JPH0799368A - 光半導体装置 - Google Patents
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- JPH0799368A JPH0799368A JP5242363A JP24236393A JPH0799368A JP H0799368 A JPH0799368 A JP H0799368A JP 5242363 A JP5242363 A JP 5242363A JP 24236393 A JP24236393 A JP 24236393A JP H0799368 A JPH0799368 A JP H0799368A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 外部環境の影響，特に湿度の影響によっても
性能が劣化せず、外観検査が不要であり、かつ安価な光
半導体装置を提供する。 【構成】 半導体レーザ装置５０の気密封止用キャップ
部４０の窓部材１をＳｉにより構成し、該窓部材１とキ
ャップ部本体３との接着材として、Ｓｉと共晶合金を形
成する半田材を用いた。
性能が劣化せず、外観検査が不要であり、かつ安価な光
半導体装置を提供する。 【構成】 半導体レーザ装置５０の気密封止用キャップ
部４０の窓部材１をＳｉにより構成し、該窓部材１とキ
ャップ部本体３との接着材として、Ｓｉと共晶合金を形
成する半田材を用いた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は光半導体装置に関し、
特に光ファイバ通信に用いられる半導体レーザ等に利用
される光半導体装置に関するものである。
特に光ファイバ通信に用いられる半導体レーザ等に利用
される光半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来のキャンタイプの気密封止
パッケージを用いた半導体レーザ装置の構造を示す図で
あり、図において、２００は半導体レーザ装置、１００
はキャップ部、１０１はコバール合金（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ等により構成される合金）で形成され、窓部が設けら
れる部分に直径３〜４mmの開口部を有したキャップ壁部
材、１１６はキャップ壁部材１０１の開口部をふさぐよ
うにＰｂ系ガラス１１７，例えばＰｂＳｎガラスによ
り、キャップ壁部材１０１に接着された窓部材、１１２
は鉄等により形成されたベース部（アイレット部）で、
該アイレット部１１２上には、半導体レーザチップ１０
４とサブマウント材１０６を重ねてマウントしたヒート
シンク材１０５，及びモニタ用フォトダイオード１０７
がそれぞれマウントされている。通常、光通信に利用さ
れる半導体レーザ装置は、発振波長が０．９８μｍ，
１．２μｍ，１．３μｍ，１．５５μｍのものが主流で
あり、発振波長が０．９８μｍのものとしては、例えば
ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子井戸構造のレーザチッ
プ１０４が、その他の波長のものとしては、例えばＩｎ
ＧａＡｓＰ系レーザチップ１０４が使用されている。１
０８はモニタホトダイオード１０７用リード、１０９は
接地リード、１１０はレーザチップ１０４用のリードで
ある。１１１はレーザチップ１０４とリード１１０間を
接続するためのＡｕワイヤ、１１８はホトダイオードチ
ップ１０７とリード１０８間を接続するためのＡｕワイ
ヤである。本実施例においては、キャップ部１００とア
イレット部１１２は溶接によって接着されており、この
半導体レーザ２００の内部は気密状態が保たれるように
封止されている。また、図７は従来の半導体レーザ装置
のキャップ部１００の製造方法を示す図であり、図にお
いて、図４と同一符号は、同一又は相当する部分を示
し、１０１ａはキャップ壁部材１０１に設けられた窓部
を設けるための開口部である。
パッケージを用いた半導体レーザ装置の構造を示す図で
あり、図において、２００は半導体レーザ装置、１００
はキャップ部、１０１はコバール合金（Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ等により構成される合金）で形成され、窓部が設けら
れる部分に直径３〜４mmの開口部を有したキャップ壁部
材、１１６はキャップ壁部材１０１の開口部をふさぐよ
うにＰｂ系ガラス１１７，例えばＰｂＳｎガラスによ
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は鉄等により形成されたベース部（アイレット部）で、
該アイレット部１１２上には、半導体レーザチップ１０
４とサブマウント材１０６を重ねてマウントしたヒート
シンク材１０５，及びモニタ用フォトダイオード１０７
がそれぞれマウントされている。通常、光通信に利用さ
れる半導体レーザ装置は、発振波長が０．９８μｍ，
１．２μｍ，１．３μｍ，１．５５μｍのものが主流で
あり、発振波長が０．９８μｍのものとしては、例えば
ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子井戸構造のレーザチッ
プ１０４が、その他の波長のものとしては、例えばＩｎ
ＧａＡｓＰ系レーザチップ１０４が使用されている。１
０８はモニタホトダイオード１０７用リード、１０９は
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ある。１１１はレーザチップ１０４とリード１１０間を
接続するためのＡｕワイヤ、１１８はホトダイオードチ
ップ１０７とリード１０８間を接続するためのＡｕワイ
ヤである。本実施例においては、キャップ部１００とア
イレット部１１２は溶接によって接着されており、この
半導体レーザ２００の内部は気密状態が保たれるように
封止されている。また、図７は従来の半導体レーザ装置
のキャップ部１００の製造方法を示す図であり、図にお
いて、図４と同一符号は、同一又は相当する部分を示
し、１０１ａはキャップ壁部材１０１に設けられた窓部
を設けるための開口部である。
【０００３】以下、図７に沿って従来の半導体レーザ装
置のキャップ部の製造工程を説明する。まず、図７(a)
に示すように、光学部品用の板ガラスに対して研磨やコ
ーティング，カッティング等の加工を行って形成した直
径３〜４ｍｍの円形形状の窓部材１１６と、窓部を形成
すべき領域に窓部材１１６より小さい直径の円形形状の
開口部１０１ａを形成したキャップ壁部材１０１と、該
開口部１０１ａの直径より内径が大きく、上記窓部材１
１６の直径より外径が小さいリング状のＰｂ系ガラス１
１７とを用意する。次に、図７(b) の断面図に示すよう
に、上記キャップ壁部材１０１の内側に、上記Ｐｂ系ガ
ラス１１７を上記開口部１０１ａの周囲に沿わせるよう
に配置し、さらに、上記窓部材１１６を、上記Ｐｂ系ガ
ラス１１７と重ねあわせるように配置した後に、これら
を炉の中にいれ、加熱してＰｂ系ガラスを溶かし、窓部
材１１６とキャップ外壁部１０１を接着してキャップ部
１００を得る。
置のキャップ部の製造工程を説明する。まず、図７(a)
に示すように、光学部品用の板ガラスに対して研磨やコ
ーティング，カッティング等の加工を行って形成した直
径３〜４ｍｍの円形形状の窓部材１１６と、窓部を形成
すべき領域に窓部材１１６より小さい直径の円形形状の
開口部１０１ａを形成したキャップ壁部材１０１と、該
開口部１０１ａの直径より内径が大きく、上記窓部材１
１６の直径より外径が小さいリング状のＰｂ系ガラス１
１７とを用意する。次に、図７(b) の断面図に示すよう
に、上記キャップ壁部材１０１の内側に、上記Ｐｂ系ガ
ラス１１７を上記開口部１０１ａの周囲に沿わせるよう
に配置し、さらに、上記窓部材１１６を、上記Ｐｂ系ガ
ラス１１７と重ねあわせるように配置した後に、これら
を炉の中にいれ、加熱してＰｂ系ガラスを溶かし、窓部
材１１６とキャップ外壁部１０１を接着してキャップ部
１００を得る。
【０００４】その後、キャップ部１００と、レーザチッ
プ１０４等を取り付けたアイレット部１１２とを電気溶
接等により固着し、レーザチップ１０４等を気密封止し
て図６に示す半導体レーザ装置を得る。
プ１０４等を取り付けたアイレット部１１２とを電気溶
接等により固着し、レーザチップ１０４等を気密封止し
て図６に示す半導体レーザ装置を得る。
【０００５】次に動作について説明する。レーザチップ
１０４より出射されたレーザ光は、窓部材１１６を透過
して外部へ出射され、応用製品の所望の光源として利用
される。
１０４より出射されたレーザ光は、窓部材１１６を透過
して外部へ出射され、応用製品の所望の光源として利用
される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ等
の出射機能を有した光半導体装置は以上のように構成さ
れており、窓部材１１６がＰｂ系ガラス１１７により接
着されているため、外部環境の湿度の影響により該Ｐｂ
系ガラス１１７が溶融し、窓部材１１６を汚染して光半
導体装置の特性を劣化させてしまったり、光半導体装置
の気密性が劣化してしまうという問題があった。
の出射機能を有した光半導体装置は以上のように構成さ
れており、窓部材１１６がＰｂ系ガラス１１７により接
着されているため、外部環境の湿度の影響により該Ｐｂ
系ガラス１１７が溶融し、窓部材１１６を汚染して光半
導体装置の特性を劣化させてしまったり、光半導体装置
の気密性が劣化してしまうという問題があった。
【０００７】また、窓部材１１６がガラス材により構成
されており、レーザ光だけでなく、可視領域の光、即
ち、波長が４００〜７５０ｎｍである光も全て透過する
ため、光半導体装置を組み立てた状態で、窓部材１１６
を透して肉眼により内部の状態を見ることができる。こ
のため、キャップ部１００の内部に、配置等の不揃いに
よる外観上の不具合が発見されると、光半導体装置とし
ての本来の機能に異常がない製品も不良品として判断さ
れてしまうこととなり、歩留りが低下するという問題が
あった。
されており、レーザ光だけでなく、可視領域の光、即
ち、波長が４００〜７５０ｎｍである光も全て透過する
ため、光半導体装置を組み立てた状態で、窓部材１１６
を透して肉眼により内部の状態を見ることができる。こ
のため、キャップ部１００の内部に、配置等の不揃いに
よる外観上の不具合が発見されると、光半導体装置とし
ての本来の機能に異常がない製品も不良品として判断さ
れてしまうこととなり、歩留りが低下するという問題が
あった。
【０００８】さらに、窓部材１１６がガラス材により構
成されているため、研磨，コーティング等の加工工程を
容易に行えず、窓部材１１６が高価になり、キャップ部
１００全体が高価なものになるという問題があった。
成されているため、研磨，コーティング等の加工工程を
容易に行えず、窓部材１１６が高価になり、キャップ部
１００全体が高価なものになるという問題があった。
【０００９】一方、電子材料２１，Ｆｅｂ．ｐ６０．
（１９８３）に、Ｓｉの０．９μｍ以下の波長の光を透
過させないという透過特性に着目して、Ｓｉを特定の波
長の光のみを選択的に透過させるための窓部として採用
した赤外線センサの構造が記載されている。このような
構造の受光機能を有した光半導体装置では、Ｓｉ窓にお
いて、入射光を波長により選択して、必要な波長の光の
みを透過させることができるので、半導体受光素子を必
要な波長の光にのみ反応させることができ、かつ不要な
光により受ける影響を抑えることができ、これにより、
半導体装置の性能を向上させることができる。しかし、
通常はＳｉ窓部とキャップ壁部材を接着材等により接着
しているため、外部環境の影響，特に湿度の影響によ
り、接着材の一部が溶解し、窓部を汚染したり、気密性
が劣化したりするという問題があった。
（１９８３）に、Ｓｉの０．９μｍ以下の波長の光を透
過させないという透過特性に着目して、Ｓｉを特定の波
長の光のみを選択的に透過させるための窓部として採用
した赤外線センサの構造が記載されている。このような
構造の受光機能を有した光半導体装置では、Ｓｉ窓にお
いて、入射光を波長により選択して、必要な波長の光の
みを透過させることができるので、半導体受光素子を必
要な波長の光にのみ反応させることができ、かつ不要な
光により受ける影響を抑えることができ、これにより、
半導体装置の性能を向上させることができる。しかし、
通常はＳｉ窓部とキャップ壁部材を接着材等により接着
しているため、外部環境の影響，特に湿度の影響によ
り、接着材の一部が溶解し、窓部を汚染したり、気密性
が劣化したりするという問題があった。
【００１０】本発明は上記のような問題を解消するため
になされたもので、外部環境の影響により性能が劣化す
ることのない、光半導体装置を提供することを目的とす
る。
になされたもので、外部環境の影響により性能が劣化す
ることのない、光半導体装置を提供することを目的とす
る。
【００１１】また、本発明は上記のような問題を解消す
るためになされたもので、内部構造が目視されることが
なく、かつ安価に製造することが可能な光半導体装置を
提供することを目的とする。
るためになされたもので、内部構造が目視されることが
なく、かつ安価に製造することが可能な光半導体装置を
提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光半導体装
置は、発光または受光もしくは発光及び受光の両方の機
能を有する半導体光素子と、該半導体光素子から放出さ
れる光又は上記半導体光素子に入射される光を透過させ
る材料からなる窓部を含み，上記半導体光素子を気密封
止するパッケージとを有しており、上記窓部はＳｉから
なり、該窓部は上記パッケージの該窓部以外の部材に、
Ｓｉと共晶合金を形成する半田材を用いて接着されてい
るものである。また、本発明は上記光半導体装置におい
て、上記Ｓｉと共晶合金を形成する半田材として、Ａｕ
半田材，又はＡｕ−Ｓｉ系半田材を用いたものである。
置は、発光または受光もしくは発光及び受光の両方の機
能を有する半導体光素子と、該半導体光素子から放出さ
れる光又は上記半導体光素子に入射される光を透過させ
る材料からなる窓部を含み，上記半導体光素子を気密封
止するパッケージとを有しており、上記窓部はＳｉから
なり、該窓部は上記パッケージの該窓部以外の部材に、
Ｓｉと共晶合金を形成する半田材を用いて接着されてい
るものである。また、本発明は上記光半導体装置におい
て、上記Ｓｉと共晶合金を形成する半田材として、Ａｕ
半田材，又はＡｕ−Ｓｉ系半田材を用いたものである。
【００１３】また、本発明に係る光半導体装置は、発光
機能を有する半導体光素子と、該半導体光素子から放出
される光を透過させる材質からなる窓部を含み，上記半
導体光素子を気密封止するパッケージとを有しており、
上記窓部がＳｉからなるものである。
機能を有する半導体光素子と、該半導体光素子から放出
される光を透過させる材質からなる窓部を含み，上記半
導体光素子を気密封止するパッケージとを有しており、
上記窓部がＳｉからなるものである。
【００１４】また、本発明は上記光半導体装置におい
て、上記窓部の両面に、単層又は多層の誘電体薄膜によ
り構成される無反射膜を備えているものである。また、
本発明は上記光半導体装置において、上記無反射膜を、
上記窓部の表面を酸化して形成されたＳｉＯ2 膜と、該
ＳｉＯ2 膜の表面に配置された単層又は多層の誘電体薄
膜により構成したものである。
て、上記窓部の両面に、単層又は多層の誘電体薄膜によ
り構成される無反射膜を備えているものである。また、
本発明は上記光半導体装置において、上記無反射膜を、
上記窓部の表面を酸化して形成されたＳｉＯ2 膜と、該
ＳｉＯ2 膜の表面に配置された単層又は多層の誘電体薄
膜により構成したものである。
【００１５】また、本発明は上記光半導体装置におい
て、上記無反射膜を、上記窓部表面を酸化して形成され
た、厚さがλ／２n1（λ：上記窓部を透過させる光の波
長，n1：ＳｉＯ2 の屈折率）であるＳｉＯ2 からなる膜
と、該ＳｉＯ2 からなる膜表面に順次配置された、厚さ
がλ／４n2（n2：Ａｌ2 Ｏ3 の屈折率）であるＡｌ2 Ｏ
3 からなる膜と、厚さがλ／４n1であるＳｉＯ2 からな
る膜と、厚さがλ／４n2であるＡｌ2 Ｏ3 からなる膜と
により構成したものである。
て、上記無反射膜を、上記窓部表面を酸化して形成され
た、厚さがλ／２n1（λ：上記窓部を透過させる光の波
長，n1：ＳｉＯ2 の屈折率）であるＳｉＯ2 からなる膜
と、該ＳｉＯ2 からなる膜表面に順次配置された、厚さ
がλ／４n2（n2：Ａｌ2 Ｏ3 の屈折率）であるＡｌ2 Ｏ
3 からなる膜と、厚さがλ／４n1であるＳｉＯ2 からな
る膜と、厚さがλ／４n2であるＡｌ2 Ｏ3 からなる膜と
により構成したものである。
【００１６】また、本発明に係る光半導体装置は、発光
または受光もしくは発光及び受光の両方の機能を有する
半導体光素子と、該半導体光素子から放出される光又は
上記半導体光素子に入射される光を透過させる材質から
なる窓部を含み，上記半導体光素子を気密封止するパッ
ケージとを有しており、上記窓部はＳｉからなり、該窓
部の両面には、該窓部の表面を酸化して形成されたＳｉ
Ｏ2 膜と、該ＳｉＯ2膜の表面に配置された単層又は多
層の誘電体薄膜により構成される無反射膜を備えている
ものである。
または受光もしくは発光及び受光の両方の機能を有する
半導体光素子と、該半導体光素子から放出される光又は
上記半導体光素子に入射される光を透過させる材質から
なる窓部を含み，上記半導体光素子を気密封止するパッ
ケージとを有しており、上記窓部はＳｉからなり、該窓
部の両面には、該窓部の表面を酸化して形成されたＳｉ
Ｏ2 膜と、該ＳｉＯ2膜の表面に配置された単層又は多
層の誘電体薄膜により構成される無反射膜を備えている
ものである。
【００１７】
【作用】本発明においては、発光または受光もしくは発
光及び受光の両方の機能を有する半導体光素子を、Ｓｉ
からなる窓部を含むパッケージで気密封止するように
し、上記Ｓｉからなる窓部を、上記パッケージの該窓部
以外の部材に、Ｓｉと共晶合金を形成する半田材を用い
て接着するようにしたから、接着部に共晶合金が形成さ
れ、接着部が外部環境、特に湿度に対して安定である光
半導体装置を得ることができる。また、Ｓｉは可視領域
の光を透過させないため、光半導体装置を組み立てた状
態では窓部を透して内部が目視されることがないものと
できるので、光半導体装置内部に取り付けられた素子の
配置等の不揃いのみを原因とした不良品をなくすことが
でき、これにより、歩留りを向上することができる。さ
らに、上記Ｓｉからなる窓部材を、半導体装置の製造に
一般的に用いられるＳｉのウエハを用い、従来のウエハ
プロセスに使用されている装置を利用して作製すること
ができるので、窓部材を容易に、かつ安価に得ることが
できる。
光及び受光の両方の機能を有する半導体光素子を、Ｓｉ
からなる窓部を含むパッケージで気密封止するように
し、上記Ｓｉからなる窓部を、上記パッケージの該窓部
以外の部材に、Ｓｉと共晶合金を形成する半田材を用い
て接着するようにしたから、接着部に共晶合金が形成さ
れ、接着部が外部環境、特に湿度に対して安定である光
半導体装置を得ることができる。また、Ｓｉは可視領域
の光を透過させないため、光半導体装置を組み立てた状
態では窓部を透して内部が目視されることがないものと
できるので、光半導体装置内部に取り付けられた素子の
配置等の不揃いのみを原因とした不良品をなくすことが
でき、これにより、歩留りを向上することができる。さ
らに、上記Ｓｉからなる窓部材を、半導体装置の製造に
一般的に用いられるＳｉのウエハを用い、従来のウエハ
プロセスに使用されている装置を利用して作製すること
ができるので、窓部材を容易に、かつ安価に得ることが
できる。
【００１８】また、本発明においては、さらに上記窓部
の両面に、単層又は多層の誘電体薄膜により構成される
無反射膜を備えたから、窓部における光の反射を抑える
ことができ、上記窓部の透過率を向上させることができ
る。
の両面に、単層又は多層の誘電体薄膜により構成される
無反射膜を備えたから、窓部における光の反射を抑える
ことができ、上記窓部の透過率を向上させることができ
る。
【００１９】また、本発明においては、さらに上記無反
射膜を、上記窓部の表面を酸化して形成されたＳｉＯ2
膜と、該ＳｉＯ2 膜の表面に配置された単層又は多層の
誘電体薄膜により構成したから、表面が外気との反応に
より酸化されやすいＳｉの性質を利用して、容易に無反
射膜を形成することができる。
射膜を、上記窓部の表面を酸化して形成されたＳｉＯ2
膜と、該ＳｉＯ2 膜の表面に配置された単層又は多層の
誘電体薄膜により構成したから、表面が外気との反応に
より酸化されやすいＳｉの性質を利用して、容易に無反
射膜を形成することができる。
【００２０】
実施例１．図１は本発明の第１の実施例による半導体レ
ーザ装置の構造を示す図であり、図１(a) は半導体レー
ザ装置のキャップ部の断面図、図１(b) は半導体レーザ
装置の断面図、図１(c) は窓部材，及び半田材を示す斜
視図である。図において、５０は半導体レーザ装置、４
０はキャップ部、３はレーザ光が通過する部分に直径３
〜４mmの開口部３ａが設けられているキャップ壁部材、
１は直径が開口部３ａの直径よりも大きく、厚さが３０
０〜４００μｍである円形形状の、レーザ光を透過させ
るＳｉ製窓部材である。直径は上記開口部３ａよりも大
きくなるように形成されている。２は上記窓部１とキャ
ップ部本体３とを接着するための厚さ数μｍのリング状
のＡｕ半田材で、この半田材２は、内径が上記開口部３
ａと同じか、もしくはこれよりも大きく、外径が上記窓
部材１の直径と同じか、もしくは小さく形成されてい
る。５はＡｇ等のヒートシンク材、６は該ヒートシンク
材５上に配置されたサブマウント材、４は発振波長が少
なくとも０．９μｍ以上である半導体レーザチップ、７
はレーザチップ４から出射されるレーザ光をモニタする
内蔵用モニタホトダイオードチップ、８は該モニタホト
ダイオード７用リード、９は接地リード、１０はレーザ
チップ４用のリードである。１１はレーザチップ４とリ
ード１０間を接続するためのＡｕワイヤ、１３はホトダ
イオードチップ７とリード８間を接続するためのＡｕワ
イヤである。１２はベースであるアイレット部であり、
例えばＦｅで形成されている。
ーザ装置の構造を示す図であり、図１(a) は半導体レー
ザ装置のキャップ部の断面図、図１(b) は半導体レーザ
装置の断面図、図１(c) は窓部材，及び半田材を示す斜
視図である。図において、５０は半導体レーザ装置、４
０はキャップ部、３はレーザ光が通過する部分に直径３
〜４mmの開口部３ａが設けられているキャップ壁部材、
１は直径が開口部３ａの直径よりも大きく、厚さが３０
０〜４００μｍである円形形状の、レーザ光を透過させ
るＳｉ製窓部材である。直径は上記開口部３ａよりも大
きくなるように形成されている。２は上記窓部１とキャ
ップ部本体３とを接着するための厚さ数μｍのリング状
のＡｕ半田材で、この半田材２は、内径が上記開口部３
ａと同じか、もしくはこれよりも大きく、外径が上記窓
部材１の直径と同じか、もしくは小さく形成されてい
る。５はＡｇ等のヒートシンク材、６は該ヒートシンク
材５上に配置されたサブマウント材、４は発振波長が少
なくとも０．９μｍ以上である半導体レーザチップ、７
はレーザチップ４から出射されるレーザ光をモニタする
内蔵用モニタホトダイオードチップ、８は該モニタホト
ダイオード７用リード、９は接地リード、１０はレーザ
チップ４用のリードである。１１はレーザチップ４とリ
ード１０間を接続するためのＡｕワイヤ、１３はホトダ
イオードチップ７とリード８間を接続するためのＡｕワ
イヤである。１２はベースであるアイレット部であり、
例えばＦｅで形成されている。
【００２１】図２は本発明の第１の実施例による半導体
レーザ装置におけるキャップ部４０の製造方法を示す図
であり、図において、図１と同一符号は、同一又は相当
する部分を示し、２０は通常の半導体装置の製造に使用
される、表面に鏡面加工が施されているＳｉウエハ、２
ａは該ウエハ２０上に形成されたＡｕ薄膜である。
レーザ装置におけるキャップ部４０の製造方法を示す図
であり、図において、図１と同一符号は、同一又は相当
する部分を示し、２０は通常の半導体装置の製造に使用
される、表面に鏡面加工が施されているＳｉウエハ、２
ａは該ウエハ２０上に形成されたＡｕ薄膜である。
【００２２】次に製造方法について説明する。図２(a)
に示すように厚さが３００〜４００μｍで、その表面に
鏡面加工が施されているＳｉ基板２０上に、厚さ数μｍ
のＡｕ２ａを薄膜状に蒸着する。その後、パターニング
により、複数のリング形状のＡｕ半田材２を形成する
（図２(b))。この時、該半田材２とＳｉウエハ２０との
界面ではＡｕ−Ｓｉ系共晶が形成されている。次に該半
田材２の外周に沿って、エッチング等によりウエハを切
り出し、窓部材１を形成する（図２(c))。その後、図２
(d) の断面図に示すように、該窓部材１をキャップ壁部
材３の内部に、上記半田材２がキャップ壁部材３の開口
部の周囲に接するように配置した後、これらを加熱して
窓部材１とキャップ壁部材３を半田材２によって接着す
る。その後、キャップ壁部材３とアイレット部１２とを
溶接により接着して、半導体レーザチップ４等を気密封
止する。
に示すように厚さが３００〜４００μｍで、その表面に
鏡面加工が施されているＳｉ基板２０上に、厚さ数μｍ
のＡｕ２ａを薄膜状に蒸着する。その後、パターニング
により、複数のリング形状のＡｕ半田材２を形成する
（図２(b))。この時、該半田材２とＳｉウエハ２０との
界面ではＡｕ−Ｓｉ系共晶が形成されている。次に該半
田材２の外周に沿って、エッチング等によりウエハを切
り出し、窓部材１を形成する（図２(c))。その後、図２
(d) の断面図に示すように、該窓部材１をキャップ壁部
材３の内部に、上記半田材２がキャップ壁部材３の開口
部の周囲に接するように配置した後、これらを加熱して
窓部材１とキャップ壁部材３を半田材２によって接着す
る。その後、キャップ壁部材３とアイレット部１２とを
溶接により接着して、半導体レーザチップ４等を気密封
止する。
【００２３】ここで、本実施例においては、窓部の材料
としてＳｉを使用しているが、一般にＳｉはバンドギャ
ップエネルギーが約１．１ｅＶであるので、これよりも
エネルギーの高い，波長が約１．１μｍ以下の光は吸収
するが、これよりもエネルギーの低い，波長が約１．１
μｍ以上の光は吸収せず、また、０．９〜１．１μｍの
間の波長の光については、Ｓｉの吸収係数はまだあまり
大きくないので、部分的にしか光を吸収しない。つまり
Ｓｉは、０．９μｍより小さい光は透過させないが、波
長が０．９μｍ以上の光は透過させるという性質を有す
る。したがって、本実施例のような発振波長が０．９μ
ｍ以上の半導体レーザ素子を利用した半導体レーザ装置
において、窓部の材料としてＳｉを用いても何ら弊害は
ない。特に、現在の光通信に利用されているレーザは、
発振波長が１．２μｍ，１．３μｍ，１．５５μｍのも
のが多いので、窓部をＳｉにより構成したキャップ部
を、光通信用のレーザに利用することも十分に可能であ
る。
としてＳｉを使用しているが、一般にＳｉはバンドギャ
ップエネルギーが約１．１ｅＶであるので、これよりも
エネルギーの高い，波長が約１．１μｍ以下の光は吸収
するが、これよりもエネルギーの低い，波長が約１．１
μｍ以上の光は吸収せず、また、０．９〜１．１μｍの
間の波長の光については、Ｓｉの吸収係数はまだあまり
大きくないので、部分的にしか光を吸収しない。つまり
Ｓｉは、０．９μｍより小さい光は透過させないが、波
長が０．９μｍ以上の光は透過させるという性質を有す
る。したがって、本実施例のような発振波長が０．９μ
ｍ以上の半導体レーザ素子を利用した半導体レーザ装置
において、窓部の材料としてＳｉを用いても何ら弊害は
ない。特に、現在の光通信に利用されているレーザは、
発振波長が１．２μｍ，１．３μｍ，１．５５μｍのも
のが多いので、窓部をＳｉにより構成したキャップ部
を、光通信用のレーザに利用することも十分に可能であ
る。
【００２４】本実施例の半導体レーザ装置においては、
窓部材１がＳｉで構成されているので、該窓部材１とキ
ャップ部本体３とをＡｕ半田材２によって接着すること
ができる。この半田材２により接着すると、半田材２と
窓部材１のＳｉとの間に共晶合金が形成されるので、外
部環境、特に湿度に対して安定となり、従来のＰｂ系ガ
ラスのように、水分によって溶融し、窓部を汚染した
り、気密性を劣化させたりすることをなくすことができ
る。
窓部材１がＳｉで構成されているので、該窓部材１とキ
ャップ部本体３とをＡｕ半田材２によって接着すること
ができる。この半田材２により接着すると、半田材２と
窓部材１のＳｉとの間に共晶合金が形成されるので、外
部環境、特に湿度に対して安定となり、従来のＰｂ系ガ
ラスのように、水分によって溶融し、窓部を汚染した
り、気密性を劣化させたりすることをなくすことができ
る。
【００２５】また、上記のようにＳｉは波長が０．９μ
ｍ以下である可視光を透過させないから、Ｓｉを窓部に
使用することにより、光半導体装置を組み立てた状態で
は窓部を透して内部の状態を見えないものとでき、キャ
ップ部４０内部の半導体レーザチップ４等の配置の不揃
いによって外観上の不具合を生ずることがなく、外観不
良の発生を大幅に低減できる。
ｍ以下である可視光を透過させないから、Ｓｉを窓部に
使用することにより、光半導体装置を組み立てた状態で
は窓部を透して内部の状態を見えないものとでき、キャ
ップ部４０内部の半導体レーザチップ４等の配置の不揃
いによって外観上の不具合を生ずることがなく、外観不
良の発生を大幅に低減できる。
【００２６】さらに、窓部材１を得る製造工程は、半導
体装置の製造に一般的に使用される安価なシリコン単結
晶のウエハを用いて、従来のウエハプロセスに使用され
ている装置等を利用して行うことができるものであり、
これによって複数の窓部材を同時に得ることができ、窓
部材を安価に作製することができる。
体装置の製造に一般的に使用される安価なシリコン単結
晶のウエハを用いて、従来のウエハプロセスに使用され
ている装置等を利用して行うことができるものであり、
これによって複数の窓部材を同時に得ることができ、窓
部材を安価に作製することができる。
【００２７】このように、本実施例では、半導体レーザ
装置の窓部材１の材料としてＳｉを使用し、該窓部材１
とキャップ部本体３との間を、ＳｉとＡｕ−Ｓｉ共晶合
金を形成するＡｕ半田材２を用いて接着するようにした
から、接着部が安定な、信頼性の高い半導体レーザ装置
を得ることができる。
装置の窓部材１の材料としてＳｉを使用し、該窓部材１
とキャップ部本体３との間を、ＳｉとＡｕ−Ｓｉ共晶合
金を形成するＡｕ半田材２を用いて接着するようにした
から、接着部が安定な、信頼性の高い半導体レーザ装置
を得ることができる。
【００２８】また、窓部材１の材料としてＳｉを使用す
るようにしたから、半導体レーザ装置を組み立てた状態
において、窓部を透して内部を目視できないようにする
ことができ、外観不良の発生をなくし、製品の歩留りを
向上させることができる。
るようにしたから、半導体レーザ装置を組み立てた状態
において、窓部を透して内部を目視できないようにする
ことができ、外観不良の発生をなくし、製品の歩留りを
向上させることができる。
【００２９】また、窓部材１の材料としてＳｉを使用し
たから、この窓部材を、従来のウエハプロセスに使用さ
れている装置等を利用して、シリコン単結晶のウエハよ
り作製することができ、窓部材を安価に得ることができ
る。
たから、この窓部材を、従来のウエハプロセスに使用さ
れている装置等を利用して、シリコン単結晶のウエハよ
り作製することができ、窓部材を安価に得ることができ
る。
【００３０】なお、本実施例ではＳｉ基板２０表面にＡ
ｕ半田材２を設けるようにしたが、本発明は、基板２０
表面にＡｕ−Ｓｉ系半田材を設けるようにしても同様の
効果を奏する。
ｕ半田材２を設けるようにしたが、本発明は、基板２０
表面にＡｕ−Ｓｉ系半田材を設けるようにしても同様の
効果を奏する。
【００３１】実施例２．図３は、本発明の第２の実施例
による半導体レーザ装置の窓部の構造を示す断面図であ
り、図において、４０はキャップ部、１はＳｉにより構
成される窓部材、２は半田材、３はキャップ壁部材、１
３ａ，１３ｂはＳｉ窓部材１表面及び裏面に熱酸化によ
り形成されたＳｉＯ2 膜であり、膜厚はλ／２n1に相当
する。１４ａ，１４ｂ及び１６ａ，１６ｂはスパッタ，
または蒸着等で形成されたＡｌ2Ｏ3 膜で、膜厚はλ／
４n2であり、１５ａ，１５ｂはＡｌ2 Ｏ3 膜１４と同様
に形成されたＳｉＯ2 膜で、膜厚はλ／４n1である。本
実施例２における窓部材１は、表面にＳｉＯ2 膜１３
ａ，Ａｌ2 Ｏ3 膜１４ａ，ＳｉＯ2 膜１５ａ，及びＡｌ
2 Ｏ3 膜１６ａの４層の膜によって構成される無反射膜
が、また、裏面にＳｉＯ2 膜１３ｂ，Ａｌ2 Ｏ3 膜１４
ｂ，ＳｉＯ2 膜１５ｂ，及びＡｌ2 Ｏ3 膜１６ｂの４層
の膜によって構成される無反射膜が、それぞれ設けられ
ているものである。ここでλは本実施例の半導体レーザ
装置が扱う波長であり、n1はＳｉＯ2 の屈折率，n2はＡ
ｌ2 Ｏ3 の屈折率である。
による半導体レーザ装置の窓部の構造を示す断面図であ
り、図において、４０はキャップ部、１はＳｉにより構
成される窓部材、２は半田材、３はキャップ壁部材、１
３ａ，１３ｂはＳｉ窓部材１表面及び裏面に熱酸化によ
り形成されたＳｉＯ2 膜であり、膜厚はλ／２n1に相当
する。１４ａ，１４ｂ及び１６ａ，１６ｂはスパッタ，
または蒸着等で形成されたＡｌ2Ｏ3 膜で、膜厚はλ／
４n2であり、１５ａ，１５ｂはＡｌ2 Ｏ3 膜１４と同様
に形成されたＳｉＯ2 膜で、膜厚はλ／４n1である。本
実施例２における窓部材１は、表面にＳｉＯ2 膜１３
ａ，Ａｌ2 Ｏ3 膜１４ａ，ＳｉＯ2 膜１５ａ，及びＡｌ
2 Ｏ3 膜１６ａの４層の膜によって構成される無反射膜
が、また、裏面にＳｉＯ2 膜１３ｂ，Ａｌ2 Ｏ3 膜１４
ｂ，ＳｉＯ2 膜１５ｂ，及びＡｌ2 Ｏ3 膜１６ｂの４層
の膜によって構成される無反射膜が、それぞれ設けられ
ているものである。ここでλは本実施例の半導体レーザ
装置が扱う波長であり、n1はＳｉＯ2 の屈折率，n2はＡ
ｌ2 Ｏ3 の屈折率である。
【００３２】図４は本第２の実施例による半導体レーザ
装置の窓部材１の製造方法を模式的に示す図であり、図
において、図３と同一の符号は、同一又は相当する部分
を示し、１７はレジストである。
装置の窓部材１の製造方法を模式的に示す図であり、図
において、図３と同一の符号は、同一又は相当する部分
を示し、１７はレジストである。
【００３３】次に製造方法について説明する。図４(a)
のように、厚さ３００〜４００μｍのＳｉ基板２０上
に、厚さが数μｍのＡｕ薄膜２ａを蒸着等により形成す
る。次に、内径が３〜４ｍｍとなるように該Ａｕ薄膜２
ａをパターニングして、複数のリング状のＡｕ半田材２
を設ける（図４(b))。この時、この半田材２とＳｉ基板
２０との界面ではＡｕ−Ｓｉ系共晶が形成されている。
次に該リング状の半田材２の内側を除く部分にレジスト
１７を形成し（図４(c))、これをマスクとして熱酸化に
より、Ｓｉ基板２０表面のレジスト１７のない部分にＳ
ｉＯ2 膜１３ａを、また基板２０の裏面側にＳｉＯ2 膜
１３ｂをそれぞれ形成し（図４(d))、さらにＳｉＯ2 膜
１３ａの上にスパッタ，又は蒸着等でＡｌ2 Ｏ3 膜１４
ａ，ＳｉＯ2 膜１５ａ及びＡｌ2 Ｏ3 膜１６ａを順次形
成する（図４(e))。その後、図４(f) に示すように上記
レジスト１７を除去して半田材２上に形成されたＡｌ2
Ｏ3膜１４ａ，ＳｉＯ2 膜１５ａ及びＡｌ2 Ｏ3 膜１６
ａを除去する。さらに図４(g) に示すように、同様の工
程を裏面に対しても行い、Ａｌ2 Ｏ3 膜１４ｂ，ＳｉＯ
2 膜１５ｂ及びＡｌ2 Ｏ3 膜１６ｂを裏面にも形成す
る。次に上記半田材２の外周に沿って、エッチング等に
よりウエハ２０を切り出すことにより、図４(h)に示す
ように両面に無反射膜が形成された窓部材１を得る。そ
の後、該窓部材１をキャップ壁部材３に半田材２により
接着してキャップ部４０を得る。
のように、厚さ３００〜４００μｍのＳｉ基板２０上
に、厚さが数μｍのＡｕ薄膜２ａを蒸着等により形成す
る。次に、内径が３〜４ｍｍとなるように該Ａｕ薄膜２
ａをパターニングして、複数のリング状のＡｕ半田材２
を設ける（図４(b))。この時、この半田材２とＳｉ基板
２０との界面ではＡｕ−Ｓｉ系共晶が形成されている。
次に該リング状の半田材２の内側を除く部分にレジスト
１７を形成し（図４(c))、これをマスクとして熱酸化に
より、Ｓｉ基板２０表面のレジスト１７のない部分にＳ
ｉＯ2 膜１３ａを、また基板２０の裏面側にＳｉＯ2 膜
１３ｂをそれぞれ形成し（図４(d))、さらにＳｉＯ2 膜
１３ａの上にスパッタ，又は蒸着等でＡｌ2 Ｏ3 膜１４
ａ，ＳｉＯ2 膜１５ａ及びＡｌ2 Ｏ3 膜１６ａを順次形
成する（図４(e))。その後、図４(f) に示すように上記
レジスト１７を除去して半田材２上に形成されたＡｌ2
Ｏ3膜１４ａ，ＳｉＯ2 膜１５ａ及びＡｌ2 Ｏ3 膜１６
ａを除去する。さらに図４(g) に示すように、同様の工
程を裏面に対しても行い、Ａｌ2 Ｏ3 膜１４ｂ，ＳｉＯ
2 膜１５ｂ及びＡｌ2 Ｏ3 膜１６ｂを裏面にも形成す
る。次に上記半田材２の外周に沿って、エッチング等に
よりウエハ２０を切り出すことにより、図４(h)に示す
ように両面に無反射膜が形成された窓部材１を得る。そ
の後、該窓部材１をキャップ壁部材３に半田材２により
接着してキャップ部４０を得る。
【００３４】ここで、図５に、Ｓｉからなる窓部の表面
に上記と同様の４層の膜からなる無反射膜を形成した場
合に、最表面のＡｌ2 Ｏ3 膜の膜厚が所定のλ／４n2に
対して±１００％の範囲でずれたと想定した時の無反射
膜全体の反射率のシミュレーション結果を示す。図５
(a) は窓部上の第４層（Ａｌ2 Ｏ3 ）の膜厚D4と窓部の
端面反射率Ｒの関係を示す図で、横軸は第４層の膜厚の
変化を膜厚D4がλ／４n2である時を１００％として示し
たもので、縦軸は膜厚D4の変化に対応した端面反射率Ｒ
の変化を示している。また、図５(b) は上記シミュレー
ションに使用した窓部のモデルを示したものであり、図
において３０はＳｉ製窓部、３１は無反射膜の第１層を
構成する，厚さD1がλ／２n1であるＳｉＯ2 膜、３２は
無反射膜の第２層を構成する，厚さD2がλ／４n2である
Ａｌ2 Ｏ3 膜、３３は無反射膜の第３層を構成する，厚
さD3がλ／２n1であるＳｉＯ2 膜、３４は無反射膜の第
４層を構成するＡｌ2 Ｏ3 膜で、この厚さD4は０からλ
／４n2の範囲で変化させることができる。３５は上記窓
部に入射される波長λの光である。なお、このシミュレ
ーションではn1（ＳｉＯ2 の屈折率）の値としては１．
４５を使用し、n2（Ａｌ2 Ｏ3 の屈折率）の値としては
１．６３を使用し、Ｓｉ製窓部材の屈折率の値としては
３．５０を使用した。
に上記と同様の４層の膜からなる無反射膜を形成した場
合に、最表面のＡｌ2 Ｏ3 膜の膜厚が所定のλ／４n2に
対して±１００％の範囲でずれたと想定した時の無反射
膜全体の反射率のシミュレーション結果を示す。図５
(a) は窓部上の第４層（Ａｌ2 Ｏ3 ）の膜厚D4と窓部の
端面反射率Ｒの関係を示す図で、横軸は第４層の膜厚の
変化を膜厚D4がλ／４n2である時を１００％として示し
たもので、縦軸は膜厚D4の変化に対応した端面反射率Ｒ
の変化を示している。また、図５(b) は上記シミュレー
ションに使用した窓部のモデルを示したものであり、図
において３０はＳｉ製窓部、３１は無反射膜の第１層を
構成する，厚さD1がλ／２n1であるＳｉＯ2 膜、３２は
無反射膜の第２層を構成する，厚さD2がλ／４n2である
Ａｌ2 Ｏ3 膜、３３は無反射膜の第３層を構成する，厚
さD3がλ／２n1であるＳｉＯ2 膜、３４は無反射膜の第
４層を構成するＡｌ2 Ｏ3 膜で、この厚さD4は０からλ
／４n2の範囲で変化させることができる。３５は上記窓
部に入射される波長λの光である。なお、このシミュレ
ーションではn1（ＳｉＯ2 の屈折率）の値としては１．
４５を使用し、n2（Ａｌ2 Ｏ3 の屈折率）の値としては
１．６３を使用し、Ｓｉ製窓部材の屈折率の値としては
３．５０を使用した。
【００３５】図５(a) から分かるように、本実施例２の
無反射膜の構成において、第４膜の膜厚D4が０又はλ／
２n2の時、端面反射率Ｒは２２．０４％と最も大きい値
を取り、膜厚D4がλ／４n2の時に最も小さい０．０４％
の値を示す。従って、第４膜の膜厚D4をλ／４n2とする
ことができれば、上記無反射膜の反射率は０．０４％と
なり、無反射膜として十分な機能が得られることがわか
る。
無反射膜の構成において、第４膜の膜厚D4が０又はλ／
２n2の時、端面反射率Ｒは２２．０４％と最も大きい値
を取り、膜厚D4がλ／４n2の時に最も小さい０．０４％
の値を示す。従って、第４膜の膜厚D4をλ／４n2とする
ことができれば、上記無反射膜の反射率は０．０４％と
なり、無反射膜として十分な機能が得られることがわか
る。
【００３６】本実施例の無反射膜のＳｉＯ2 膜１３ａ，
１３ｂは、Ｓｉウエハ等を加熱した際にＳｉ表面が酸化
されてＳｉＯ2 膜が形成される性質を利用して作製した
ものであり、このように窓部材１表面が酸化されて形成
されたＳｉＯ2 膜を利用することにより、無反射膜の作
製を容易に行うことができる。
１３ｂは、Ｓｉウエハ等を加熱した際にＳｉ表面が酸化
されてＳｉＯ2 膜が形成される性質を利用して作製した
ものであり、このように窓部材１表面が酸化されて形成
されたＳｉＯ2 膜を利用することにより、無反射膜の作
製を容易に行うことができる。
【００３７】このように本発明の第２の実施例では、半
導体レーザ装置の窓部材１の材料としてＳｉを用い、該
窓部材１上に、該窓部材１の表面が酸化されて形成され
たＳｉＯ2 膜を利用した無反射膜を設けるようにしたか
ら、窓部における光の反射を抑えることができ、高性能
な半導体レーザ装置を容易に得ることができる。
導体レーザ装置の窓部材１の材料としてＳｉを用い、該
窓部材１上に、該窓部材１の表面が酸化されて形成され
たＳｉＯ2 膜を利用した無反射膜を設けるようにしたか
ら、窓部における光の反射を抑えることができ、高性能
な半導体レーザ装置を容易に得ることができる。
【００３８】また、半導体装置の製造に一般的に用いら
れるシリコン単結晶のウエハを用いて、従来のウエハプ
ロセスに使用されている装置等を利用して、無反射膜を
有した窓部材１を作製することができるから、高性能な
窓部材を安価に得ることができる。
れるシリコン単結晶のウエハを用いて、従来のウエハプ
ロセスに使用されている装置等を利用して、無反射膜を
有した窓部材１を作製することができるから、高性能な
窓部材を安価に得ることができる。
【００３９】なお、上記第２の実施例においては、無反
射膜としてＳｉＯ2 膜，及びＡｌ2Ｏ3 膜からなる多層
膜を用いたが、本発明は無反射膜として他の誘電体膜か
らなる単層，または多層の膜を用いた場合についても適
用でき、上記実施例と同様の効果を奏する。
射膜としてＳｉＯ2 膜，及びＡｌ2Ｏ3 膜からなる多層
膜を用いたが、本発明は無反射膜として他の誘電体膜か
らなる単層，または多層の膜を用いた場合についても適
用でき、上記実施例と同様の効果を奏する。
【００４０】また、上記各実施例においては、キャップ
部が、Ｓｉからなる窓部材と、Ｓｉ以外の材料からなる
キャップ壁部材とが共晶合金を形成する半田材により接
着された場合について説明したが、本発明は、窓部とキ
ャップ壁部材とを含むキャップ部全体がＳｉにより一体
として形成されている場合においても適用可能なもので
あり、この場合は、キャップ部全体とアイレット部との
接着をＳｉと共晶合金を形成する半田材で接着すること
により、上記各実施例と同様の効果が得られる。
部が、Ｓｉからなる窓部材と、Ｓｉ以外の材料からなる
キャップ壁部材とが共晶合金を形成する半田材により接
着された場合について説明したが、本発明は、窓部とキ
ャップ壁部材とを含むキャップ部全体がＳｉにより一体
として形成されている場合においても適用可能なもので
あり、この場合は、キャップ部全体とアイレット部との
接着をＳｉと共晶合金を形成する半田材で接着すること
により、上記各実施例と同様の効果が得られる。
【００４１】また、上記各実施例においては、半導体光
素子として半導体レーザチップを使用した光半導体装置
の場合について説明したが、本発明は、半導体光素子と
して発光ダイオード，フォトダイオード，あるいは発
光，受光の両方の機能を有する素子等を使用した光半導
体装置についても適用でき、上記各実施例と同様の効果
を奏する。
素子として半導体レーザチップを使用した光半導体装置
の場合について説明したが、本発明は、半導体光素子と
して発光ダイオード，フォトダイオード，あるいは発
光，受光の両方の機能を有する素子等を使用した光半導
体装置についても適用でき、上記各実施例と同様の効果
を奏する。
【００４２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、発光また
は受光もしくは発光及び受光の両方の機能を有する半導
体光素子を、Ｓｉからなる窓部を含むパッケージで気密
封止するようにし、上記Ｓｉからなる窓部を、上記パッ
ケージの該窓部以外の部材に、Ｓｉと共晶合金を形成す
る半田材を用いて接着するようにしたので、接着部に共
晶合金が形成され、接着部が外部環境、特に湿度に対し
て安定であり、信頼性の高い光半導体装置を得ることが
できる効果がある。
は受光もしくは発光及び受光の両方の機能を有する半導
体光素子を、Ｓｉからなる窓部を含むパッケージで気密
封止するようにし、上記Ｓｉからなる窓部を、上記パッ
ケージの該窓部以外の部材に、Ｓｉと共晶合金を形成す
る半田材を用いて接着するようにしたので、接着部に共
晶合金が形成され、接着部が外部環境、特に湿度に対し
て安定であり、信頼性の高い光半導体装置を得ることが
できる効果がある。
【００４３】また、光半導体装置を組み立てた状態で、
窓部を透して内部を目視できないものとすることができ
るので、半導体レーザ装置内部に取り付けられた素子の
配置等の単なる不揃いを原因とした不良品を発生させる
ことがなく、製品の歩留りを向上できる効果がある。
窓部を透して内部を目視できないものとすることができ
るので、半導体レーザ装置内部に取り付けられた素子の
配置等の単なる不揃いを原因とした不良品を発生させる
ことがなく、製品の歩留りを向上できる効果がある。
【００４４】さらに、上記Ｓｉからなる窓部材を、半導
体装置の製造に一般的に用いられるＳｉのウエハを用
い、従来のウエハプロセスに使用されている装置を利用
して作製することができるので、窓部材を容易、かつ安
価に得ることができ、これにより、安価に発光機能を有
した光半導体装置を得ることができる効果がある。
体装置の製造に一般的に用いられるＳｉのウエハを用
い、従来のウエハプロセスに使用されている装置を利用
して作製することができるので、窓部材を容易、かつ安
価に得ることができ、これにより、安価に発光機能を有
した光半導体装置を得ることができる効果がある。
【００４５】また、本発明によれば、さらに上記窓部の
両面に、単層又は多層の誘電体薄膜により構成される無
反射膜を備えたので、窓部における光の反射を抑えるこ
とができ、上記窓部の透過率を向上させることができ、
優れた特性の光半導体装置を得ることができる効果があ
る。
両面に、単層又は多層の誘電体薄膜により構成される無
反射膜を備えたので、窓部における光の反射を抑えるこ
とができ、上記窓部の透過率を向上させることができ、
優れた特性の光半導体装置を得ることができる効果があ
る。
【００４６】また、本発明によれば、さらに上記無反射
膜を、上記窓部の表面を酸化して形成されたＳｉＯ2 膜
と、該ＳｉＯ2 膜の表面に配置された単層又は多層の誘
電体薄膜により構成したので、表面が外気との反応によ
り酸化されやすいＳｉの性質を利用して、容易に無反射
膜を形成することができ、優れた特性の光半導体装置を
容易に得ることができる効果がある。
膜を、上記窓部の表面を酸化して形成されたＳｉＯ2 膜
と、該ＳｉＯ2 膜の表面に配置された単層又は多層の誘
電体薄膜により構成したので、表面が外気との反応によ
り酸化されやすいＳｉの性質を利用して、容易に無反射
膜を形成することができ、優れた特性の光半導体装置を
容易に得ることができる効果がある。
【図１】図１(a) は、本発明の第１の実施例による半導
体レーザ装置のキャップ（封止）部の断面を示す図（図
１(a))，光半導体装置の断面を示す図（図１(b))，及び
窓部を示す斜視図（図１(c))である。
体レーザ装置のキャップ（封止）部の断面を示す図（図
１(a))，光半導体装置の断面を示す図（図１(b))，及び
窓部を示す斜視図（図１(c))である。
【図２】本発明の第１の実施例による半導体レーザ装置
のキャップ部の製造工程を示す断面図である。
のキャップ部の製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例による半導体レーザ装置
の窓部の構成を示す断面図である。
の窓部の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施例による半導体レーザ装置
の窓部の製造工程を示す断面図である。
の窓部の製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の第２の実施例による半導体レーザ装置
の窓部表面に設けられた無反射膜の反射率シミュレーシ
ョンの結果を示す図（図５(a))，及び反射膜シミュレー
ションのモデルを示す図（図５(b))である。
の窓部表面に設けられた無反射膜の反射率シミュレーシ
ョンの結果を示す図（図５(a))，及び反射膜シミュレー
ションのモデルを示す図（図５(b))である。
【図６】従来の半導体レーザ装置の構造を示す図であ
る。
る。
【図７】従来の半導体レーザ装置の製造工程を示す斜視
図（図７(a))，及び断面図（図７(b))である。
図（図７(a))，及び断面図（図７(b))である。
１ Ｓｉ製窓部材 ２ Ａｕ半田材 ２ａ Ａｕ薄膜 ３，１０１ キャップ（封止）壁部材 ３ａ，１０１ａ 開口部 ４，１０４ 半導体レーザチップ ５，１０５ ヒートシンク ６，１０６ サブマウント ７，１０７ 内蔵ホトダイオードチップ ８，１０８ ホトダイオードリード ９，１０９ コモン（接地）リード １０，１１０ レーザチップリード １１，１１１ Ａｕワイヤ １２，１１２ ベース部（アイレット部） １３ Ａｕワイヤ １３ａ，１３ｂ Ｓｉ熱酸化膜（ＳｉＯ2 ） １４ａ，１４ｂ Ａｌ2 Ｏ3 膜 １６ａ，１６ｂ Ａｌ2 Ｏ3 膜 １５ａ，１５ｂ ＳｉＯ2 膜 １７ レジスト ２０ Ｓｉウエハ ３０ Ｓｉ窓部材 ３１ ＳｉＯ2 膜（第１層） ３２ Ａｌ2 Ｏ3 膜（第２層） ３３ ＳｉＯ2 膜（第３層） ３４ Ａｌ2 Ｏ3 膜（第４層） ３５ 入射光 ４０，１００ キャップ部 ５０，２００ 半導体レーザ装置 １１６ 窓部材 １１７ Ｐｂ系ガラス
Claims (7)
- 【請求項１】 発光または受光もしくは発光及び受光の
両方の機能を有する半導体光素子と、該半導体光素子か
ら放出される光又は上記半導体光素子に入射される光を
透過させる材質からなる窓部を含み，上記半導体光素子
を気密封止するパッケージとを備え、 上記窓部はＳｉからなるものであり、 該窓部は上記パッケージ本体にＳｉと共晶合金を形成す
る半田材を用いて接着されていることを特徴とする光半
導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の光半導体装置において、 上記Ｓｉと共晶合金を形成する半田材は、Ａｕ半田材，
又はＡｕ−Ｓｉ系半田材であることを特徴とする光半導
体装置。 - 【請求項３】 発光機能を有する半導体光素子と、該半
導体光素子から放出される光を透過させる材質からなる
窓部を含み，上記半導体光素子を気密封止するパッケー
ジとを備え、 上記窓部がＳｉからなることを特徴とする光半導体装
置。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の光半導体装置において、 上記窓部は、その両面上に、単層又は多層の誘電体薄膜
により構成される無反射膜を備えていることを特徴とす
る光半導体装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の光半導体装置において、 上記無反射膜は、上記窓部の表面を酸化して形成された
ＳｉＯ2 膜と、該ＳｉＯ2 膜の表面に形成された単層又
は多層の誘電体薄膜とにより構成されていることを特徴
とする光半導体装置。 - 【請求項６】 請求項５記載の光半導体装置において、 上記無反射膜は、上記窓部表面を酸化して形成された、
厚さがλ／２n1（λ：上記窓部を透過させる光の波長，
n1：ＳｉＯ2 の屈折率）であるＳｉＯ2 からなる膜と、 該ＳｉＯ2 からなる膜表面に形成された、厚さがλ／４
n2（n2：Ａｌ2 Ｏ3 の屈折率）であるＡｌ2 Ｏ3 からな
る膜と、 該Ａｌ2 Ｏ3 からなる膜表面に形成された、厚さがλ／
４n1であるＳｉＯ2 からなる膜と、 該ＳｉＯ2 からなる膜表面に形成された、厚さがλ／４
n2であるＡｌ2 Ｏ3 からなる膜とにより構成されている
ことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項７】 発光または受光もしくは発光及び受光の
両方の機能を有する半導体光素子と、該半導体光素子か
ら放出される光又は上記半導体光素子に入射される光を
透過させる材質からなる窓部を含み，上記半導体光素子
を気密封止するパッケージとを備え、 上記窓部はＳｉからなるものであり、 該窓部は、その両面上に、該窓部の表面を酸化して形成
されたＳｉＯ2 膜と、該ＳｉＯ2 膜の表面に形成された
単層又は多層の誘電体薄膜とにより構成される無反射膜
を備えていることを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5242363A JPH0799368A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 光半導体装置 |
| US08/308,254 US5483095A (en) | 1993-09-29 | 1994-09-19 | Optical semiconductor device |
| DE4433521A DE4433521A1 (de) | 1993-09-29 | 1994-09-20 | Optische Halbleitervorrichtung |
| FR9411650A FR2710783B1 (fr) | 1993-09-29 | 1994-09-29 | Dispositif à semiconducteurs optique . |
| FR9500522A FR2713401B1 (fr) | 1993-09-29 | 1995-01-18 | Dispositif à semiconducteurs optique. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5242363A JPH0799368A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0799368A true JPH0799368A (ja) | 1995-04-11 |
Family
ID=17088072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5242363A Pending JPH0799368A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 光半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5483095A (ja) |
| JP (1) | JPH0799368A (ja) |
| DE (1) | DE4433521A1 (ja) |
| FR (1) | FR2710783B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014225665A (ja) * | 2013-05-14 | 2014-12-04 | マイクロ・ハイブリッド エレクトロニック ゲーエムベーハー | 気密封止光電子変換又は電子光学変換部品及びその製造方法 |
| JP2016526290A (ja) * | 2013-05-13 | 2016-09-01 | イエーノプティーク オプティカル システムズ ゲーエムベーハー | 筐体内に密閉封止してはんだ付けすることができる窓要素を製造するための方法、および前記方法によって製造された自由形状窓要素 |
| CN111786256A (zh) * | 2020-08-26 | 2020-10-16 | 广东瑞谷光网通信股份有限公司 | 一种光发射激光器的TO-can封装结构及其封装方法 |
| US20210075186A1 (en) * | 2018-04-28 | 2021-03-11 | SZ DJI Technology Co., Ltd. | Laser diode module, transmitter, ranging device and electronic device |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6265240B1 (en) * | 1998-03-24 | 2001-07-24 | Lucent Technologies, Inc. | Method and apparatus for passively aligning components on semiconductor dies |
| KR100269330B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2000-12-01 | 윤종용 | 반사 방지 캡 및 스페이서를 구비하는 반도체장치, 이의 제조방법 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 제조방법 |
| US6577656B2 (en) * | 2001-03-13 | 2003-06-10 | Finisar Corporation | System and method of packaging a laser/detector |
| US6762072B2 (en) * | 2002-03-06 | 2004-07-13 | Robert Bosch Gmbh | SI wafer-cap wafer bonding method using local laser energy, device produced by the method, and system used in the method |
| JP3729171B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2005-12-21 | 松下電器産業株式会社 | 混合回路とこれを用いた高周波信号受信装置 |
| JP3655916B2 (ja) * | 2003-04-04 | 2005-06-02 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置用キャップ |
| EP1480301B1 (en) * | 2003-05-23 | 2006-04-26 | Agilent Technologies | A hermetic casing, for optical and optoelectronic sub-assemblies |
| DE102005024512B3 (de) * | 2005-05-26 | 2007-02-08 | Jenoptik Laser, Optik, Systeme Gmbh | Verfahren zur Herstellung von in ein Gehäuse hermetisch dicht einlötbaren Fensterelementen |
| US7745788B2 (en) * | 2005-09-23 | 2010-06-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical trapping with a semiconductor |
| DE102009012394A1 (de) * | 2009-03-10 | 2010-11-18 | Schott Ag | Gehäusebauteil, insbesondere für optoelektronische Anwendungen |
| DE102009034532A1 (de) * | 2009-07-23 | 2011-02-03 | Msg Lithoglas Ag | Verfahren zum Herstellen einer strukturierten Beschichtung auf einem Substrat, beschichtetes Substrat sowie Halbzeug mit einem beschichteten Substrat |
| JP5338788B2 (ja) * | 2010-11-10 | 2013-11-13 | 船井電機株式会社 | レーザホルダ、及び、それを備えた光ピックアップ |
| DE102014107960A1 (de) * | 2014-06-05 | 2015-12-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| DE102018101198A1 (de) * | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum herstellen eines gehäusedeckels für ein laserbauelement und gehäusedeckel für ein laserbauelement sowie laserbauelement |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5026292Y1 (ja) * | 1968-01-29 | 1975-08-06 | ||
| DE2728127A1 (de) * | 1976-06-23 | 1978-01-05 | Nippon Kogaku Kk | Antireflexbelag fuer ein kunststoffsubstrat |
| US4355321A (en) * | 1981-02-02 | 1982-10-19 | Varian Associates, Inc. | Optoelectronic assembly including light transmissive single crystal semiconductor window |
| JPS584955A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 金めつきされた電子部品パツケ−ジ |
| NL8303316A (nl) * | 1983-09-28 | 1985-04-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting voor het uitzenden van licht. |
| FR2554971B1 (fr) * | 1983-11-14 | 1986-01-24 | Labo Electronique Physique | Dispositif a couplage de charges sensible au rayonnement infrarouge et procede de realisation d'un tel dispositif |
| JPS60110156A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-15 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
| GB2164789B (en) * | 1984-09-19 | 1987-11-11 | Philips Electronic Associated | Pyroelectric infra-red detector |
| US4810671A (en) * | 1986-06-12 | 1989-03-07 | Intel Corporation | Process for bonding die to substrate using a gold/silicon seed |
| US5106671A (en) * | 1990-12-10 | 1992-04-21 | Ford Motor Company | Transparent anti-reflective coating |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP5242363A patent/JPH0799368A/ja active Pending
-
1994
- 1994-09-19 US US08/308,254 patent/US5483095A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-09-20 DE DE4433521A patent/DE4433521A1/de not_active Ceased
- 1994-09-29 FR FR9411650A patent/FR2710783B1/fr not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016526290A (ja) * | 2013-05-13 | 2016-09-01 | イエーノプティーク オプティカル システムズ ゲーエムベーハー | 筐体内に密閉封止してはんだ付けすることができる窓要素を製造するための方法、および前記方法によって製造された自由形状窓要素 |
| JP2014225665A (ja) * | 2013-05-14 | 2014-12-04 | マイクロ・ハイブリッド エレクトロニック ゲーエムベーハー | 気密封止光電子変換又は電子光学変換部品及びその製造方法 |
| US10845047B2 (en) | 2013-05-14 | 2020-11-24 | Micro-Hybrid Electronic Gmbh | Hermetically gastight optoelectronic or electro-optical component and method for producing the same |
| US20210075186A1 (en) * | 2018-04-28 | 2021-03-11 | SZ DJI Technology Co., Ltd. | Laser diode module, transmitter, ranging device and electronic device |
| CN111786256A (zh) * | 2020-08-26 | 2020-10-16 | 广东瑞谷光网通信股份有限公司 | 一种光发射激光器的TO-can封装结构及其封装方法 |
Also Published As
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| US5483095A (en) | 1996-01-09 |
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