KR101962312B1 - 박리에 의해 분리될 복합 구조를 제조하기 위한 방법 - Google Patents

박리에 의해 분리될 복합 구조를 제조하기 위한 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 조사에 의해 분리될 층(215)을 포함하는 복합 구조(225)를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 이 방법은 결정된 파장에서 적어도 부분적으로 투명한 재료로 형성되는 지지 기판(205); 분리될 층(215); 및 분리될 층과 지지 기판 사이에 개재된 분리층(210)을 포함하는 스택의 형성을 포함하고, 분리층은 결정된 파장에 대응하는 파장을 가지는 방사선(222a)의 작용 하에서 박리에 의해 분리되도록 되어 있고, 이 방법은 복합 단계를 형성하기 위한 단계 동안, 지지 기판과 분리층 사이의 계면에서의 또는 지지 기판의 상면(205a) 위에서의 반사 광학 특성들을 수정하는 처리 단계를 더 포함한다.

Description

박리에 의해 분리될 복합 구조를 제조하기 위한 방법{METHOD FOR FABRICATING A COMPOSITE STRUCTURE TO BE SEPARATED BY EXFOLIATION}
본 발명은 복합(또는 다층) 반도체 구조들의 제조 분야에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 예를 들어 초기 지지체로부터 최종 지지체로 층들을 전사하는 범위 내에서, 복합 구조의 하나 이상의 층들을 분리하는 것을 가능하게 하는 박리에 의한 분리 방법에 관한 것이다.
복합 구조들의 제조 분야에서는, 예를 들어 반도체층 또는 절연층과 같은 필름들 또는 층들을 조립 및/또는 분리할 수 있는 것이 종종 유용하다. 이와 같은 분리들은 특히 초기 기판으로부터 최종 기판으로 층을 전사하기 위해 특히 필요하다. 이들 전사들은 예를 들어 전자, 동일한 층의 양면들("전면(front face)" 및 "후면(rearface)") 상에서의 광전자(photovoltaic) 및/또는 광전자 컴포넌트들의 형성(3D 집적)을 포함하는 3차원 컴포넌트 기술(three-dimensional component technology)의 실시 중 행해진다. 층 전사들은 또한 후면 조사 이미저들(rear-face illuminated imagers)의 제조 중 회로들을 전사하기 위해 행해진다. 층들의 전사는 또한 하나 이상의 층들이 형성되는 기판을 변경하는 데 유용하고, 그 결과 새로운 기판은 특히 비용, 물리적 특성들(셀 크기, 열 안정성 ....) 등의 면에서 요건들을 충족시킨다.
박막 전사 방법은 예를 들어 특허 문헌 EP 0 858 110에 기재되어 있다. 이 방법은 특히 박리에 의한 분리 기술의 도움을 받아 필름의 분리를 제공하고, 이 기술은 특히 투명 기판을 통해 복합 구조의 조사를 필요로 한다.
복합 구조를 제조하기 위한 방법(단계들 S1 및 S2) 및 박리에 의한 분리 방법(단계들 S3 및 S4)의 전형적인 실시예가 도 1을 참조하여 기재될 것이다.
먼저, 소위 분리층(10)(또는 광학 흡수층)은 지지 기판(5)의 면들 중 하나 위에 본딩하여 조립된다(단계 S1). 이하에 더 상세히 나타내는 것과 같이, 지지 기판(5)은 미리 정해진 파장에서 적어도 부분적으로 투명하다.
층(15)("분리될 층"으로서도 불림)은, 복합 구조(25)를 얻기 위해, 지지 기판(5)과 접하는 것과의 대향측 상에 있는 층(10)의 면 위에 본딩에 의해 나중에 조립된다(단계 S2).
단계들 S1 및 S2 동안 층들(5, 10, 15)의 조립이 예를 들어 분자 접합 본딩(molecular adhesion bonding) 기술 또는 중간 본딩층을 포함하는 것과 같은 임의의 적절한 조립 기술에 의해 행해질 수 있다는 점이 주목될 것이다.
더욱이, 층들(10, 15)은 복합 구조(25)를 형성하기 위해 본딩에 의해 반드시 조립될 필요가 있는 것은 아니다. 변형예로서, 층들(10, 15) 중 적어도 하나가 적절한 증착 기술에 의해 형성될 수 있다. 분리층(10)은 예를 들어 PECVD("plasma enhanced chemical vapour deposition") 또는 LPCVD("low pressure CVD") 증착에 의해 형성될 수 있다.
일단 복합 구조(25)가 형성되면, 분리층(10)의 분리가 박리에 의해 행해질 수 있다. 이 방법은 지지 기판(5)으로부터 층(15)을 분리하는 것을 가능하게 한다.
이를 위해, 분리층(10)은 지지 기판(5)을 통해 전자기 방사선(20)에 의해 조사된다(단계 S3). 방사선(20)은 지지 기판(5)이 적어도 부분적으로 투명한 파장에 있다. 여기서, "부분적으로 투영한(partially transparent))"은 문제의 파장에서의 투과율이 적어도 10%, 바람직하게는 50%보다 높거나 같은 기판을 의미하는 것으로 의도된다. 이하에 나타내는 것과 같이, 필요한 투명도는 분리층(10)에 의해 수신되는 전자기 비임(20)의 에너지 양에 따라 변할 것이다.
이러한 조사 단계(S3) 동안, 분리층(10)은 지지 기판(5)과 분리층(10) 사이의 계면(8)을 통과하는 입사광을 흡수한다. 이러한 조사는 분리층(10)의 재료 내의 원자들 또는 분자들 간의 접착력들의 감소 또는 제거로 이어진다. 이것은, 방사선(20)의 작용 하에서, 분리층(10)을 구성하는 재료가 원자들 또는 분자들의 체인(chain)의 파괴(breaking)로 이어지는 광화학적 및/또는 열적 여기(thermal excitation)를 받기 때문이다. 따라서, 이들 파괴는 층의 실제 두께에서(소위 "내적(internal)" 박리) 또는 층(10)과 지지 기판(5) 간의 계면(8) 또는 층(10)과 분리될 층(15) 간의 계면(8)에서("계면(interfacial)" 박리) 박리에 의한 분리층(10)의 분리를 일으킨다. 이러한 박리 현상은 또한 방사선(20)의 작용 하에서 분리층(10)의 재료에 의해 방출되는 하나 이상의 가스들을 포함할 수 있다.
방사선(20)에 의해 유도되는 분리는 반드시 분리층(10)에서의(또는 계면들(8, 12) 중 하나에서의) 분리 또는 실제 분리로 이어지지 않지만, 분리층(10)의 재료의 약화로만 이어질 수 있다는 점을 주목해야 한다. 후자의 경우에, 추가의 에너지(예를 들어 기계력들 형태)의 인가가 지지 기판(5)과 층(15) 사이의 실제 분리를 얻기 위해 필요하다(만약 이와 같은 분리를 실제로 원한다면).
일단 기판(5) 및 층(15)이 완전히 분리되면(단계 S4), 지지 기판(5)은 새로운 복합 구조를 형성하기 위해 다시 사용될 수 있다.
현재, 도 1의 레이아웃(layout)에 따라 생성된 복합 구조들은 일반적으로 다음과 같은 조성물들 중 하나를 가진다:
- GaN으로 구성되는 분리층(10) 및 사파이어로 구성되는 지지 기판(5)에 대응하는 GaN / Al2O3;
- Si3N4으로 구성되는 분리층(10) 및 사파이어로 구성되는 지지 기판(5)에 대응하는 Si3N4 / Al2O3.
이들 조성물들에 관해, 박리에 의한 분리 품질 면에서의 결과들은 일반적으로 만족스럽다. 예를 들어 사파이어 기판 위에 증착된 GaN의 층들이 분리될 때, 방사선(20)(전형적으로 190과 250 nm 사이의 파장)의 인가가 양호한 조건들 하에서 이루어지고, 분리가 어떠한 특별한 곤란함도 없이 획득된다.
그러나, 출원인은 이 분리 방법이 복합 구조(25)의 다른 조성물들에 적용될 때 결과들이 상당히 열화될 수 있다는 것을 관찰했다. 예를 들어, 박리에 의한 분리는 SiO2 / Si 형(즉 실리콘 위 실리콘 산화물)의 복합 구조(25)에 대해서는 훨씬 더 곤란하다. 출원인은 연구되는 배치들(batches)의 함수로서 박리에 의한 분리 품질 면에서 많은 변화들, 및 일반적으로 방사선에 대해 더 많은 노출을 필요로 하는 덜 불균일한 분리들을 관찰했다.
그러므로, 현재 문제의 복합 구조들의 조성물과 무관하게, 박리에 의한 분리 방법에 더 양호하게 적합한 복합 구조들에 대한 요구가 있다. 특히 양호한 조건들 하에서 박리에 의해 분리되도록 되어 있는 독특한(unconventional) 조성물의 복합 구조들에 대한 요구가 있다.
이를 위해, 본 발명은 조사에 의해 분리될 층을 포함하는 복합 구조를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은, 적어도
- 결정된 파장에서 적어도 부분적으로 투명한 재료로 형성되는 지지 기판;
- 분리될 층; 및
- 분리될 상기 층과 상기 지지 기판 사이에 개재된 분리층으로서, 상기 분리층은 상기 결정된 파장에 대응하는 파장을 가지는 방사선의 작용 하에서 박리에 의해 분리되도록 되어 있는, 상기 분리층
을 포함하는 스택의 형성을 포함하고,
상기 방법은 상기 복합 스택을 형성하기 위한 상기 단계 동안, 상기 지지 기판과 상기 분리층 사이의, 또는 상기 분리층과 접하는 상기 기판의 상기 면으로부터 대향측 상의 상기 지지 기판의 상면 상의 계면에서의 반사 광학 특성들을 수정하는 적어도 하나의 처리 단계를 더 포함한다.
지지 기판으로부터 분리될 층을 분리하기 위해, 본 발명의 복합 구조에 박리에 의한 분리 방법을 적용하는 것이 가능하다. 이를 위해, 전자기파가 지지 기판에 적용되고, 지지 기판은 그것을 하부 분리층에 부분적으로 전달한다.
반사 광학 특성들을 수정하는 처리 단계는 유리하게는 박리에 의한 분리 방법 동안, 이러한 방식으로 처리된 계면 또는 계면들에서 광 비임들의 반사들을 제한하거나 피하는 것을 가능하게 한다.
따라서 본 발명의 복합 구조는 박리에 의한 분리 방법 중 지지 기판의 두께의 함수로서 전달된 에너지의 변동들을 감소시키고, 분리층에 실제로 전달된 에너지의 양을 최대화하는 것이 가능하다. 따라서 분리될 층과 지지 기판 간의 박리에 의한 분리의 품질 및 재현성이 크게 향상된다. 이 방법은 특히 일반적으로 사용되는 것들과는 다른 조성물들을 가지며 광간섭에 특히 민감한 복합 구조들에 대해 박리에 의한 분리들을 행하는 것을 가능하게 한다.
본 발명의 제 1 실시예에 따르면, 처리 단계는 지지 기판과 분리층 간의 계면에서 및/또는 지지 기판의 상면 위에서 적어도 하나의 반사방지 층의 형성을 포함한다.
이러한 반사방지 층의 효과는 역위상으로 2개의 반사들을 조합하여 이들이 상쇄되게 하는 것이며, 이것은 유리하게는 박리에 의한 분리 방법 동안 지지 기판에 의해 전달된 광 방사선의 임의의 반사를 감소시키거나 방지할 수 있게 한다. 그러므로, 지지 기판을 통해 분리층으로의 광 에너지의 전달이 최대화되어, 박리에 의한 분리 품질을 크게 향상시킬 수 있다.
반사방지 층의 굴절률(n2)은 바람직하게는 실질적으로
Figure 112014029365026-pct00001
와 같고, 여기서 nl 및 n3은 각각 지지 기판 및 분리층의 굴절률이다. 심지어 더 바람직하게는,
Figure 112014029365026-pct00002
이다.
Figure 112014029365026-pct00003
에 가까운(예를 들어 ± 10% 내의, 또는 심지어 ± 5% 내의) 또는
Figure 112014029365026-pct00004
와 같은 값으로 광학 인덱스(n2)를 설정하는 것은 유리하게는 박리에 의한 분리 방법의 조사 단계 중 원치않는 반사들을 최소값으로 제한하는 것을 가능하게 한다.
더욱이, 분리층은 가열 부층 및 박리 부층을 포함할 수 있고, 박리 부층은 가열 부층에 의해 유도되는 가열 작용 하에서 분해되도록 되어 있다.
특정 실시예에 있어서, 지지 기판은 실리콘으로 구성되고, 가열 부층은 이산화 실리콘으로 구성되고, 박리 부층은 Si3N4으로 구성되고 반사방지 층은 SiON으로 구성되고, 그것의 굴절율은 2.61과 실질적으로 동일하다(또는 같다).
제 1 실시예의 변형예에 따르면, 반사방지 층이 지지 기판과 분리층 사이에 형성될 때, 반사방지 층의 조성물이 그것의 두께에 걸쳐 점진적으로 변하여 그것의 굴절률(n2)은 지지 기판과의 그것의 계면에서 n1과 같게 되고 분리층과의 그것의 계면에서 n3와 같게 된다.
이러한 변형예는 유리하게는 복합 구조에 포함된 계면에서의 광학 인덱스의 중요한 급상승들을 피하는 것을 가능하게 한다. 따라서, 반사방지 층과 지지 기판 간의 계면에서의 반사들이 최소화된다.
이러한 변형예에 따르면, 분리층은 이산화 실리콘으로 구성되는 가열 부층 및 Si3N4로 구성되는 박리 부층을 포함할 수 있고, 박리 부층은 가열 부층에 의해 유도되는 가열 작용 하에서 분해되도록 되어 있고, 지지 기판은 실리콘으로 구성되고, 반사방지 층의 조성물은 SiOx로 구성도리 수 있고, 여기서 x는 0과 2 사이에서 점진적으로 변한다.
위에 나타낸 것과 같이, 반사방지 층은 지지 기판의 상면 위에 형성될 수 있다. 만약 이것이 그 경우이면, 반사방지 층의 조성물이 그것의 두께에 걸쳐 점진적으로 변할 수 있어, 지지 기판과의 그것의 계면에서 n1과 같게 되고 지지 기판과의 계면으로부터 대향측 상의 그것의 상측 표면에서 n0과 같게 되고, n0은 복합 구조가 조사 중 배치되는 매질의 굴절률이다.
조성물의 이러한 점진적 변동은 유리하게는 지지 기판의 상면과 복합 구조가 배치되는 주변 매질 간의 계면에서의 광학 인덱스의 중요한 급상승을 피하는 것을 가능하게 한다. 따라서, 지지 기판의 상면에서의 반사들이 최소화될 것이고, 이것은 분리 방법 동안 분리층에 전달되는 최대 광 에너지를 가지게 할 수 있다.
더욱이, 반사방지 층이 지지 기판과 분리층 사이의 계면에 형성될 때, 반사방지 층의 두께(e1로 나타냄)는 바람직하게는 실질적으로
Figure 112014029365026-pct00005
와 같고, M은 0보다 크거나 같은 홀수 정수이고 λ는 결정된 파장이다. 더 더욱 바람직하게는, e1 =
Figure 112014029365026-pct00006
이다. 이러한 식으로 반사방지 층의 두께를 조정함으로써, 그것의 반사를 최소로 감소시키는 것이 가능하다.
본 발명의 제 2 실시예에 따르면, 처리 단계는 지지 기판과 분리층 간의 계면에 및/또는 지지 기판의 상면 위에 적어도 하나의 거친 층의 형성을 포함하고, 거친 층은 방사선으로 조사될 면의 상측 영역의 치수의 적어도 3배와 같은 측정 필드에 걸쳐 50 Å rms보다 크거나 같은 평균 거칠기 레벨을 가진다.
이와 같은 거친 층의 형성은 유리하게는 문제의 계면에서의 물리적 특성들을 수정하는 것을 가능하게 하고, 후자는 스페큘러 상태(specular state)로 확산 상태로의 변환된다. 이것은 본 발명의 복합 구조를 양 보강 및 상쇄 광간섭(이하 참조)에 대해 민감하지 않거나 매우 민감하지 않게 한다.
거친 층의 형성은 적어도 기계적 그라인딩 또는 화학적 에칭에 의해 행해질 수 있다.
이와 관련하여, 본 발명은 또한 위에 기재한 것과 같은 본 발명의 복합 구조로부터 층을 분리하기 위한 방법에 관한 것이다. 분리 방법은 분리층의 박리에 의해 약화 또는 분리를 유도하기 위해, 지지 기판이 적어도 부분적으로 투명한 파장에 대응하는 입사광에 의해 구조의 지지 기판을 통한 분리층의 조사를 포함한다.
본 발명은 또한 복합 스택을 포함하는 복합 구조로서, 상기 복합 구조는 적어도
- 결정된 파장에서 적어도 부분적으로 투명한 재료로 형성되는 지지 기판;
- 조사에 의해 분리될 층; 및
- 분리될 상기 층과 상기 지지 기판 사이에 개재되는 분리층
으로 형성되고, 상기 분리층은 상기 결정된 파장에 대응하는 파장을 가지는 방사선의 작용 하에서 박리에 의해 분리되도록 되어 있는, 복합 구조에 있어서,
상기 복합 구조는 상기 지지 기판과 상기 분리층 사이의 계면에서의 또는 상기 분리층과 접하는 상기 기판의 면으로부터의 상기 대향측 상의 상기 지지 기판의 상기 상면 위의 계면에서의 반사 광학 특성들을 수정하는 적어도 하나의 층을 더 포함하는, 복합 구조에 관한 것이다.
본 발명에 따른 제조 방법을 참조하여 위에서 설명한 실시예들 및 이점들은 본 발명의 복합 구조와 유사하게 적용한다.
특정 실시예에 따르면, 반사 광학 특성들을 수정하는 각각의 층은 반사방지 층 및/또는 5 ㎛ x 5 ㎛의 필드에 걸쳐 50 Å rms보다 크거나 같은 평균 거칠기 레벨을 가지는 거친 층과 각각 대응한다.
더욱이, 이 구조는 반사방지 층에 대응하는 반사 광학 특성들을 수정하는 적어도 하나의 층, 및 거친 층에 대응하는 반사 광학 특성들을 수정하는 적어도 하나의 층을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 특징들 및 이점들은 제한 없이 그것의 전형적인 실시예를 설명하는 첨부 도면들을 참조하여 이하에 주어지는 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 복합 구조를 제조하기 위한 알려진 방법(단계들 S1 및 S2) 및 상기 구조에 적용되는 박리에 의해 분리의 방법(단계들 S3 및 S4)을 개략적으로 나타내고;
도 2는 복합 구조의 지지 기판에서의 광간섭의 생성 메커니즘을 개략적으로 도시하고;
도 3a 및 3b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 복합 구조를 제조하기 위한 방법(단계들 S10-S14) 및 상기 구조에 적용되는 박리에 의한 분리 방법(S16-S18)을 개략적으로 나타내고;
도 4a 및 4b는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 복합 구조를 제조하기 위한 방법(단계들 S110-S114) 및 상기 구조에 적용되는 박리에 의한 분리 방법(S116-S118)을 개략적으로 나태내고;
도 5a 및 5b는 본 발명의 제 2 실시예의 2개의 변형예들에 따른 복합 구조의 조사를 개략적으로 나타낸다.
수개의 실시예들의 상세한 설명
본 발명은 전통적으로 양호한 결과들을 제공하지 않는 조성물들에 대해서조차도, 양호한 조건들 하에서 박리에 의해 분리될 수 있는 복합 구조에 관한 것이다.
출원인은 박리(exfoliation)에 의한 분리의 방법을 행하기 위해 부딪히는 어려움들을 일으키는 물리적 메커니즘을 입증하는 것을 가능하게 한 연구를 행했다. 이 연구는 특히 복합 구조의 조사 중 지지 기판에서 발생하는 광간섭의 역할을 입증했다.
이하 이러한 메커니즘이 도 2를 참조하여 기재된다. 이 도면은 도 1을 참조하여 위에서 기재한 복합 구조(25)를 나타낸다.
도 2는 특히 조사 단계 S3 동안 지지 기판(5)의 노출면(5a)에 도달하는 입사 광선(22a)을 나타낸다. 반흡수 매질(semi-absorbent medium)에 충돌하는 임의의 광선에 대해, 광선(22a)의 일부(도시되지 않음)는 기판(5)의 상측 표면(5a)에서 반사되고, 일부(22b)는 지지 기판(5)으로 전달된다. 지지 기판(5)의 두께를 통한 그것의 통과 중, 전달된 광선(22b)의 일부는 흡수되고 나머지 부분은 지지 기판(5)과 분리층(10) 사이의 계면(8)에 도달한다. 계면(8)은 다시 광선(22b)이 부분적으로 반사되고(반사 광선(22d)) 나머지 부분(22c)이 분리층(10)으로 전달되도록 하는 기능을 한다. 반사 광선(22d)은 다시 상측 표면(5a)과 충돌하고 지지 기판(5) 내에서 내부 반사의 새로운 과정들로 들어간다.
그러나, 지지 기판(5)의 두께를 통과하는 여러 광선들(22b, 22d, 22e...)은 이들의 위상 이동(phase shift)에 의존하여, 더 높은 강도들을 갖는 파들(이것은 보강 간섭으로서 불림) 또는 더 낮은 강도들을 갖는 파들(이것은 상쇄 간섭으로서 불림)을 생성하기 위해 서로 상호작용한다. 이들 간섭 현상은 분리층으로 지지 기판에 의해 전달된 복사 에너지와 관련하여 출원인에 의해 관찰된 강한 변화들 및 상당한 감소들을 일으킨다.
다욱 상세하게는, 연구들은 간섭 레벨이 노출면(5a) 및 계면(8)에서 방사선에 의해 충돌되는 광학 인덱스(또는 굴절률)의 급상승들(jumps)에 크게 의존한다는 것을 나타내었다. 이상적으로, 포함된 다양한 재료들 간의 광학 인덱스 차이는 최소화되어야 한다. 통상의 복합 구조들(즉 GaN / Al2O3 또는 Si3N4 / Al2O3)의 조성물들에 관해, 그 상황이 특히 바람직할 수 있는데 인덱스 급상승들은 150과 300 nm 사이의 파장을 갖는 방사선에 대해 거의 0.87이기 때문이다(사파이어 및 Si3N4의 광학 인덱스들은 각각 1.87 및 2.27임).
한편, 그 상황은 실리콘 산화물 및 실리콘의 광학 인덱스들이 1.5 ㎛보다 긴 파장을 가지는 방사선에 대해 각각 1.992 및 3.42인 SiO2 / Si 조성물에 대해 훨씬 더 바람직하다. 만약 노출면(5a)이 공기(1과 같은 인덱스를 가짐)와 접하면, 이때 9.3 ㎛의 파장을 갖는 방사선에 대해 예를 들어 광학 인덱스의 매우 큰 급상승이 획득된다(각각의 층들 간에 2.4 또는 1.4의 정도의). 광학 인덱스의 이들 큰 급상승들은 단계 S3 동안 분리층(10)으로 전달된 광 강도의 매우 강한 변화들을 발생시키는데 기여한다.
더욱이, 지지 기판의 두께와 관련한 간섭 감도의 레벨은 실리콘 산화물로 구성되는 분리층 및 실리콘으로 구성되는 지지 기판의 상기 경우에 극심하다. 구체적으로, 최대 전달 강도는 1.35 ㎛의 실리콘 두께 시기에 관찰된다. 환언하면, 전달 최대치에 도달하는 실리콘으로 구성되는 지지 기판의 두께(L)를 고려할 때, 전달 최소치는 주로 두께(L) + 1.35/2 ㎛에 대해 얻어질 것이고 새로운 전달 최대치는 두께(L) + 1.35 ㎛에 대해 도달될 것이다. 이것은 분리층으로의 방사선의 전달의 중요한 변화들을 피하기 위해 0.675 ㎛보다 훨씬 더 양호한 정밀도로 실리콘으로 구성되는 지지 기판의 두께를 제어할 필요가 있을 수 있다는 것을 의미한다. 이와 같은 제어 정도는 실리콘으로 구성되는 지지 기판들에 대해서는 현재 생각할 수 없고, 그것의 두께는 일반적으로 200 mm 및 300 mm의 웨이퍼 직경에 대해 5 ㎛ 및 1.5 ㎛ 정도의 진폭으로 각각 변한다(전체 두께 변화 또는 "TTV").
그러므로, 실리콘으로 구성되는 것들과 같은 기판들의 두께에 대한 제어 레벨은 불충분하며, 그것은 위에서 설명된 것과 같은 전달 에너지의 변화 문제에 기여한다.
전달 및 광간섭의 문제들은 지금까지 효과적으로 다루어져 오지 않았는데 특히 그 이유는 이것들이 전통적인 조성물의 복합 구조들에 대해 제한된 영향을 가지기 때문이다. 그러므로, 출원인은 상기한 문제들을 극복하고 문제의 복합 구조의 조성물과 관계 없이 그렇게 하기 위해 새로운 분리 방법을 개발하였다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 복합 구조는 도 3a 및 3b를 참조하여 기재될 것이다. 이들 도면은 이러한 복합 구조를 얻는 것을 가능하게 하는 제조 방법(단계들 S10 내지 S14) 및 상기 구조에 적용되는 박리(단계들 S16 내지 S18)에 의한 분리 방법의 예를 나타낸다.
도 3a에 나타낸 바와 같이, 두께(e1)의 반사방지 층(106)은 먼저 지지 기판(105)의 표면(105b) 상에 침착에 의해 형성된다(단계 S10). 반사방지 층(106)은 임의의 적합한 침착 기술(예를 들어 PECVD 또는 LPCVD 침착) 또는 임의의 다른 적합한 층 형성 기술에 의해 생성될 수 있다. 또한, 지지 기판(105)의 면(105b) 위에 본딩하여 반사방지 층(106)을 조립하는 것을 생각할 수 있다. 이러한 층(106)의 목적 및 특징은 이하에 더 상세히 설명될 것이다.
여기에 기재된 예에 있어서, 지지 기판(105)은 실리콘으로 구성된다.
분리층(110)은 나중에 반사방지층(106)의 노출면 위에, 즉 지지 기판(105)과 접하는 것으로부터 대향측 위의 면 위에 본딩에 의해 조립된다(단계 S12).
분리될 층(115)은 또한 복합 구조(125)를 형성하기 위해, 분리층(110)의 노출면 위에 본딩에 의해 조립된다(단계 S14).
층들(110, 115)은 복합 구조(125)를 형성하기 위해 본딩에 의해 반드시 조립될 필요는 없다. 변형예로서, 층들(110, 115) 중 적어도 하나는 적합한 침착 기술에 의해 형성될 수 있다. 분리층(110)은 예를 들어, PECVD 또는 LPCVD 침착에 의해 형성될 수 있다.
일단 구조(125)가 형성되면, 층(115)은 박리에 의해 분리층(110)을 분리하여 지지 기판(105)으로부터 분리될 수 있다(단계들 S16 및 S18). 복합 구조(125)는 박리에 의한 분리 방법이 행해지기 전에 상호보완 기술 단계가 행해질 수 있다는 것이 주목될 것이다. 하나 이상의 층들은 특히 선택적으로 기술 단계들이 층(115)의 후면에 대해 행해진(컴포넌트들 등의 형성) 후 층(115)(예를 들어 최종 기판)의 노출면 위에 형성되거나 조립될 수 있다.
지지 기판(105)으로부터 층(115)을 분리하기 위해, 전자기 방사선(120)이 먼저 지지 기판(105)을 통해 분리층(110) 위에 가해진다(단계 S16). 비임 형태의 이러한 방사선은 지지 기판(105)이 적어도 부분적으로 투명한 파장(λ)을 가진다. 이 파장에서, 기판(105)은 적어도 10%, 바람직하게는 50%보다 크거나 같은 투과율을 가진다. 그러나, 단계 S16(예를 들어 비임을 포커싱하여) 동안 가해진 비임 에너지 양을 증가시켜 낮은 투과율을 보상하는 것이 가능하다.
여기서 생각한 예에 있어서, 분리층(110)은 제 1의 소위 가열 부층(예를 들어 이산화 실리콘으로 구성됨) 및 제 2의 소위 박리 부층(예를 들어 Si3N4로 구성됨)을 포함할 수 있다. 가열 부층의 기능은 단계 S16 중 조사의 영향 하에서 가열을 유도하는 것이다. 박리 부층의 기능은 가열 부층으로부터 전달되는(열전도에 의해) 열 에너지의 영향 하에서 박리에 의한 분리층(110)의 분리를 유도하는 것이다. 박리 부층은 조사 중 가열 부층에 의해 유도되는 가열의 영향 하에서 분해 또는 약화하도록 되어 있다.
변형예에 있어서, 분리층(110)은 가열 및 박리의 기능을 동시에 충족시키는 적어도 하나의 부층을 포함한다.
반사방지 층(106)에 관해, 그것은 역위상(phase opposition)으로 2개의 반사들을 결합하는 효과를 가지며, 그 결과 이들이 상쇄되어, 유리하게는 분리층(110)으로의 전달을 최대화하면서 지지 기판(105)에 의해 전달된 광 방사선의 어떠한 반사도 감소시키거나 방지하게 한다. 그러므로, 반사방지 층의 기능은 지지 기판(105)과 분리층(110) 사이의 계면에서 반사를 최대화할 수 있는, 미러형의 층의 것과는 반대이다. 이와 관련하여, 층(106)은 지지 기판(105)과 분리층(110) 사이의 계면에서 반사 광학 특성들을 수정하는 층을 구성한다.
복합 구조(25)를 참조하여 나타낸 것과 같이, 방사선(120)에 의해 유도되는 분리는 반드시 분리층(110)의 분리 또는 실제 분리로 이어지지 않지만, 지지 기판(105)과 층(115) 사이의 실제 분리를 얻기 위해 추가의 에너지(예를 들어 기계력들의 형태)의 후속 적용을 필요로 하는 층(110)의 약화를 단지 일으킬 수 있다.
일단 기판(105) 및 층(115)이 완전히 분리되면(단계 S18), 지지 기판(105)은 새로운 복합 구조를 형성하기 위해 재사용될 수 있다. 이러한 재사용은 선택적으로 반사방지 층(106)의 제거를 포함할 수 있다.
조사 단계 S16 동안 가능한 한 많이 원치않는 반사들을 방지하기 위해, 반사방지 층(106)은 양측 위에 놓이는 층들의 광학 인덱스들의 적의 제곱근에 가깝거나 바람직하게는 같은 광학 인덱스(n2)를 가져야 한다. 환언하면, 인덱스(n2)는 다음 조건(1)을 만족시켜야 한다:
Figure 112014029365026-pct00007
여기서 nl 및 n3은 각각 지지 기판(105) 및 분리층(110)의 광학 인덱스들에 대응한다.
인덱스(n2)는 바람직하게는 다음의 조건(2)에 따라 선택된다:
Figure 112014029365026-pct00008
여기에서 생각한 예에서는, nl 및 n3은 각각 3.42 및 1.992인 것이 가정된다. 그러므로, 반사방지 층(106)의 광학 인덱스(n2)는 2.61 정도, 바람직하게는 이 값에 가깝다.
더욱이, 반사방지 층(106)의 반사율은 그것의 두께(e1)에 의존한다. 반사율이 최소인 이상적인 경우는 층 두께(e1)=(2M+1) λ/4에 대해 달성되고, 여기서 M은 0보다 크거나 같은 정수이다.
여기에서 생각한 예에 있어서, 방사선(120)의 파장(λ)은 9.3 ㎛이다. 반사방지 층(106)의 반사율이 최소가 되도록 하기 위해, 그것의 두께가 약 e1 = 4.6 ㎛(nl > n3인 경우)인 것이 편리하다.
게다가, 위에 나타낸 것과 같이, 반사도는 포함된 재료들 간의 광학 인덱스(즉 nl, n2 및 n3 간의 차들)의 급상승(jumps)에 크게 의존한다. 이 제 1 실시예의 변형예에 따르면, 지지 기판(105)와의 계면에서 n1의 값과 같고 분리층(110)과의 계면에서 n3와 같도록 반사방지 층(106)은 그것의 광학 인덱스(n2)가 층(106)의 두께에 걸쳐 점진적으로 변하도록 되어 있다. 이를 위해, 여기에서 생각한 반사방지 층(106)은 Si02 화학양론(x는 0과 2 사이에서 계속해서 변함)에 도달하기 위해 이산화 실리콘을 점진적으로 더 풍부하게 하여 Si-Ox의 층을 침착하여 생성된다.
이 변형예는 유리하게는 관련된 계면들에서 광학 인덱스의 상당한 급상승들을 피하여, 반사방지 층(106)과 지지 기판(105) 사이의 계면에서 반사들을 최소화하는 것을 가능하게 한다.
분리층(110)으로의 방사선의 전달을 최적화면서 반사들을 최소화하기 위해, 용어 "모스-아이(moth-eye)" 및 사용되는 방사선(120)의 파장(λ)보다 훨씬 작은 치수들을 갖는 패턴들을 포함하기 위한 원리로 알려져 있는, 반사방지 층(106)에 하나 또는 복수의 나노구조 부층들을 생성하는 것이 가능하다. 이들 "모스-아이(moth-eye)" 층들은 특히 전방향 입사광에 대해 반사의 매우 낮은 레벨을 가진다.
특히 태양 전지들에 사용되는 모스-아이형의 이들 층들은 예를 들어 문헌 "결정성 실리콘 태양전지 모듈 위의 반사방지 모스-아이 필름의 특징"(노브루 야마다(Noburu Yamada) 등. Optics Express, Vol. 19, Issue S2, pp. A118-A125)에 상세히 기재되어 있다. 모스-아이형의 나노구조들은 예를 들어 플라즈마 처리 또는 복합 홀로그램 광학 방법(complex holographic optical method)에 의해 박막들 형태로 생성될 수 있다.
위에 기재한 상이한 변형예들에 있어서는, 지지 기판(105)과 분리층(110) 사이의 계면에 위치되는 것 대신에 지지 기판(105)의 노출면(105a) 위에 반사방지 층(106)을 배열하는 것이 가능하다는 것이 주목될 것이다. 그러나, 이러한 변형예는 덜 바람직한데 그 이유는 그것이 지지 기판(105)에서 광선의 적어도 하나의 내부 반사, 즉 처음으로 지지 기판(105)과 분리층(110) 사이의 계면에 도달하는 광선의 반사를 허용하기 때문이다.
최적이 되도록 하기 위해, 후자의 변형예는 광학 인덱스들(nl, n2, n3)과 관련하여 위에서 언급한, 조건(1), 및 바람직하게는 조건(2)을 만족시켜야 한다. 그러므로, 여기에서 생각한 예에 있어서, n2는 2.61과 같아야 한다. 더욱이, 두께( e1'로 나타냄)은 바람직하게는 e1' =(2Ρ+1)λ/4이 되도록 되어 있고, 여기서 P는 0보다 크거나 같은 정수이다. 따라서, 9.3 ㎛의 파장(λ)에 대해, 지지 기판(105)의 면(105a) 위에 배열된 반사방지 층(106)은 바람직하게는 2.61의 광학 인덱스 및 2.32 ㎛, 6.98 ㎛ 등의 두께를 갖는 SiON 합금이다.
대안으로, 반사방지 층(106)이 지지 기판의 상면(105a) 위에 형성될 때, 반사방지 층의 조성물은 그것의 두께에 걸쳐 점진적으로 변할 수 있어 그것의 굴절률(n2)은 지지 기판(105)과의 그것의 계면에서 n1과 같고 지지 기판(105)과의 상기 계면으로부터 대향측 상의 그것의 상측 표면(즉 그것의 노출 표면)에서 n0과 같고, nO은 상기 복합 구조가 조사 중 배치되는 주변 매질의 굴절률이다.
이러한 인덱스 기울기(index gradient)는 유리하게는 관련 계면들에서의 광학 인덱스의 중요한 급상승들을 피하여, 반사방지 층(106)과 지지 기판(105) 사이의 계면에서의 반사들을 최소화하는 것을 가능하게 한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 복합 구조가 도 4a, 4b, 5a 및 5b를 참조하여 기재될 것이다.
더욱 상세하게는, 이들 도면은 복합 구조(225)를 얻을 수 있게 하는 제조 방법(단계들 S110 내지 S114) 및 상기 구조에 적용되는 박리(단계들 S116 내지 S118)에 의한 분리 방법의 예를 나타낸다.
도 4a에 나타낸 것과 같이, 지지 기판(205)은 먼저 그것의 표면들(205b로 나타냄) 중 하나의 거칠기를 증가시키는 것을 가능하게 하는 러프닝(roughening) 단계(S110)를 받는다. 표면(205b)에 도달한 평균 거칠기는 바람직하게는 50 Å rms보다 크거나 같고(Å는 옹스트롬이고 rms는 "자승 평균(root mean square)"임), 심지어 더욱 바람직하게는 조사된 영역의 치수(후속 조사 단계 S116 중)의 적어도 3배와 같은 측정 필드(또는 표면)에 걸쳐 적어도 100 Å rms와 같다. 특히, 거칠기의 레벨은 예를 들어 레이저 스폿(즉, 예를 들어 1 ㎛ x 1 ㎛)의 치수를 갖는 필드보다 높아야 한다. 이러한 측정 필드는 예를 들어 5 ㎛ x 5 ㎛일 수 있다.
이러한 러프닝은 예를 들어 에칭 타입(예를 들어, 지지 기판(5)이 실리콘으로 구성될 때 TMAH 에칭)의 화학적 방법 또는 기계적 마모 또는 "그라인딩(grinding)", 샌드블라스팅(sandblasting), 폴리싱(polishing) 등과 같은 기계적 타입의 방법의 도움을 받아 생성된다. 대안으로, 이들 방법들 중 적어도 2개의 조합이 거칠기 및 표면 조건의 원하는 레벨을 달성하기 위해 사용될 수 있다.
이후 분리층(210)이 지지 기판(205)의 거친 면(205b) 위에 본딩되여 조립된다(단계 S112). 조사된 영역(예를 들어 5 ㎛ x 5 ㎛의 필드)의 적어도 3배와 같은 필드에 걸쳐, 적어도 50 Å rms 또는 심지어 100 Å rms와 같은 증가된 거칠기에 의해 특징지워지는 지지 기판(205)과 분리층(210) 사이의 계면(206)이 이렇게 얻어진다. 거칠기의 이러한 높은 레벨은 분리될 층(210)과 지지 기판(205) 사이의 계면(206)에 놓이는 두께(e2)의 층(또는 영역)(207) 위에서 연장한다. 이러한 영역(207)은 두께(e2)에 걸쳐 계면(206)의 양측 위에 놓이는 분리층(210) 및 지지 기판(205)의 재료로 구성되는 층에 대응한다. 이 두께(e2)는 예를 들어 300Å 이상일 수 있고 예를 들어 500 Å의 값에 도달할 수 있다.
여기에 기재된 예에 있어서, 지지 기판(205)은 실리콘으로 구성된다. 더욱이, 분리층(210)은 분리층(110)과 동일하다. 그것은 예를 들어 이산화 실리콘으로 구성되는 가열 부층 및 Si3N4로 구성되는 박리 부층(도면에 도시하지 않음)을 포함한다.
일단 단계 S112가 행해지면, 층(215)은 분리층(210)의 노출면(즉 지지 기판(205)과 접하는 면으로부터의 대향측 위의 후면) 위에 접합하여 조립된다(단계 S114).
층들(210, 215)은 복합 구조(225)를 형성하기 위해 본딩에 의해 반드시 조립될 필요가 없다는 것이 주목될 것이다. 변형예로서, 층들(210, 215) 중 적어도 하나는 적합한 침착 기술에 의해 형성될 수 있다. 분리층(210)은 예를 들어 PECVD 또는 LPCVD 침착에 의해 형성될 수 있다.
일반 구조(125)가 형성되면, 복합 구조(125)를 참조하여 위에 기재된 것과 동일한 박리에 의한 분리 방법을 행하여 지지 기판(205)으로부터 층(215)을 분리하는 것이 가능하다(단계들 S114 및 S116).
복합 구조(225)는 박리에 의한 분리 방법이 행해지기 전에 상호보완 기술 단계들이 행해질 수 있고, 하나 이상의 층들은 특히 선택적으로 기술 단계들이 층(215)의 후면에 대해 행해진(컴포넌트들의 형성 등) 후 층(215)(예를 들어 최종 기판)의 노출면 위에 형성되거나 조립될 수 있다.
지지 기판(205)으로부터 층(215)을 분리하기 위해, 전자기 방사선(220)이 먼저 지지 기판(205)을 통해 분리층(210) 위에 적용된다(단계 S116). 이러한 방사선은 지지 기판(205)이 적어도 부분적으로 투명한 파장(λ)을 가진다. 이 파장에서, 기판(205)은 적어도 10%, 및 바람직하게는 50%보다 크거나 같은 투과율을 가진다. 그러나, 기판(105)을 참조하여 나타낸 것과 같이, 지지 기판(205)의 낮은 투과율을 조사 단계 (S116) 동안 적용되는 비임의 에너지를 증가시켜 지지 기판(205)의 낮은 투과율을 보상하는 것이 가능하다.
사전에 행해지는 러프닝의 효과는 계면(206)에서의 물리적 특성들을 수정하는 것이고, 후자는 스페큘러 상태(specular state)로부터 확산 상태로 변환된다. 거친 층(207)은 특히 복합 구조(225)의 계면(206)에서의 반사 광학 특성들을 수정한다. 이러한 거친 층(207)에 의해, 복합 구조(225)는 보강 및 상쇄 광간섭 모두에 둔감하거나 매우 예민하지 않다. 그러므로, 층(206)은 지지 기판(205)과 분리층(210) 사이의 계면에서 반사 광학 특성들을 수정하는 층을 구성한다.
대안에 따르면, 지지 기판(205)을 조립하기 전에 분리층(206)을 거칠게 하는 것이 가능하다는 것을 주목해야 한다. 지지 기판의 표면(205b), 및 표면(205b)과 접하도록 의도된 분리층(210)의 표면이 또한 거칠게 될 수 있다. 모든 경우들에 있어서, 층(207)에 대해 얻어지는 거칠기의 레벨은 위에 기재한 것과 같다.
도 5a에 나타낸 것과 같이, 입사 광선(222a)이 단계 S116에서 복합 구조(225)의 노출 표면(205a)에 도달할 때, 광선의 일부(222b)는 계면(206)까지 지지 기판(205)에서 전달된다. 층(206)의 효과는 계면(206)을 확산시켜, 광선(222b)이 계면(206)에서 상이한 방향들로 산란되게 한다. 따라서, 산란된 광선들(222c)은 다중 방향들을 따라 부분적으로 분리층(210)으로 전달되고, 나머지 부분은 지지 기판(205)으로 산란된다. 이러한 산란은 복합 구조의 지지 기판(205)의 지지 기판(205)에서 일어나는 다중 반사들을 피하는 것을 가능하게 하고, 이들 반사들은 원치 않는 광간섭을 일으킨다.
입사 복사 에너지의 일부는 분리층(210)에 전달되지 않지만, 이러한 실시예는 그럼에도 불구하고 지지 기판의 두께의 함수로서 전달된 에너지의 변화들에 대해 복합 구조의 감도를 억제하는 것을 가능하게 하는 것이 유리하다.
구조들(25, 125)을 참조하여 나타낸 것과 같이, 방사선(220)에 의해 유도되는 분리는 분리층(210)에서 분리 또는 실제 분리를 반드시 일으킬 필요는 없지만, 단순히 층(210)의 약화를 일으킬 수 있는데, 이것은 지지 기판(205)과 층(215) 간의 실제 분리를 얻기 위해 추가 에너지(예를 들어 기계력들의 형태의)의 후속 적용을 필요로 한다.
일단 기판(205) 및 층(215)이 완전히 분리되면(단계 S118), 지지 기판(205)은 새로운 복합 구조를 형성하기 위해 재사용될 수 있다. 이러한 재사용은 지지 기판의 표면(205b)의 폴리싱에 의한(또는 임의의 다른 적합한 방법에 의한) 거친 층(207)의 제거를 선택적으로 포함할 수 있다.
변형예에 따르면, 이 제 2 실시예의 도 5b에 나타낸 것과 같이, 그것은 복합 구조(225)의 형성 전, 동안 및/또는 후 거칠게 되는 지지 기판(205)의 노출 표면(205a)이다. 증가된 거칠기를 갖는 층은 노출 표면(205a) 위에서 두께(e3)의 영역에 걸쳐 (제 1 변형예에 대해 규정된 것과 같은 값을 갖는) 이렇게 얻어진다. 이러한 영역은 복합 구조의 반사 광학 특성들을 수정하는 층(227)을 구성한다. 두께(e3)는 두께 "e2"와 같은 정도의 값이다.
이러한 변형예에 있어서, 거친 표면(205a)(및 더 일반적으로 거친 층(207))의 효과는 여러 방향들로 단계 S116 동안 조사되는 각각의 광선(224a)을 산란시키는 것이다. 산란된 광선들(224b) 중에서, 광선(224c)은 계면(206)에 전달된다. 이러한 광선의 일부(224d)는 이후 분리층(210)으로 전달된다. 그러나, 이러한 변형예는 반사가 지지 기판(205)과 분리층(210) 사이의 계면(206)에서 회피될 수 없다는 점에서 도 5a의 그것과 관련하여 문제점을 가진다. 따라서, 계면(206)에 의해 반사된 광선(224e)은 분리층(210)에 전달되지 않는 복사 에너지이다.
광선(224e)은 이어서 표면(205a) 위에 거친 층(227)에 의해 산란되는데, 이것은 지지 기판(205)에서 일어나는 다중 반사들을 회피시키는 것을 가능하게 한다. 그러므로, 이러한 변형예는 또한 지지 기판의 두께에서의 해로운 광간섭의 발생을 방지하는 것을 가능하게 한다.
그러므로, 본 발명의 복합 구조는 지지 기판의 두께의 함수로서 조사 단계 중 전달된 에너지의 변동들을 감소시키고 분리층으로 실제 전달된 에너지의 양을 최대화하는 하는 것을 가능하게 한다. 그렇게 함으로써, 분리될 층과 지지 기판 간의 박리에 의한 분리의 재현성 및 품질이 그렇게 하여 크게 향상된다. 본 발명은 특히 일반적으로 사용되는 것들과 다른 조성물들을 가지며 광간섭에 특히 민감한 복합 구조들에 대해 박리에 의한 분리를 행하는 것을 가능하게 한다.
다른 변형예들로서, 반사방지 층(106)의 양면들(즉, 그것의 노출 표면 위에서 및 분리층과의 계면에서) 위에 기판의 반사 광학 특성들을 수정하기 위해, 복합 구조의 지지 기판의 면들 각각 위에 반사방지 층(106)을 배열하는 것을 생각할 수 있다.
지지 기판의 두 개의 면들(이 경우에 기지 기판은 거친 층(207) 및 거친 층(227)을 포함함)을 거칠게 하는 것이 또한 가능하다. 그러나, 이 변형 예는 조사 단계 중 조사 에너지 전달 면에서 더 큰 중요한 손실을 초래한다.
대안으로, 지지 기판은 그것의 면들 중 하나 위에 반사방지 층을 가질 수 있고, 다른 표면은 위에서 기재한 것과 같이 거칠게 되어 있다.
본 발명에 따라 복합 구조를 형성하는 층들 각각 및 지지 기판은 복수의 부층들로 구성될 수 있다는 것이 또한 주목된다. 특히, 위에서 기재한 것과 같이, 반사방지 층(106)은 2개 이상의 부층들로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 변형예에 따르면, 복합 구조는 지지 기판과 분리층 사이의 계면에 반사방지 층(106)을 그리고 지지 기판의 상측(즉 노출된) 면 위에 거친 층(227)을, 또는 역으로 지지 기판과 분리층 사이의 계면에 거친 층을 그리고 지지 기판의 상면 위에 반사방지 층을 모두 포함할 수 있다.

Claims (17)

  1. 조사에 의해 분리될 층(115)을 포함하는 복합 구조(125)를 제조하기 위한 방법으로서, 상기 방법은, 적어도
    - 결정된 파장에서 적어도 부분적으로 투명한 재료로 형성되는 지지 기판(105);
    - 분리될 층(115); 및
    - 분리될 상기 층과 상기 지지 기판 사이에 개재된 분리층(110)으로서, 상기 분리층은 상기 결정된 파장에 대응하는 파장을 가지는 방사선(120)의 작용 하에서 박리에 의해 분리되도록 되어 있는, 상기 분리층(110)
    을 포함하는 스택의 형성(S10-S14)을 포함하는, 복합 구조(125) 제조 방법에 있어서,
    상기 방법은 상기 스택을 형성하기 위한 단계 동안, 상기 지지 기판과 상기 분리층 사이의 계면에서 반사되는 상기 방사선의 반사광과 상기 계면과 반대측인 상기 지지 기판의 상면에서 반사되는 상기 방사선의 반사광이 상쇄 간섭하도록 상기 계면 및 상기 상면 중 적어도 하나에 반사방지 층(106)을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 반사방지 층(106)의 굴절률(n2)은 실질적으로
    Figure 112019022112912-pct00019
    와 같고, 여기서 nl 및 n3은 각각 상기 지지 기판 및 상기 분리층의 굴절률인, 복합 구조 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 분리층은 가열 부층(heating sublayer) 및 박리 부층(exfoliation sublayer)을 포함하고, 상기 박리 부층은 상기 가열 부층에 의해 유도되는 가열 작용 하에서 분해되도록 되어 있는 것을 특징으로 하는, 복합 구조 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 지지 기판은 실리콘으로 구성되고, 상기 가열 부층은 이산화 실리콘으로 구성되고, 상기 박리 부층은 Si3N4으로 구성되고 상기 반사방지 층은 SiON으로 구성되고, 상기 반사방지 층의 굴절률은 실질적으로 2.61과 같은 것을 특징으로 하는, 복합 구조 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    반사방지 층(106)이 상기 지지 기판과 상기 분리층 사이의 상기 계면에 형성될 때, 상기 반사방지 층의 굴절률(n2)은 상기 지지 기판과 상기 반사 방지 층의 계면에서는 n1과 같고, 상기 분리층과 상기 반사방지 층의 계면에서는 n3과 같도록 상기 반사방지 층의 두께에 걸쳐 점진적으로 변하는 것을 특징으로 하는, 복합 구조 제조 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 분리층은 이산화 실리콘으로 구성되는 가열 부층 및 Si3N4로 구성되는 박리 부층을 포함하고, 상기 박리 부층은 상기 가열 부층에 의해 유도되는 가열 작용 하에서 분해되도록 되어 있고, 상기 지지 기판은 실리콘으로 구성되고,
    상기 반사방지 층의 조성물은 SiOx로 구성되고 여기서 x는 0과 2 사이에서 점진적으로 변하는 것을 특징으로 하는, 복합 구조 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    반사방지 층이 상기 지지 기판의 상기 상면 위에 형성될 때, 상기 반사방지 층의 굴절률(n2)은 상기 지지 기판과의 상기 반사 방지층의 계면에서는 n1과 같고, 상기 지지 기판과 상기 반사 방지층의 계면으로부터 반대측인 상기 반사 방지층의 상면에서는 n0과 같도록 상기 반사 방지층의 두께에 걸쳐 점진적으로 변하고,
    nO은 상기 복합 구조가 상기 조사 중 배치되는 매질의 굴절률인 것을 특징으로 하는, 복합 구조 제조 방법.
  9. 제 1 항, 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 기판과 상기 분리층 사이의 상기 계면에서의 상기 반사방지 층의 두께(e1)는
    Figure 112019022112912-pct00010
    와 실질적으로 같고, M은 0보다 크거나 같은 홀수 정수이고 λ는 상기 결정된 파장인 것을 특징으로 하는, 복합 구조 제조 방법.
  10. 조사에 의해 분리될 층(215)을 포함하는 복합 구조(225)를 제조하기 위한 방법으로서, 상기 방법은, 적어도
    - 결정된 파장에서 적어도 부분적으로 투명한 재료로 형성되는 지지 기판(105; 205);
    - 분리될 층(215); 및
    - 분리될 상기 층과 상기 지지 기판 사이에 개재된 분리층(210)으로서, 상기 분리층은 상기 결정된 파장에 대응하는 파장을 가지는 방사선(220)의 작용 하에서 박리에 의해 분리되도록 되어 있는, 상기 분리층(210)
    을 포함하는 스택의 형성(S110-S114)을 포함하는, 복합 구조(225) 제조 방법에 있어서,
    상기 방법은 상기 스택을 형성하기 위한 단계 동안, 상기 지지 기판과 상기 분리층 사이의 계면 및 상기 계면과 반대측인 상기 지지 기판의 상면 중 적어도 하나에 거친층(207)을 형성하여, 상기 계면 및 상기 상면 중 적어도 하나의 반사 광학 특성들을 수정하는 적어도 하나의 처리 단계를 더 포함하고,
    상기 거친 층은 상기 방사선으로 조사될 상기 상면의 영역의 치수의 적어도 3배와 같은 측정 필드(measurement field)에 걸쳐 50 Å rms보다 크거나 같은 평균 거칠기 레벨(mean roughness level)을 가지는, 복합 구조 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 거친 층의 상기 형성은 적어도 기계적 그라인딩(mechanical grinding) 또는 화학적 에칭(chemical etching)에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는, 복합 구조 제조 방법.
  12. 제 1 항, 제 6 항 내지 제 8 항, 제 10 항 및 제 11 항 중 어느 한 항에 청구된 구조로부터 층을 분리하기 위한 방법에 있어서, 상기 방법은 상기 분리층의 박리에 의한 약화 또는 분리를 유도하기 위해, 상기 지지 기판의 적어도 부분적으로 투명한 부분을 통하여 파장에 대응하는 입사광을 상기 분리층에 조사하는, 층 분리 방법.
  13. 복합 스택을 포함하는 복합 구조로서, 상기 복합 구조는 적어도
    - 결정된 파장에서 적어도 부분적으로 투명한 재료로 형성되는 지지 기판;
    - 조사에 의해 분리될 층; 및
    - 분리될 상기 층과 상기 지지 기판 사이에 개재되는 분리층
    으로 형성되고, 상기 분리층은 상기 결정된 파장에 대응하는 파장을 가지는 방사선의 작용 하에서 박리에 의해 분리되도록 되어 있는, 복합 구조에 있어서,
    상기 복합 구조는, 상기 지지 기판과 상기 분리층 사이의 계면에서 반사되는 상기 방사선의 반사광과 상기 계면과 반대측인 상기 지지 기판의 상면에서 반사되는 상기 방사선의 반사광이 상쇄 간섭하도록 상기 계면 및 상기 상면 중 적어도 하나에 반사방지 층(106)을 더 포함하고,
    상기 반사방지 층(106)의 굴절률(n2)은 실질적으로
    Figure 112019022112912-pct00020
    와 같고, 여기서 nl 및 n3은 각각 상기 지지 기판 및 상기 분리층의 굴절률인, 복합 구조.
  14. 복합 스택을 포함하는 복합 구조로서, 상기 복합 구조는 적어도
    - 결정된 파장에서 적어도 부분적으로 투명한 재료로 형성되는 지지 기판;
    - 조사에 의해 분리될 층; 및
    - 분리될 상기 층과 상기 지지 기판 사이에 개재되는 분리층
    으로 형성되고, 상기 분리층은 상기 결정된 파장에 대응하는 파장을 가지는 방사선의 작용 하에서 박리에 의해 분리되도록 되어 있는, 복합 구조에 있어서,
    상기 복합 구조는, 상기 지지 기판과 상기 분리층 사이의 계면 및 상기 계면과 반대측인 상기 지지 기판의 상면 중 적어도 하나에 5 ㎛ x 5 ㎛ 필드(field)에 걸쳐 50 Å rms보다 크거나 같은 평균 거칠기 레벨을 가지는 거친 층(207)을 더 포함하는, 복합 구조.
  15. 삭제
  16. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 분리층은 가열 부층(heating sublayer) 및 박리 부층(exfoliation sublayer)을 포함하고, 상기 박리 부층은 상기 가열 부층에 의해 유도되는 가열 작용 하에서 분해되도록 되어 있는, 복합 구조 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 지지 기판은 실리콘으로 구성되고, 상기 가열 부층은 이산화 실리콘으로 구성되고, 상기 박리 부층은 Si3N4으로 구성되는, 복합 구조 제조 방법.
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AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
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