、所定の電極
等を形成して光集積化素子を製造する。
ＶＤ法によってＳｉＯ２を堆積し、選択エッチングによ
ってストライプＳｉＯ２層（図示せず）とし、これをマ
スクとして基板１に達するまで半導体層３、４、５、６
および８（傾斜部９を含む）を選択エッチングして、所
定幅（１〜１．５μｍ）のストライプにする。ストライ
プＳｉＯ２層を除去してから、液相エピタキシャル成長
によって全面にＩｎＰを堆積して、化合物半導体ストラ
イプを完全に覆い、半導体レーザのキャップ層ないし光
変調素子のクラッド層を形成する。そして、所定の電極
等を形成して光集積化素子を製造する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このようにして形成し
た光吸収層８は半導体レーザに隣接した傾斜部（接続部
）９を有するわけであるが、傾斜部９の勾配が急であり
、ここで散乱波が生じ、光結合効率が８５〜８７％とな
って２３〜２５％も散乱してしまう。上述した半導体レ
ーザと光変調素子との組合せに限らず、光導波路の厚さ
の異なる場合には同様に光結合効率が十分でない。
た光吸収層８は半導体レーザに隣接した傾斜部（接続部
）９を有するわけであるが、傾斜部９の勾配が急であり
、ここで散乱波が生じ、光結合効率が８５〜８７％とな
って２３〜２５％も散乱してしまう。上述した半導体レ
ーザと光変調素子との組合せに限らず、光導波路の厚さ
の異なる場合には同様に光結合効率が十分でない。
【０００８】本発明の目的は、ひとつの化合物半導体基
板に形成した光素子の間の光結合効率を高めた光集積化
素子を提供することである。
板に形成した光素子の間の光結合効率を高めた光集積化
素子を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的が、化合物半
導体基板の上に、該基板の屈折率よりも高い屈折率の化
合物半導体ガイド層が共通に形成されており、該化合物
半導体ガイド層の一部の上に第１光素子の第１化合物半
導体層が積層され、該化合物半導体ガイド層の別の部分
の上に第２光素子の第２化合物半導体層が第１化合物半
導体層の厚さとは異なる厚さで積層され、これら第１お
よび第２化合物半導体層を結合する接続層が該第２化合
物半導体層の一部で形成され、さらに第１および第２化
合物半導体層はいずれも屈折率が化合物半導体基板の屈
折率よりも高くなっている光集積化素子において、接続
層は、第１化合物半導体層と接触している接続層部分の
最大厚さ（Ａ）と第２化合物半導体層厚さ（Ｂ）の差の
４０倍以上の距離長さ（Ｌ）の傾斜面を有することを特
徴とする光集積化素子によって達成される。
導体基板の上に、該基板の屈折率よりも高い屈折率の化
合物半導体ガイド層が共通に形成されており、該化合物
半導体ガイド層の一部の上に第１光素子の第１化合物半
導体層が積層され、該化合物半導体ガイド層の別の部分
の上に第２光素子の第２化合物半導体層が第１化合物半
導体層の厚さとは異なる厚さで積層され、これら第１お
よび第２化合物半導体層を結合する接続層が該第２化合
物半導体層の一部で形成され、さらに第１および第２化
合物半導体層はいずれも屈折率が化合物半導体基板の屈
折率よりも高くなっている光集積化素子において、接続
層は、第１化合物半導体層と接触している接続層部分の
最大厚さ（Ａ）と第２化合物半導体層厚さ（Ｂ）の差の
４０倍以上の距離長さ（Ｌ）の傾斜面を有することを特
徴とする光集積化素子によって達成される。
【００１０】化合物半導体基板がＩｎＰまたはＧａＡｓ
であり、第１光素子が半導体レーザまたは受光素子であ
り、そして、第２光素子が光変調素子、光導波路または
受光素子であることが好ましい。
であり、第１光素子が半導体レーザまたは受光素子であ
り、そして、第２光素子が光変調素子、光導波路または
受光素子であることが好ましい。
【００１１】
【作用】本発明では、形成する接続層（傾斜部）を、厚
さの違い（Ａ−Ｂ）の４０倍以上の長さ（距離）〔Ｌ／
（Ａ−Ｂ）＞４０〕を有するようにしてかなりなだらか
斜面で緩やかに２つの光素子の光導波路を接合している
。このために、接続層での散乱および反射が抑えられて
光が高効率で伝播される。
さの違い（Ａ−Ｂ）の４０倍以上の長さ（距離）〔Ｌ／
（Ａ−Ｂ）＞４０〕を有するようにしてかなりなだらか
斜面で緩やかに２つの光素子の光導波路を接合している
。このために、接続層での散乱および反射が抑えられて
光が高効率で伝播される。
【００１２】
【実施例】以下、添付図面を参照して、本発明の実施態
様例および比較例によって本発明を詳細に説明する。従
来例と同様に半導体レーザと光変調素子とからなる光集
積化素子の場合で（図１〜図３、図５および図６）、以
下のようにして製造する。なお、製造方法は基本的には
同じなので、従来例と同じ部材を既に使用した参照番号
で示す。
様例および比較例によって本発明を詳細に説明する。従
来例と同様に半導体レーザと光変調素子とからなる光集
積化素子の場合で（図１〜図３、図５および図６）、以
下のようにして製造する。なお、製造方法は基本的には
同じなので、従来例と同じ部材を既に使用した参照番号
で示す。
【００１３】先ず、従来例での図１〜図３までの工程を
経たところまで同じに処理した光集積化素子中間製品を
用意する。なだらかな接続層を有する光変調素子の光吸
収層（波長１．４３μｍのＧａＩｎＡｓＰ層、厚さ０．
１３μｍ）８を形成するために、図５の部分平面図に示
すように、表出しているエッチングストッパー層（Ｉｎ
Ｐ層）４の上にＳｉＯ２をＣＶＤ法で堆積し、選択エッ
チングして光変調素子の化合物半導体ストライプ相当部
分を含む扇形スペースを空けた側壁ＳｉＯ２層１１を両
側に形成する。この扇形スペースを規定するＳｉＯ２層
１１の間隔、広がり具合を変えることによって、接続層
の形状（特に、傾斜面）をコントロールすることができ
る。
経たところまで同じに処理した光集積化素子中間製品を
用意する。なだらかな接続層を有する光変調素子の光吸
収層（波長１．４３μｍのＧａＩｎＡｓＰ層、厚さ０．
１３μｍ）８を形成するために、図５の部分平面図に示
すように、表出しているエッチングストッパー層（Ｉｎ
Ｐ層）４の上にＳｉＯ２をＣＶＤ法で堆積し、選択エッ
チングして光変調素子の化合物半導体ストライプ相当部
分を含む扇形スペースを空けた側壁ＳｉＯ２層１１を両
側に形成する。この扇形スペースを規定するＳｉＯ２層
１１の間隔、広がり具合を変えることによって、接続層
の形状（特に、傾斜面）をコントロールすることができ
る。
【００１４】次に、図６に示すように、従来例での図４
の場合と同様に、液層エピタキシャル成長によって表出
したＩｎＰ層４の上に光吸収層（発光波長１．４３μｍ
のＧａＩｎＡｓＰ層、厚さ０．１３μｍ）８を形成する
。この場合には、活性層５およびクラッド層６の表出側
面にて化合物半導体が厚く堆積するだけでなく、側壁Ｓ
ｉＯ２層１１の側面でも厚く（盛り上がって約０．４μ
ｍ厚さに）堆積し、徐々に所定の光吸収層８の所定厚さ
に到るまでのゆるやかな傾斜部（接続部）１２を形成す
ることができる。本発明に従うと、この傾斜部１２の接
続層部分では傾斜面の長さが層厚さの差（約０．２７μ
ｍ）の４０倍以上（約１０．８μｍ以上）である。
の場合と同様に、液層エピタキシャル成長によって表出
したＩｎＰ層４の上に光吸収層（発光波長１．４３μｍ
のＧａＩｎＡｓＰ層、厚さ０．１３μｍ）８を形成する
。この場合には、活性層５およびクラッド層６の表出側
面にて化合物半導体が厚く堆積するだけでなく、側壁Ｓ
ｉＯ２層１１の側面でも厚く（盛り上がって約０．４μ
ｍ厚さに）堆積し、徐々に所定の光吸収層８の所定厚さ
に到るまでのゆるやかな傾斜部（接続部）１２を形成す
ることができる。本発明に従うと、この傾斜部１２の接
続層部分では傾斜面の長さが層厚さの差（約０．２７μ
ｍ）の４０倍以上（約１０．８μｍ以上）である。
【００１５】それから、従来と同じに、ＳｉＯ２層７お
よび１１を除去し、再びＣＶＤ法によってＳｉＯ２を堆
積し、選択エッチングによってストライプＳｉＯ２層（
図示せず）とし、これをマスクとして基板１に達するま
で半導体層３、４、５、６および８（傾斜部１２を含む
）を選択エッチングして、所定幅（１〜１．５μｍ）の
ストライプにする。ストライプＳｉＯ２層を除去してか
ら、液相エピタキシャル成長によって全面にＩｎＰを堆
積して、化合物半導体ストライプを完全に覆い、半導体
レーザのキャップ層ないし光変調素子のクラッド層を形
成する。そして、所定の電極等を形成して光集積化素子
を製造する。なお、積層する化合物半導体層３、５およ
び８はそれぞれの発光波長から分かるように、ＧａＩｎ
ＡｓＰ層３はＩｎＰ基板１よりも屈折率が高く、ＧａＩ
ｎＡｓＰでも層５および８の方が層３よりも屈折率が高
い。
よび１１を除去し、再びＣＶＤ法によってＳｉＯ２を堆
積し、選択エッチングによってストライプＳｉＯ２層（
図示せず）とし、これをマスクとして基板１に達するま
で半導体層３、４、５、６および８（傾斜部１２を含む
）を選択エッチングして、所定幅（１〜１．５μｍ）の
ストライプにする。ストライプＳｉＯ２層を除去してか
ら、液相エピタキシャル成長によって全面にＩｎＰを堆
積して、化合物半導体ストライプを完全に覆い、半導体
レーザのキャップ層ないし光変調素子のクラッド層を形
成する。そして、所定の電極等を形成して光集積化素子
を製造する。なお、積層する化合物半導体層３、５およ
び８はそれぞれの発光波長から分かるように、ＧａＩｎ
ＡｓＰ層３はＩｎＰ基板１よりも屈折率が高く、ＧａＩ
ｎＡｓＰでも層５および８の方が層３よりも屈折率が高
い。
【００１６】図７の光集積化素子の概略部分拡大図に示
す光吸収層８の接続層１２（９）におけるその最大厚さ
（半導体レーザの側面に接する部分での厚さ）Ａと光変
調素子での所定厚さＢとの差（Ａ−Ｂ）と接続層の傾斜
面の距離長さＬの割合〔Ｌ／（Ａ−Ｂ）〕が、接続層で
の光伝播（規格化ガイドモードパワー）の割合とどのよ
うな関係にあるかを調べ、その結果を図８に示す。図７
において、最大厚さ部分が長さＣを有するのは、段差に
よって結晶の成長が速くなるためであり、所定厚さＢに
応じて決まり、例えば、Ｂが０．１３μｍに対してＣが
０．４μｍである。図８から明らかなように、規格化ガ
イドモードパワーでの光結合効率が厚さの差の４０倍以
上〔Ｌ／（Ａ−Ｂ）＞４０〕であれば、９９．５％以上
となり、ほとんど散乱されずに伝播できる。
す光吸収層８の接続層１２（９）におけるその最大厚さ
（半導体レーザの側面に接する部分での厚さ）Ａと光変
調素子での所定厚さＢとの差（Ａ−Ｂ）と接続層の傾斜
面の距離長さＬの割合〔Ｌ／（Ａ−Ｂ）〕が、接続層で
の光伝播（規格化ガイドモードパワー）の割合とどのよ
うな関係にあるかを調べ、その結果を図８に示す。図７
において、最大厚さ部分が長さＣを有するのは、段差に
よって結晶の成長が速くなるためであり、所定厚さＢに
応じて決まり、例えば、Ｂが０．１３μｍに対してＣが
０．４μｍである。図８から明らかなように、規格化ガ
イドモードパワーでの光結合効率が厚さの差の４０倍以
上〔Ｌ／（Ａ−Ｂ）＞４０〕であれば、９９．５％以上
となり、ほとんど散乱されずに伝播できる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るゆる
やかな傾斜の接続層の光集積化素子では光素子間の光結
合効率を従来よりも２０％ほど改善されて、ほぼ散乱と
反射が抑制できる。従って、光の損失が減少して効率が
良くなり、遠視野像も改善される。
やかな傾斜の接続層の光集積化素子では光素子間の光結
合効率を従来よりも２０％ほど改善されて、ほぼ散乱と
反射が抑制できる。従って、光の損失が減少して効率が
良くなり、遠視野像も改善される。
【図１】回折格子を形成したときの光集積化素子の化合
物半導体基板の部分断面図である。
物半導体基板の部分断面図である。
【図２】化合物半導体層を積層したときの光集積化素子
の部分断面図である。
の部分断面図である。
【図３】化合物半導体層を選択エッチングしたときの光
集積化素子の部分断面図である。
集積化素子の部分断面図である。
【図４】光変調素子の光吸収層を形成したときの従来の
光集積化素子の部分断面図である。
光集積化素子の部分断面図である。
【図５】側壁ＳｉＯ２層を形成したときの光集積化素子
の部分断面図である。
の部分断面図である。
【図６】光変調素子の光吸収層を形成したときの本発明
に係る光集積化素子の部分断面図である。
に係る光集積化素子の部分断面図である。
【図７】光変調素子の光吸収層を形成したときの光集積
化素子の拡大部分断面図である。
化素子の拡大部分断面図である。
【図８】接続層における層厚さの差と傾斜面の長さとの
割合による規格化ガイドモードパワー（光結合効率）の
変化を示すグラフである。
割合による規格化ガイドモードパワー（光結合効率）の
変化を示すグラフである。
１…化合物半導体（ＩｎＰ）基板
３…ガイド層（ＧａＩｎＡｓＰ層）
５…活性層（ＧａＩｎＡｓＰ層）
６…クラッド層（ＩｎＰ層）
８…光吸収層（ＧａＩｎＡｓＰ層）
９…接続層（傾斜部）
１１…側壁ＳｉＯ２層
１２…接続層（傾斜部）
Ｌ…傾斜面の長さ
Claims (4)
- 【請求項１】 化合物半導体基板の上に、該基板の屈
折率よりも高い屈折率の化合物半導体ガイド層が共通に
形成されており、該化合物半導体ガイド層の一部の上に
第１光素子の第１化合物半導体層が積層され、該化合物
半導体ガイド層の別の部分の上に第２光素子の第２化合
物半導体層が前記第１化合物半導体層の厚さとは異なる
厚さで積層され、これら第１および第２化合物半導体層
を結合する接続層が該第２化合物半導体層の一部で形成
され、さらに前記第１および第２化合物半導体層はいず
れも屈折率が前記化合物半導体基板の屈折率よりも高い
くなっている光集積化素子において、前記接続層（１２
）は、前記第１化合物半導体層（５、６）と接触してい
る前記接続層部分の最大厚さ（Ａ）と前記第２化合物半
導体層（８）の厚さ（Ｂ）の差の４０倍以上の距離長さ
（Ｌ）の傾斜面を有することを特徴とする光集積化素子
。 - 【請求項２】 前記化合物半導体基板（１）がＩｎＰ
またはＧａＡｓであることを特徴とする請求項１記載の
光集積化素子。 - 【請求項３】 前記第１光素子が半導体レーザまたは
受光素子であることを特徴とする請求項１記載の光集積
化素子。 - 【請求項４】 前記第２光素子が光変調素子、光導波
路または受光素子であることを特徴とする請求項１記載
の光集積化素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1639191A JPH04255270A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 光集積化素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1639191A JPH04255270A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 光集積化素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04255270A true JPH04255270A (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=11914953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1639191A Withdrawn JPH04255270A (ja) | 1991-02-07 | 1991-02-07 | 光集積化素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04255270A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0695958A1 (en) * | 1994-08-04 | 1996-02-07 | Hoechst Aktiengesellschaft | Tapered waveguide for optical coupling |
| US5998851A (en) * | 1996-12-04 | 1999-12-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical waveguide type photodiode and a process of producing the same |
| JP2001330763A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-11-30 | Hoya Corp | 集光部品並びにこれを用いた光源モジュール、レーザー装置及び光信号増幅装置 |
| JP2006133723A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-05-25 | Sony Corp | 光導波モジュール及び光・電気複合デバイス、並びにこれらの製造方法 |
-
1991
- 1991-02-07 JP JP1639191A patent/JPH04255270A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0695958A1 (en) * | 1994-08-04 | 1996-02-07 | Hoechst Aktiengesellschaft | Tapered waveguide for optical coupling |
| US5568579A (en) * | 1994-08-04 | 1996-10-22 | Hoechst Aktiengesellschaft | Waveguide coupling device including tapered waveguide with a particular tapered angle to reduce coupling loss |
| US5998851A (en) * | 1996-12-04 | 1999-12-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Optical waveguide type photodiode and a process of producing the same |
| JP2001330763A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-11-30 | Hoya Corp | 集光部品並びにこれを用いた光源モジュール、レーザー装置及び光信号増幅装置 |
| JP2006133723A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-05-25 | Sony Corp | 光導波モジュール及び光・電気複合デバイス、並びにこれらの製造方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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