KR101903518B1 - 스침 입사 반사기, 리소그래피 장치, 스침 입사 반사기 제조 방법, 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

스침 입사 반사기, 리소그래피 장치, 스침 입사 반사기 제조 방법, 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

EUV 방사선에 대한 스침 입사 반사기(300)는 제 1 거울층(310), 및 제 1 거울층 밑의 다층 거울 구조체(320)를 포함한다. 제 1 거울층은 제 1 범위 내의 스침 입사각들로 반사기 상에 입사하는 EUV 방사선을 적어도 부분적으로 반사시키고, 제 1 거울층은 제 1 범위의 입사각들과 겹치고 이를 넘어서 확장되는 제 2 범위의 입사각들에서의 EUV 방사선을 투과시킨다. 다층 거울 구조체는 제 2 범위 내의 스침 입사각들로 반사기 상에 입사하고 제 1 거울층을 통해 관통하는 EUV 방사선을 반사시킨다. 스침 입사 반사기가 리소그래피 장치에서, 및 리소그래피 공정에 의해 디바이스를 제조하는 데 사용될 수 있다.

Description

스침 입사 반사기, 리소그래피 장치, 스침 입사 반사기 제조 방법, 및 디바이스 제조 방법{GRAZING INCIDENCE REFLECTOR, LITHOGRAPHIC APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING GRAZING INCIDENCE REFLECTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING A DEVICE}
관련 출원들에 대한 원용
본 출원은 2011년 2월 24일 출원된 US 가출원 61/446,257의 이익을 주장하며, 이는 본 명세서에서 그 전문이 인용참조된다.
본 발명은 광학 요소들에 관한 것으로, 특히 스침 입사 반사기(grazing incidence reflector)들에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 반사기를 포함한 리소그래피 장치, 스침 입사 반사기 제조 방법들, 및 EUV 리소그래피에 의한 제품 제조 방법들에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조 시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 다이의 부분, 한 개 또는 수 개의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다.
리소그래피는 IC, 및 다른 디바이스 및/또는 구조체의 제조 시 주요한 단계들 중 하나로서 폭넓게 인식된다. 하지만, 리소그래피를 이용하여 구성되는 피처들의 치수들이 더 작아짐에 따라, 리소그래피는 소형 IC 또는 다른 디바이스들 및/또는 구조체들이 제조될 수 있게 하는 데 더 결정적인 인자(critical factor)가 되고 있다.
패턴 프린팅의 한계들의 이론적 추산은 수학식 (1)에 나타낸 바와 같은 분해능에 대한 레일리 기준(Rayleigh criterion)에 의해 설명될 수 있다:
Figure 112013083512502-pct00001
이때, λ는 사용되는 방사선의 파장이고, NA는 패턴을 프린트하는 데 사용되는 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)이며, k1은 레일리 상수라고도 칭하는 공정 의존성 조정 인자(process dependent adjustment factor)이고, CD는 프린트된 피처의 피처 크기(또는 임계 치수)이다. 수학식 (1)에 따르면, 피처들의 프린트가능한 최소 크기의 감소는 세 가지 방식으로: 즉, 노광 파장 λ를 단축함으로써, 개구수 NA를 증가시킴으로써, 또는 k1의 값을 감소시킴으로써 얻어질 수 있다.
노광 파장을 단축하고, 이에 따라 프린트가능한 최소 크기를 감소시키기 위해, 극자외(EUV) 방사선 소스를 사용하는 것이 제안되었다. EUV 방사선은 5 내지 20 nm의 범위, 예를 들어 13 내지 14 nm의 범위 내의 파장을 갖는 전자기 방사선이다. 또한, 10 nm보다 짧은 파장, 예를 들어 6.7 nm 또는 6.8 nm와 같이 5 내지 10 nm의 범위 내의 파장을 갖는 EUV 방사선이 사용될 수 있음이 제안되었다. 이러한 방사선은 극자외 방사선 또는 연질 X선(soft x-ray) 방사선이라고 칭해진다. 가능한 소스들로는, 예를 들어 레이저-생성 플라즈마 소스, 방전 플라즈마 소스, 또는 전자 저장 링에 의해 제공되는 싱크로트론 방사선(synchrotron radiation)에 기초한 소스들을 포함한다.
EUV 방사선은 플라즈마를 이용하여 생성될 수 있다. EUV 방사선을 생성하는 방사선 시스템은 플라즈마를 제공하도록 연료를 여기(excite)시키는 레이저, 및 플라즈마를 수용하는 소스 컬렉터 모듈을 포함할 수 있다. 플라즈마는, 예를 들어 Xe 가스 또는 Li 증기와 같은 적절한 가스 또는 증기의 스트림, 또는 적절한 재료(예를 들어, 주석)의 입자들과 같은 연료에 레이저 빔을 지향함으로써 생성될 수 있다. 결과적인 플라즈마는 출력 방사선(output radiation), 예를 들어 EUV 방사선을 방출하고, 이는 방사선 컬렉터를 이용하여 수집된다. 방사선 컬렉터는 거울로 이루어진 수직 입사 방사선 컬렉터(mirrored normal incidence radiation collector)일 수 있으며, 이는 방사선을 수용하고 방사선을 빔으로 포커스한다. 소스 컬렉터 모듈은 플라즈마를 지지하기 위해 진공 환경을 제공하도록 배치된 포위 구조체(enclosing structure) 또는 챔버를 포함할 수 있다. 이러한 방사선 시스템은 전형적으로 레이저 생성 플라즈마(LPP) 소스라고 칭해진다.
리소그래피 장치와 같은 EUV 광학 시스템들은 수직 입사 반사기들(평면 또는 곡면 거울들) 및 스침 입사 반사기들을 모두 포함할 수 있다. 자체로 우수한 EUV 방사선 반사기를 형성하는 재료는 존재하지 않으므로, 수직 입사 거울들이 수십 쌍의 상이한 재료들의 교번층들을 갖는 다층 구조체로서 구성되어야 하며, 이 구성 및 두께들은 반사될 방사선의 파장에 대해 정밀하게 조절된다. 또한, 층 두께들(이에 따른 다층 반복 구조의 주기)은 방사선의 입사각에 관하여 설정되어야 한다. 반면에, 스침 입사 반사기들은 훨씬 더 단순한 구조, 통상적으로는 예를 들어 루테늄(Ru)의 단일 거울 표면층을 갖는다. 두 타입들의 반사기에서의 EUV 파장의 반사율들은 이미 더 긴 파장들에서의 반사기들에 비해 낮으며, 이는 통상적인 EUV 리소그래피 시스템이 수 개의 거울들을 가질 수 있기 때문에 특수한 문제이다. 예를 들어, EUV 리소그래피 시스템은 9 개의 거울들: 즉, 조명 광학기에서 2 개, 이미징 광학기에서 6 개, 및 반사 마스크를 가질 수 있다. 그러므로, 단일 거울의 최고 반사율(peak reflectance)에서의 1 %의 작은 감소조차도 광학 시스템에서 상당한 광 스루풋(light throughput) 감소를 야기할 것임이 분명하다.
스침 입사 반사기의 반사율은 입사각이 수직을 향해 커짐에 따라 현저하게 감소한다. 본 발명의 리소그래피 장치에서의 방사선 파장은 약 13.5 nm이고, Ru 층은 약 25 도의 입사각까지만 입사 방사선의 50 %를 반사시킨다(이때, 0 도가 반사기 표면에 평행함을 의미함). 더 높은 개구수 소스들을 활용하기 위해서는, 이 각도를 몇 도라도 증가시킬 수 있는 것이 중요할 것이다. 더 짧은 방사선 파장, 예를 들어 약 6.7 nm를 갖는 장래 시스템들에 대해, 스침 입사 거울의 반사율은 스침 입사각의 증가와 함께 훨씬 더 신속하게 감소한다는 것이 발견되었다. 또한, 허용각(acceptance angle)을 몇 도라도 증가시킬 수 있다면, 이러한 시스템들에서 달성가능한 성능 및 효율성에 크게 기여할 것이다.
확장된 각도 허용(extended angular acceptance) 및 높은 반사율을 갖는 스침 입사 반사기를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, EUV 방사선에 대한 스침 입사 반사기가 제공된다. 스침 입사 반사기는 제 1 거울층, 및 제 1 거울층 밑의 다층 거울 구조체를 포함한다. 제 1 거울층은 제 1 범위의 스침 입사각들로 반사기에 입사하는 EUV 방사선을 적어도 부분적으로 반사시키고, 제 1 범위의 입사각들과 겹치고 이를 넘어서 확장되는 제 2 범위의 입사각들에서의 EUV 방사선을 투과시키도록 구성된다. 다층 거울 구조체는 상기 제 2 범위의 스침 입사각들로 반사기에 입사하고 제 1 거울층을 관통하는 EUV 방사선을 반사시키도록 구성된다. 일 예시로서, 제 1 거울층은 20 nm보다 얇은 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 스침 입사 반사기는 제 1 거울층의 최상부 상에 제 2 거울층을 더 포함할 수 있다. 제 2 거울층은 제 1 범위의 각도들 내에 있는 제 3 범위의 스침 입사각들을 갖는 EUV 방사선에 향상된 반사율을 제공하도록 구성된다. 일 예시로서, 제 2 거울층은 10 nm보다 얇은 두께를 가질 수 있으며, 0 도로부터 10 도 미만까지 확장되는 스침 입사각들의 범위에 걸쳐 40 %보다 큰, 가능하게는 50 %를 넘는 반사율을 갖는다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 제 1 거울층은 제 2 범위의 스침 입사각들을 갖는 EUV 방사선에 향상된 반사율을 제공하기 위해 다층 거울 구조체의 표면의 일부분만을 차지할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 스침 입사 반사기는 5 내지 10 nm, 특히 6 내지 7 nm 범위, 및 예를 들어 6.5 nm 내지 6.8 nm 범위 내의 EUV 파장들에서의 작동을 위해 구성될 수 있다.
일 예시에서, 제 1 거울층은 15 내지 17 nm 범위 내의 두께를 가질 수 있고, ThO2로 만들어질 수 있으며, 0 도보다 크고 12 도보다 작은 제 1 범위의 스침 입사각들에 걸쳐 40 %보다 큰 반사율을 갖는다.
또 다른 예시에서, 제 2 범위의 스침 입사각들은 12 도보다 크거나 이와 같을 수 있으며, 14 도보다 작거나 이와 같을 수 있다. 다층 거울 구조체는 다수의 적층 요소(laminated element)들로 형성될 수 있다. 각각의 적층 요소는 제 1 서브-유닛, 및 제 1 서브-유닛의 최상부 상의 제 2 서브-유닛을 가질 수 있다. 제 2 서브-유닛은 제 1 서브-유닛보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다.
또 다른 예시에서, 제 1 서브-유닛 및 제 2 서브-유닛의 재료들은 Th, La, U, B, 중금속 원소의 질화물, 산화물, 붕화물, 불화물, 및 경원소의 탄화물의 그룹으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 스침 입사 반사기는 13 내지 14 nm 범위, 예를 들어 13.5 nm의 EUV 파장에서의 작동을 위해 구성된다.
일 예시에서, 제 1 거울층은 15 내지 17 nm 범위 내의 두께를 가질 수 있고, Ru로 만들어질 수 있으며, 0 도보다 크고 25 도보다 작은 제 1 범위의 스침 입사각들에 걸쳐 40 %보다 큰, 가능하게는 50 %를 넘는 반사율을 갖는다.
또 다른 예시에서, 제 2 범위의 스침 입사각들은 25 도보다 크거나 이와 같고, 30 도보다 작거나 이와 같을 수 있다. 다층 거울 구조체는 다수의 적층 요소들로 형성될 수 있으며, 각각의 적층 요소는 제 1 서브-유닛, 및 제 1 서브-유닛의 최상부 상의 제 2 서브-유닛을 갖고, 제 2 서브-유닛은 제 1 서브-유닛보다 낮은 굴절률을 갖는다.
또 다른 예시에서, 제 1 서브-유닛 및 제 2 서브-유닛의 재료들은 Mo, Si, Ru, 및 다이아몬드-유사 탄소(diamond-like carbon)의 그룹으로부터 선택된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 최대 반사율의 스침 입사각들이 다층 거울 구조체에 걸쳐 변화되도록, 다층 거울 구조체의 주기(period) 및 구성 중 적어도 하나가 다층 거울 구조체에 걸쳐 변화된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 앞서 설명된 스침 입사 반사기를 포함한 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 극자외(EUV) 방사선을 반사시키도록 구성된 스침 입사 반사기를 제조하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 다층 거울 구조체의 최상부 상에 제 1 거울층을, 그리고 중간 구조체의 최상부 상에 표면 구조체를 증착하는 단계를 포함한다. 제 1 거울층은 제 1 범위의 스침 입사각들로 반사기에 입사하는 EUV 방사선을 적어도 부분적으로 반사시키고, 제 1 범위의 입사각들과 겹치고 이를 넘어서 확장되는 제 2 범위의 입사각들에서의 EUV 방사선을 투과시키도록 구성된다. 다층 거울 구조체는 상기 제 2 범위의 스침 입사각들로 반사기에 입사하고 제 1 거울층을 관통하는 EUV 방사선을 반사시키도록 구성된다.
본 발명의 또 다른 실시예에서, 리소그래피 공정에 의해 디바이스를 제조하는 방법이 제공된다. 상기 방법은: 조명 시스템을 통해 EUV 소스로부터의 EUV 방사선으로 패터닝 디바이스를 조명하는 단계; 및 투영 시스템을 통해 상기 EUV 방사선의 투영에 의하여 기판 상으로 패터닝 디바이스의 이미지를 투영하는 단계를 포함한다. 상기 방법에서, 조명 시스템 및 투영 시스템 중 적어도 하나는 앞서 설명된 스침 입사 반사기를 포함한다.
첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명의 다양한 실시예들의 구조 및 작동뿐만 아니라, 본 발명의 다양한 특징들 및 장점들이 아래에서 상세하게 설명된다. 본 발명은 본 명세서에서 설명되는 특정한 실시예들에 제한되지 않는다. 이러한 실시예들은 본 명세서에서 단지 예시적인 목적으로만 제시된다. 당업자라면, 본 명세서에 포함되는 정보(teaching)에 기초하여 추가적인 실시예들을 분명히 알 것이다.
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 예시적인 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2는 도 1에 나타낸 장치(100)를 더 상세하게 나타내는 도면;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 예시적인 스침 입사 반사기를 도시하는 도면;
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 예시적인 스침 입사 반사기를 도시하는 도면;
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 예시적인 스침 입사 반사기를 도시하는 도면;
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 예시적인 스침 입사 반사기를 도시하는 도면;
도 7은 반사율(R)에 대한 EUV 방사선 스침 입사각들(θ 도)을 갖는 6.7 nm 파장의 EUV 방사선에 대한 시뮬레이션 플롯;
도 8은 반사율(R)에 대한 EUV 방사선 스침 입사각들(θ 도)을 갖는 13.5 nm 파장의 EUV 방사선에 대한 또 다른 시뮬레이션 플롯;
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 예시적인 스침 입사 반사기를 도시하는 도면;
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 스침 입사 반사기의 예시적인 다층 거울 구조체를 예시하는 도면; 및
도 11은 입사각들(θ)의 함수로서 다층 거울 구조체의 주기(h)의 시뮬레이션 플롯이다.
동일한 참조 기호들이 대응하는 요소들을 전부 식별하는 도면들에 관련하여 아래에서 설명되는 상세한 설명으로부터 본 발명의 특징들 및 장점들을 더 이해하게 될 것이다. 도면들에서 동일한 참조 번호들은 일반적으로 동일하거나 기능적으로 유사한, 및/또는 구조적으로 유사한 요소들을 나타낸다. 요소가 처음 나타나는 도면은 대응하는 참조 번호의 맨 앞자리 수(들)에 의해 나타내어진다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 소스 컬렉터 모듈(SO)을 포함하는 리소그래피 장치(100)를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:
- 방사선 빔(B)(예를 들어, EUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL);
- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크 또는 레티클)(MA)를 지지하도록 구성되고, 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT);
- 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 반사 투영 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체(MT)는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스(MA)를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다.
"패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는 데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입들, 및 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
조명 시스템과 같은 투영 시스템은, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 타입의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다. 가스들이 너무 많은 방사선을 흡수할 수 있기 때문에, EUV 방사선에 대해 진공을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 그러므로, 진공 벽 및 진공 펌프들의 도움으로 전체 빔 경로에 진공 환경이 제공될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성된다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 소스 컬렉터 모듈(SO)로부터 극자외 방사선 빔을 수용한다. EUV 광을 생성하는 방법들은 EUV 범위 내의 1 이상의 방출선을 갖는 적어도 1 이상의 원소, 예를 들어 크세논, 리튬 또는 주석을 갖는 재료를 플라즈마 상태로 전환하는 단계를 포함하며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 흔히 레이저 생성 플라즈마("LPP")라고 칭하는 이러한 한 방법에서, 요구되는 플라즈마는 요구되는 선-방출 원소를 갖는 재료의 액적(droplet), 스트림 또는 클러스터와 같은 연료를 레이저 빔으로 조사함으로써 생성될 수 있다. 소스 컬렉터 모듈(SO)은 연료를 여기시키는 레이저 빔을 제공하는 레이저(도 1에 나타내지 않음)를 포함한 EUV 방사선 시스템의 일부분일 수 있다. 결과적인 플라즈마는 출력 방사선, 예를 들어 EUV 방사선을 방출하며, 이는 소스 컬렉터 모듈에 배치된 방사선 컬렉터를 이용하여 수집된다. 예를 들어, CO2 레이저가 연료 여기에 대한 레이저 빔을 제공하는 데 사용되는 경우, 상기 레이저 및 소스 컬렉터 모듈은 별도의 개체일 수 있다.
이러한 경우, 상기 레이저는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템의 도움으로, 레이저로부터 소스 컬렉터 모듈로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 흔히 DPP 소스라고 칭하는 방전 생성 플라즈마 EUV 발생기인 경우, 상기 소스는 소스 컬렉터 모듈의 통합부일 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 패싯 필드(facetted field) 및 퓨필 거울 디바이스들과 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면이 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 컨디셔닝하는 데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)로부터 반사된 후, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상으로 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(PS2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(PS1)는 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 정확히 위치시키는 데 사용될 수 있다. 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다.
2. 스캔 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다.
3. 또 다른 모드에서, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2는 소스 컬렉터 모듈(SO), 조명 시스템(IL), 및 투영 시스템(PS)을 포함하는 장치(100)를 더 상세하게 나타낸다. 소스 컬렉터 모듈(SO)은, 소스 컬렉터 모듈(SO)의 포위 구조체(220) 내에 진공 환경이 유지될 수 있도록 구성되고 배치된다. EUV 방사선 방출 플라즈마(210)가 방전 생성 플라즈마 소스에 의해 형성될 수 있다. EUV 방사선은 전자기 스펙트럼의 EUV 범위 내의 방사선을 방출하도록 초고온 플라즈마(very hot plasma: 210)가 생성되는 가스 또는 증기, 예를 들어 Xe 가스, Li 증기 또는 Sn 증기에 의해 생성될 수 있다. 초고온 플라즈마(210)는, 예를 들어 전기적 방전에 의해 적어도 부분적으로 이온화된 플라즈마를 발생시킴으로써 생성된다. 방사선의 효율적인 발생을 위해, Xe, Li, Sn 증기 또는 여하한의 다른 적절한 가스 또는 증기의, 예를 들어 10 Pa의 분압(partial pressure)이 필요할 수 있다. 일 실시예에서, EUV 방사선을 생성하기 위해 여기된 주석(Sn)의 플라즈마가 제공된다.
초고온 플라즈마(210)에 의해 방출된 방사선은, 소스 챔버(source chamber: 211)의 개구부(opening) 내에 또는 그 뒤에 위치되는 선택적인 가스 방벽 또는 오염물 트랩(contaminant trap: 230)(몇몇 경우에는, 오염물 방벽 또는 포일 트랩이라고도 함)을 통해, 소스 챔버(211)로부터 컬렉터 챔버(collector chamber: 212) 내로 통과된다. 오염물 트랩(230)은 채널 구조체를 포함할 수 있다. 또한, 오염물 트랩(230)은 가스 방벽, 또는 가스 방벽과 채널 구조체의 조합을 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에 나타낸 오염물 트랩 또는 오염물 방벽(230)은 적어도 당업계에 알려진 채널 구조체를 포함한다.
컬렉터 챔버(212)는 소위 스침 입사 컬렉터일 수 있는 방사선 컬렉터(CO)를 포함할 수 있다. 방사선 컬렉터(CO)는 상류 방사선 컬렉터 측(251) 및 하류 방사선 컬렉터 측(252)을 갖는다. 컬렉터(CO)를 가로지른 방사선은 격자 스펙트럼 필터(grating spectral filter: 240)로부터 반사되어 가상 소스 지점(virtual source point: IF)에 포커스될 수 있다. 가상 소스 지점(IF)은 통상적으로 중간 포커스라고 칭해지며, 소스 컬렉터 모듈은 중간 포커스(IF)가 포위 구조체(220)에서의 개구부(221)에 또는 그 부근에 위치되도록 배치된다. 가상 소스 지점(IF)은 방사선 방출 플라즈마(210)의 이미지이다.
후속하여, 방사선은 조명 시스템(IL)을 가로지르며, 이는 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 세기의 원하는 균일성뿐 아니라, 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 빔(21)의 원하는 각도 분포를 제공하도록 배치된 패싯 필드 거울 디바이스(22) 및 패싯 퓨필 거울 디바이스(24)를 포함할 수 있다. 지지 구조체(MT)에 의해 유지되어 있는 패터닝 디바이스(MA)에서의 방사선 빔(21)의 반사 시, 패터닝된 빔(26)이 형성되고, 패터닝된 빔(26)은 투영 시스템(PS)에 의하여 반사 요소들(28, 30)을 통해 웨이퍼 스테이지 또는 기판 테이블(WT)에 의해 유지되어 있는 기판(W) 상에 이미징된다.
일반적으로, 나타낸 것보다 더 많은 요소들이 조명 광학기 유닛(IL) 및 투영 시스템(PS) 내에 존재할 수 있다. 격자 스펙트럼 필터(240)는 리소그래피 장치의 타입에 따라 선택적으로 존재할 수 있다. 또한, 도면들에 나타낸 것보다 더 많은 거울들이 존재할 수 있으며, 예를 들어 도 2에 나타낸 것보다 1 내지 6 개의 추가 반사 요소들이 투영 시스템(PS) 내에 존재할 수 있다.
도 2에 나타낸 컬렉터 광학기(CO)는 컬렉터(또는 컬렉터 거울)의 일 예시에 불과할 뿐이지만 스침 입사 반사기들(253, 254 및 255)을 갖는 네스티드 컬렉터(nested collector)로서 도시된다. 스침 입사 반사기들(253, 254 및 255)은 광학 축선(O) 주위에 축대칭으로 배치되며, 이 타입의 컬렉터 광학기(CO)는 바람직하게는 흔히 DPP 소스라고 하는 방전 생성 플라즈마 소스와 조합하여 사용된다.
대안적으로, 소스 컬렉터 모듈(SO)은 도 3에 나타낸 LPP 방사선 시스템의 일부분일 수 있다. 레이저(LA)가 크세논(Xe), 주석(Sn) 또는 리튬(Li)과 같은 연료에 레이저 에너지를 축적(deposit)하도록 배치되어, 수십 eV의 전자 온도를 갖는 고이온화 플라즈마(highly ionized plasma: 210)를 생성한다. 이 이온들의 하방천이(de-excitation) 및 재결합(recombination) 동안 발생된 강력한 방사선은 플라즈마로부터 방출되어, 근수직 입사 컬렉터 광학기(near normal incidence collector optic: CO)에 의해 수집되고, 포위 구조체(220)의 개구부(221) 상에 포커스된다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트를 벗어나 이동하며, 레지스트가 경화된 후에는 그 안에 패턴이 남는다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 언급할 수 있다. EUV 리소그래피에서, 광학 요소들은 일반적으로 반사형이다. 편의상 '거울'이라는 용어가 '반사기'를 대신하여 사용될 수 있다. 의미에 있어서 어떠한 차이도 의도되지 않는다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 예시적인 스침 입사 반사기(300)를 나타낸다. 상기 반사기(300)는 극자외 방사선에서의 작동을 위해 구성된다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 스침 입사 반사기(300)는 기판(330) 상에 형성된 다층 거울 구조체(320) 및 제 1 거울층(310)을 포함한다.
제 1 거울층(310)은 제 1 범위 내의 스침 입사로 EUV 방사선(340)을 반사시키도록 구성된다. 본 예시들에 대한 방사선은 약 13.5 nm의 파장을 가질 수 있다. 예시적인 일 실시예에서, 제 1 거울층(310)은 20 nm보다 얇은 두께를 갖는다. 다층 거울 구조체(320)는 제 1 거울층(310) 밑에 놓인다. EUV 방사선(340)이 제 2 범위의 스침 입사각들 내의 스침 입사각들로 반사기(300) 상에 입사하는 경우, EUV 방사선(340)은 제 1 거울층(310)을 관통할 수 있다. 다층 거울 구조체(320)는 제 1 거울층(310)을 관통하는 EUV 방사선(340)을 반사시키도록 구성된다. 예를 들어, Mo/Si의 교번층들로부터의 이러한 구조체들의 디자인이 당업계에 알려져 있다. 본 실시예에서의 적용을 위해, 구조체 내의 층들의 구성 및 주기는 제 2 범위의 각도들 내에서의 스침 입사각들을 위해 선택(조절)된다. 제 2 범위의 스침 입사각들은 제 1 범위의 입사각들과 겹치고 이를 넘어서 확장된다. 다층 구조체의 주기는 각각의 반복 단위의 높이를 칭하며, 나노미터로 측정될 수 있다. EUV 파장에서의 스침 입사 반사기들에 대해, 주기는 예를 들어 수십 나노미터일 수 있다. 다층 구조체의 구성은 교번층들에 대한 재료들의 선택, 및 재료들의 두께 비를 칭한다. 비(Γ)는 일반적으로 층 쌍의 전체 두께(즉, 주기)에 대한 층들 중 하나의 두께 비로서 정의된다. 따라서, Γ=0.3인 Mo/Si 다층은 28 nm의 Si 층과 교번하는 12 nm의 Mo 층을 포함할 수 있다.
본 명세서에서, '스침 입사각' 또는 '입사각'이라는 용어는 거울 표면의 입사점에 대하여 접평면에 대한 각도를 의미한다. 나타낸 예시들(모두 평면 거울들임)에서, 0 입사각은 표면에 평행하게 진행하는 광선을 언급한다. 도 3에서, 예시적인 스침 입사각들(α 및 β)은 각각 제 1 거울층(310) 및 다층 거울 구조체(320)에 대해 도시된다. 스침 입사각 α는 제 1 범위의 스침 입사각이다. 스침 입사각 β는 제 2 범위의 스침 입사각이다.
그러므로, 제 1 거울층(310)에 다층 거울 구조체(320)를 제공하여 제 1 거울층(310)은 제 1 범위 내의 스침 입사각들을 갖는 EUV 방사선을 반사시키도록 구성되고, 다층 거울 구조체(320)는 제 2 범위 내의 EUV 방사선을 반사시키도록 구성됨으로써, 및 제 2 범위 내의 방사선이 단순히 흡수되기보다는 제 1 거울층을 관통하도록 구성함으로써, 스침 입사 반사기(300)가 제 1 및 제 2 범위들 전체의 스침 입사각들로 반사기(300) 상에 입사하는 EUV 방사선을 반사시킬 수 있다. 각 구성요소(310, 320)의 특성들을 적절히 조절함으로써, 종래의 스침 입사 거울에 비해 EUV 방사선에 대한 각도 허용을 유효하게 확장할 수 있다. 동일한 원리들이 아래에서 언급되는 다른 파장들에 대한 반사기들을 설계하도록 확장될 수 있다. 이러한 조절로 인해, 제 1 거울층이 다층 거울 구조체의 층들 중 하나의 형태와 동일하게 할 수 있다는 것을 유의한다. 그 경우, 제 1 거울층은 다층 거울 구조체의 최상부 층에 의해 효과적으로 형성된다. 하지만, 일반적으로 이는 재료 및/또는 두께가 상이할 수 있다.
예를 들어, 제 1 범위의 각도들은 0 도로부터 약 25 도까지 확장될 수 있는 한편, 제 2 범위는 25 도 이하로부터 가령 30 도까지 확장될 수 있다. '겹친다'라는 용어는 단지 제 1 거울층(310) 및 다층 거울 구조체(320)의 조합된 효과가 연속한 각도 범위에 걸쳐 반사율을 유지한다는 것을 나타내기 위해 사용된다는 데 유의하여야 한다. 개별적인 층들/구조체들이, 예를 들어 그 범위들의 겹친 부분에서 50 %보다 높은 반사율(R > 0.5)을 가질 필요는 없다. 본 예시들에서는 주어진 입사각에서의 반사기에 대한 성능 임계치로서 R > 0.5가 사용되지만, 이는 순전히 예시를 위한 것이며, 다른 성능 임계치들이 선택될 수 있다. 예를 들어, 특정 적용예에서는 R > 0.4(40 % 반사율)가 허용가능한 성능이라고 간주될 수 있으며; 또 다른 적용예에서는 R > 60 %가 바람직할 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예에 따른 스침 입사 반사기(400)를 나타낸다. 스침 입사 반사기(400)는 스침 입사 반사기(400)가 제 1 거울층(310)의 최상부 상에 제 2 거울층(314)을 갖는다는 것을 제외하고는 도 3에 나타낸 스침 입사 반사기(300)와 실질적으로 유사하다.
제 2 거울층(314)은 제 3 범위 내의 스침 입사각들을 갖는 EUV 방사선을 반사시키도록 구성된다. 제 3 범위는 각도들의 제 1 범위 내에 있으며, 특히 가장 작은 스침 입사각들을 포함한다. 제 1 거울층(310)은 이러한 방사선을 적당한 정도로 반사시키지만, 더 높은 각도에서도 반사시키도록 절충하여 설계되어야 한다. 제 2 거울층(314)은 제 1 거울층(310)보다 더 작은 스침 입사각들(α')에서의 EUV 방사선은 더 완벽하게 반사시키는 한편, 더 높은 각도들의 방사선은 투과시켜 아래의 층에 의해 반사되도록 설계될 수 있다. 예시적인 일 실시예에서, 제 2 거울층(314)은 10 nm보다 얇은 두께를 갖고, Mo로 만들어진다. 제 2 거울층(314)은, 예를 들어 0 도보다 크고 10 도보다 작을 수 있는 제 3 범위의 스침 입사각들에 걸쳐 50 %보다 큰 반사율(R > 0.5)을 가질 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 예시적인 스침 입사 반사기(500)를 나타낸다. 스침 입사 반사기(500)는 스침 입사 반사기(500)가 기판(530) 상에 형성된 다층 거울 구조체(320) 표면의 일부분만을 차지하는 제 1 거울층(510)을 갖는다는 것을 제외하고는 도 3에 나타낸 스침 입사 반사기(300)와 실질적으로 유사하다. 제 1 거울층(510)은 대부분 제 1 범위이거나 제 1 범위 내에만 있는 스침 입사각들을 갖는 EUV 방사선(340)이 반사될 다층 거울 구조체(320) 표면의 위치들에만 적용된다. 결과적으로, 제 2 범위 내의 스침 입사각들을 갖는 EUV 방사선(340)은 제 1 거울층(510)을 관통하지 않고 다층 거울 구조체(320) 상에 직접 입사한다. 그러므로, 제 1 거울층(510)이 다층 거울 구조체 표면의 일부분만을 차지하기 때문에, 제 2 범위 내의 스침 입사각들을 갖는 EUV 방사선에 대한 반사율이 향상된다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 예시적인 스침 입사 반사기(600)를 나타낸다. 스침 입사 반사기(600)는 스침 입사 반사기(600)가 제 1 거울층(510)의 최상부 상에 제 2 거울층(514)을 갖는다는 것을 제외하고는 도 5에 나타낸 스침 입사 반사기(500)와 실질적으로 유사하다.
제 2 거울층(514)은 제 3 범위 내의 스침 입사각들을 갖는 EUV 방사선을 반사시키도록 구성된다. 제 3 범위의 스침 입사각들은 제 1 범위의 스침 입사각들 내에 있다. 특히, 제 2 거울층(514)은 제 1 거울층(510)과 비교하여 가장 작은 스침 입사각들을 갖는 EUV 방사선을 반사시킬 수 있다. 예시적인 일 실시예에서, 제 2 거울층(514)은 10 nm보다 얇은 두께를 갖는다. 제 2 거울층(514)은 Mo로 만들어질 수 있다. 제 2 거울층(514)은, 예를 들어 0 도보다 크고 10 도보다 작을 수 있는 제 3 범위의 스침 입사각들에 걸쳐 50 %보다 큰 반사율을 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 예시적인 실시예에서, 스침 입사 반사기는 5 내지 10 nm 범위, 예를 들어 6 내지 7 nm 또는 6.5 내지 6.8 nm 범위 내의 EUV 파장에서의 작동을 위해 구성된다. 아니면, 상기 반사기는 도 3 내지 도 6의 실시예들에서 설명된 스침 입사 반사기들 중 하나, 또는 그 조합과 동일한 형태를 가질 수 있다.
다층 거울 구조체는 다수의 적층 유닛들을 포함할 수 있으며, 각각의 적층 유닛은 예를 들어 제 1 서브-유닛을 형성하는 재료 층과 제 1 서브-유닛의 최상부 상의 제 2 서브-유닛을 형성하는 재료 층을 갖는 층의 쌍을 포함한다. 제 2 서브-유닛은 제 1 서브-유닛보다 낮은 굴절률을 갖는다. 제 1 서브-유닛의 재료들은 Th, La, U, 및 이러한 중금속 원소들의 질화물, 산화물, 붕화물, 및 불화물로부터 선택될 수 있다. 제 2 서브-유닛의 재료들은 경원소들, 특히 붕소(B), 및 B4C 또는 B9C와 같은 경원소들의 탄화물을 포함한 그룹으로부터 선택될 수 있다. EUV 범위 내의 각 파장에 대해, 재료들의 선택은 매우 특정적이다. 제 1 거울층(310 또는 510)은 다층 구조체의 제 1 서브-유닛과 유사한 재료, 예를 들어 Th 또는 ThO2로 만들어질 수 있다. 제 2 거울층(314 또는 514)은 또 다른 재료, 예를 들어 ThO2(Th의 제 1 거울층 최상부 상에 있는 경우), 또는 CsH 또는 얇은 층의 B4C 또는 B9C로 만들어질 수 있다.
도 7은 반사율(R)에 대한 EUV 방사선 스침 입사각들(θ 도)을 갖는 2 개의 예시적인 스침 입사 반사기들에 대해 계산된 플롯을 나타낸다. 이러한 계산들은 원하는 범위의 각도들에 걸친 성능에 대해 반사기의 디자인을 최적화하기 위해, 적절하다면 물리적 실험들이 보충되어 수행될 수 있다. EUV 방사선의 파장은 6.7 nm이다. 예시적인 스침 입사 반사기들에 대한 이 시뮬레이션 플롯에서, 제 1 거울층은 ThO2로부터 만들어지며, 다층 거울 구조체의 제 1 및 제 2 서브-유닛들은 ThO2 및 B4C로부터 쌍을 이룬다. 도 7에서, 곡선(710)은 주기 1 nm 및 비 Γ=0.3인 다층 거울 구조체의 최상부 상에 40 nm의 제 1 거울층 두께를 갖는 샘플의 반사율을 나타낸다. 곡선(720)은 주기 15 nm 및 비 Γ=0.7(위에 B4C)인 다층 거울 구조체의 최상부 상에 16 nm의 제 1 거울층 두께를 나타낸다. 도 7에 따르면, 6.7 nm의 파장을 갖는 EUV 방사선에 대하여, 40 nm 두께의 제 1 거울층을 갖는 스침 입사 반사기의 반사율에 비해 16 nm 두께의 제 1 거울층을 갖는 스침 입사 반사기가 12 내지 14 도 범위 내의 θ에 대해 더 높은 반사율을 가짐을 알 수 있다. 0 내지 12 도 범위 내의 θ에 대해, 16 nm 두께를 갖는 스침 입사 반사기는 40 nm 두께를 갖는 스침 입사 반사기와 유사한 반사율을 갖는다. 단일 재료 층을 포함한 전형적으로 알려진 스침 입사 반사기는 곡선(710)의 예시에서의 제 1 거울층과 유사하게 40 nm의 두께를 가질 수 있다. 곡선(710)은 각도들의 제 1 범위 이상의 방사선이 종래의 스침 입사 반사기를 관통하지 않기 때문에, 이러한 두께 층 아래 다층 거울 구조체를 놓는 것이 어떠한 이점도 갖지 않는다는 것을 예시한다. 하지만, 주어진 반사율에 대하여, 얇은 제 1 거울층 및 아래 높인 다층 거울 구조체를 갖는 스침 입사 반사기는 더 높은 각도 허용으로 유용한 반사율을 가질 수 있다. 곡선(720)으로 나타낸 16 nm의 값은 이 시뮬레이션들에서 최적인 것으로 밝혀졌다. 위에 놓인 제 1 거울층의 두께는 예를 들어 20 nm보다 얇을 수 있으며, 예를 들어 10 내지 20 nm 또는 14 내지 20 nm 범위 내에 있을 수 있다.
본 발명의 또 다른 예시적인 실시예에서, 스침 입사 반사기는 13 내지 14 nm 범위, 예를 들어 13.5 nm의 EUV 파장에서의 작동을 위해 구성될 수 있다. 스침 입사 반사기의 다층 거울 구조체는 다수의 적층 유닛들로 형성되며, 각각의 적층 유닛은 제 1 서브-유닛 및 제 1 서브-유닛의 최상부 상의 제 2 서브-유닛을 갖고, 제 2 서브-유닛은 제 1 서브-유닛보다 낮은 굴절률을 갖는다. 제 1 서브-유닛의 재료들은 Mo, Ru, 및 다이아몬드-유사 탄소(DLC)로부터 선택된다. 제 2 서브-유닛은 전형적으로 Si이다. 일 실시예에서, 제 1 거울층은 16 nm의 두께를 갖고 Ru로 만들어진다. 제 1 거울층은 0 도로부터 약 25 도까지 확장되는 제 1 범위의 스침 입사각들에 걸쳐 50 %보다 큰 반사율을 갖는다.
다층 거울 구조체는 가령 22 도로부터 약 30 도까지 확장되는 제 2 범위의 스침 입사각들에 걸쳐 50 %(또는 허용가능하다면 약간 더 낮은 임계치)보다 큰 반사율을 가질 수 있다.
도 8은 반사율(R)에 대한 EUV 방사선 스침 입사각(θ 도)을 갖는 2 개의 스침 입사 반사기들에 대해 계산된 또 다른 플롯을 나타낸다. EUV 방사선의 파장은 13.5 nm이다. 예시적인 스침 입사 반사기들에 대한 이 시뮬레이션 플롯에서, 제 1 거울층은 Ru로부터 만들어지며, 다층 거울 구조체의 유닛들은 Si 및 Mo로부터 선택되고 쌍을 이룬다. 도 8에서, 곡선(810)은 제 1 거울층이 16 nm의 두께를 갖고 다층 거울 구조체가 16 nm의 주기를 가지며 비 Γ는 0.5(위에 Si)인 것으로서 도시되는 한편, 곡선(820)은 제 1 거울층이 20 nm의 두께를 갖고 다층 거울 구조체가 2 nm의 주기를 가지며 비 Γ는 0.5인 것으로서 도시된다. 도 8은 13.5 nm의 파장을 갖는 EUV 방사선 하에서, 20 nm 두께의 제 1 거울층을 갖는 스침 입사 반사기의 반사율에 비해 16 nm 두께의 제 1 거울층을 갖는 스침 입사 반사기가 25 내지 30 도 범위 내의 θ에 대해 더 높은 반사율을 갖는다는 것을 나타낸다. 0 내지 25 도 범위 내의 θ에 대해, 16 nm 두께를 갖는 스침 입사 반사기는 20 nm 두께를 갖는 스침 입사 반사기와 유사한 반사율을 갖는다. 그러므로, 주어진 반사율에 대하여, 얇은 제 1 거울층 및 아래 높인 다층 거울 구조체를 갖는 스침 입사 반사기가 더 높은 각도 허용을 가질 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 예시적인 스침 입사 반사기(900)를 나타낸다. 스침 입사 반사기(900)는 5 내지 10 nm 범위, 예를 들어 6 내지 7 nm 또는 6.5 내지 6.8 nm 범위 내의 EUV 파장에서의 작동을 위해 구성된다. 스침 입사 반사기(900)는 기판(930) 상에 형성된 다층 거울 구조체(920)를 포함한다. 스침 입사 반사기(900)는 이제 설명되는 바와 같이, 다층 거울 구조체(920)의 상이한 부분들을 통해 상이한 스침 입사각들을 갖는 EUV 방사선을 반사시키도록 구성된다.
도 10은 도 9에 나타낸 바와 같은 예시적인 다층 거울 구조체(920)를 나타낸다. 다층 거울 구조체(920)는 EUV 방사선에 대해 높은 반사율을 보일 수 있다. 도 10에 나타낸 바와 같이, 다층 거울 구조체(920)는 다수의 적층 유닛(926)들로 형성된다. 다층 거울 구조체(920)는 수십 내지 수백 개의 적층 유닛들을 포함할 수 있다.
각각의 적층 유닛(926)은 제 1 서브-유닛(924), 및 제 1 서브-유닛(924)의 최상부 상의 제 2 서브-유닛(922)을 포함한다. 본 명세서에 설명된 예시들에서의 서브-유닛들은 최고 가용 경계-진폭 반사율(highest available boundary-amplitude reflectance)을 보이는 단순한 재료 층들이다. 요구에 따라, 더 복잡한 서브-유닛들이 제공될 수 있다. 제 2 서브-유닛(922)은 제 1 서브-유닛(924)보다 낮은 굴절률을 갖는다. 유닛들의 수는 3 개만 도시되지만, 실제로는 수십 개일 것이다. 일 실시예에서, 각 유닛의 두께(h)(반복 구조체의 주기) 및 서브-유닛들의 두께 비는 원하는 파장에서와 원하는 범위의 입사각들에 대해, 다양한 서브-유닛들로부터 반사된 EUV 방사선 광파들의 위상들의 정렬을 달성하도록 구성된다. 최대 반사율을 달성하기 위해, 스침 입사 반사기(900)의 상이한 영역들 사이에서 반사기의 상이한 부분들에서의 도 9에 나타낸 α, α', 및 β와 같은 예상 입사각들에 따라 다층 거울 구조체의 주기 및 구성 중 적어도 하나가 변화된다. 그러므로, 도 9에 나타낸 바와 같이 스침 입사 반사기(900)의 상이한 영역들이 상이한 주기들(h = h1, h2, h3)로 구성되어, 각각 상이한 스침 입사각들(α, α', 및 β)을 갖는 EUV 방사선을 반사시킨다.
도 11은 다층 거울(MLM) 구조체(920)의 주기(h)의 함수로서, 및 입사각들(θ)의 함수로서 반사율(R)의 계산된 플롯을 나타낸다. 도 11에서, 곡선(1010)은 시뮬레이션 플롯의 R=0.5 윤곽이다. 더 많은 윤곽, 예를 들어 R=0.9, R=0.8, …, R=0.3, R=0.2 등이 도시되는 경우, 반사율은 주어진 파장에 대해 MLM 주기(h) 및 입사각의 조합에 복잡한 방식으로 의존한다는 것을 알 것이다. 곡선(1010)의 왼쪽으로, 반사율은 일반적으로 증가하며, 오른쪽으로는 감소한다. 증가한 입사각에 대해, R=0.5 윤곽은 매우 특정한 범위의 주기들(h)의 경계를 이루며, 반사율은 이 범위 밖에서 매우 낮다. 곡선(1020)은 각각의 입사각에 대해 최고 반사율(R)을 제공하는 주기 값을 나타낸다. 스침 입사각 α를 갖는 방사선(340)을 강하게 반사시키는 주기 h1을 갖는 MLM이 각도 β를 갖는 방사선을 강하게 반사시키지 않을 것을 알 수 있다. 반면에, 주기 h3을 갖는 MLM은 각도 β에서의 방사선을 더 강하게 반사시키고, 각도 α에서의 방사선은 그렇게 강하게 반사시키지 않을 것이다. 반사기의 상이한 부분들에서 주기(h)를 상이한 값들(h1, h2, h3)로 설정함으로써, 반사율이 시뮬레이션 및/또는 실험에 의해 도출되는 곡선(1020)을 따름으로써 대응하는 예상 입사각들(α, α', 및 β)에서의 방사선에 대해 최대화될 수 있다.
도 9 내지 도 11에 예시된 변화하는 각도를 갖는 구조체는 그 자체로, 또는 도 3 내지 도 8의 실시예들에서의 거울층 아래 놓인 다층 거울 구조체로서 사용될 수 있다. MLM 구조체의 구성은 앞서 언급된 바와 같이 주기를 변화시킴으로써, 각 주기 내에서 구성하는 재료 층들의 비를 변화시킴으로써, 또는 둘의 조합에 의해 변화될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 대체로, 층들 내 재료들의 정체(identity)가 변화될 수도 있다. 도 11과 유사한 플롯들이 상이한 입사각들에서의 반사율에 대한 비의 영향을 모델링하도록 계산될 수 있으며, 최대 반사율의 곡선이 곡선(1020)과 유사하게 추적되어 최적화된 MLM 구조체의 디자인에 사용될 수 있다.
또한, 앞선 실시예들에서 설명된 스침 입사 반사기가 EUV 광학 시스템에서 그 역할에 따라 만곡될 수 있다.
리소그래피 장치(100)에서, 컬렉터 챔버(212)는 본 발명에 따른 스침 입사 거울을 포함할 수 있다. 또한, 조명 시스템(IL), 투영 시스템(PS), 또는 둘 모두가 본 발명에 따른 스침 입사 반사기를 포함할 수 있다. 스침 입사 반사기들의 수, 반사기들의 종류, 및 컬렉터 챔버(212), 조명 시스템(IL) 및/또는 투영 시스템 내에서의 반사기들의 위치는 리소그래피 장치의 원하는 작동 특성에 따라 결정될 수 있다. 이는 앞서 설명된 수정예들을 이용하여, 반사기의 상이한 부분들이 상이한 예상 범위들의 입사각들에 대해 '조절'될 수 있는지, 또는 폭넓은 범위의 입사각들이 반사기 전체에 걸쳐 동등하게 요구되는지, 특정 적용예에 의존할 것이다.
본 발명에 따른 스침 입사 거울이, 예를 들어 디바이스 제조 방법에서, 또는 EUV 방사선 및 스침 입사 거울이 사용되는 방법에서 사용될 수 있다.
제조 방법
기판 상에 금속 코팅을 적용하는 한 방법은 원자층 증착(ALD)에 의한 것이다. ALD는 원자층들을 하나씩 증착하도록 자기-제어 표면 반응(self-limiting surface reaction)의 교번 단계들을 사용한다. 증착될 재료는 전구체를 통해 제공된다. ALD 방법들은 여러 가지 금속들, 예를 들어 Mo, Ti, Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe 및 Ni에 대해 알려져 있다. ALD 대신에, 갈바니 성장(galvanic growth)(전착)이 사용되어 금속을 증착할 수 있으며, 또는 예를 들어 증발증착(evaporation) 또는 스퍼터 증착(sputter deposition)에 의해 증착될 수도 있다. 이러한 방법들의 예시들은 도입부에 언급된 종래 기술 참고자료에서 주어진다. 스퍼터링과 같은 방법들이 Th, B, B4C, B9C 및 그 밖의 유사한 것과 같이 6.x nm 파장들에 적절한 재료들에 적합할 수 있다. ThO2, LaO2 등을 구성하기 위해서는, 먼저 Th 또는 La의 층을 형성한 후, 이를 산화시킬 수 있다. 대안적으로, 산화 분위기에서의 금속 Th, La의 증착에 의해 직접 산화물 층을 형성할 수 있다. 후자의 방법은 그 거칠기를 감소시키도록 이온 또는 전자 빔에 의해 층을 연마함으로써 완료될 수 있다.
이 공정들은 단독으로, 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다.
여러 상이한 금속들이 사용될 수 있지만, 몰리브덴이 그 높은 녹는점 및 증명된 진공 적합성으로 인해 매력적인 후보가 된다. 하지만, 특히 상이한 파장의 바람직한 방사선 및/또는 바람직하지 않은 방사선이 관련되는 경우, 다른 재료들이 그 특유한 특성들로 인해 선택될 수 있다.
앞선 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수 있다는 것을 분명히 알 것이다.
본 발명의 범위와 폭은 상술된 예시적인 실시예들 중 어느 것에 의해서도 제한되지 않아야 하며, 다음의 항목 및 청구항 및 그 균등물에 따라서만 정의되어야 한다.
1. 극자외(EUV) 방사선에 대한 스침 입사 반사기로, 이는:
제 1 범위 내의 스침 입사각들로 반사기 상에 입사하는 EUV 방사선을 적어도 부분적으로 반사시키도록 구성된 제 1 거울층 -상기 제 1 거울층은 제 1 범위의 입사각들과 겹치고 이를 넘어서 확장되는 제 2 범위의 입사각들에서의 EUV 방사선을 투과시키도록 구성됨- ; 및
상기 제 2 범위 내의 스침 입사각들로 반사기 상에 입사하고, 제 1 거울층을 관통하는 EUV 방사선을 반사시키도록 구성된 제 1 거울층 밑의 다층 거울 구조체를 포함한다.
2. 상기 1의 스침 입사 반사기에서, 제 1 거울층은 20 nm보다 얇은 두께를 갖는다.
3. 상기 1의 스침 입사 반사기에서, 이는 제 1 거울층의 최상부 상의 제 2 거울층을 더 포함하고, 제 2 거울층은 각도들의 제 1 범위 내에 있는 제 3 범위 내의 스침 입사각들을 갖는 EUV 방사선에 대해 향상된 반사율을 제공하도록 구성된다.
4. 상기 1의 스침 입사 반사기에서, 제 2 거울층은 10 nm보다 얇은 두께를 갖고, 0 도로부터 10 도 미만까지 확장되는 스침 입사각들의 범위에 걸쳐 40 %보다 큰 반사율을 갖는다.
5. 상기 1의 스침 입사 반사기에서, 제 1 거울층은 제 2 범위 내의 스침 입사각들을 갖는 EUV 방사선에 향상된 반사율을 제공하기 위해 다층 거울 구조체 표면의 일부분만을 차지한다.
6. 상기 1의 스침 입사 반사기에서, 상기 반사기는 6 내지 7 nm 범위 내의 EUV 파장들에서의 작동을 위해 구성된다.
7. 상기 6의 스침 입사 반사기에서, 제 1 거울층은 15 내지 17 nm 범위 내의 두께를 갖고, ThO2로 만들어지며, 0 도보다 크고 12 도보다 작은 제 1 범위의 스침 입사각들에 걸쳐 40 %보다 큰 반사율을 갖는다.
8. 상기 7의 스침 입사 반사기에서, 제 2 범위의 스침 입사각들은 12 도보다 크거나 이와 같고, 14 도보다 작거나 이와 같으며; 다층 거울 구조체는 다수의 적층 요소들로 형성되고, 각각의 적층 요소는 제 1 서브-유닛 및 제 1 서브-유닛의 최상부 상의 제 2 서브-유닛을 가지며, 제 2 서브-유닛은 제 1 서브-유닛보다 낮은 굴절률을 갖는다.
9. 상기 8의 스침 입사 반사기에서, 제 1 서브-유닛 및 제 2 서브-유닛의 재료들은 Th, La, U, B, 중금속 원소들의 질화물, 산화물, 붕화물, 불화물, 및 경원소들의 탄화물의 그룹으로부터 선택된다.
10. 상기 1의 스침 입사 반사기에서, 상기 반사기는 13 내지 14 nm 범위 내의 EUV 파장들에서의 작동을 위해 구성된다.
11. 상기 10의 스침 입사 반사기에서, 제 1 거울층은 15 내지 17 nm 범위 내의 두께를 갖고, Ru로 만들어지며, 0 도보다 크고 25 도보다 작은 제 1 범위의 스침 입사각들에 걸쳐 40 %보다 큰 반사율을 갖는다.
12. 상기 11의 스침 입사 반사기에서, 제 2 범위의 스침 입사각들은 25 도보다 크거나 이와 같고, 30 도보다 작거나 이와 같으며;
다층 거울 구조체는 다수의 적층 요소들로 형성되고, 각각의 적층 요소는 제 1 서브-유닛 및 제 1 서브-유닛의 최상부 상의 제 2 서브-유닛을 가지며, 제 2 서브-유닛은 제 1 서브-유닛보다 낮은 굴절률을 갖는다.
13. 상기 12의 스침 입사 반사기에서, 제 1 서브-유닛 및 제 2 서브-유닛의 재료들은 Mo, Si, Ru, 및 다이아몬드-유사 탄소의 그룹으로부터 선택된다.
14. 상기 1의 스침 입사 반사기에서, 최대 반사율의 스침 입사각들이 다층 거울 구조체에 걸쳐 변화되도록, 다층 거울 구조체의 주기 및 구성 중 적어도 하나가 다층 거울 구조체에 걸쳐 변화된다.
15. 상기 1의 스침 입사 반사기를 포함한 리소그래피 장치.
16. 극자외(EUV) 방사선을 반사시키도록 구성된 스침 입사 반사기를 제조하는 방법으로, 상기 방법은:
다층 거울 구조체의 최상부 상에 제 1 거울층을, 그리고 다층 거울 구조체의 최상부 상에 표면 구조체를 증착하는 단계를 포함하고;
제 1 거울층은 제 1 범위 내의 스침 입사각들로 반사기에 입사하는 EUV 방사선을 적어도 부분적으로 반사시키도록 구성되고, 제 1 거울층은 제 1 범위의 입사각들과 겹치고 이를 넘어서 확장되는 제 2 범위의 입사각들에서의 EUV 방사선을 투과시키도록 구성되며;
다층 거울 구조체는 상기 제 2 범위 내의 스침 입사각들로 반사기 상에 입사하고 제 1 거울층을 관통하는 EUV 방사선을 반사시키도록 구성된다.
17. 리소그래피 공정에 의해 디바이스를 제조하는 방법으로, 상기 방법은:
조명 시스템을 통해 EUV 소스로부터의 극자외(EUV) 방사선으로 패터닝 디바이스를 조명하는 단계; 및
투영 시스템을 통해 상기 EUV 방사선의 투영에 의하여 기판 상으로 패터닝 디바이스의 이미지를 투영하는 단계를 포함하고,
조명 시스템 및 투영 시스템 중 적어도 하나는 상기 1의 스침 입사 반사기를 포함한다.

Claims (17)

  1. 극자외(EUV) 방사선에 대한 스침 입사 반사기(grazing incidence reflector)에 있어서:
    제 1 범위 내의 스침 입사각들로 상기 반사기 상에 입사하는 EUV 방사선을 적어도 부분적으로 반사시키도록 구성된 제 1 거울층 -상기 제 1 거울층은 상기 제 1 범위의 입사각들과 겹치고 상기 제 1 범위의 입사각들을 넘어 확장되는 제 2 범위의 입사각들에서의 EUV 방사선을 투과시키도록 구성됨- ;
    상기 제 2 범위 내의 스침 입사각들로 상기 반사기 상에 입사하고, 상기 제 1 거울층을 통해 관통하는 EUV 방사선을 반사시키도록 구성된 상기 제 1 거울층 밑의 다층 거울 구조체; 및
    제 1 거울층의 최상부 상의 제 2 거울층을 더 포함하고, 상기 제 2 거울층은 상기 제 1 범위의 각도들 내에 있는 제 3 범위 내의 스침 입사각들을 갖는 EUV 방사선에 향상된 반사율을 제공하도록 구성되는 스침 입사 반사기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 거울층은 20 nm보다 얇은 두께를 갖는 스침 입사 반사기.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 거울층은 10 nm보다 얇은 두께를 갖고, 0 도로부터 10 도 미만까지 확장되는 스침 입사각들의 범위에 걸쳐 40 %보다 큰 반사율을 갖는 스침 입사 반사기.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 거울층은 상기 제 2 범위 내의 스침 입사각들을 갖는 EUV 방사선에 향상된 반사율을 제공하기 위해, 상기 다층 거울 구조체의 표면의 일부분만을 차지하는 스침 입사 반사기.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사기는 6 내지 7 nm 범위 내의 EUV 파장들에서의 작동을 위해 구성되는 스침 입사 반사기.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 거울층은 15 내지 17 nm 범위 내의 두께를 갖고, ThO2로 만들어지며, 0 도보다 크고 12 도보다 작은 제 1 범위의 스침 입사각들에 걸쳐 40 %보다 큰 반사율을 갖는 스침 입사 반사기.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 범위의 스침 입사각들은 12 도보다 크거나 같고, 14 도보다 작거나 같으며;
    상기 다층 거울 구조체는 다수의 적층 요소(laminated element)들로 형성되고, 각각의 적층 요소는 제 1 서브-유닛 및 상기 제 1 서브-유닛의 최상부 상의 제 2 서브-유닛을 가지며, 상기 제 2 서브-유닛은 상기 제 1 서브-유닛보다 낮은 굴절률을 갖는 스침 입사 반사기.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 서브-유닛 및 상기 제 2 서브-유닛의 재료들은 Th, La, U, B, 중금속 원소들의 질화물, 산화물, 붕화물, 불화물, 및 경원소들의 탄화물의 그룹으로부터 선택되는 스침 입사 반사기.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사기는 13 내지 14 nm 범위 내의 EUV 파장들에서의 작동을 위해 구성되는 스침 입사 반사기.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 거울층은 15 내지 17 nm 범위 내의 두께를 갖고, Ru로 만들어지며, 0 도보다 크고 25 도보다 작은 제 1 범위의 스침 입사각들에 걸쳐 40 %보다 큰 반사율을 갖는 스침 입사 반사기.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 범위의 스침 입사각들은 25 도보다 크거나 같고, 30 도보다 작거나 같으며;
    상기 다층 거울 구조체는 다수의 적층 요소들로 형성되고, 각각의 적층 요소는 제 1 서브-유닛 및 상기 제 1 서브-유닛의 최상부 상의 제 2 서브-유닛을 가지며, 상기 제 2 서브-유닛은 상기 제 1 서브-유닛보다 낮은 굴절률을 갖는 스침 입사 반사기.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 1 서브-유닛 및 상기 제 2 서브-유닛의 재료들은 Mo, Si, Ru, 및 다이아몬드-유사 탄소(diamond-like carbon)의 그룹으로부터 선택되는 스침 입사 반사기.
  14. 제 1 항에 있어서,
    최대 반사율의 스침 입사각들이 상기 다층 거울 구조체에 걸쳐 변화되도록, 상기 다층 거울 구조체의 주기 및 구성 중 적어도 하나가 상기 다층 거울 구조체에 걸쳐 변화되는 스침 입사 반사기.
  15. 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 스침 입사 반사기를 포함하는 리소그래피 장치.
  16. 극자외(EUV) 방사선을 반사시키도록 구성된 스침 입사 반사기를 제조하는 방법에 있어서:
    다층 거울 구조체의 최상부 상에 제 1 거울층을, 및 중간 구조체의 최상부 상에 표면 구조체를 배치하는 단계; 및
    상기 제 1 거울층의 최상부 상에 제 2 거울층을 배치하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 거울층은 제 1 범위 내의 스침 입사각들로 상기 반사기 상에 입사하는 EUV 방사선을 적어도 부분적으로 반사시키도록 구성되고, 상기 제 1 거울층은 상기 제 1 범위의 입사각들과 겹치고 상기 제 1 범위의 입사각들을 넘어 확장되는 제 2 범위의 입사각들에서의 EUV 방사선을 투과시키도록 구성되며,
    상기 다층 거울 구조체는 상기 제 2 범위 내의 스침 입사각들로 상기 반사기에 입사하고, 상기 제 1 거울층을 통해 관통하는 EUV 방사선을 반사시키도록 구성되며, 상기 제 2 거울층은 상기 제 1 범위의 각도들 내에 있는 제 3 범위 내의 스침 입사각들을 갖는 EUV 방사선에 향상된 반사율을 제공하도록 구성되는 스침 입사 반사기 제조 방법.
  17. 리소그래피 공정에 의해 디바이스를 제조하는 방법에 있어서:
    조명 시스템을 통해 EUV 소스로부터의 극자외(EUV) 방사선으로 패터닝 디바이스를 조명하는 단계; 및
    투영 시스템을 통해 상기 EUV 방사선의 투영에 의하여 기판 상으로 상기 패터닝 디바이스의 이미지를 투영하는 단계를 포함하고,
    상기 조명 시스템 및 상기 투영 시스템 중 적어도 하나는 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 스침 입사 반사기를 포함하는 디바이스 제조 방법.
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