TWI597568B - 用於光罩檢查系統的相位光柵 - Google Patents
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Description
本申請案根據35U.S.C.§119(e)規定主張2012年11月12日申請之U.S.臨時申請案第61/725,223號之權利。該U.S.臨時申請案第61/725,223號之全文以引用的方式併入本文中。
本發明大體上係關於光罩檢查之領域且特定言之係關於提供用於光罩檢查之相位光柵。
光罩檢查係檢查所製造光罩(例如，用於半導體裝置製造)之正確性之操作。定位光罩中之缺陷之現代技術係涉及掃描電子顯微鏡及其他先進工具之自動化系統。市場中用於光罩檢查之現有光學系統採用不足以解析低於22奈米節點之特徵及缺陷之193奈米或高於193奈米之紫外線。為解析低於22奈米節點之特徵及缺陷，需使用EUV(例如，13.5奈米)區域中較短波長之光。
雷射激發電漿(LPP)係用於極紫外(EUV)光罩檢查之一良好候選光源。LPP光源可使用氙作為燃料且使用近1030奈米之波長之Nd：YAG雷射作為驅動雷射。已觀察到，一小部分驅動雷射可進入檢查系統且引起足夠有害熱損害及影像光斑，因此其亮度需明顯降低。具有自幾奈米至1000奈米之波長之帶外輻射亦存在於光源中且需被抑制。
儘管存在可用之一些光譜純度濾光器(SPF)，然其等經開發以用於EUV微影術(其在Sn目標上使用波長係10.6微米之CO2雷射)。即，此等SPF方法未經特定開發以使用具有1030奈米光之氙LPP源進行光罩檢查且歸因於檢查與微影術之間雷射波長之顯著差異(例如相差十倍)及不同使用情況，現有SPF方法不適用於EUV光罩檢查。
需要提供不具有上述缺點之用於光罩檢查之相位光柵。
本發明係關於一近法線入射鏡上之相位光柵。該鏡包括：一基板；複數個連續基底雙層，其等定位於該基板上；及複數個光柵，其等定位於該複數個連續基底雙層上，其中該複數個光柵之各者係使用介於10與200個之間之雙層形成。
本發明之一額外實施例係關於一切線入射鏡上之相位光柵。該鏡包括：一基板；一連續Ru基層，其定位於該基板上；及複數個Ru光柵，其等定位於該連續Ru基層上，其中該等光柵之一深度係基於一入射角而判定。
本發明之一進一步實施例係關於一種鏡。該鏡包括：一基板，該基板具有界定複數個光柵之一光柵表面，其中該複數個光柵之各者具有大約(雷射波長)/4/cos(入射角)之一深度，該等光柵之一節距係介於5微米與1000微米之間之一預定值，且該等光柵之一佔空比係介於0.7與1.5之間之一預定值；及一塗覆層，其沈積於反射基板上，該塗覆層完全覆蓋整個光柵表面。
本發明之一進一步實施例係關於一種光罩檢查系統。該光罩檢查系統包含：一雷射，其經組態以驅動一EUV光源；一收集器，其經組態以收集EUV光且經由一照明模組將EUV光遞送至一EUV光罩；及一光感測器，其經組態以接收EUV光罩之成像。收集器及照明模組各包含具有相位光柵之至少一鏡。若該鏡係一法線入射鏡，則相位光柵
包含使用介於10與200個之間之雙層形成之複數個光柵。否則，若該鏡係一切線入射鏡，則相位光柵包含複數個Ru光柵。
應理解，前述一般描述及下列詳細描述僅係例示性及說明性且未必限制本發明。併入本說明書中且構成本說明書之一部分之隨附圖式繪示本發明之標的。該等描述及圖式一起用以解釋本發明之原理。
100‧‧‧極紫外線(EUV)光罩檢查系統
102‧‧‧雷射
104‧‧‧極紫外線(EUV)光源
106‧‧‧收集器
108‧‧‧中繼鏡
110‧‧‧均化器
112‧‧‧聚光鏡
114‧‧‧光罩
116‧‧‧物鏡
118‧‧‧光感測器
402‧‧‧基板
404‧‧‧基底Mo/Si雙層
406‧‧‧徑向光柵
902‧‧‧鏡
904‧‧‧鏡基板
906‧‧‧塗層
908‧‧‧頂層
1102‧‧‧基板
1104‧‧‧塗層
IF1‧‧‧中間點
IF2‧‧‧中間點
熟習此項技術者可藉由參考隨附圖式更佳地理解本發明之諸多優點，其中：圖1係描繪一光罩檢查系統之一方塊圖；圖2係描繪一法線入射鏡之一側視圖；圖3係具有複數個徑向光柵之法線入射鏡之一正視圖；圖4係具有複數個徑向光柵之法線入射鏡之一橫截面視圖；圖5係描繪圖1之光罩檢查系統之IF1處之射線覆蓋區(footprint)之一圖解；圖6係具有複數個平行光柵之一法線入射鏡之一正視圖；圖7係繪示光柵IR(1030奈米)抑制因子對頂部雙層之數目之相依性之一圖表，其中基底雙層之數目係37，節距係20奈米，佔空比係1，入射平面平行於溝槽，入射角係0°且Mo/Si雙層之週期係6.96奈米；圖8係繪示光柵IR(1030奈米)抑制因子對基底雙層之數目之相依性之一圖表，其中基底雙層之數目係37，節點係20奈米，佔空比係1，入射平面平行於溝槽，入射角係0°且Mo/Si雙層之週期係6.96奈米；圖9係描繪具有複數個光柵之一切線入射鏡之一圖解；圖10係圖9之切線入射鏡之一橫截面視圖；圖11係沈積於一光柵基板上之一塗層之一橫截面視圖；
圖12係具有一種以上類型之相位光柵之一鏡之一橫截面視圖；圖13展示光感測器上用以達成200透射比(13.5奈米/1030奈米)之薄膜Be及Zr塗層之實例；圖14係繪示在波長範圍約130奈米至約400奈米中之反射率抑制之一圖表；及圖15係繪示在波長範圍約130奈米至約400奈米中之反射率抑制之另一圖表。
現將詳細參考在隨附圖式中繪示之所揭示標的。
本發明係關於光譜純度濾光器或SPF，其等經設計以阻斷一EUV光罩檢查系統中之1030奈米驅動雷射及其他非所要之帶外光。在本發明中提供用於近法線入射及切線入射之不同相位光柵設計且該等設計經特定組態以用於EUV光罩檢查。
參考圖1，展示描繪一例示性EUV光罩檢查系統100之一方塊圖。在此實例中，藉由一雷射102驅動之EUV光源104藉由一收集器106聚焦，藉由一照明模組(包括一中繼鏡108、一均化器110及一或多個聚光鏡112)遞送至一EUV光罩114，EUV光罩114接著藉由一物鏡(包括M1至M4)116成像至一光感測器118。
根據本發明之一實施例，對用於光罩檢查目的之SPF之要求係自光源104散射至物鏡116之1030奈米光之強度需降低至1/50，且自光源104至光感測器118之1030奈米相對於13.5奈米光之相對強度需降低至1/2000。為遵守此等要求，不同相位光柵設計經提供且應用於光罩檢查系統100中之各種鏡。根據本發明，用於法線入射鏡之相位光柵設計經組態而不同於用於切線入射鏡之相位光柵設計。
大體上參考圖2至圖5，展示用於法線入射鏡之一相位光柵設計。更具體言之，圖1中描繪之收集器106在此處經展示以用於闡釋性
目的。
如圖2中所描繪，收集器106係一橢圓體之一部分且經組態以將來自電漿源之光聚焦至標記為IF1之一中間點。根據本發明，收集器106係一多層鏡，其包含一基板402及定位於該基板402之頂部上之多個基底Mo/Si雙層404。在一實施例中，Mo/Si雙層包含厚度係2.5奈米至3.5奈米之Mo層及厚度係4奈米至5奈米之Si層。在一實施例中，至少35個基底Mo/Si雙層404定位於基板402之頂部上以形成收集器106之基底。基板可由石英、金屬、玻璃、合金及類似物製成。可預期儘管圖2將收集器106展示為對稱於光學軸，然在不脫離本發明之精神及範疇之情況下，該收集器亦可由一橢圓體之偏軸部分製成。
如圖3及圖4中所描繪，複數個徑向光柵406定位於基底Mo/Si雙層404之頂部上。類似於基底Mo/Si雙層404，複數個徑向光柵406之各者亦係使用多個Mo/Si雙層形成。儘管Mo/Si雙層之數目可基於特定實施方案而變化，然模擬結果已指示各徑向光柵406應包含介於10個與200個之間之Mo/Si雙層。在驅動雷射之波長係1030奈米之一特定組態中，各徑向光柵406包含介於33個與43個之間之Mo/Si雙層。
可預期額外保護塗層可應用於光柵406。舉例而言，含有Ru、C、Pt、Pd、Au、Nb、Nb2O5、SiO2、TiO2或RuO2之一塗層(例如，大約2奈米厚)可沈積於各光柵406之頂部及/或基底(光柵406接觸基底404之處)上。然而，應理解在不脫離本發明之精神及範疇之情況下，此等保護塗層係選用的且用於塗層之特定材料可變化。
亦可預期光柵406以特定方式配置以最佳化效能。更具體言之，光柵之節距(圖4中指示為p)係介於5微米與1000微米之間且較佳介於10微米與200微米之間之一預定值。此外，光柵之佔空比(亦即，如圖4中表示之)亦係介於0.7與1.5之間且較佳介於0.9與1.1之間之一預
定值。如先前所提及，上文描述之光柵之配置經最佳化以用於具有近法線入射之鏡。
圖5係描繪光罩檢查系統100之IF1處之射線覆蓋區之一圖解。應注意非所要1030奈米之1階及高階藉由IF1處之一孔隙繞射及阻斷，該孔隙僅允許EUV及1030奈米之0階進入照明模組。根據本發明，藉由實施於收集器106上之相位光柵設計大幅抑制1030奈米光之0階。另一方面，EUV(例如，13.5奈米)區域中之波長具有自基底及頂部表面二者之良好反射，因此針對下游照明模組提供所要SPF。
可預期上述光柵406無需配置成一徑向/圓形圖案。在不脫離本發明之精神及範疇之情況下，光柵溝槽亦可形成如圖6中所展示之平行線圖案以及其他圖案(例如，以一偏軸徑向方式，不同平行區段之一組合或不同徑向區段之一組合)。
如先前所提及，模擬結果已指示對於1030奈米光，各徑向光柵406應包含介於10個與200個之間之Mo/Si雙層且較佳介於33個與43個之間之Mo/Si雙層。圖7展示光柵抑制因子對頂部雙層之數目之相依性。光柵抑制因子係定義為一空白Mo/Si多層對1030奈米光之反射率與相位光柵對1030奈米光之0階反射率之比。如可見，對於頂部雙層數目係37，紅外線(IR係1030奈米)抑制比係最大。頂部雙層數目亦定義光柵之深度。在法線入射之情況下，由自頂部雙層反射之IR光與自基底雙層反射之IR光之間之此深度引起之相移係，其引起相消干涉且因此最小化0階繞射。
類似地，模擬結果已指示對於1030奈米光，基底404應包含至少35個基底Mo/Si雙層。圖8展示光柵抑制因子對基底雙層之數目之相依性。如可見，對於高IR抑制比，基底雙層之數目需係至少35個以達成EUV光之高反射率。
可預期上文描述之相同光柵設計可應用於梯度多層以針對在0度與30度之間之範圍中之入射角達成高IR抑制比。在一實施例中，梯度多層經設計使得多層週期基於入射角而變化且大約遵循：多層週期=13.5奈米/2/cos(入射角)。此等梯度多層設計用於增大鏡對EUV光之總體反射率。此外，為達成高IR抑制因子，相位光柵之深度亦需隨著入射角而變化且大約遵循：光柵深度=(雷射波長)/4/cos(入射角)，或在100奈米至600奈米之範圍中。根據此設計，由於光柵深度等於頂部雙層之數目乘以多層週期，故針對介於0度與30度之間之一給定入射角範圍，頂部雙層之數目可跨整個鏡(上文實例中之收集器)保持相同。模擬結果亦指示基底雙層之數目及佔空比可相同以達成高IR抑制比。跨整個鏡/收集器保持相同光柵結構大幅簡化其製造程序且可在各種應用中得到重視。
可進一步預期儘管在上文描述中引用Mo/Si雙層，然在不脫離本發明之精神及範疇之情況下亦可利用包含其他替代材料之雙層。舉例而言，可利用EUV之任何高反射多層結構，包含(但不限於)Ru/Si、Ru/C、Mo/C、Si/C、La/B、La/B4C、Ru/B4C、Ti/B4C、LaN/B4C或LaN/B雙層。
現大體上參考圖9及圖10，展示切線入射鏡之一相位光柵設計。更具體言之，此一相位光柵設計可應用於圖1描繪之實例中之中繼鏡108或聚光鏡112。
如圖9中所描繪，鏡902可為一聚焦鏡以將一源影像中繼至另一影像。鏡基板904可包含具有良好熱傳輸效率且易於拋光以獲得極低表面粗糙度之材料，諸如玻璃、矽以及金屬。具有至少50奈米之一厚度之一基底塗覆層906(例如，Ru)係在基板904之頂部上。與906相同材料之一頂層908(其經蝕刻以形成光柵溝槽)係在基底塗覆層906之頂部上。
可預期頂層908以特定方式配置以便最佳化效能。更具體言之，光柵溝槽較佳保持平行於入射平面(如圖9中所繪示)。頂層908之厚度係大約(雷射波長)/4/cos(入射角)，且光柵之佔空比(底部/頂部寬度)係在0.7至1.5之間之範圍中。此外，光柵之節距係在5微米與1000微米之間且較佳在10微米與200微米之間之範圍中。此外，鏡902之入射角之典型範圍係66度至86度。模擬結果已指示此等配置大幅抑制以切線入射之1030奈米光之0階。
模擬結果已指示圖9及圖10中繪示之相位光柵設計對於不同入射角係有效的。如先前所提及，對於小節距，光柵深度及佔空比可變化以達成最大IR抑制比。對於20微米節距之光柵之實例，溝槽深度需經改變而遠離將引起半波長偏移(亦即，波長/4/cos(入射角)或在300奈米至5000奈米之範圍中)之深度，且佔空比需在1與1.3之間改變以達成最佳IR抑制比。藉由此最佳化，IR抑制比在自66度至86度之典型入射角範圍中可達成高於100。
亦可預期對於近法線入射鏡及切線入射鏡二者，光柵之節距常受限於鏡與中間焦點(IF1或IF2)之間之距離。舉例而言，若鏡與中間焦點之間之距離(l)係200毫米，則0階中間焦點與1階中間焦點之間之距離(a)係10毫米，節距需足夠小以將0階與1階分離。更特定言之，在一實施例中，光柵節距值基於而判定。在以上實例中，將節距判定為大約20微米。
現在應注意圖2至圖6以及圖9及圖10二者中所繪示之相位光柵設計描述塗覆基板上之光柵。可預期一替代方法係在光柵基板上提供塗層，如圖11中所繪示。如圖11中所描繪，基板1102係一光柵基板且一塗覆層1104施覆於光柵基板1102之頂部上。
可預期圖11中描繪之組態可經利用以針對法線入射鏡及/或切線
入射鏡二者提供相位光柵。舉例而言，對於一法線入射鏡，基板突出部可遵循與光柵深度(雷射波長)/4/cos(入射角)相同之厚度。針對一固定入射角，多層厚度在頂部及溝槽中係相同的。塗覆層1104可包含相同類型之Mo/Si雙層，且此等雙層之數目需係至少35個且可高達100個至200個。其他參數(包含節距、佔空比、塗層、依據入射角而變化之雙層厚度及類似物)可以相同於上述法線入射鏡之方式而組態。
類似地，圖11中描繪之組態亦可經利用以針對切線入射鏡提供相位光柵。舉例而言，基板突出部可遵循與光柵深度(雷射波長)/4/cos(入射角)相同之厚度。針對一固定入射角，塗覆層(例如，Ru)1104之厚度在頂部及溝槽中可相同。其他參數(包含節距、佔空比、依據入射角而變化之塗層厚度及類似物)可以相同於上述切線入射鏡之方式而組態。
現參考圖12，描繪一混合相位光柵設計。該混合相位光柵設計提供一種以上類型之光柵以抑制多個波長。舉例而言，光柵可具有兩個(或兩個以上)不同組件，一組件具有大節距及深深度以抑制一長波長且另一組件具有較小節距及較淺深度以抑制一較短波長。可預期光柵組件二者可併入法線入射鏡之相位光柵設計(如圖2至圖5中所描述)，或其二者可併入切線入射鏡之相位光柵設計(如圖9及圖10中所描述)。在某些例項中，兩個(或兩個以上)不同組件之一者可併入法線入射鏡之相位光柵設計且另一者可併入切線入射鏡之相位光柵設計。在不脫離本發明之精神及範疇可實施不同光柵設計之各組合。
除上述相位光柵設計外，亦可將塗層施覆至光感測器118(例如，一TDI感測器)以進一步改良EUV光罩檢查之效能。圖13展示光感測器118上之Be及Zr塗層之典型厚度。經發現，Be及Zr在阻斷1030奈米光方面最有效，同時吸收少量EUV光。舉例而言，若以200倍相對雷射/EUV強度抑制為目標而將薄膜塗層施覆於光感測器118上，則Be
之厚度需係約113奈米，Zr之厚度需係約92奈米，且EUV損耗係Be之情況下之16%或Zr之情況下之27%。
可預期上述光譜純度濾光器之全部三者或任二者(亦即，法線入射鏡上之光柵、切線入射鏡上之光柵及光感測器上之薄膜塗層)可經組合而以最小EUV損耗滿足SPF要求。
亦可預期除上文所引用之1030奈米雷射外，在自500奈米至2000奈米之波長範圍中之全部雷射可用作為具有足夠高雷射轉EUV轉換效率之氙EUV源之泵浦雷射。上述光柵設計可經相應調諧以抑制此等泵浦雷射。此外，上述光柵設計亦可應用於照明器中之其他鏡(例如，均化器及聚光器)以進一步抑制泵浦雷射。該等光柵設計亦可應用於此鏡以抑制在約130奈米至約400奈米波長範圍中之DUV輻射。
圖14展示使用上述法線入射鏡之相位光柵設計時自130奈米至1050奈米之經計算0階反射率。用於此模擬之特定光柵結構包含37個頂部雙層、37個基底雙層、介於0度與30度之間之入射角、光柵週期=6.9/cos(入射角)、節距=30*波長及佔空比=1。圖15展示使用上述切線入射鏡之相位光柵設計時自130奈米至1050奈米之經計算0階反射率。用於此模擬之特定光柵結構包含具有約5微米之一厚度之Ru塗層、光柵深度=1030/4/cos(入射角)、節距=30*波長及佔空比=1.05，其中入射平面平行於溝槽。
如圖14及圖15中所展示，相位光柵組態不僅提供約1030奈米之波長中之抑制，亦提供約130奈米至約400奈米波長範圍中之抑制。此外，可預期在不脫離本發明之精神及範疇之情況下，可修改上文計算中所使用之特定參數。
可進一步預期圖1中描繪之EUV光罩檢查系統僅係例示性。在不脫離本發明之精神及範疇之情況下，本發明中描述之光譜純度濾光方法可應用於可不同於圖1中描繪之系統之EUV光罩檢查系統。
所揭示方法可透過一單一生產裝置及/或多個生產裝置實施為指令集。進一步言之，應理解所揭示方法中之步驟之特定順序及階層係例示性途徑之實例。基於設計偏好，應理解該方法中之步驟之特定順序及階層可經重新配置同時保持在本發明之精神及範疇內。隨附方法申請專利範圍以一樣本順序呈現各個步驟之要素且不一定意欲限於所呈現之特定順序或階層。
咸信，藉由先前描述將理解本發明之系統及方法以及其諸多附帶優點，且將明白在不脫離所揭示標的之情況下或在不犧牲所有其之材料優點之情況下，可在組件之形式、構造及配置方面做出各種改變。所描述之形式僅係闡釋性。
Claims (37)
- 一種在一鏡上之相位光柵，其包括：一基板；複數個連續基底雙層，其等定位於該基板上；及複數個光柵，其等定位於該複數個連續基底雙層上，其中該複數個光柵之一深度係近似(雷射波長)/4/cos(入射角)。
- 如請求項1之相位光柵，其中該等連續基底雙層及該複數個光柵係使用Mo/Si雙層、Ru/Si雙層、Ru/C雙層、Mo/C雙層、Si/C雙層、La/B雙層、La/B4C雙層、Ru/B4C雙層、Ti/B4C雙層、LaN/B4C雙層或LaN/B雙層之至少一者形成。
- 如請求項1之相位光柵，其中該複數個光柵之各者係使用介於10個與200個之間之雙層形成。
- 如請求項1之相位光柵，其中該等光柵以一平行方式、一徑向方式、一偏軸徑向方式、不同平行區段之一組合、不同徑向區段之一組合或平行區段與徑向區段之一組合之至少一者而配置。
- 如請求項1之相位光柵，其中該複數個光柵之一節距係介於5微米與1000微米之間之一預定值。
- 如請求項1之相位光柵，其中該等光柵之一佔空比係介於0.7與1.5之間之一預定值。
- 如請求項1之相位光柵，其中該等光柵之該深度係介於100奈米與600奈米之間。
- 如請求項1之相位光柵，其進一步包括：沈積於該複數個光柵之各者上含有Ru、C、Pt、Pd、Au、Nb、Nb2O5、SiO2、TiO2或RuO2之至少一者之一塗層。
- 一種在一鏡上之相位光柵，其包括： 一基板；一連續Ru基底層，其定位於該基板上，該連續Ru基底層具有至少近似50奈米之一厚度；及複數個Ru光柵，其等定位於該連續Ru基底層上，其中該等光柵之一深度係基於一入射角而判定。
- 如請求項9之相位光柵，其中該等Ru光柵經配置以近似平行於入射平面。
- 如請求項9之相位光柵，其中該等光柵之一節距係介於5微米與1000微米之間。
- 如請求項9之相位光柵，其中該等光柵之一佔空比係介於0.7與1.5之間。
- 如請求項9之相位光柵，其中該等光柵之該深度係介於300奈米與5000奈米之間。
- 一種用於光罩檢查之鏡，其包括：一基板，該基板具有界定複數個光柵之一光柵表面，其中該複數個光柵之各者具有近似(雷射波長)/4/cos(入射角)之一深度，該等光柵之一節距係介於5微米與1000微米之間之一預定值，且該等光柵之一佔空比係介於0.7與1.5之間之一預定值；及一塗覆層，其沈積於該反射基板上，該塗覆層覆蓋整個光柵表面。
- 如請求項14之鏡，其中該雷射波長係在介於500奈米與2000奈米之間之一範圍中。
- 如請求項14之鏡，其中該入射角係介於0度與30度之間。
- 如請求項16之鏡，其中該塗覆層係使用介於10個與200個之間之雙層形成，該等雙層使用Mo/Si雙層、Ru/Si雙層、Ru/C雙層、Mo/C雙層、Si/C雙層、La/B雙層、La/B4C雙層、Ru/B4C雙層、 Ti/B4C雙層、LaN/B4C雙層或LaN/B雙層之至少一者形成。
- 如請求項16之鏡，其中該等光柵以一平行方式、一徑向方式、一偏軸徑向方式、不同平行區段之一組合、不同徑向區段之一組合或平行區段與徑向區段之一組合之至少一者而配置。
- 如請求項14之鏡，其中該入射角係介於66度與86度之間。
- 如請求項19之鏡，其中該塗覆層係使用Ru形成。
- 如請求項19之鏡，其中該等光柵經配置以平行於入射平面。
- 一種光罩檢查系統，其包括：一雷射，其經組態以驅動一EUV光源；一收集器，其經組態以收集該EUV光且經由一照明模組將該EUV光遞送至一EUV光罩；一光感測器，其經組態以接收該EUV光罩之成像；其中該收集器及該照明模組各包含至少一鏡，該至少一鏡具有相位光柵以抑制非所要輻射；其中在該至少一鏡之一入射角係介於0度與30度之間之情況下，該相位光柵包含複數個光柵，該複數個光柵之各者具有近似(雷射波長)/4/cos(入射角)之一深度。
- 如請求項22之光罩檢查系統，其中該複數個光柵之各者係使用Mo/Si雙層、Ru/Si雙層、Ru/C雙層、Mo/C雙層、Si/C雙層、La/B雙層、La/B4C雙層、Ru/B4C雙層、Ti/B4C雙層、LaN/B4C雙層或LaN/B雙層之至少一者形成。
- 如請求項22之光罩檢查系統，其中該雷射係在介於500奈米與2000奈米之間之一波長範圍中。
- 如請求項22之光罩檢查系統，其中在該至少一鏡之該入射角係介於0度與30度之間之情況下，該等光柵以一平行方式、一徑向方式、一偏軸徑向方式、不同平行區段之一組合、不同徑向區 段之一組合或平行區段與徑向區段之一組合之至少一者而配置。
- 如請求項22之光罩檢查系統，其中在該至少一鏡之該入射角係介於66度與86度之間之情況下，該相位光柵包含經配置以平行於入射平面的複數個Ru光柵。
- 如請求項22之光罩檢查系統，其中該等光柵之一節距係介於5微米與1000微米之間之一預定值，且該等光柵之一佔空比係介於0.7與1.5之間之一預定值。
- 如請求項22之光罩檢查系統，其中該相位光柵經組態以同時抑制雷射及UV光。
- 如請求項22之光罩檢查系統，其中該至少一鏡進一步經組態以具有至少兩種類型之相位光柵。
- 如請求項22之光罩檢查系統，其中該光感測器塗覆有一薄膜塗層。
- 如請求項30之光罩檢查系統，其中該光感測器上之該薄膜塗層包含Be及Zr之至少一者。
- 一種在一鏡上之相位光柵，其包括：一基板；複數個連續基底雙層，其等定位於該基板上；及複數個光柵，其等定位於該複數個連續基底雙層上，其中該複數個光柵之各者係使用數個雙層形成，其中該複數個光柵之一深度係近似(雷射波長)/4/cos(入射角)。
- 如請求項32之相位光柵，其中該數個光柵之各者包含介於10個與200個之間之雙層，且其中該等連續基底雙層及該複數個光柵係使用Mo/Si雙層、Ru/Si雙層、Ru/C雙層、Mo/C雙層、Si/C雙層、La/B雙層、La/B4C雙層、Ru/B4C雙層、Ti/B4C雙層、 LaN/B4C雙層或LaN/B雙層之至少一者形成。
- 如請求項32之相位光柵，其中該等光柵之一節距係介於5微米與1000微米之間之一預定值。
- 如請求項32之相位光柵，其中該等光柵之一佔空比係介於0.7與1.5之間之一預定值。
- 如請求項32之相位光柵，其中該雷射波長係在介於500奈米與2000奈米之間之一範圍中。
- 如請求項32之相位光柵，其進一步包括：沈積於該數個光柵之各者上含有Ru、C、Pt、Pd、Au、Nb、Nb2O5、SiO2、TiO2或RuO2之至少一者之一塗層。
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