JPS6136969A - 半導体固体撮像装置 - Google Patents
半導体固体撮像装置Info
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- JPS6136969A JPS6136969A JP15981484A JP15981484A JPS6136969A JP S6136969 A JPS6136969 A JP S6136969A JP 15981484 A JP15981484 A JP 15981484A JP 15981484 A JP15981484 A JP 15981484A JP S6136969 A JPS6136969 A JP S6136969A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
-
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、例えばCCD(電荷結合デバイス)等の半導
体固体撮像装置に関し、特にセラミックパッケージを使
用した半導体固体撮像装[に関する。
体固体撮像装置に関し、特にセラミックパッケージを使
用した半導体固体撮像装[に関する。
(従来の技術)
一般に固体撮像テバイスはその信頼性向上のために外界
雰囲気から遮断して保護することが必要不可欠である。
雰囲気から遮断して保護することが必要不可欠である。
しかしながら、半導体固体撮像装置においてはこれに用
いられるフィルターが高温に加熱されると劣化してしま
うため、パッケージ基体と透明ガラス板との接着に際し
ては、封止材にガラスを用いる等の完全な気密封止が難
しく。
いられるフィルターが高温に加熱されると劣化してしま
うため、パッケージ基体と透明ガラス板との接着に際し
ては、封止材にガラスを用いる等の完全な気密封止が難
しく。
有機接着剤等が使用されていた。このため、気密性が悪
く、厳正な信頼性試験憔適用できないという欠点があっ
た。
く、厳正な信頼性試験憔適用できないという欠点があっ
た。
(発明の目的)
本発明の目的は、フィルターが劣化しないyiE?一度
の低温封止が可能で、しかも完全な気密性が得られる半
導体固体撮像装置を提供することにある。
の低温封止が可能で、しかも完全な気密性が得られる半
導体固体撮像装置を提供することにある。
(発明の構成)
本発明の半導体固体撮像装置は、固体撮像テバイス全支
持しかつシールリング部を有するパッケージ基体と、前
記シ」号ング部にシーム溶接され縁iL字状に曲げた窓
部にガラス板を固着した窓枠金属フレームとを含んで構
成される。
持しかつシールリング部を有するパッケージ基体と、前
記シ」号ング部にシーム溶接され縁iL字状に曲げた窓
部にガラス板を固着した窓枠金属フレームとを含んで構
成される。
(発明の作用)
封止処理全シーム溶接により行うため半導体チップが1
20〜130℃以下の低温に維持されるようにして半導
体固体撮像装置の封止全完了することができ、甘た透明
ガラス板を固着する窓枠状金属フレームの窓部の周縁i
L字状に折り曲げた構造にしである為、外圧に対する機
械的強度は十分に維持することが可能で半導体固体撮像
装置の気密性を向上させることができる。
20〜130℃以下の低温に維持されるようにして半導
体固体撮像装置の封止全完了することができ、甘た透明
ガラス板を固着する窓枠状金属フレームの窓部の周縁i
L字状に折り曲げた構造にしである為、外圧に対する機
械的強度は十分に維持することが可能で半導体固体撮像
装置の気密性を向上させることができる。
(実施例)
以下1図面全参照して本発明の実施例について詳述する
。
。
第1図は2本発明の一実施例の半導体固体撮像装置の断
面図で、パッケージ基体は、セラミックシートi積層焼
結して成る積層セラミック体lの凹部底面にタングステ
ン−ニッケルー金等の金属層12が設けられ、さらに積
層セラミック体1の周囲上面には金とスズの合金等から
なるシールリング部9が設けられ、側面には外部リード
14が設けられている。CCD等の固体撮像デバイスの
チップ2はAgペースト等の接着材13により、金属層
12の上に接着され、チップ2の上面には。
面図で、パッケージ基体は、セラミックシートi積層焼
結して成る積層セラミック体lの凹部底面にタングステ
ン−ニッケルー金等の金属層12が設けられ、さらに積
層セラミック体1の周囲上面には金とスズの合金等から
なるシールリング部9が設けられ、側面には外部リード
14が設けられている。CCD等の固体撮像デバイスの
チップ2はAgペースト等の接着材13により、金属層
12の上に接着され、チップ2の上面には。
適当な接着剤層3を介してフィルタ4が接着されている
。チップ2と外部リード14全電気的に接続するために
金属細線5が配線されている。フィルター4は耐熱性が
無いため、低温度で封止処理を行なう必要がある。
。チップ2と外部リード14全電気的に接続するために
金属細線5が配線されている。フィルター4は耐熱性が
無いため、低温度で封止処理を行なう必要がある。
キャップ8の窓枠状金属フレーム15は中央に開けられ
た窓部の周囲が段差を有するように折り曲げられてあり
、この一段低くなったガラス付面には、サファイア、コ
バーガラス等の透明ガラス面板6が低融点ガラス7全介
して固着されている。
た窓部の周囲が段差を有するように折り曲げられてあり
、この一段低くなったガラス付面には、サファイア、コ
バーガラス等の透明ガラス面板6が低融点ガラス7全介
して固着されている。
さらにキャップ8は透明ガラス面板6と低融点ガラス7
以外の全面に、ニッケルメッキ(N i )、スズメッ
キ(Sn)等が施されている。捷た。窓枠状金属フレー
ム15のガラス付面の縁10flL字V状に折ジ曲げた
構造となっているため、外圧に対する機械的強度は十分
に維持され、半導体固体撮像装置の気密性全確保してい
る。
以外の全面に、ニッケルメッキ(N i )、スズメッ
キ(Sn)等が施されている。捷た。窓枠状金属フレー
ム15のガラス付面の縁10flL字V状に折ジ曲げた
構造となっているため、外圧に対する機械的強度は十分
に維持され、半導体固体撮像装置の気密性全確保してい
る。
以上の構成になるパッケージ基体とキャップ8は互いに
重ね合わされ、シームラエルダーによジ窓枠状金属フレ
ーム15とシールリング部9の重ね合せ部が溶接封止さ
れる。第1図には破線でシームラエルダーの溶接ローラ
ー電極部11を示している(他方の電極もほぼ対称に位
置するが図示は省略しである。)。シーム溶接時の発熱
は極くわずかしか固体撮像デバイスのチップ2と、フィ
ルター4に伝導せず、フィルタ4が熱によジ劣化するこ
とは無い。
重ね合わされ、シームラエルダーによジ窓枠状金属フレ
ーム15とシールリング部9の重ね合せ部が溶接封止さ
れる。第1図には破線でシームラエルダーの溶接ローラ
ー電極部11を示している(他方の電極もほぼ対称に位
置するが図示は省略しである。)。シーム溶接時の発熱
は極くわずかしか固体撮像デバイスのチップ2と、フィ
ルター4に伝導せず、フィルタ4が熱によジ劣化するこ
とは無い。
(発明の効果)
本発明の半導体固体撮像装置は、窓枠状金属フレームを
シーム溶接して封止し、窓枠状金属フレームiL字状に
折り曲げることにより固体撮像デバイス、%にフィルタ
ーに熱的負荷を与えることが無く、従って光学的な歩留
が向上し、またキャップの磯舟的強度が維持でき、十分
に気密性全確保できるという効果がある。
シーム溶接して封止し、窓枠状金属フレームiL字状に
折り曲げることにより固体撮像デバイス、%にフィルタ
ーに熱的負荷を与えることが無く、従って光学的な歩留
が向上し、またキャップの磯舟的強度が維持でき、十分
に気密性全確保できるという効果がある。
第1図は、本発明の一実施例の半導体固体撮像装置の断
面向である。
面向である。
Claims (1)
- 固体撮像テバイスを支持しかつシールリング部を有す
るパッケージ基体と、前記シールリング部にシーム溶接
され縁をL字状に曲げた窓部にガラス板を固着した窓枠
状金属フレームとを含むことを特徴とする半導体固体撮
像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15981484A JPS6136969A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 半導体固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15981484A JPS6136969A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 半導体固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6136969A true JPS6136969A (ja) | 1986-02-21 |
Family
ID=15701828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15981484A Pending JPS6136969A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 半導体固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6136969A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6908026B2 (en) | 2001-11-06 | 2005-06-21 | Raytheon Company | Method and apparatus for making a lid with an optically transmissive window |
US6974517B2 (en) * | 2001-06-13 | 2005-12-13 | Raytheon Company | Lid with window hermetically sealed to frame, and a method of making it |
US6988338B1 (en) | 2002-10-10 | 2006-01-24 | Raytheon Company | Lid with a thermally protected window |
CN110687652A (zh) * | 2019-08-30 | 2020-01-14 | 华东光电集成器件研究所 | 一种新型玻璃光窗 |
-
1984
- 1984-07-30 JP JP15981484A patent/JPS6136969A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6974517B2 (en) * | 2001-06-13 | 2005-12-13 | Raytheon Company | Lid with window hermetically sealed to frame, and a method of making it |
US6908026B2 (en) | 2001-11-06 | 2005-06-21 | Raytheon Company | Method and apparatus for making a lid with an optically transmissive window |
US6988338B1 (en) | 2002-10-10 | 2006-01-24 | Raytheon Company | Lid with a thermally protected window |
CN110687652A (zh) * | 2019-08-30 | 2020-01-14 | 华东光电集成器件研究所 | 一种新型玻璃光窗 |
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