JP4892730B2 - プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
G.W.Dick, etd, A Planar Single-Substrate AC Plasma Display with CapACitive Vias IEEE Trans. Electron Decries, vol. ED-26,No.8 1979 pp.1168-1172
(1)放電空間を確保するための放電距離、すなわち背面板に形成したアドレス電極と前面板に形成した主放電電極(X電極あるいはY電極)との間の距離が、100μm以上と長くなっているため、アドレス放電をさせる際の放電開始電圧として、200V以上の高い電圧が必要になるという問題点がある。この方式は、放電空間を広げることができるため発光効率を向上できる点では有効であるが、放電空間が広がるほどアドレス放電開始電圧が上昇してしまう問題点がある。
(2)アドレス電極はR,G,Bの各色に対応した数の電極が必要であるため、小型パネルでの高精細化が困難である。また、高精細化に伴って、放電空間が小さくなるため、発光効率が低下する。そこで、深さ方向に空間を広げることが考えられるが、前記の理由でアドレス放電距離が長くなり、アドレス放電開始電圧が上昇してしまうという問題点がある。
(3)アドレス放電時には、弱い放電ではあるが、対向放電であるため蛍光体が劣化するという問題点がある。
(4)背面板にアドレス電極が設けられるため、蛍光体の裏側に可視光を反射するAl等の高反射膜が形成できない。そのため、蛍光体表面から発生した可視光の約半分は背面板側に抜けてしまい、発光効率を上げられないという問題点がある。
プレイパネルの製造方法において、前記誘電体が、厚膜誘電体を塗付焼成することにより、または、薄膜誘電体を蒸着あるいはCVDのいずれかの方法により形成されていることが好ましい。
プレイパネルの製造方法において、前記アドレス電極は、該アドレス電極の、前記第2の基板に対向する面内における短辺側の幅が、前記第2の基板における隔壁の、該アドレス電極に対向する面内における短辺側の幅と略一致するように形成されていることが好ましい。
プレイパネルの製造方法において、前記アドレス電極は、前記第2の基板における前記放電空間の内部を臨む突起部を有していることが好ましい。
プレイパネルの製造方法において、前記隔壁により前記第2の基板面において格子状に形成されて、それぞれが前記放電空間を形成する複数の画素において、前記アドレス電極が、1画素ごとに前記隔壁に対向配置されるとともに、前記突起部が各画素に対応して該アドレス電極に千鳥状に形成されることが好ましい。
プレイパネルの製造方法において、前記主放電電極と前記アドレス電極との交差領域における各電極の、前記第2の基板に対向する面内における配線幅が、該交差領域外における各電極の配線幅よりも小さいことが好ましい。
プレイパネルの製造方法において、前記第1の基板において、前記誘電体が厚膜誘電体と薄膜誘電体とから構成されていることが好ましい。
プレイパネルの製造方法において、前記アドレス電極は、前記薄膜誘電体上に形成されていることが好ましい。
プレイパネルの製造方法において、前記アドレス電極と前記薄膜誘電体とが、リフトオフ方式により連続して薄膜形成されていることが好ましい。
プレイパネルの製造方法において、前記薄膜誘電体が、3以下の誘電率を有する誘電体から形成されていることが好ましい。
プレイパネルの製造方法において、前記第1の基板における前記保護膜の、前記第2の基板に対向する面が、MgOで覆われていることが好ましい。
プレイパネルの製造方法において、前記第2の基板はガラス基板からなり、該ガラス基板には、前記放電空間を内部に有する溝部が形成されていることが好ましい。
プレイパネルの製造方法において、前記溝部の開口部における、前記アドレス電極の長辺方向に平行する、前記アドレス電極に対向する面に、切り欠き部が形成されていることが好ましい。
プレイパネルの製造方法において、前記第2の基板はガラス基板からなり、該ガラス基板の前記第1の基板に対向する面に、所望のパターンを形成したレジスト層を保護膜として、サンドブラスト法を用いて前記溝部を形成することが好ましい。
プレイパネルの製造方法において、前記第2の基板はガラス基板からなり、該ガラス基板に押圧成形により、前記溝部を形成することが好ましい。
プレイパネルの製造方法において、前記第2の基板の前記溝部に、Alからなる、蛍光体を励起して発生される可視光を反射する反射膜を蒸着により形成することが好ましい。
プレイパネルの製造方法において、前記反射膜を前記溝部に形成する際、リフトオフ方式により、レジスト層を保護膜として形成することが好ましい。
プレイパネルの製造方法において、前記第2の基板が、金属基板からなることが好ましい。
プレイパネルの製造方法において、前記第2の基板が、Al材で構成されていることが好ましい。
プレイパネルの製造方法において、前記第2の基板は、ホイール状の金属製の薄板からなり、押圧形成により前記溝部が形成され、前記溝部の表面には絶緑膜が形成されていることが好ましい。
本発明の一実施形態について図面に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
(i)アドレス放電開始電圧を大幅に低減させることができる。
(ii)放電空間を広げてプラズマ放電効率を向上させることができる。
(iii)蛍光体の塗付表面積を拡大して、可視光発生量を増加させることができる。
(iv)蛍光体と隔壁との間に高反射膜を形成して背面板側に逃げる可視光を有効に利用することができる。
〔1〕前面板(第1の基板)1の作製
<レジスト層形成工程(図2(1))>
まず基板3として150mm角、厚さ2.8mmのガラス基板(商品名:PD200、旭硝子社製)を準備する。
<開口部形成工程(図2(2))>
次に、図1および図3に示す表示電極パターンを作るため、レジスト層15に以下の方法で表示電極形成用リフトオフ用開口部パターンを形成する。図3に示す設計パターンは、1セルが500×300μm、表示電極(X)5および(Y)6のライン&スペースが150×350μm、そしてT字部形状が25μmの配線幅で、頂部幅200μmから構成されている。このパターンを、露光光源として超高圧水銀灯を用い、2枚の露光マスク24(設計パターンとそれより5μm外周が大きいCr遮光部24aを持つマスク)を介してレジスト層15に対し、完全遮光部15aと半露光部15bと完全露光部15cとなるように2回露光(100mJ/cm2回)を行う。このとき、開口部形成部位(完全遮光部15a)への積算露光量は0、半露光部15bへの積算露光量は100mJ/cm2、完全露光部15cへの積算露光量は200mJ/cm2とする。その後、1%炭酸ナトリウムアルカリ水溶液を用いて現像する。
<薄膜層(表示電極)形成工程(図2(3))>
次に、表示電極(X)5および(Y)6を構成する多層薄膜を得るため、前面板1上および開口部15aを有するレジスト層15上全面に多層薄膜層を形成する。表示電極は、Cr/Cu/Cr、または、Ti/Cu/Ti、の金属薄膜多層膜で形成されていることが好ましい。ここでは、多層薄膜は、図2の拡大した断面図に示すように、酸化クロム層16/クロム層17/銅層18/クロム層19/酸化スズ系保護層20から構成されている。
<レジスト層剥離工程(図2(4))>
次に、レジスト層15と、レジスト層15上に形成された薄膜層とを基板3から剥離する。具体的には50℃に加熱した3%水酸化ナトリウム水溶液中に約1分間浸漬した後、ナイロン製のブラシで軽くブラッシングしてレジスト層15を剥離し、さらに基板3を揺動させてレジスト層15を完全に剥離させ、最後に約40℃に加熱した純水で洗浄する。
<誘電体形成工程(図2(5))>
次に、前記表示電極パターンを形成した基板3上の封着部、すなわち表示電極(X)5および(Y)6の、基板3への堆積領域よりも一回り大きい領域に、誘電体層10を形成する。この誘電体層10は、Pbフリーの低融点ガラスフリットとエチルセルロースと有機溶剤とからなる誘電体ペーストをスクリーン印刷法によりパターン印刷し、600℃×30minの条件で大気中で加熱、焼成して形成する。焼成後の誘電体膜厚は所望の約20μmとなる。
<アドレス電極形成工程(図2(6))>
次に、誘電体層10上に、表示電極(X)5および(Y)6に直交して、セルの境界(背面板2の隔壁頂部9)に略一致し、かつ放電領域内に小さなアドレス突起電極8aを有するアドレス電極(A)8を形成する。なお、アドレス電極(A)8は、Cr/Cu/Cr、Ti/Cu/Ti、Cr/Al/Cr、または、Ti/Al/Ti、のいずれかの金属薄膜多層膜で形成されることが好ましい。
<保護層形成工程(図2(7))>
次に、アドレス電極パターンを形成した誘電体層10上の封着部の内側に略一致した領域に、保護層11を形成する。
〔2〕背面板(第2の基板)2の作製
<レジスト層形成工程(図2(8))>
本実施の形態1における背面板2は、アドレス電極(A)8がないため、基板4に直接溝部4aを形成して、R,G,Bのセルを形成する方法である。
<ボックス型セルレジストパターン形成工程(図2(9)>
次に、このレジスト層23に、以下の方法でボックス型セルパターンを形成する。すなわち、ガラス板にボックス型の遮光パターンを形成した露光用マスク27を準備する。ボックス型セルの寸法は0.3mm×0.5mm、開口部は0.25mm×0.45mmである。ボックス型セルの隔壁12の幅は50μmとした。また、20μm幅の溝用パターンをボックス型セルの短手方向の隔壁12の上部に形成する。
<ボックス型セル溝部形成工程(図2(10))>
次に、ボックス型セルの溝部4aを、いわゆるサンドブラスト法により形成する。
<反射膜形成工程(図2(11))>
次に、前記のボックス型セルの溝部4aの内壁に反射膜13を形成する。
<蛍光体形成工程(図2(12))>
次に、ボックス型セル内に蛍光体14を形成する。
(3)パネルの組立
<封着工程(図2(13))>
作製した背面板2に、前面板1の電極形成面を内側にして、前面板1と位置を合わせ、仮固定した後、バネクリップで封着近傍を押さえ込んだ状態で約400℃昇温して封着する。その後、背面板2に取り付けた排気管からパネル内部の気体を真空排気する。その際、最大350℃程度まで昇温して内部の吸着ガスを取り除き、10−5Pa程度まで真空に引いた後、Ne−5%Xe混合ガスを封入し、排気管を溶着して封着を完了する。
(変形例1)
本実施の形態1におけるプラズマディスプレイパネル100の構成において、図1に示す構成の変形例について説明する。図7は、この変形例1としてのプラズマディスプレイパネル100aの概略構成を示す斜視図であり、図8は、表示電極(X)5および(Y)6と、アドレス電極(A)8との配列状態を示す平面図である。変形例1のプラズマディスプレイパネル100aの製造方法は、図1に示すプラズマディスプレイパネル100の製造方法と同一である。
(変形例2)
本実施の形態1におけるプラズマディスプレイパネル100の製造方法において、図1に示す構成の他の変形例について説明する。図11は、この変形例2としてのプラズマディスプレイパネル100bの概略構成を示す斜視図である。
(変形例3)
本実施の形態1におけるプラズマディスプレイパネル100の構成において、図1に示す構成の他の変形例について説明する。図13は、この変形例3としてのプラズマディスプレイパネル100cの概略構成を示す斜視図である。変形例3のプラズマディスプレイパネル100cにおける前面板1の製造方法は、図1に示すプラズマディスプレイパネル100の前面板1の製造方法と同一である。
2 背面板(第2の基板)
3 基板
4 基板
5 表示電極(X)(主放電電極)
5a 突起電極
6 表示電極(Y)(主放電電極)
6a 突起電極
8 アドレス電極(A)
8a アドレス突起電極(突起部)
8b 交差部(交差領域)
9 隔壁頂部
9a 切り欠き部
10 誘電体層(誘電体)
11 保護層(保護膜)
12 隔壁
13 反射膜
14 蛍光体
15,23,26 レジスト層
15a,26a 開口部
14a 溝部
100,100a、100b、100c プラズマディスプレイパネル
Claims (25)
- 第1の基板上に主放電電極、誘電体、アドレス電極および保護膜を順に形成すると共に、該第1の基板に対向する第2の基板上に、蛍光体で覆われた放電空間を内部に有する隔壁を形成してなるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記第1の基板上に、第1レジスト層を形成する第1レジスト層形成工程と、
前記第1レジスト層に、所望の電極パターンに対応する形状の第1開口部を形成する第1開口部形成工程と、
前記第1開口部の前記第1の基板上および前記第1レジスト層上に、前記主放電電極なる第1薄膜電極層をPVDにより堆積する第1電極層形成工程と、
前記第1レジスト層および前記第1レジスト層上に形成された前記第1薄膜電極層を、前記第1の基板から剥離する第1剥離工程と、
前記第1薄膜電極層が形成された前記第1の基板上に、前記誘電体を形成する誘電体形成工程と、
前記誘電体上に、第2レジスト層を形成する第2レジスト層形成工程と、
前記第2レジスト層に、所望の電極パターンに対応する形状の第2開口部を形成する第2開口部形成工程と、
前記第2開口部の前記誘電体上および前記第2レジスト層上に、前記アドレス電極なる第2薄膜電極層をPVDにより堆積する第2電極層形成工程と、
前記第2レジスト層および前記第2レジスト層上に形成された前記第2薄膜電極層を、前記誘電体から剥離する第2剥離工程と、
前記第2薄膜電極層が形成された前記誘電体上に、薄膜の前記保護膜を形成する保護膜形成工程と、を含み、
前記第1レジスト層が、前記第1薄膜電極層の前記第1の基板への堆積領域外に形成されるように、該第1レジスト層を、前記第1開口部において、ひさし型に形成し、
前記第2レジスト層が、前記第2薄膜電極層の前記誘電体への堆積領域外に形成されるように、該第2レジスト層を、前記第2開口部において、ひさし型に形成し、
前記誘電体を、前記第1薄膜電極層の端部が前記第1レジスト層のひさしの内部に入り込むように形成された前記第1薄膜電極層の全体を覆うように形成し、
前記保護膜を、前記第2薄膜電極層の端部が前記第2レジスト層のひさしの内部に入り込むように形成された前記第2薄膜電極層の全体を覆うように形成することを特徴とするプラズマディスプレイの製造方法。 - 前記第1電極層形成工程により前記第1の基板上に堆積された前記第1薄膜電極層における端部の断面形状が、前記第1の基板に対してテーパ形状であり、
前記第2電極層形成工程により前記誘電体上に堆積された前記第2薄膜電極層における端部の断面形状が、前記誘電体に対してテーパ形状であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 前記第1薄膜電極層および前記第2薄膜電極層をリフトオフ方式により、薄膜形成することを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記第2の基板に形成される前記隔壁の内側に、蛍光体を励起して発生される可視光を反射する反射膜を形成する反射膜形成工程をさらに含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記主放電電極が、Cr/Cu/Cr、または、Ti/Cu/Ti、の金属薄膜多層膜で形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記アドレス電極が、Cr/Cu/Cr、Ti/Cu/Ti、Cr/Al/Cr、または、Ti/Al/Ti、のいずれかの金属薄膜多層膜で形成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記誘電体が、厚膜誘電体を塗付焼成することにより、または、薄膜誘電体を蒸着あるいはCVDのいずれかの方法により形成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記アドレス電極は、該アドレス電極の、前記第2の基板に対向する面内における短辺側の幅が、前記第2の基板における隔壁の、該アドレス電極に対向する面内における短辺側の幅と略一致するように形成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記アドレス電極は、前記第2の基板における前記放電空間の内部を臨む突起部を有していることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記隔壁により前記第2の基板面において格子状に形成されて、それぞれが前記放電空間を形成する複数の画素において、前記アドレス電極が、1画素ごとに前記隔壁に対向配置されるとともに、前記突起部が各画素に対応して該アドレス電極に千鳥状に形成されることを特徴とする請求項9に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記主放電電極と前記アドレス電極との交差領域における各電極の、前記第2の基板に対向する面内における配線幅が、該交差領域外における各電極の配線幅よりも小さいことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記第1の基板において、前記誘電体が厚膜誘電体と薄膜誘電体とから構成されていることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記アドレス電極は、前記薄膜誘電体上に形成されていることを特徴とする請求項12に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記薄膜誘電体が、3以下の誘電率を有する誘電体から形成されていることを特徴とする請求項12または13に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記第1の基板における前記保護膜の、前記第2の基板に対向する面が、MgOで覆われていることを特徴とする請求項1〜14のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記第2の基板はガラス基板からなり、該ガラス基板には、前記放電空間を内部に有する溝部が形成されていることを特徴とする請求項1〜15のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記溝部の開口部における、前記アドレス電極の長辺方向に直交する方向の隔壁に、切り欠き部が形成されていることを特徴とする請求項16に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記第2の基板はガラス基板からなり、該ガラス基板の前記第1の基板に対向する面に、所望のパターンを形成したレジスト層を保護膜として、サンドブラスト法を用いて前記溝部を形成することを特徴とする請求項16に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記第2の基板はガラス基板からなり、該ガラス基板に押圧成形により、前記溝部を形成することを特徴とする請求項16に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記第2の基板の前記溝部に、Alからなる、蛍光体を励起して発生される可視光を反射する反射膜を蒸着により形成することを特徴とする請求項16〜19のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記反射膜を前記溝部に形成する際、リフトオフ方式により、レジスト層を保護膜として形成することを特徴とする請求項20に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記第2の基板が、金属基板からなることを特徴とする請求項1〜21のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記第2の基板が、Al材で構成されていることを特徴とする請求項1〜22のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 前記第2の基板は、ホイール状の金属製の薄板からなり、押圧形成により前記溝部が形成され、前記溝部の表面には絶緑膜が形成されていることを特徴とする請求項16〜21のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
- 請求項1〜24のいずれか1項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法により製造されるプラズマディスプレイパネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006339278A JP4892730B2 (ja) | 2006-12-16 | 2006-12-16 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006339278A JP4892730B2 (ja) | 2006-12-16 | 2006-12-16 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008153038A JP2008153038A (ja) | 2008-07-03 |
JP4892730B2 true JP4892730B2 (ja) | 2012-03-07 |
Family
ID=39655009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006339278A Active JP4892730B2 (ja) | 2006-12-16 | 2006-12-16 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4892730B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008034372B4 (de) * | 2008-07-23 | 2013-04-18 | Msg Lithoglas Ag | Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Schicht in einem elektroakustischen Bauelement sowie elektroakustisches Bauelement |
WO2010010602A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | 株式会社日立製作所 | プラズマディスプレイパネル |
WO2010026619A1 (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-11 | 株式会社日立製作所 | プラズマディスプレイパネル |
DE102009034532A1 (de) | 2009-07-23 | 2011-02-03 | Msg Lithoglas Ag | Verfahren zum Herstellen einer strukturierten Beschichtung auf einem Substrat, beschichtetes Substrat sowie Halbzeug mit einem beschichteten Substrat |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63314744A (ja) * | 1987-06-17 | 1988-12-22 | Fujitsu Ltd | ガス放電パネル |
JP2964512B2 (ja) * | 1989-12-18 | 1999-10-18 | 日本電気株式会社 | カラープラズマディスプレイ |
JP2967668B2 (ja) * | 1993-02-09 | 1999-10-25 | 日本電気株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
JP3591076B2 (ja) * | 1995-08-31 | 2004-11-17 | 富士通株式会社 | 隔壁付きガラス基板の製造方法 |
JPH10116556A (ja) * | 1996-10-14 | 1998-05-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイの隔壁構造及びその形成方法 |
JPH10321145A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-12-04 | Sony Corp | 表示装置 |
JP3972156B2 (ja) * | 1998-02-23 | 2007-09-05 | 株式会社日立プラズマパテントライセンシング | プラズマディスプレイパネル及びその駆動方法 |
JPH11354021A (ja) * | 1998-06-08 | 1999-12-24 | Ngk Insulators Ltd | ディスプレイ及びその製造方法 |
JP3985445B2 (ja) * | 2000-10-26 | 2007-10-03 | 松下電工株式会社 | 電界放射型電子源の製造方法 |
JP2003242893A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Sony Corp | プラズマ表示装置およびその製造方法 |
JP2003257310A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Micro Gijutsu Kenkyusho:Kk | プラズマディスプレイパネル用背面基板の製造方法及びその方法で製造される背面基板の障壁構造 |
JP2004273265A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd | プラズマディスプレイパネル |
JP2004281329A (ja) * | 2003-03-18 | 2004-10-07 | Pioneer Electronic Corp | 電極パターン形成方法およびディスプレイパネルの製造方法 |
JP4339740B2 (ja) * | 2003-09-18 | 2009-10-07 | 日立プラズマディスプレイ株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイ装置 |
JP2006294461A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネル |
-
2006
- 2006-12-16 JP JP2006339278A patent/JP4892730B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008153038A (ja) | 2008-07-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091030 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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