TWI830170B - 用於微電子的薄膜模糊件及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
揭露用於總成的方法及設備，該總成具有第一晶圓，該第一晶圓包含塊狀材料和具有微電子器件的層，以及具有沉積薄膜的晶圓，該沉積薄膜結合至該第一晶圓，使得該反射膜嵌入該組合總成內。該反射晶圓可包含處理晶圓和薄膜，該薄膜具有反射特性以防止該微電子器件經由穿過該塊狀材料的光成像。
Description
本發明涉及一種用於微電子的薄膜模糊件總成以及製造方法。
如本技術領域中已知的，電子電路可以形成在例如矽基板的基板之中。矽在從大約900nm開始的短波紅外線(Short Wave Infra-Red，SWIR)光譜中是透明的。短波紅外線能量可用於透過在其上製造電子器件的矽基板的背面對微電子電路進行成像。SWIR成像可以用於檢查、對製造的微電子電路進行故障分析等。然而，SWIR成像也可用於未經授權的積體電路成像，這可能會導致電子裝置的逆向工程。
本揭露的例示性實施例可以提供用於微電子電路總成
的方法和設備，該微電子電路總成在諸如晶體矽的基板上具有諸如多層材料的膜，用於反射入射輻射。在實施例中，膜包括透過來自具有對比折射率的交替材料層的表面的相長/相消干涉而具有對比光學性質的層。這種多層反射器被稱為布拉格反射器。應該注意的是，目標是減少光的透射，被反射的光不一定是透射的。在一些實施例中，也可以使用能夠衰減透射的其他薄膜，諸如光吸收膜、全內反射塗層或其他反射膜。可以使用本技術領域中已知的多種技術施加薄膜，例如物理氣相沉積(PVD)或化學氣相沉積(CVD)，並且包括諸如濺射、陰極電弧和原子層沉積(ALD)等技術。
在實施例中，SWIR的薄膜反射器被組態以阻擋大約900nm和大約1600nm之間的光，這可以對應於通常可用的雷射的波長。例如，可將膜沉積在空白矽基板晶圓上。晶圓的直接接合(參見例如S.H.Christiansen、R.Singh和U.Gosele所著「Wafer Direct Bonding：From Advanced Substrate Engineering to Future Applications in Micro/Nanoelectronics」，IEEE會議記錄，第94卷，編號12，第2060-2106頁，2006十二月，doi：10.1109/JPROC.2006.886026)到類似矽晶圓，以產生具有嵌入式反射層的加工晶圓。該加工晶圓可以反射和散射SWIR照明。在實施例中，微電子器件在晶圓級製造。減薄這些晶圓並用薄膜鍵合到晶圓上會破壞從總成背面藉由SWIR進行的檢查。該膜掩蓋了從背面對微電子裝置進行的任何被動目視檢查。
在一態樣中，一種總成包含：第一晶圓，包括塊狀材料和具有微電子器件的層；以及接合到該第一晶圓的反射晶圓，其中該反射晶圓包含處理晶圓和薄膜，該薄膜具有反射特性以防止微電子器件經由穿過塊狀材料的光成像。
一種總成可以進一步包括以下特徵中的一個或多個：該第一晶圓包括讀出積體電路，該第一晶圓包含氧化物層，該總成依次包括：處理晶圓、薄膜、塊狀材料和微電子器件層，該薄膜和該塊狀材料之間的氧化物層，該光包含紅外線光譜中的光，該塊狀材料包含矽，該薄膜包含第一和第二材料層，該薄膜包含多晶矽層和氧化矽層，該薄膜包含鋁層，該薄膜包含氧化鈦，該薄膜包含布拉格反射器，該第一晶圓包含藍寶石及/或SiC，及/或該薄膜被沉積。
在另一態樣中，一種方法包含：在第一晶圓的一層中形成微電子器件，該第一晶圓包括塊狀材料；以及將該反射晶圓接合到該第一晶圓，其中該反射晶圓包含處理晶圓和薄膜，該薄膜具有反射特性以防止微電子器件經由穿過塊狀材料的光成像。
一種方法可以進一步包括以下特徵中的一個或多個：該第一晶圓包括讀出積體電路，該第一晶圓包含氧化物層，該總成依次包括：處理晶圓、薄膜、塊狀材料和微電子器件層，該薄膜和該塊狀材料之間的氧化物層，該光包含紅外線光譜中的光，該塊狀材料包含矽，該薄膜包含第一和第二材料層，該薄膜包含多晶矽層和氧化矽層，該薄
膜包含鋁層，該薄膜包含氧化鈦，該薄膜包含布拉格反射器，該第一晶圓包含藍寶石及/或SiC，及/或該薄膜被沉積。
100:總成
102:微電子器件
104:基板
106:不透明層
108:能量
200:微電子電路
202:基板
204:紅外線(IR)能量
206:影像
300:不透明層
302:第一材料
304:第二材料
306:基板
400:光
402:表面
404:層
406:底表面
500:反射特性
502:頻寬
504:頻寬
506:頻寬
600:步驟
602:步驟
604:步驟
606:步驟
608:步驟
610:步驟
612:步驟
614:步驟
650:氧化物層
652:晶圓
654:積體電路
656:處理晶圓
658:總成
660:氧化物層
662:反射晶圓
664:矽晶圓
666:薄膜反射層
1100:反射膜
1102:反射晶圓
1104:電路
1106:積體電路
本揭露的上述特徵，以及本揭露本身，可以從以下對圖式的描述中得到更充分的理解，其中：[圖1]是根據本揭露的例示性實施例的被不透明層阻擋的基板上的電路的背面成像的示意圖；[圖2]示出未經授權現有技術透過基板對電路的背面成像；[圖3]是用於防止成像的層的例示性膜疊層的橫截面圖；[圖4]是說明薄膜的相長干涉和相消干涉的橫截面圖；[圖5]是例示性不透明層的反射率對波長的圖形表示；[圖6]是示出用於設置具有不透明層以防止電路背面成像的總成的例示性步驟序列的流程圖；[圖7、8、9及10]是用於不透明層的例示性薄膜疊層的表格表示；[圖11]是反射IR光以避免電路背側成像的不透明層的示意圖。
圖1示出具有微電子器件102的例示性總成100，該微電子器件102形成在具有不透明層106的基板104中，該不透明層106阻止能量108到達微電子器件102以防止電路之成像。在實施例中，基板104包含SWIR穿過的矽。不透明層106防止通孔從總成100背面的非破壞性觀察對電路102成像。
圖2示出根據現有技術經由直接成像以對基板202上的微電子電路200進行未經授權的檢查。通過基板302的背側紅外線(IR)能量204可用於產生電路200的影像206。
圖3示出阻擋來自選定頻寬(例如IR)的能量的例示性不透明層300。在所示實施例中，一系列高反射率層由第一材料302提供以及一系列低反射率層由第二材料304提供，它們結合起來阻止能量到達可以包括矽的基板306。第一和第二材料層302、304交替以提供期望的反射特性。
第一和第二材料302、304可以包含任何合適的材料，該等任何合適的材料組合以提供滿足特定應用所要求的反射特性。例如，反射特性可以包括特定頻寬內的阻擋能量，這可能對應於某些類型的雷射。
此外，可以選擇第一和第二材料302、304的厚度以實現期望的相長干涉和相消干涉特性。第一和第二材料之厚度可以相同或不同。此外，可以不同的順序使用任何實際數量的不同材料，以實現所需的反射性能。
可以使用任何合適的技術(例如濺射)以在基板上形成
膜。此外，基板可以包含任何合適的材料，例如矽、藍寶石、碳化物等。
圖4示出在具有厚度d和折射率n的膜/層404的表面402上以入射角α的定向光400，例如雷射光束。一些光從表面402反射以及一些光以折射角β進入膜。膜/層的底表面406可以將光反射到表面402。如該技術領域中具有通常知識者所熟知的，反射光的波可以相長或相消地組合。膜層的光路徑差導致相位差定義為：△=n(AB+BC)-AD=2ndcosβ
其中點A、B、C、D定義距離AB、BC和AD。
對於相變(即，相位變化(phase change))=π，相消相變可以定義為2dncos β=mλ，其中m是整數，λ是波長，相長相變可以定義為2dncos β=(m-1/2)λ。針對0的相變，相長相變為2dncos β=mλ且相消相變為2dncos β=(m-1/2)λ。可以理解的是，反射光從折射率較高的介質反射時會發生180度的相變，而從折射率較小的介質反射時則不會發生相變。
市售軟體，例如由ESSENTIAL MACLEOD SOFTWARE公司出售的軟體，可用於根據各種材料層的折射率設計具有各種反射特性的薄膜。
圖5示出用於阻擋某些光頻率的例示性不透明膜的反射特性500。可以看出，該膜是透射的，即對於可見光譜中的某些頻寬502、504、506具有低反射率。在常見的雷射頻率下，如1060nm、1310nm和1550nm所示，膜的反射
率接近100%。由於雷射光或SWIR頻帶的任何波長被反射，因此在反射頻寬內的雷射光無法對電路進行成像。
圖6示出用於製造具有光阻擋層的晶圓的例示性步驟序列。在步驟600中，氧化物層650形成或沉積至晶圓652上，該晶圓652具有形成在晶圓的主動層中的積體電路654，例如讀出積體電路(ROIC)。在步驟602中，將處理晶圓656接合到ROIC晶圓652以形成總成658。在步驟604中，總成658被翻轉並且ROIC晶圓652被減薄、拋光和邊緣研磨。在一個特定實施例中，ROIC晶圓652被減薄至100微米量級的厚度。
在步驟606中，在具有例如矽晶圓664的反射晶圓662上形成氧化物層660，並且接合薄膜反射層(thin film reflector layer)666。將反射晶圓662接合到ROIC總成658。在步驟608中，在翻轉總成之後，將反射晶圓662減薄至期望的厚度並且移除處理晶圓656。在步驟610中，總成的頂面和底面可以被拋光。在步驟612中，可以將光圖案670放置在總成上，並且在步驟614中，可以蝕刻矽以露出連接墊。例如，該總成然後準備好進行球柵陣列處理(ball grid array processing)。
可以理解，可以選擇反射器和電路的位置/深度以滿足特定應用的需求。儘管本文包括在圖式中可以使用例示性維度，但是應當理解，可以使用任何實際維度。
圖7示出可以提供期望的反射特性的例示性薄膜疊層。可以看出，具有各自折射率和選定厚度的HfO2、SiO2
和SiPoly交替層可用於提供阻擋膜以防止電路層成像。
圖8示出包含鋁層和氧化矽層的例示性膜疊層。
圖9示出包含SiO、SiPoly及SiO層的例示性膜疊層。圖10示出例示性基於氧化鈦的疊層。
如圖11所示，反射晶圓1102的反射膜1100可以反射光以阻擋積體電路1106(例如ROIC)上的電路1104的背面成像。
在一些實施例中，也可以使用散射層。
如本文所用，薄膜具有至少50%的反射率以防止透過通過塊狀材料的光對微電子器件進行成像。由於SWIR遮蔽物的透射和散射增加，反射率降低了50%，對比度降低了50%(MTF=0.5)，與沒有遮蔽物相比，解析度降低了3×以上。
可以理解，薄膜的反射率可以在50%以上。例如，在一些實施例中，薄膜反射率可以高於90%。
已經描述了本揭露的例示性實施例，現在對於本技術領域具有通常知識者將變得顯而易見的是，也可以使用結合了它們的概念的其他實施例。本文所包含的實施例不應限於所揭露的實施例，而應僅受所附申請專利範圍的精神和範圍的限制。本文引用的所有出版物和參考文獻均以全文引用的方式明確併入本文。
本文所述的不同實施例的元素可以組合以形成上面未具體闡述的其他實施例。在單個實施例的上下文中描述的各種元件也可以單獨提供或以任何合適的子組合提供。本
文未具體描述的其他實施例也在所附申請專利範圍的範圍內。
100:總成
102:微電子器件
104:基板
106:不透明層
108:能量
Claims (17)
- 一種用於微電子的薄膜模糊件的總成，其包含：第一晶圓，包括塊狀材料和具有微電子器件的層；以及反射晶圓，接合到該第一晶圓，其中該反射晶圓包含處理晶圓和薄膜，該薄膜具有反射特性以防止該微電子器件經由穿過該塊狀材料的光成像；其中，該總成依次包括該處理晶圓、該薄膜、該塊狀材料以及該微電子器件層，以及其中，該薄膜包含第一與第二材料之層。
- 如請求項1之總成，其中該第一晶圓包含讀出積體電路。
- 如請求項1之總成，其中該第一晶圓包含氧化物層。
- 如請求項1之總成，更包括在該薄膜與該塊狀材料之間的氧化物層。
- 如請求項1之總成，其中該光包含紅外線光譜內的光。
- 如請求項1之總成，其中該塊狀材料包含矽。
- 如請求項1之總成，其中該薄膜包含多晶矽與氧化矽之層。
- 如請求項1之總成，其中該薄膜包含鋁之 層。
- 如請求項1之總成，其中該薄膜包含氧化鈦。
- 如請求項1之總成，其中該薄膜包含布拉格反射器。
- 如請求項1之總成，其中該第一晶圓包含藍寶石及/或SiC。
- 如請求項1之總成，其中該薄膜被沉積。
- 一種用於微電子的薄膜模糊件之製造方法，包含：在包括塊狀材料的第一晶圓的層中形成微電子器件；以及將反射晶圓接合到該第一晶圓，其中該反射晶圓包含處理晶圓和薄膜，該薄膜具有反射特性以防止該微電子器件經由穿過該塊狀材料的光成像，其中，該總成依次包括該處理晶圓、該薄膜、該塊狀材料以及該微電子器件層，以及其中，該薄膜包含第一與第二材料之層。
- 如請求項13之製造方法，其中該第一晶圓包含讀出積體電路。
- 如請求項13之製造方法，其中該第一晶圓包含氧化物層。
- 如請求項13之製造方法，更包括在該薄 膜與該塊狀材料之間設置氧化物層。
- 如請求項13之製造方法，其中該光包含紅外線光譜內的光。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070181905A1 (en) * | 2006-02-07 | 2007-08-09 | Hui-Heng Wang | Light emitting diode having enhanced side emitting capability |
| TW201519980A (zh) * | 2013-08-02 | 2015-06-01 | Rofin Sinar Technologies Inc | 於透明材料內部施行雷射絲化之系統 |
| US20210043587A1 (en) * | 2019-08-08 | 2021-02-11 | Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. | Security chip, security chip production method and electronic device |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6515304B1 (en) * | 2000-06-23 | 2003-02-04 | International Business Machines Corporation | Device for defeating reverse engineering of integrated circuits by optical means |
| US7385199B2 (en) * | 2005-09-26 | 2008-06-10 | Teledyne Licensing, Llc | Microbolometer IR focal plane array (FPA) with in-situ mirco vacuum sensor and method of fabrication |
| US9111832B2 (en) * | 2012-10-29 | 2015-08-18 | Omnivision Technologies,Inc. | Infrared reflection/absorption layer for reducing ghost image of infrared reflection noise and image sensor using the same |
| US9825073B2 (en) * | 2014-05-23 | 2017-11-21 | Omnivision Technologies, Inc. | Enhanced back side illuminated near infrared image sensor |
| US11114488B1 (en) * | 2020-09-25 | 2021-09-07 | Shenzhen Adaps Photonics Technology Co. LTD. | Image sensing devices with reflector arrays |
| US20220320015A1 (en) * | 2021-04-06 | 2022-10-06 | Globalfoundries U.S. Inc. | Backside structure for optical attack mitigation |
-
2021
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2022
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070181905A1 (en) * | 2006-02-07 | 2007-08-09 | Hui-Heng Wang | Light emitting diode having enhanced side emitting capability |
| TW201519980A (zh) * | 2013-08-02 | 2015-06-01 | Rofin Sinar Technologies Inc | 於透明材料內部施行雷射絲化之系統 |
| US20210043587A1 (en) * | 2019-08-08 | 2021-02-11 | Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. | Security chip, security chip production method and electronic device |
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