TWM621264U - 電子裝置 - Google Patents

Abstract

本案揭示一種電子裝置包括鏡頭及偏光模組。偏光模組設置於鏡頭的入光側。偏光模組包括相互堆疊的第一鍍層及二個第二鍍層。第一鍍層的折射率不同於每一第二鍍層的折射率。

Description

電子裝置

本案是有關於一種具有偏光模組的電子裝置。

為了因應使用者的需求，現今電子裝置上往往會配置鏡頭，以提供攝像的功能。

本案提供一種電子裝置，其包括鏡頭以及偏光模組。偏光模組設置於鏡頭的入光側。偏光模組包括相互堆疊的第一鍍層及二個第二鍍層。第一鍍層的折射率不同於每一第二鍍層的折射率。

本案的電子裝置包括鏡頭以及偏光模組。偏光模組設置於鏡頭的入光側。偏光模組包括相互堆疊的多個鍍層。這些鍍層具有多種折射率。這些鍍層的層數介於20層至60層之間。

基於上述，本案的電子裝置包括鏡頭及設置於鏡頭的入光側的偏光模組，其中偏光模組包括具有不同折射率且相互堆疊的第一鍍層及二個第二鍍層。藉此，電子裝置不僅可透過偏光模組保護鏡頭，還可透過偏光模組反射部分的大太陽下的景物反光，從而有效降低過多光線進入鏡頭，以提高鏡頭的成像對比度。

為讓本案的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1是本案的一實施例的一種電子裝置的側視圖。圖2是圖1的電子裝置的偏光模組適於讓不同入射角的光束通過的示意圖。須說明的是，圖1的電子裝置100例如是手機，但不以此為限。並且，為了清楚表示偏光模組120的特性，圖2僅示意性繪示偏光模組120，而省略繪示電子裝置100的其餘構件。另外，圖1中電子裝置100的鏡頭110、偏光模組120及殼體130的尺寸、厚度等比例關係僅為示意。

請先參考圖1，本實施例的電子裝置100包括鏡頭110、偏光模組120及殼體130。鏡頭110及偏光模組120設置於殼體130。偏光模組120設置於鏡頭110的入光側111以保護鏡頭110，且光束L1適於依序通過偏光模組120及鏡頭110。

詳細而言，請參考圖1及圖2，在本實施例中，光束L1包括光束L2、L3、L4。光束L2、L3、L4以不同入射角入射電子裝置100，且在通過電子裝置100的偏光模組120之後會呈現不同的偏振狀態。此處，須說明的是，在本實施例中，入射角為光束L2、L3、L4分別與入射軸A1之間的夾角。並且，在本實施例中，與入射軸A1的夾角為0度的光束L2能夠完全通過偏光模組120，與入射軸A1的夾角分別為45度及60度(即入射角θ ₁₁及入射角θ ₁₂)的光束L3、L4在穿過偏光模組120之後，特定方向的偏振光會減少或是消失。

以下將對偏光模組120進行說明。

圖3是圖1的電子裝置的偏光模組的側視圖。圖4是本案的另一實施例的一種電子裝置的偏光模組的側視圖。須說明的是，圖3及圖4的光束L1是指入射至偏光模組120的大太陽下的景物反光，且光束L1為偏振光。並且，在圖3及圖4中，P偏振光的偏振方向為平行紙面的方向，且S偏振光的偏振方向為垂直紙面的方向。另外，圖3及圖4中的偏光模組120的第一鍍層121、二個第二鍍層122、基材123及蓋板124的尺寸、厚度等比例關係僅為示意。

請參考圖3，在本實施例中，偏光模組120包括第一鍍層121、二個第二鍍層122、基材123及蓋板124。基材123位於鏡頭110(未繪示)旁。第一鍍層121與二個第二鍍層122相互堆疊，且設置於基材123與蓋板124之間。

詳細而言，在本實施例中，第一鍍層121位於二個第二鍍層122之間。二個第二鍍層122的其中之一位於相鄰的基材123與第一鍍層121之間，且二個第二鍍層122的另一位於相鄰的第一鍍層121與蓋板124之間。

此處，需說明的是，本案不限制基材123與蓋板124之間的第一鍍層121及第二鍍層122的層數，只要每一個第一鍍層121位於相鄰的二個第二鍍層122之間，其中一個第二鍍層122位於相鄰的基材123與第一鍍層121之間，且另一個第二鍍層122位於相鄰的第一鍍層121與蓋板124之間即可。也就是說，如圖4所示，在其它實施例中，設置於基材123與蓋板124之間的第一鍍層121及第二鍍層122的層數可為多層。並且，偏光模組120A的這些第一鍍層121及這些第二鍍層122的層數的總和例如是介於20層至60層之間，但不以此為限。

此外，請參考圖3，在本實施例中，第一鍍層121的厚度T1為光束L1的波長的四分之一倍，且每一第二鍍層122的厚度T2為光束L1的波長的四分之一倍。舉例而言，當光束L1為綠光且波長為540奈米時，第一鍍層的厚度T1為135奈米，且每一個第二鍍層的厚度T2為135奈米，但不以此為限。

請繼續參考圖3，在本實施例中，基材123的折射率n ₃等於蓋板124的折射率n ₄。每一個第二鍍層122的折射率n ₂大於基材123的折射率n ₃，且基材123的折射率n ₃大於第一鍍層121的折射率n ₁。

當光束L1通過第一鍍層121及二個第二鍍層122的入射角分別為布魯斯特角(Brewster’s Angle)時，P偏振光的反射率為零，且S偏振光的反射率不為零。也就是說，在第一鍍層121及第二鍍層122的交界被反射的是一部分的S偏振光，且通過第一鍍層121及二個第二鍍層122的折射光線為P偏振光及另一部分的S偏振光。

此處，須說明的是，布魯斯特角是由原先介面的折射率與入射介面的折射率所定義。舉例來說，當光束L1自第二鍍層122入射於第一鍍層121，且光束L1與入射軸A2的夾角為布魯斯特角θ ₂時，布魯斯特角可表示為

，也就是說，布魯斯特角θ ₂是由第二鍍層122的折射率n ₂與第一鍍層121的折射率n ₁所定義。

此外，當以電子裝置100的鏡頭110拍照時，大太陽下的景物反光，會使鏡頭110的成像畫面不清楚。當大太陽下的景物的反光(即光束L1)在偏光模組120的第二鍍層122與第一鍍層121之間的介面的入射角大於或等於布魯斯特角時，若S偏振光的反射率越高，可使進入鏡頭的反光程度越低，可有助於降低反光進入鏡頭的機率，以提高畫面對比度。

也就是說，在本實施例中，第一鍍層121及第二鍍層122可透過折射率的差異，控制S偏振光的反射率的大小。舉例來說，當第一鍍層121的折射率n ₁與第二鍍層122的折射率n ₂的大小差異越大時，S偏振光的反射率越高。此外，如圖4所示，在其它實施例中，當設置於基材123與蓋板124之間的第一鍍層121及第二鍍層122的層數為多層時，偏光模組120A的這些第一鍍層121及這些第二鍍層122可透過提高層數，使S偏振光通過這些第一鍍層121及這些第二鍍層122的反射率提高。舉例來說，S偏振光通過一個第一鍍層121及一個第二鍍層122的反射率為8%，而S偏振光通過彼此交互堆疊的二十個第一鍍層121及二十個第二鍍層122的反射率則為81%。

因此，本實施例的電子裝置100不僅可透過設置於鏡頭110的入光側111的偏光模組120保護鏡頭110，還可透過偏光模組120反射部分大太陽下的景物的反光(即光束L1)，從而有效降低大太陽下的景物的反光進入鏡頭110，使鏡頭110的成像對比度提高。

在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

圖5是本案的另一實施例的一種電子裝置的偏光模組的側視圖。圖6是本案的另一實施例的一種電子裝置的偏光模組的側視圖。請同時參考圖3與圖5，本實施例的偏光模組120B與圖3的偏光模組120相似，兩者的差異在於：偏光模組120B還包括與第一鍍層121及二個第二鍍層122相互堆疊的二個第三鍍層125。

請參考圖5，在本實施例中，偏光模組120B包括第一鍍層121、二個第二鍍層122、二個第三鍍層125、基材123及蓋板124。基材123位於鏡頭110(未繪示)旁。第一鍍層121、二個第二鍍層122與二個第三鍍層125相互堆疊，且設置於基材123與蓋板124之間。

詳細而言，在本實施例中，第一鍍層121位於相鄰的二個第三鍍層125之間。二個第三鍍層125分別位於相鄰的第一鍍層121與第二鍍層122之間。二個第二鍍層122的其中之一位於相鄰的基材123與第三鍍層125之間，且二個第二鍍層122的另一位於相鄰的第三鍍層125與蓋板124之間。

此處，需說明的是，本案不限制基材123與蓋板124之間的第一鍍層121、第二鍍層122及第三鍍層125的層數，只要每一個第一鍍層121位於相鄰的二個第三鍍層125之間，每一個第三鍍層125位於相鄰的第一鍍層121與第二鍍層122之間，其中一個第二鍍層122位於相鄰的基材123與第三鍍層125之間，且另一個第二鍍層122位於相鄰的第三鍍層125與蓋板124之間即可。也就是說，如圖6所示，在其它實施例中，設置於基材123與蓋板124之間的第一鍍層121、第二鍍層122及第三鍍層125的層數可為多層。以第二鍍層122、第三鍍層125、第一鍍層121、第三鍍層125為一組，重複地堆疊多組，最下方再堆疊第二鍍層122與基材123。並且，偏光模組120C的這些第一鍍層121、這些第二鍍層122及這些第三鍍層125的層數的總和例如是介於20層至60層之間，但不以此為限。

此外，請參考圖5，在本實施例中，第一鍍層121的厚度T1為光束L1的波長的四分之一倍，每一個第二鍍層122的厚度T2為光束L1的波長的四分之一倍，且每一個第三鍍層125的厚度T5為光束L1的波長的四分之一倍。舉例而言，當光束L1為綠光且波長為540奈米時，第一鍍層的厚度T1為135奈米，每一個第二鍍層的厚度T2為135奈米，且每一個第三鍍層125的厚度T5為135奈米，但不以此為限。

請繼續參考圖5，在本實施例中，基材123的折射率n ₃等於蓋板124的折射率n ₄。每一個第二鍍層122的折射率n ₂大於每一個第三鍍層125的折射率n ₅。每一個第三鍍層125的折射率n ₅大於基材123的折射率n ₃，且基材123的折射率n ₃大於第一鍍層121的折射率n ₁。

當光束L1通過第二鍍層122與第三鍍層125之間、第三鍍層125與第一鍍層121之間的入射角分別為布魯斯特角(Brewster’s Angle)時，P偏振光的反射率為零，且S偏振光的反射率不為零。也就是說，在第二鍍層122及第三鍍層125的交界及在第一鍍層121及第三鍍層125的交界被反射的是一部分的S偏振光，且通過第一鍍層121、二個第二鍍層122及二個第三鍍層125的折射光線為P偏振光及另一部分的S偏振光。

此處，須說明的是，布魯斯特角是由原先介面的折射率與入射介面的折射率所定義。舉例來說，當光束L1自第二鍍層122入射於第三鍍層125，且光束L1與入射軸A3的夾角為布魯斯特角θ ₃時，布魯斯特角可表示為

，也就是說，布魯斯特角θ ₃是由第二鍍層122的折射率n ₂與第三鍍層125的折射率n ₅所定義。

此外，當以電子裝置100的鏡頭110拍照時，大太陽下的景物反光，會使鏡頭110的成像畫面不清楚。當大太陽下的景物的反光(即光束L1)分別入射至第二鍍層122與第三鍍層125之間、第三鍍層125與第一鍍層121之間的入射角大於等於布魯斯特角時，若S偏振光的反射率越高，可使進入鏡頭的反光程度越低，可有助於降低反光進入鏡頭的機率，以提高畫面對比度。

也就是說，在本實施例中，第一鍍層121、二個第二鍍層122及二個第三鍍層125可透過折射率的差異，控制S偏振光的反射率的大小。舉例來說，當第一鍍層121的折射率n ₁、第二鍍層122的折射率n ₂與第三鍍層125的折射率n ₅的大小差異越大時，S偏振光的反射率越高。此外，如圖6所示，在其它實施例中，當設置於基材123與蓋板124之間的第一鍍層121、第二鍍層122及第三鍍層125的層數為多層時，偏光模組120C的這些第一鍍層121、這些第二鍍層122及這些第三鍍層125可透過提高層數，使S偏振光通過這些第一鍍層121、這些第二鍍層122及這些第三鍍層125的反射率提高。

因此，本實施例的電子裝置100不僅可透過設置於鏡頭110入光側111的偏光模組120A保護鏡頭110，還可透過偏光模組120A反射部分大太陽下的景物的反光(即光束L1)，從而有效降低大太陽下的景物的反光進入鏡頭110，使鏡頭110的成像對比度提高。

綜上所述，本案的電子裝置包括鏡頭及設置於鏡頭的入光側的偏光模組，其中偏光模組包括具有不同折射率且相互堆疊的第一鍍層及二個第二鍍層。藉此，電子裝置不僅可透過偏光模組保護鏡頭，還可透過偏光模組反射部分的大太陽下的景物反光，從而有效降低過多光線進入鏡頭，以提高鏡頭的成像對比度。

雖然本案已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本案，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本案的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本案的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100:電子裝置 110:鏡頭 111:入光側 120、120A、120B、120C:偏光模組 121:第一鍍層 122:第二鍍層 123:基材 124:蓋板 125:第三鍍層 130:殼體 L1、L2、L3、L3a、L4、L4a:光束 T1、T2、T5:厚度 n ₁、n ₂、n ₃、n ₄、n ₅:折射率 θ ₁₁、θ ₁₂:入射角 θ ₂、θ ₃:布魯斯特角 A1、A2:入射軸 S:S偏振光 P:P偏振光

圖1是本案的一實施例的一種電子裝置的側視圖。 圖2是圖1的電子裝置的偏光模組適於讓不同入射角的光束通過的示意圖。 圖3是圖1的電子裝置的偏光模組的側視圖。 圖4是本案的另一實施例的一種電子裝置的偏光模組的側視圖。 圖5是本案的另一實施例的一種電子裝置的偏光模組的側視圖。 圖6是本案的另一實施例的一種電子裝置的偏光模組的側視圖。

100:電子裝置

110:鏡頭

111:入光側

120:偏光模組

130:殼體

L1:光束

Claims (11)

1. 一種電子裝置，包括： 一鏡頭；以及 一偏光模組，設置於該鏡頭的一入光側，其中該偏光模組包括相互堆疊的一第一鍍層及二個第二鍍層，且該第一鍍層的折射率不同於各該第二鍍層的折射率。
2. 如請求項1所述的電子裝置，其中該偏光模組包括一基材及一蓋板，該第一鍍層及該二個第二鍍層設置於該基材與該蓋板之間，且該基材位於該鏡頭旁。
3. 如請求項2所述的電子裝置，其中該第一鍍層位於該二個第二鍍層之間，該二個第二鍍層的其中之一位於相鄰的該基材與該第一鍍層之間，且該二個第二鍍層的另一位於相鄰的該第一鍍層與該蓋板之間。
4. 如請求項2所述的電子裝置，其中該基材的折射率等於該蓋板的折射率，各該第二鍍層的折射率大於該基材的折射率，且該基材的折射率大於該第一鍍層的折射率。
5. 如請求項1所述的電子裝置，適於讓一光束依序通過該偏光模組及該鏡頭，其中該第一鍍層的厚度為該光束的波長的四分之一倍，且各該第二鍍層的厚度為該光束的波長的四分之一倍。
6. 如請求項5所述的電子裝置，其中該光束的波長為540奈米，該第一鍍層的厚度為135奈米，且各該第二鍍層的厚度為135奈米。
7. 如請求項3所述的電子裝置，其中該光學鍍層組件包括與該第一鍍層及該二個第二鍍層相互堆疊的二個第三鍍層，各該第三鍍層的折射率不同於該第一鍍層的折射率與各該第二鍍層的折射率，該第一鍍層位於該二個第三鍍層之間，該二個第三鍍層的一者位於相鄰的該二個第二鍍層的一者與該第一鍍層之間，該二個第三鍍層的另一者位於相鄰的該第一鍍層與該二個第二鍍層的另一者之間，該二個第二鍍層中的該者位於相鄰的該基材與該二個第三鍍層中的該者之間，且該二個第二鍍層的該另一者位於相鄰的該二個第三鍍層的該另一者與該蓋板之間。
8. 如請求項7所述的電子裝置，其中該基材的折射率等於該蓋板的折射率，各該第二鍍層的折射率大於各該第三鍍層的折射率，各該第三鍍層的折射率大於該基材的折射率，且該基材的折射率大於該第一鍍層的折射率。
9. 如請求項7所述的電子裝置，適於讓一光束依序通過該偏光模組及該鏡頭，其中該第一鍍層的厚度為該光束的波長的四分之一倍，各該第二鍍層的厚度為該光束的波長的四分之一倍，且各該第三鍍層的厚度為該光束的波長的四分之一倍。
10. 如請求項9所述的電子裝置，其中該光束的波長為540奈米，該第一鍍層的厚度為135奈米，各該第二鍍層的厚度為135奈米，且各該第三鍍層的厚度為135奈米。
11. 一種電子裝置，包括： 一鏡頭；以及 一偏光模組，設置於該鏡頭的一入光側，其中該偏光模組包括相互堆疊的多個鍍層，該些鍍層具有多種折射率，且該些鍍層的層數介於20層至60層之間。

Images