JPS60110156A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法Info
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- JPS60110156A JPS60110156A JP58217704A JP21770483A JPS60110156A JP S60110156 A JPS60110156 A JP S60110156A JP 58217704 A JP58217704 A JP 58217704A JP 21770483 A JP21770483 A JP 21770483A JP S60110156 A JPS60110156 A JP S60110156A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
図である。図において、１はシリコン基板、２はｎ＋拡
散層、３はゲート電極、４ａ、４ｂは垂直信号線、７は
層間絶縁膜、８は有機保ｍ膜、９はゼラチンフィルタで
ある。このような素子では光量り。
散層、３はゲート電極、４ａ、４ｂは垂直信号線、７は
層間絶縁膜、８は有機保ｍ膜、９はゼラチンフィルタで
ある。このような素子では光量り。
を受ける側にゼラチンフィルタが設置されているため、
素子をパッケージに組込みシールするときに、シール温
度が１８０υ以上に上昇すると、このゼラチンフィルタ
が熱損失を受けて特性が劣化し、フィルタとしての機能
が著しく低下する。
素子をパッケージに組込みシールするときに、シール温
度が１８０υ以上に上昇すると、このゼラチンフィルタ
が熱損失を受けて特性が劣化し、フィルタとしての機能
が著しく低下する。
このため、従来れ第２図に示すように、シール部分のみ
加熱してＡｕ−ａｎの共晶点を利用して相対する金属面
同志をシールし、素子のゼラチンフィルタの部分の温度
を１８０ ’Ｏ以下になるように抑えていた。
加熱してＡｕ−ａｎの共晶点を利用して相対する金属面
同志をシールし、素子のゼラチンフィルタの部分の温度
を１８０ ’Ｏ以下になるように抑えていた。
第２図において、１０はガラスキャップ、１１は低融点
フリット、１２はセラミック、１３はメタライズ層、１
４は金属、１５はＡｕ−８ｎＯつ。
フリット、１２はセラミック、１３はメタライズ層、１
４は金属、１５はＡｕ−８ｎＯつ。
１６は金属層、１１はメタクイズ層、１８はセラミック
パッケージ、１９は素子である。
パッケージ、１９は素子である。
しかし、従来はガラスキャップとセラミックパッケージ
の間に７層の中間層が介在するため、工数が多くなりコ
ストが上昇し、製造原価が非常に高くなるという欠点が
あった。
の間に７層の中間層が介在するため、工数が多くなりコ
ストが上昇し、製造原価が非常に高くなるという欠点が
あった。
また２周辺部のシールはローラによるシームウエルダ溶
接を行なっているが、接触の状態によつて電流値がばら
つくこともあシ、内部の温度が高くなったシ、不均一な
歪が入ったシして作業が安の目的は作業性よく歩留が向
上してコスト低減がはかれるような固体撮像素子の製造
方法を提供す断面図である。図において、第２図と同−
又は相当部分には同一符号を付しである。ガラスキャッ
プ１０に低融点ガラスを５〜１０％含むＡｇ＋Ａｇ−Ｐ
ｄ 、 Ａｇ−Ｐｔ 、 Ａｕ−Ｐｄ、又はＡｕ−Ｐｔ
等からなる金属ペースト２０をガラスキャップ１ｏの屈
伏点（ｌｏｌｌ〜１０１！ポイズのときの温度）以下の
温度で焼付ける。一方、素子１９を装着したセラミック
パッケージ１Ｂのシール面にＭｏ−Ｍｎインクからなる
メタ２イズ層１ＴとＮｉメッキ層又は銀ロウづけされた
コバール金属層からなる金属層１６を形成する。そして
、相対するシール面の間に４２８ｎ−５８Ｂ１（ａｎが
４２ｗｔ％、Ｂ１が５８ｗｔチの合金）の低融点半田を
ペースト又はシート。
接を行なっているが、接触の状態によつて電流値がばら
つくこともあシ、内部の温度が高くなったシ、不均一な
歪が入ったシして作業が安の目的は作業性よく歩留が向
上してコスト低減がはかれるような固体撮像素子の製造
方法を提供す断面図である。図において、第２図と同−
又は相当部分には同一符号を付しである。ガラスキャッ
プ１０に低融点ガラスを５〜１０％含むＡｇ＋Ａｇ−Ｐ
ｄ 、 Ａｇ−Ｐｔ 、 Ａｕ−Ｐｄ、又はＡｕ−Ｐｔ
等からなる金属ペースト２０をガラスキャップ１ｏの屈
伏点（ｌｏｌｌ〜１０１！ポイズのときの温度）以下の
温度で焼付ける。一方、素子１９を装着したセラミック
パッケージ１Ｂのシール面にＭｏ−Ｍｎインクからなる
メタ２イズ層１ＴとＮｉメッキ層又は銀ロウづけされた
コバール金属層からなる金属層１６を形成する。そして
、相対するシール面の間に４２８ｎ−５８Ｂ１（ａｎが
４２ｗｔ％、Ｂ１が５８ｗｔチの合金）の低融点半田を
ペースト又はシート。
リング等の手段で介在させ、１８０°Ｃ以下の温度で融
着シーリングする。
着シーリングする。
このようにすると、ガラスキャップとセラミックパッケ
ージの間は４層になシ、工数、コストは大幅に低減する
。また１ ８０ ’０以下の温度で均一に加熱すること
ができるので、フィルタの熱損大がなく、光学的品質は
良好に保たれる。さらに均一に全体が加熱されるので９
局部的な過剰加熱や歪の発生がなく、パッケージとして
の信頼性が著しく向上する。
ージの間は４層になシ、工数、コストは大幅に低減する
。また１ ８０ ’０以下の温度で均一に加熱すること
ができるので、フィルタの熱損大がなく、光学的品質は
良好に保たれる。さらに均一に全体が加熱されるので９
局部的な過剰加熱や歪の発生がなく、パッケージとして
の信頼性が著しく向上する。
イルターの熱損侶もなく、かつ気密性で高信頼。
高品質のパンケージを形成することができた。
ｇｔ図は従来の固体撮像素子の部分断面図、−第２図は
同じく全体の断面図、第３図は本発明によシ製造した固
体撮像素子の断面図である。 １０・・・・ガラスキャップ、１６・拳・・金ＫＡ層、
１７・・・・メタライズ層、１８・・・・セラミックパ
ッケージ、１９・・・・素子、２０・・・・金属ペース
ト、２１・・・・低融点半田。 代 理 人 弁理士 高 橋 明 失 策１図 第２図 ｎ 第３図 ０ １９ １ｄ
同じく全体の断面図、第３図は本発明によシ製造した固
体撮像素子の断面図である。 １０・・・・ガラスキャップ、１６・拳・・金ＫＡ層、
１７・・・・メタライズ層、１８・・・・セラミックパ
ッケージ、１９・・・・素子、２０・・・・金属ペース
ト、２１・・・・低融点半田。 代 理 人 弁理士 高 橋 明 失 策１図 第２図 ｎ 第３図 ０ １９ １ｄ
Claims (1)
- ガラスキャップに低融点ガラスを５〜１０チ含むＡｇ
、 Ａｇ−Ｐｄ 、 Ａｇ−Ｐ ｔ 、 Ａｕ−Ｐｄ
、 Ａｕ−Ｐ を等からなる金属ペーストを塗布し、ガ
ラスキャップの屈伏温度以下の温度で焼付け、この金属
ペースト面と相対するセラミックパッケージの金属化さ
れたシール面との間に、４２８ｎ−５８８ｉの半田を挾
んで１８０ ’Ｏ以下の温度で気密シールするようにし
た固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58217704A JPS60110156A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58217704A JPS60110156A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60110156A true JPS60110156A (ja) | 1985-06-15 |
Family
ID=16708422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58217704A Pending JPS60110156A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60110156A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2667981A1 (fr) * | 1990-10-12 | 1992-04-17 | Thomson Csf | Procede d'assemblage de deux couches constituees de materiaux differents et son application a l'encapsulation hermetique de circuits hybrides. |
| FR2710783A1 (fr) * | 1993-09-29 | 1995-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif à semiconducteurs optique . |
-
1983
- 1983-11-21 JP JP58217704A patent/JPS60110156A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2667981A1 (fr) * | 1990-10-12 | 1992-04-17 | Thomson Csf | Procede d'assemblage de deux couches constituees de materiaux differents et son application a l'encapsulation hermetique de circuits hybrides. |
| FR2710783A1 (fr) * | 1993-09-29 | 1995-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif à semiconducteurs optique . |
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