JPS61112370A - パツケ−ジ - Google Patents

パツケ−ジ

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Publication number
JPS61112370A
JPS61112370A JP59234520A JP23452084A JPS61112370A JP S61112370 A JPS61112370 A JP S61112370A JP 59234520 A JP59234520 A JP 59234520A JP 23452084 A JP23452084 A JP 23452084A JP S61112370 A JPS61112370 A JP S61112370A
Authority
JP
Japan
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cap
filter
eutectic solder
sealing
solder preform
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59234520A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Yamashita
力 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP59234520A priority Critical patent/JPS61112370A/ja
Publication of JPS61112370A publication Critical patent/JPS61112370A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばC0D(i[荷結合デバイス)等の固
体撮像デバイスに用いるパッケージの改良に関するもの
である。
〔従来の技術〕
一般忙は固体撮像デバイスは、その信頼性向上のために
外界雰囲気から遮断して保護することが必要不可欠であ
る。しかしながら固体撮像デバイスのフィルターは例え
ば160〜180℃の高温に加熱されると劣化してしま
うため、パッケージ基体とキャップとの接着く際しては
有機接着剤等が使用されているが、完全な気密封止が難
しい。このため気密性が悪(厳正な信頼性試験が適用で
きないという欠点があった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明の目的は、固体撮像デバイスのフィルターが劣化
しない程度の低温封止が可能で、しかも完全な気密性が
得られるパッケージを提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明によるパッケージの特徴は、固体撮像デバイスを
支持し、かつシールリング部を有するノくツケージ基体
と、透明ガラス板を窓枠状金属フレームに低融点ガラス
付けしたキャップと、このシールリング部の上面と窓枠
状金属フレームの下面との間に共晶半田プリフォームと
を設置することによりパッケージを構成し、シームウェ
ルド封止することである。
〔実 施 例〕
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明による固体撮像デバイス用セラミックハ
ッケージの一実施例を示すものである。積層セラミック
体1はセラミックシートを積層焼結して成るもので、金
属層11はタングステン−ニッケルー金等の層であり、
シールリング部loはコパール等の表面にニッケルー金
の金属層を形成して成るものである。セラミックパッケ
ージの他の部分は省略しており積層セラミック基体とし
ては従来技術による。
COD等の固体撮像デバイス2は、APペースト等の接
着剤14により金属層11の上に接着され、デバイス2
の上面には接着剤層3を介してフィルター4が接着され
ている。このフィルター4は耐熱性がないため、低温度
で封止処理を行なう必要がある。
キャップ8は窓枠状金属フレームで、窓部上面側圧はサ
ファイヤ、コバーガラス等の透明ガラス面板6が低融点
ガラス7を介して固着されている。
さらに、キャップ8は透明ガラス面板6と低融点ガラス
7が接触する以外の全面:にッケルメッキを施し、その
表面上にさらに金メッキが施されている。
以上の構成から成るセラミックパッケージ基体とキャッ
プ8との間に共晶半田プリフォーム9を設置し、シーム
ラエルダーを用℃・てキャップ8とシーリング部100
重ね合せ部とが共晶半田プリフォーム9を介して溶接封
止される。シームラエルダーの溶接ローラー電極部13
が外周にそって回転する。シーム溶接時の発熱は極くわ
ずかしか固体i(Jデバイス2とフィルター4とに伝導
せず、フィルター4が熱により劣化することはない。
また封止用ロウ材として金−錫プリフォームと共晶半田
プリフォームとを比較した場合、共晶温度はそれぞれ2
80℃、183℃であり実際に封入を行った場合の溶接
電流は金−錫で65〜70A1半田で ハ45〜50A
の溶接電流が必要であった。この溶接電流値の2乗に比
例して発熱が発生することからフィルターとキャップの
耐熱性及び熱応力かつロウ材の価格を考慮した結果、共
晶半田プリフォームを使用することが有利であることが
判明した。
〔発明の作用〕
前記発明の構成により封止処理にシームウェルド封止と
いう溶接法を採用できるので、固体撮像デバイス2及び
フィルター4が120〜130℃以下の低温に維持され
るよ5KL、て封止を完了することができる。
また、共晶半田プリフォーム9を使用すること忙よりシ
ームウェルド封止に必要な溶接電流は小電流でよく、従
っ【封止時の発熱量が小さく、熱応力による透明ガラス
面板の割れの発生も無い。
さらに前記シールリング部10及びキャップ8の7ラン
ク部の反り、うねりが発生していても、比較的柔かい特
性を示す共晶半田プリフォームを使用するため、前記反
り、うねりは共晶半田プリフォームに吸収され、生じる
機械的歪力によって、キャップの透明ガラス面板が破壊
されるという現象の発生もなく、光学的及び気密性にお
いて問題ないことが判明した。
〔発明の効果」 固体撮像デバイス、特にフィルターは熱的負荷に弱いが
本発明のパッケージ構成を用いることKよりシームウェ
ルディング法を採用することができるので、フィルター
に熱的負荷を与えることがなく、従つて光学的な効率が
向上し、またキャップ、特に透明ガラス面板に対しても
熱的および機械的な歪を与えることもな(、十分な気密
性を確保できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は固体撮像デバイスを搭載した本発明のセラミッ
クパッケージの一実施例の断面図である。 1・・・積層セラミック本体 2・・・固体撮像デバイス 6・・・透面ガラス面板 7・・・低融点ガラス 8・・・窓枠状金属フレーム 9・・・半田プリフォーム 10・・・シールリング部

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  シールリング部を有するパッケージ基体と、透明ガラ
    ス板を窓枠状金属フレームに低融点ガラス付けしたキャ
    ップと、前記シールリング部とキャップとの間に設置さ
    れた共晶半田以下の融点を有するプリフオームとによっ
    て構成され、 シームウエルドされることを特徴とするパッケージ。
JP59234520A 1984-11-07 1984-11-07 パツケ−ジ Pending JPS61112370A (ja)

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JP59234520A JPS61112370A (ja) 1984-11-07 1984-11-07 パツケ−ジ

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JP59234520A JPS61112370A (ja) 1984-11-07 1984-11-07 パツケ−ジ

Publications (1)

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JPS61112370A true JPS61112370A (ja) 1986-05-30

Family

ID=16972308

Family Applications (1)

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JP59234520A Pending JPS61112370A (ja) 1984-11-07 1984-11-07 パツケ−ジ

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54146985A (en) * 1978-05-10 1979-11-16 Hitachi Ltd Package for semiconductor device
JPS5880846A (ja) * 1981-11-09 1983-05-16 Hitachi Ltd 固体撮像装置
JPS58218166A (ja) * 1982-06-14 1983-12-19 Hitachi Ltd 固体撮像装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54146985A (en) * 1978-05-10 1979-11-16 Hitachi Ltd Package for semiconductor device
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JPS58218166A (ja) * 1982-06-14 1983-12-19 Hitachi Ltd 固体撮像装置の製造方法

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