JP2005294051A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 表示電極間に凹みを有するＰＤＰの製造時間を短縮するＰＤＰの製造方法、並びに、表示電極間に発光効率が向上させるための凹みの形状を改良し駆動動作を確実にするＰＤＰ及びそのＰＤＰの製造方法を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１１の少なくとも表示領域形成面に透明導電膜１２ｃを形成し、サンドブラス法を用いて透明導電膜１２ｃ及びガラス基板１１を所定形状に切削することにより平行する所定形状の透明電極１２ａを形成するとともに、透明電極１２ａ間のガラス基板表面に凹部１５を形成し、さらに当該透明電極１２ａ及びバス電極１２ｂを被覆する誘電体層１３を形成し、当該誘電体層１３を被覆する保護層１４を形成する。
【選択図】 図４

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネルの表示電極の周辺構造の製造方法に関する。

リブを介在して互いに対向して放電空間を形成する表示電極１１２が平行に複数延設された前面基板１１０及びアドレス電極が平行に複数延設された背面基板を備え、前記前面基板１１０の表示電極１１２ａ間（放電ギャップ間）において凹み１１５を有したプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰとする）が特開平１１−３１７１７２号公報に開示されている。このＰＤＰによれば、凹み１１５を設けたことにより、沿面放電の割合が少なくなり、放電がリブの干渉を受けにくくなり、また放電空間が広くなるため、発光効率を高くすることができる。ここで、この背景技術であるプラズマディスプレイの製造方法は、サンドブラストで前面基板１１０表面に凹み１１５を形成した後、表示電極１１２、誘電体層１１３及び保護層１１４を順に形成するとの記載が同公報に示されている。
特開平１１−３１７１７２号公報

前記背景技術は上記のように構成され、前記表示電極同士がもっとも接近している凹み部分の対向側面間で放電が生じ沿面放電の割合が少なって発光効率が向上するものの、通常の製造工程に凹みをサンドブラスト法で形成する工程がそのまま加わり、すなわち、通常の製造時間に凹みを形成するためのサンドブラスト工程の時間が加わって製造時間が大幅に増加するという課題を有する。また、背景技術は表示電極間に凹みが形成されているものの、実際に面放電を発生させる表示電極に考慮することなく凹み部分を除くガラス基板に対して一定の厚みで誘電体層や保護層が形成されているため単位発光領域毎の放電のバラツキが生じ、駆動動作を安定して行うことができないと言う課題を有する。

本発明は、前記課題を解決するためになされたものであり、電極間に凹みを有するＰＤＰの製造時間を短縮するＰＤＰの製造方法、並びに、表示電極間に発光効率が向上させるための凹みの形状を改良し駆動動作を確実にするＰＤＰ及びそのＰＤＰの製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、ガラス基板の少なくとも表示領域形成面に透明導電膜を形成し、サンドブラス法を用いて透明導電膜及びガラス基板を所定形状に切削することにより平行する所定形状の透明電極を形成するとともに、透明電極間のガラス基板表面に凹部を形成し、さらに当該透明電極及びバス電極を被覆する誘電体層を形成し、当該誘電体層を被覆する保護層を形成するものである。このように本発明においては、ガラス基板の少なくとも表示領域形成面に透明導電膜を形成し、サンドブラス法を用いて透明導電膜及びガラス基板を所定形状に切削することにより平行する所定形状の透明電極を形成するとともに、透明電極間のガラス基板表面に凹部を形成し、さらに当該透明電極及びバス電極を被覆する誘電体層を形成し、当該誘電体層を被覆する保護層を形成するので、すなわち、サンドブラスト法を用いて透明導電膜及びガラス基板を切削しており、通常透明導電膜１２ｃをパターニングして透明電極を形成した後に別途ガラス基板に凹部を形成するのと比べ透明電極と凹部の形成が同時にでき、製造工程を簡略化することができる。

また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は必要に応じて、前記サンドブラス法を用いてガラス基板を切削して少なくとも誘電体層と保護層との厚みから透明電極の厚みを引いた厚み以上の深さを有する凹部を形成するものである。このように本発明においては、前記サンドブラス法を用いてガラス基板を切削して少なくとも誘電体層と保護層との厚みから透明電極の厚みを引いた厚み以上の深さを有する凹部を形成しているので、少なくとも凹部の底部が透明電極の形成面以下に形成されるため迂回した電気力線に従った上面方向での放電ではなく、放電ギャップ間の電気力線に従った透明電極同士の対向面で放電が生じ、放電開始電圧を著しく低下させることができる。

また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は必要に応じて、前記誘電体層がＣＶＤ法を用いて形成されるものである。このように本発明においては、前面基板の誘電体層をＣＶＤ法を用いて形成しているので、形成される誘電体層も誘電率が低く薄膜となり制御が容易となり、低融点ガラスペーストを用いるスクリーン印刷法等と異なり焼成工程がなく工程が簡略化させると共に基板収縮の影響が少なく、特に本発明のような放電ギャップ間に凹部を形成することが必要な場合には凹部の下層に誘電体層を形成するのが難しいのであるが、化学的反応を利用してミクロ的に誘電体層を前面基板形状に沿って均等に薄膜を形成することができる。

また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は必要に応じて、前記誘電体層が誘電体シートを用いて形成されるものである。このように本発明においては、前面基板の誘電体層を誘電体シートを用いて形成しているので、低融点ガラスペーストを用いるスクリーン印刷法等と同様に焼成工程を有しているものの、膜厚を均一に形成でき、特に本発明のような放電ギャップ間に凹部を形成することが必要な場合には凹部の下層に誘電体層を形成するのが難しいのであるが、スクリーン印刷法で用いる低融点ガラスペーストと異なり既に溶媒を一定の形状を保つ程度に蒸発させているため誘電体層を前面基板形状に沿って均等に薄膜を形成することができる。

また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は必要に応じて、前記サンドブラス法を用いてガラス基板の凹部をテーパ状に切削するものである。このように本発明においては、前記サンドブラス法を用いてガラス基板の凹部をテーパ状に切削するので、プラズマＣＶＤ法を用いた場合には処理対象物を基準としておおよそ均一な薄膜を形成可能であるが、プラズマＣＶＤ法は化学反応で生じた物質を堆積させて薄膜を形成する方法であるため、薄膜形成する上で水平面の方が好ましくテーパ状に切削形成することで化学反応で生じた物質を堆積し易くなり、確実に均等な膜厚の誘電体層を形成することができる。また、誘電体層形成に誘電体シートを用いた場合には、凹部が垂直に形成されず凹部の底面と側面との形成角が広角となって凹部を垂直面を有して形成されるのに比べ誘電体シートをラミネートし易くなり、誘電体層を均等な膜厚で確実に形成することができる。

また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、面放電を発生させる表示電極が複数形成され、隣接する表示電極間放電ギャップに凹部が形成された前面基板と、アドレス電極が複数形成された背面基板とを対向して配置したものであって、前記表示電極形成面よりガラス基板方向に低い底部を有して前記凹部が形成され、当該表示電極に沿って誘電体層が形成されるものである。このように本発明においては、前記表示電極形成面よりガラス基板方向に低い底部を有して前記凹部が形成され、当該表示電極に沿って誘電体層が形成されているので、面内の均一性が向上し安定した駆動動作が行われ、歩留まりが改善され良品率向上に寄与することができる。

また、本発明に係るプラズマディスプレイパネルは必要に応じて、前記表示電極がバス電極のみからなるものである。このように本発明においては、前記表示電極がバス電極のみからなるので、バス電極が導電性が高いため放電ギャップ間の距離及びバス電極の形状の調整により放電開始電圧を低減化することができ、さらに、透明電極の形成工程を省くことができ、ＰＤＰの製造時間を大幅に低減することができる。

（本発明の第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係るＰＤＰの製造方法について図に基づき説明する。図１は本実施形態に係るＰＤＰの要部斜視図及び要部拡大図、図２は図１（ｂ）の要部拡大図及びこれに対応する従来図、図３は本実施形態に係る底部の掘り下げ量と放電開始電圧との関係を示すグラフ、図４は本実施形態に係るＰＤＰの製造工程の状態変移説明図である。

本実施形態に係るＰＤＰの製造方法は、ガラス基板１１の少なくとも表示領域に透明導電膜１２ｃを形成し、当該透明導電膜１２ｃ上に平行に配置されるバス電極１２ｂを形成し、サンドブラス法を用いて透明導電膜及びガラス基板１１を所定形状にパターニングし透明電極１２ａ及び凹部１５を形成し、当該透明電極１２ａ及びバス電極１２ｂを被覆する誘電体層１３を形成し、当該誘電体層１３を被覆する保護層１４を形成する方法である。すなわち、バス電極１２ａ形成後、サンドブラスト法を用いて透明導電膜１２ｃ及びガラス基板１１を切削することにより、透明電極のパターニングとガラス基板表面への凹部形成を一括して行うことを特徴とする。

本実施形態に係るＰＤＰの製造方法により製造されるＰＤＰは、面放電を発生させる一対の表示電極１２が複数形成された前面基板１０とアドレス電極２２が複数形成された背面基板２０とを対向して配置し、これら複数の交差する表示電極１２とアドレス電極２２とが対応して３電極構造をなして表示領域を有し、前面基板１０及び背面基板２０間の隔壁２４で区画された放電空間４０にキセノンをネオンに混合した放電ガスを封入した構成である。

前記前面基板１０は、ガラス基板１１上に表示電極１２が複数形成され、この表示電極１２上に誘電体層１３が形成され、この誘電体層１３の上には保護層１４が形成されている。面放電を発生する１対の表示電極１２はガラス基板１１上に平行して形成され、透明電極１２ａとこの透明電極１２ａの導電性を補うべく高い導電性を有するバス電極１２ｂとからなる。誘電体層１３は壁電荷による放電を維持するためのものであり、数十［μｍ］の膜厚を有する低融点ガラスからなる。保護層１４はＭｇＯからなり、誘電体層１３の上に数千［Å］の膜厚を有する。この一般的な前面基板１０の構成に加え、本実施形態に係る製造方法により製造される前面基板１０は、放電ギャップ間に表示電極１２形成面よりガラス基板１１方向に低い底部１５ａを有する凹部１５が形成される構成である。より正確に言えば、ガラス基板１１と面平行な面であって透明導電膜１２ｃと誘電体層１３との接触面１６よりもガラス基板１１方向に低い底部１５ａを有する凹部１５が形成されている。このような構成、すなわち、底部１５ａが接触面１６より下方向に形成されている構成にあっては、図１（ｂ）の要部拡大図となる図２（ａ）に示すように、放電電圧印加時の電気力線が略直線状に放電ギャップ間に形成される。一方、図２（ｂ）は、凹部１５が形成されていない一般的なＰＤＰの前面基板の要部拡大図であるが、放電電圧印加時の電気力線が誘電体層１３及び保護層１４を抜け長い曲線となって放電ギャップ間に形成されている。放電ギャップ間において、図３に示すように、図１（ｂ）の掘り下げ量ｄと放電開始電圧との関係は、底部１５ａが接触面１６より低く形成されると放電開始電圧Ｖｆは急激に低下し、底部１５ａがガラス基板１１と面平行な面であって透明導電膜１２ｃとガラス基板１１との接触面１７よりも低く形成されると放電開始電圧Ｖｆは低い電圧Ｖ０で略飽和する。したがって、少なくとも底部１５ａが接触面１６よりも低く形成されることが望ましい。なお、凹部１５の大きさの具体例を挙げると、放電ギャップ間の距離を１００［μｍ］とすると、横幅４０［μｍ］、深さ３０ないし４０［μｍ］の凹部１５が表示電極の延出方向と同方向に延びて形成されている。

また、前記凹部１５により、一般的に存在していた放電ギャップ間の誘電体層１３及び保護層１４が略無いため、表示電極１２間容量が低減され、無効電力も低減化できる。また、放電に必要な電位、即ち、放電開始電圧と維持電圧を低下させることができるので、電極幅を小さくして放電スリットを広く取ることができ、長ギャップ放電で陽光柱を利用でき高効率に放電できる。蛍光体層２５からもより離れた位置での放電となり蛍光体劣化の低減化を図ることができる。また、放電に必要な電圧が低下するため、Ｘｅ分圧を高くしても放電開始電圧上昇を抑えることもできる。このようにＸｅ分圧を高くするとより高輝度で高効率のＰＤＰを実現できる。具体的には、通常、面放電型構造においてＮｅ−Ｘｅ混合ガスの場合、Ｘｅ分圧１［％］上昇で効率１．１［倍］程度上昇すると共に放電開始電圧も４［Ｖ］上昇するが、凹部１５を形成すると、放電開始電圧を約２０［Ｖ］低下させることができ、Ｘｅ分圧を５［％］増加させても現状と同等の電圧マージンで駆動可能であり、効率としては１．５［倍］も上昇させることができる。

前記背面基板２０は、ガラス基板２１上にアドレス電極２２がストライプ状に形成され、このアドレス電極２２の上に誘電体層２３が形成され、さらにこの誘電体層２３の上にストライプ状に形成されたアドレス電極２２間に隔壁２４が形成されている。アドレス電極２２はＣｒ、Ｃｕ、Ｃｒの順の複数層の膜からなる。隔壁２４は、膜厚が１３０［μｍ］〜１５０［μｍ］の低融点ガラスからなる。この隔壁２４間には誘電体層２３の上及び隔壁側壁を覆うように蛍光体層２５が形成される。この蛍光体層２５は赤、緑、青の３色があり隔壁２４間に順に連続して形成されている。駆動時には、表示電極１２の対による放電によって短波長の紫外線が生じ、この紫外線で励起されて蛍光体層２５が発光して表示がなされる。

次に、本実施形態に係るＰＤＰの製造方法について説明する。形成方法を大まかに分けると、前面基板１０の製造工程、背面基板２０の製造工程、並びに、貼り合わせ、封着、排気及び放電ガスの封入からなる組立工程からなる。まず、本発明の特徴である前面基板の製造方法について詳細に説明し、続けて、背面基板２０の製造工程及び組立工程を説明する。

前面基板１０の製造工程は、まず、ガラス基板１１の全面にスパッタリングにより酸化スズ（ＳｎＯ２）やインジウムとスズの合金酸化膜（ＩＴＯ）等の薄膜を０．２［μｍ］の厚さで透明導電膜１２ｃとして成膜する（図４（ｂ））。この透明導電膜１２ｃの上に積層する形で、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｃｒの３層１２ｄをスパッタリングにより２［μｍ］ないし３［μｍ］の厚さで成膜し（図４（ｃ））、前面基板１０表面をレジスト１８で覆い（図４（ｄ））、ファトリソグラフィによるパターンエッチングを行って（図４（ｅ））バス電極１２ｂを形成する（図４（ｆ）（ｇ））。次に、前面基板１０表面を金属研磨材の切削に耐えうるレジスト１９を貼付け（図４（ｈ））、ファトマスクを介して露光、現像を行ってレジスト１９をサンドブラストの切削対象以外の部分に形成する（図４（ｉ））。レジスト１９がパターン形成されたガラス基板１１に対して、サンドブラスト装置により例えば硬質アルミナの研磨材を射出し、レジスト１９がパターン形成されていない透明導電膜１２ｃ及びガラス基板１１を切削する（図４（ｊ））。透明導電膜１２ｃは厚さがわずか０．２［μｍ］しかなくすぐに切削され、続けて、ガラス基板１１自体が切削される。切削後、レジスト１９をアルカリ溶液で除去することで、ガラス基板１１に最終的に凹部１５となる原凹部１５ｂ（ここで、以下の説明の便宜上凹部１５と原凹部１５ｂとを書き分けたが、意味上原凹部１５ｂは凹部１５に包含されるものである。）が形成されると共に、透明電極１２ａが形成される（図４（ｋ））。前記したように底部１５ａが接触面１６より低く形成されないといけないため、この原凹部１５ｂは後で形成される誘電体層１３の厚み及び保護層１４の厚みを考慮して、少なくともこの誘電体層１３の厚み及び保護層１４の厚みの合計の厚みから透明誘電膜１２ａの厚さを引いた厚み以上にガラス基板を切削しなければならない。例えば、透明誘電膜１２ａが０．２［μｍ］、誘電体層１３が５［μｍ］及び保護層１４が１［μｍ］である場合には、少なくとも５．８［μｍ］切削しなければならない。サンドブラスト法は、背面基板２０の隔壁２４の形成にも用いられ、低融点ガラスペースト材であれば２００［μｍ］程度は切削できるため、十分切削能力を有する。このサンドブラス法によれば、液エッチングで生じ得るオーバーエッチングによる電極幅の不均一という不具合は発生しない。よって、深さ方法のレートのみを考慮すればよく、凹部１５のみを形成するための切削だけでなく透明電極１２ａの形成のためのパターニングも合わせてサンドブラスト１工程ですることができ、製造工程が簡略化することができる。透明導極１２ａ及び凹部１５が形成されたガラス基板１１の全面に低融点ガラスペーストをスクリーン印刷して焼成し誘電体層１３を形成する（図４（ｌ））。前面基板１０の製造工程の最後に、真空蒸着等の蒸着法により、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を成膜し、保護層１４を形成する（図４（ｍ））。

背面基板２０の製造工程は、まず、銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）を材料として、スパッタリングにより薄膜をガラス基板２１全面に形成し、ファトリソグラフィによりパターン形成してアドレス電極２２を形成する。アドレス電極２２が形成されたガラス基板２１の全面に低融点ガラスペーストを印刷して焼成し所定厚みの誘電体層２３を形成する。次に、低融点ガラスペーストをスクリーン印刷法等によりアドレス電極２２を形成したガラス基板２１の全面に塗布する。この塗布した低融点ガラスペーストの上に金属研磨材の切削に耐えうるドライフィルムフォトレジストを貼付け、ファトマスクを介して露光、現像を行って、レジストを隔壁２４形成部分にパターン形成する。レジストがパターン形成されたガラス基板２１に対して、サンドブラスト装置により金属研磨材を射出し、レジストがパターン形成されていない低融点ガラスペースを切削する。切削後、レジストを除去することで、ガラス基板２１の隔壁２４形成部分に所定形状になされた低融点ガラスペーストが形成される。この状態で背面基板２０を焼成炉に搬入し、５００ないし６００［℃］で焼成する（焼成前に乾燥工程がなされる場合がある）。この焼成により所定形状の低融点ガラスペーストが焼結し、バインダと溶媒が揮発し、隔壁２４を形成する。ストライプ状に形成された隔壁２４間に蛍光体ペーストを充満するように充填し、乾燥・焼成して蛍光体層２５を形成する。

組み立て工程は、隔壁２４形成領域の周辺にディスペンサを用いて封着材の低融点ガラスペーストを塗布する。塗布した後に必要に応じて低融点ガラスペーストを乾燥・焼成する（ここでの焼成は形状を保つための焼成であり、完全に焼結させるためのものではない）。この低融点ガラスペーストを塗布した背面基板２０と前記前面基板１０とを対向させ、位置決めしてクリップにより仮固定をする。両基板の封着は放電空間４０を排気しかつ放電ガスを充填するための基板上の通気孔を利用して行なう。すなわち通気孔から排気を行い放電空間４０を減圧する。このように減圧しているために、両基板を相互に近づけるような吸引力が生じる。この減圧した状態で貼り合せた両基板を焼成炉で４００［℃］前後で焼成する。この焼成により低融点ガラスペーストが焼結し、封着材３１が形成され両基板が封着される。最後に、ガラス基板１１、２１及び封着材３１で密閉された放電空間４０から排気して真空状態にして、ネオン（Ｎｅ）やキセノン（Ｘｅ）の放電ガスを封入する。以上の工程を経てＰＤＰが製造される。

このように本実施形態に係るＰＤＰの製造方法によれば、ガラス基板１１の全面に透明導電膜１２ｃを形成し、当該透明導電膜１２ｃ上に平行に配置されるバス電極１２ｂを形成し、サンドブラス法を用いて透明導電膜１２ｃ及びガラス基板１１を所定形状にパターニングし透明電極１２ａ及び凹部１５を形成し、当該透明電極１２ａ及びバス電極１２ｂを被覆する誘電体層１３を形成し、当該誘電体層１３を被覆する保護層１４を形成するので、すなわち、バス電極１２ｂ形成後、サンドブラスト法を用いて透明導電膜１２ｃ及びガラス基板１１を切削しており、通常透明導電膜１２ｃをパターニングして透明電極１２ａを形成した後に別途ガラス基板１１に凹部１５を形成するのと比べ透明電極１２ａと凹部１５の形成が同時にでき、製造工程を簡略化することができる。また、本実施形態に係るＰＤＰの製造方法によれば、前記サンドブラス法を用いてガラス基板１１を切削して少なくとも誘電体層１３と保護層１４との厚みから透明電極１２ａの厚みを引いた厚み以上の深さを有する凹部１５を形成しているので、迂回した電気力線に従った上面方向での放電ではなく、放電ギャップ間の電気力線に従った透明電極１２ａ同士の対向面で放電が生じ、放電開始電圧を著しく低下させることができる。

なお、本実施形態に係るＰＤＰの製造方法においては、少なくともこの誘電体層１３の厚み及び保護層１４の厚みの合計の厚みから透明誘電膜１２ａの厚さを引いた厚み以上にガラス基板を切削しなければならないとしたが、サンドブラスト法で用いる研磨材及び研磨材に加える力を調整して切削される深さは決定されるのであり、あまりにも切削される深さが小さい場合には調整が難しく製造コストが上昇し、図３から放電開始電圧の低下という観点から凹部１５を余分に深く形成しても不具合は生じないため、余分に凹部１５を深く形成することもできる。

（本発明の第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係るＰＤＰの製造方法について図５又は図６に基づき説明する。図５は本実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置の概略図、図６は本実施形態に係るＰＤＰの要部斜視図である。
本実施形態に係るＰＤＰの製造方法は、前記第１の実施形態と同様の方法であり、前面基板１０の誘電体層１３をプラズマＣＶＤ法を用いて形成することを異にする方法である。

プラズマＣＶＤ法は、適当な気体を選択しこの気体の雰囲気下で放電を発生させ極めて活性なプラズマ状態にし、このプラズマ状態の中に基板を置き所望の薄膜を基板上に均等に形成する方法であり、化学蒸着法とも呼ばれる。このプラズマＣＶＤ法を実装したプラズマ装置の概略図が図５である。このプラズマＣＶＤ装置は平行平板型であり、２種以上の異なるガスをそれぞれの流入口から真空チャンバ内に流入させ、誘電体層１３として形成する。誘電体層１３がＳｉＯ２からなるものである場合には、流入させるガスの組み合わせとしては、ＳｉＨ４及びＮ２Ｏ、ＴＥＯＳ及びＯ２、ＳｉＯ４及びＣＯ２並びにＳｉＨ４及びＣＯ２である。誘電体層１３がＣＨ３ＳｉＯである場合には、流入させるガスの組み合わせとしては、Ｓｉ（ＣＨ３）４及びＨ２Ｏである。また、経年変化を小さくするために、誘電体層１３を２層とすることもでき、下層をＳｉＯ２、上層をＳｉＮとし、それぞれＳｉＨ４及びＮ２Ｏ、ＳｉＨ４及びＮ２の流入ガスにより成膜することができる。同様に、下層をＳｉＯ２、上層をＳｉＯＮとし、それぞれＳｉＨ４及びＮ２Ｏ、ＳｉＨ４、Ｎ２及びＮ２Ｏの流入ガスにより成膜することができる。さらに誘電体層１３を３層とすることもでき、下層をＳｉＯ２、中層をＳｉＯＮ、上層をＳｉＮとし、それぞれＳｉＨ４及びＮ２Ｏ、ＳｉＨ４、Ｎ２及びＮ２Ｏ、ＳｉＨ４及びＮ２の流入ガスにより成膜することができる。これら流入ガスの種類により左右されるが、おおよそ、高周波出力が１．５［ｋＷ］ないし３．０［ｋＷ］で、基板温度が３５０［℃］ないし４５０［℃］で、真空度が０．７［Ｔｏｒｒ］ないし２．５［Ｔｏｒｒ］の環境下で薄膜形成が行われる。これら流入ガスは例示であり、プラズマＣＶＤ法により形成可能な誘電体層を形成するために必要な流入ガスであればよい。

次に、前記第１の実施形態のＰＤＰの製造方法の説明に組み入れて本実施形態に係るＰＤＰの製造方法を説明すると、ガラス基板１１に原凹部１５ｂ及び透明電極１２ａが形成された前面基板１０（図４（ｋ））を、プラズマＣＶＤ装置の真空チャンバ内に配置し、所定圧に減圧し、流入ガスを流入させながら電圧を印加する。この状態を維持することで、化学反応で生じた物質が表面に体積され、誘電体層１３が形成される。最後に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を成膜して保護層１４を形成し、前面基板１０を完成させる（図６（ａ）参照）。図６（ｂ）は、スクリーン印刷をし焼成した前記第１の実施形態に係るＰＤＰの製造方法による前面基板１０であるが、本実施形態に係る前面基板１０と比べるとサンドブラスト法によりガラス基板１１を切削した深さは同じであるにも拘らず、誘電体層１３の厚みが異なって最終的に底部１５ａの位置が異なり、同位置とするためには前記第１の実施形態に係る前面基板１０のガラス基板１１をサンドブラスト法でより深く切削する必要があり、プラズマＣＶＤ法を用いた方がよい。なお、背面基板２０の製造工程及び組立工程は、前記第１の実施形態に係るＰＤＰの製造方法と同じである。

このように本実施形態に係るＰＤＰの製造方法によれば、前面基板１０の誘電体層１３をプラズマＣＶＤ法を用いて形成しているので、形成される誘電体層１３も誘電率が低く薄膜となり制御が容易となり、低融点ガラスペーストを用いるスクリーン印刷法等と異なり焼成工程がなく工程が簡略化させると共に基板収縮の影響が少なく、特に本発明のような放電ギャップ間に凹部１５を形成することが必要な場合には凹部１５の下層に誘電体層１３を形成するのが難しいのであるが、化学的反応を利用してミクロ的に誘電体層１３を前面基板１０形状に沿って均等に薄膜を形成することができ有用である。また、プラズマＣＶＤ法を用いて誘電体層１３を薄膜にすることで、表示電極１２の対向部分の誘電体層も薄くなり、放電開始電圧を低下させることができ、それに伴ってＸｅ分圧比を上げてより高輝度で高効率なＰＤＰを実現することもできる。さらに、正確に誘電体層１３を制御することができ、パネルのセル構造の高精細化にも寄与することができる。

なお、本実施形態に係るＰＤＰの製造方法においては、プラズマＣＶＤ法を用いたが、他の薄膜形成方法であるスパッタ蒸着法等の気相成膜法を用いることもできる。しかし、透明電極１２ａ周辺（特に段差側壁部分）のカバレージが重要であり、気相成膜法の中でも高いカバレージ性を有するＣＶＤ法が最適である。

（本発明の第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態に係るＰＤＰの製造方法について説明する。
本実施形態に係るＰＤＰの製造方法は、前記第１の実施形態と同様の方法であり、前面基板１０の誘電体層１３を誘電体シートを用いて形成することを異にする方法である。

誘電体シートは、支持フィルム、この支持フィルム上に形成された膜形成材料層とから構成される。支持フィルムは、耐熱性、耐溶剤性及び可撓性（撓む性質があること）を有する樹脂であることが好ましく、具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル等が該当する。膜形成材料層は、ガラス粉末、結着樹脂及び溶剤からなるガラスペーストを支持フィルムに厚さを均一にして塗布し、乾燥させて溶剤の一部を蒸発させて形成する。結着樹脂としては適度な粘着性を有してガラス粉末を結着させることができ、焼成処理によって完全に除去されるものであればよく、例えば、アクリル酸エステル系樹脂、セルロース系樹脂が該当する。ガラス粉末、溶剤は一般のガラスペーストとして用いられているものを使用でき、同様にガラスベースとに混入される分散剤、安定剤等の各種添加剤も膜形成材料層の構成物質として混入することができる。また、支持フィルム上に形成された膜形成材料層上に溶剤が蒸発しないように保護フィルム層を形成して誘電体シートは完成する。

次に、前記第１の実施形態のＰＤＰの製造方法の説明に組み入れて本実施形態に係るＰＤＰの製造方法を説明する。誘電体シートの保護フィルム層を剥離し、原凹部１５ｂ及び透明電極１２ａが形成された前面基板１０（図４（ｋ））の表面に、膜形成材料層の表面が当接されるように誘電体シートを重ね合わせ、加熱ローラにより熱圧着し、支持フィルムのみを剥離する。剥離後、前面基板１０の表面には膜形成材料層が転写された状態となる。次に、この前面基板を焼成炉に搬入して焼成し、膜形成材料の結着樹脂、溶剤及び各種添加剤が分解除去され、ガラス粉末が焼結して誘電体層１３が形成される。最後に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を成膜して保護層１４を形成し、前面基板１０を完成させる。なお、背面基板２０の製造工程及び組立工程は、前記第１の実施形態に係るＰＤＰの製造方法と同じである。

このように本実施形態に係るＰＤＰの製造方法によれば、前面基板１０の誘電体層１３を誘電体シートを用いて形成しているので、低融点ガラスペーストを用いるスクリーン印刷法等と同様に焼成工程を有しているものの、膜厚を均一に形成でき、特に本発明のような放電ギャップ間に凹部１５を形成することが必要な場合には凹部１５の下層に誘電体層１３を形成するのが難しいのであるが、スクリーン印刷法で用いる低融点ガラスペーストと異なり既に溶媒を一定の形状を保つ程度に蒸発させているため誘電体層１３を前面基板１０形状に沿って均等に薄膜を形成することができ有用である。また、誘電体シートを用いて誘電体層１３を薄膜にすることで、表示電極１２の対向部分の誘電体層も薄くなり、放電開始電圧を低下させることができ、それに伴ってＸｅ分圧比を上げてより高輝度で高効率なＰＤＰを実現することもできる。さらに、正確に誘電体層を制御することができ、パネルのセル構造の高精細化にも寄与することができる。

（その他の実施形態）
前記各実施形態に係るＰＤＰの製造方法においては、一方向のみに延出した隔壁２４により一列毎に放電空間４０が画定されているが、マトリクス状の隔壁により単位発光領域毎に画定されているＰＤＰの製造方法にも適用することもでき、この単位発光領域毎に画定されているＰＤＰの場合には排気時の排気用パスの確保が問題となるが、本発明においては前面基板の放電ギャップ間に凹部１５を形成しているため、この凹部１５が排気用パスとして働き、別途排気用パスを設ける必要がなく、確実に各単位発光領域の排気脱ガスを行うことができ、高信頼性を有するＰＤＰの製造をすることができる。なお、前記各実施形態に係るＰＤＰの製造方法において、一方向のみに延出した隔壁２４により一列毎に放電空間４０が画定されており、この場合であっても凹部１５は排気用パスとしての役目を担うことができる。

前記第２の実施形態のＰＤＰの製造方法においては、図２（ａ）に示すように、前記サンドブラス法を用いてガラス基板を切削する際にガラス基板１１の凹部１５をテーパ状に切削することもでき、プラズマＣＶＤ法を用いた場合には処理対象物を基準としておおよそ均一な薄膜を形成可能であるが、プラズマＣＶＤ法は化学反応で生じた物質を堆積させて薄膜を形成する方法であるため、薄膜形成する上で水平面の方が好ましくテーパ状に切削形成することで化学反応で生じた物質を堆積し易くなり、確実に均等な膜厚の誘電体層１３を形成することができる。また、前記第３の実施形態のＰＤＰの製造方法においては、図２（ａ）に示すように、前記サンドブラス法を用いてガラス基板１１を切削する際にガラス基板１１の凹部１５をテーパ状に切削することもでき、凹部１５が垂直に形成されず凹部１５の底面と側面との形成角が広角となって凹部１５を垂直面を有して形成されるのに比べ誘電体シートをラミネートし易くなり、誘電体層１３を均等な膜厚で確実に形成することができる。ここで、サンドブラスト法を用いれば、ブラストガンから絞って研磨材を射出しているものの、空気抵抗等により切削対象物に研磨材が到達したときまでにはブラストガンの開口の外周部付近から射出された研磨材が拡散するため、切削対象物の切削された部分の端が傾斜をもって形成されている。したがって、サンドブラスト法を用いれば少なくとも若干テーパ状に形成される。しかし、より原凹部１５ｂをテーパ状にして誘電体層１３及び保護層１４を均一な膜厚にしたい場合には、ブラストガンの開口部分を大きくしたり、ブラストガンを切削対象物から離して研磨材を射出したり、ブラストガンを斜めに向けて研磨材を射出するすることで実現できる。特に、底部１５ａを略平らにし側壁だけをテーパ状にするには、例えば、ブラストガンを斜めにし側壁を中心に削る方法がある。

前記各実施形態にＰＤＰの製造方法によれば、前記表示電極形成面よりガラス基板方向に低い底部１５ａを有して前記凹部１５が形成され、当該表示電極１２に沿って誘電体層１３が形成されたＰＤＰを製造することができる。このＰＤＰは前記表示電極形成面よりガラス基板１１方向に低い底部１５ａを有して前記凹部１５が形成され、当該表示電極１２に沿って誘電体層１３が形成されているので、面内の均一性が向上し安定した駆動動作が行われ、歩留まりが改善され良品率向上に寄与することができる。ここで、少なくとも壁電荷が形成される表示電極１２周辺部分で表示電極１２に沿って誘電体層１３が形成されていれば、実際に放電を担う部分で誘電体層１３が表示電極１２に対してコンフォーマルに形成され同等の効果が生じる。

前記各実施形態に係るＰＤＰの製造方法により製造されたＰＤＰは、透明電極１２ａが形成されているが、バス電極１２ｂのみ形成して表示電極１２とすることもでき、バス電極１２ｂが導電性が高いため放電ギャップ間の距離及びバス電極１２ｂの形状の調整により放電開始電圧を低減化することができ、さらに、透明電極１２ａの形成工程を省くことができ、ＰＤＰの製造時間を大幅に低減することができる。バス電極１２ｂは、透明電極１２ａと比べ導電性が高く、凹部１５を設けて既に放電開始電圧が低下しているため、凹部１５を有しないＰＤＰと比べると、バス電極を大きく形成したり、バス電極同士を近づけたりすることなく、放電を行うことができる。

本発明の第１の実施形態に係るＰＤＰの要部斜視図及び要部拡大図である。 図１（ｂ）の要部拡大図及びこれに対応する従来図である。 本発明の第１の実施形態に係る底部の掘り下げ量と放電開始電圧との関係を示すグラフである。 本発明の第１の実施形態に係るＰＤＰの製造工程の状態変移説明図である。 本発明の第２の実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置の概略図である。 本発明の第２の実施形態に係るＰＤＰの要部斜視図である。

符号の説明

１０ 前面基板
１１ ガラス基板
１２ 表示電極
１２ａ 透明電極
１２ｂ バス電極
１２ｃ 透明導電膜
１２ｄ Ｃｒ、Ｃｕ、Ｃｒの３層
１３ 誘電体層
１４ 保護層
１５ 凹部
１５ａ 底部
１５ｂ 原凹部
１６ 接触面
１７ 接触面
１８、１９ レジスト
２０ 背面基板
２１ ガラス基板
２２ アドレス電極
２３ 誘電体層
２４ 隔壁
２５ 蛍光体層
４０ 放電空間

Claims (6)

1. ガラス基板の少なくとも表示領域形成面に透明導電膜を形成し、サンドブラス法を用いて透明導電膜及びガラス基板を所定形状に切削することにより平行する所定形状の透明電極を形成するとともに、透明電極間のガラス基板表面に凹部を形成し、さらに当該透明電極及びバス電極を被覆する誘電体層を形成し、当該誘電体層を被覆する保護層を形成することを
   特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
2. 前記請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
   前記サンドブラス法を用いてガラス基板を切削して少なくとも誘電体層と保護層との厚みから透明電極の厚みを引いた厚み以上の深さを有する凹部を形成することを
   特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
3. 前記請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
   前記誘電体層がＣＶＤ法を用いて形成されることを
   特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
4. 前記請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
   前記誘電体層が誘電体シートを用いて形成されることを
   特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
5. 前記請求項３または４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
   前記サンドブラス法を用いてガラス基板の凹部をテーパ状に切削することを
   特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
6. 面放電を発生させる表示電極が複数形成され、隣接する表示電極間放電ギャップに凹部が形成された前面基板と、アドレス電極が複数形成された背面基板とを対向して配置したプラズマディスプレイパネルにおいて、
   前記表示電極形成面よりガラス基板方向に低い底部を有して前記凹部が形成され、当該表示電極に沿って誘電体層が形成されることを
   特徴とするプラズマディスプレイパネル。
   

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