JPS598361Y2 - Ｉｃパツケ−ジ - Google Patents
Ｉｃパツケ−ジInfo
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- JPS598361Y2 JPS598361Y2 JP1978113193U JP11319378U JPS598361Y2 JP S598361 Y2 JPS598361 Y2 JP S598361Y2 JP 1978113193 U JP1978113193 U JP 1978113193U JP 11319378 U JP11319378 U JP 11319378U JP S598361 Y2 JPS598361 Y2 JP S598361Y2
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48153—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
- H01L2224/48195—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being a discrete passive component
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は絶縁基板上に取付けられたＩＣペレットの取
付面、即ちペレットの裏面よりアースを取出すようにし
たＩＣパッケージに関するものである。
付面、即ちペレットの裏面よりアースを取出すようにし
たＩＣパッケージに関するものである。
従来ＩＣペレットの裏面よりアースを取出゛すようにさ
れたＩＣパッケージは第１図及び第２図に示すように構
或されていた。
れたＩＣパッケージは第１図及び第２図に示すように構
或されていた。
即ちセラミック基板１１として第１の未焼或の方形セラ
ミック板１２上に同様形状であるが、中央部に方形孔１
３が開けられた第２の未焼或セラミック板１４が配され
、更にその上に方形孔１３より大きい方形孔１５が同軸
心的に開けられた第３の未焼或セラミック板１６が重ね
られ、これ等セラミック板１２，１４．１６が互に圧着
された後還元性雰囲気で焼或されて一体に構或される。
ミック板１２上に同様形状であるが、中央部に方形孔１
３が開けられた第２の未焼或セラミック板１４が配され
、更にその上に方形孔１３より大きい方形孔１５が同軸
心的に開けられた第３の未焼或セラミック板１６が重ね
られ、これ等セラミック板１２，１４．１６が互に圧着
された後還元性雰囲気で焼或されて一体に構或される。
第１のセラミック板１２の中央には方形孔１３の全面に
わたりペレット取付部１７が、またこの取付部１７に接
続されセラミック板１２の１周面まで延長されたアース
導出用リード１８がそれぞれモリブデン及びマンガンの
粉末を主或分とする導電体ペーストの印刷により予め形
威されてある。
わたりペレット取付部１７が、またこの取付部１７に接
続されセラミック板１２の１周面まで延長されたアース
導出用リード１８がそれぞれモリブデン及びマンガンの
粉末を主或分とする導電体ペーストの印刷により予め形
威されてある。
また第２のセラミック板１４の第３のセラミック板１６
側には複数本のり一ド１９が孔１３の位置から外周面に
達するようにモリブデン及びマンガンペーストの印刷に
より予め形或されてある。
側には複数本のり一ド１９が孔１３の位置から外周面に
達するようにモリブデン及びマンガンペーストの印刷に
より予め形或されてある。
そのリード１９中のアース導出用リード１８とセラミッ
ク板を介して対向しているリード１９ｅの途中にセラミ
ック板１４を貫通する小孔２１が形成され、その小｛Ｌ
２１内にモリブデン及びマンガンのペーストが流し込ま
れリード１８及び１９ ｅは互に接続される。
ク板を介して対向しているリード１９ｅの途中にセラミ
ック板１４を貫通する小孔２１が形成され、その小｛Ｌ
２１内にモリブデン及びマンガンのペーストが流し込ま
れリード１８及び１９ ｅは互に接続される。
前記モリブデン及びマンガンのペーストは前記焼或によ
りセラミック板に焼付けられ導電性のモリブデンーマン
ガン合金メタライズ層となる。
りセラミック板に焼付けられ導電性のモリブデンーマン
ガン合金メタライズ層となる。
基板１１の外周にのぞいたモリブテ゛ンーマンガンリー
ド１９の端部にコバール、４２アロイなどの鉄合金製の
外部リード２２の一端部が第３図に示すように銀ロー２
３によりロー付けされ、その後外部リード２２の他端を
互に連結している支持部２４は切り離される。
ド１９の端部にコバール、４２アロイなどの鉄合金製の
外部リード２２の一端部が第３図に示すように銀ロー２
３によりロー付けされ、その後外部リード２２の他端を
互に連結している支持部２４は切り離される。
セラミック基板１１及び外部りード２２はニッケルメッ
キ及び金メッキが施されセラミック基板１１上に露出し
たモリブデンーマンガンメタライズのり一ド１９及び外
部リード２２の表面は金層となる。
キ及び金メッキが施されセラミック基板１１上に露出し
たモリブデンーマンガンメタライズのり一ド１９及び外
部リード２２の表面は金層となる。
第３図に示すように積層セラミック基板１１の方形孔１
３内においてペレット取付部１７上にＩＣペレット２５
が金一珪素合金によって固着される。
３内においてペレット取付部１７上にＩＣペレット２５
が金一珪素合金によって固着される。
そのペレット２５上のアルミニウム電極とセラミック基
板１１内の方形孔１５内に露出している複数本のりード
１９とがそれぞれ複数本のアルミニウム細線２６で超音
波接合により接続される。
板１１内の方形孔１５内に露出している複数本のりード
１９とがそれぞれ複数本のアルミニウム細線２６で超音
波接合により接続される。
セラミック基板１１上にガラス及び又はセラミックのキ
ャップ２７が有機化合物接着剤２８により蓋される。
ャップ２７が有機化合物接着剤２８により蓋される。
この従来のＩＣパッケージにおいてはアース導通路は第
３図に示したようにＩＣペレット２５の下面、つまり基
板１１の接着面がペレット取付部１７、リード１８、貫
通孔２１，アース導通リード１９ ｅを通って外部リー
ド２２の一つに至り外部へ導出される。
３図に示したようにＩＣペレット２５の下面、つまり基
板１１の接着面がペレット取付部１７、リード１８、貫
通孔２１，アース導通リード１９ ｅを通って外部リー
ド２２の一つに至り外部へ導出される。
この従来のパッケージにおいてはキャップ２７と積層セ
ラミック基板１１とを有機化合物接着剤２８を用いて封
止しているため耐水性、気密性に欠ける欠点があり、ま
た積層セラミック基板１１の製造工程が複雑なためパッ
ケージの費用が高価となる欠点もあった。
ラミック基板１１とを有機化合物接着剤２８を用いて封
止しているため耐水性、気密性に欠ける欠点があり、ま
た積層セラミック基板１１の製造工程が複雑なためパッ
ケージの費用が高価となる欠点もあった。
一般にガラスとガラス、ガラスとセラミック、セラミッ
クとガラスの各封止には低融点ガラスを用いることが公
知である。
クとガラスの各封止には低融点ガラスを用いることが公
知である。
この封止には４５０℃程度に加熱する必要があり、第３
図に示したパッケージにこの手法を適用すると、金メッ
キされたり一ド１９の先端部にアルミニウム細線２６と
を接合した部分で金とアルミニウムとの複数な金属間化
合物が生或し、いわゆるパープルプレーグが発生する。
図に示したパッケージにこの手法を適用すると、金メッ
キされたり一ド１９の先端部にアルミニウム細線２６と
を接合した部分で金とアルミニウムとの複数な金属間化
合物が生或し、いわゆるパープルプレーグが発生する。
このパープルプレーグは極めて脆いため苛啼な環境下で
は早期に接触不良や断線のような致命的な故障の原因と
なる。
は早期に接触不良や断線のような致命的な故障の原因と
なる。
金とアルミニウムの金属間化合物の生戒反応速度は低温
程小さいのでキャップ２７とセラミック基板１１との封
止には通常１５０℃程度で接着できる熱硬化性の樹脂を
用いている。
程小さいのでキャップ２７とセラミック基板１１との封
止には通常１５０℃程度で接着できる熱硬化性の樹脂を
用いている。
しかしこのＩＣパッケージが何時も温和な環境で使用さ
れるとは限らず苛酷な環境特に高温に曝されるような所
で使われる場合には依然としてパープルプレーグが発生
する可能性があった。
れるとは限らず苛酷な環境特に高温に曝されるような所
で使われる場合には依然としてパープルプレーグが発生
する可能性があった。
この考案の目的はＩＣペレットの裏面からアースを簡単
な構造で取出すことができ、かつ安価に作ることができ
るＩＣパッケージを提供することにある。
な構造で取出すことができ、かつ安価に作ることができ
るＩＣパッケージを提供することにある。
この考案によれば絶縁基板のＩＣペレットが取付けられ
るべき部分にはメタライズ層が形戊され、そのメタライ
ズ層にはＩＣペレットのみならずアース導出片が固着さ
れる。
るべき部分にはメタライズ層が形戊され、そのメタライ
ズ層にはＩＣペレットのみならずアース導出片が固着さ
れる。
従ってそのアース導出片と絶縁基板上のリード端子とを
アルミニウム細線のボンデイングにより互に接続すれば
ＩＣペレットのアースは簡単に外部に導出され、かつＩ
Ｃパッケージの構造も頗る簡単なものとなる。
アルミニウム細線のボンデイングにより互に接続すれば
ＩＣペレットのアースは簡単に外部に導出され、かつＩ
Ｃパッケージの構造も頗る簡単なものとなる。
しかも前記アース導出片の材料を選定することによりパ
ープルプレーグ発生のおそれが全く無く、かつ耐水性、
気密性に優れたＩＣパッケージとすることができる。
ープルプレーグ発生のおそれが全く無く、かつ耐水性、
気密性に優れたＩＣパッケージとすることができる。
次にこの考案によるＩＣパッケージの実施例を第４図以
下の図面を参照して説明しよう。
下の図面を参照して説明しよう。
焼或セラミック基板３１の一面中央部に凹所３２が形或
されてある。
されてある。
凹所３２の底面にメタライズ層３３が形成される。
例えば金粉末及びガラス粉末を含む導電体金ペーストが
スクリーン印刷又は滴下によって凹所３２の底面全体に
塗布され８００〜９５０℃で焼付けて金メタライズ層３
３が形或される。
スクリーン印刷又は滴下によって凹所３２の底面全体に
塗布され８００〜９５０℃で焼付けて金メタライズ層３
３が形或される。
このセラミック基板３１の上面周辺部に低融点ガラス粉
末がペースト状としてスクリーン印刷又は塗布され４０
０℃程度で仮焼結して薄いガラス層３４が形威される。
末がペースト状としてスクリーン印刷又は塗布され４０
０℃程度で仮焼結して薄いガラス層３４が形威される。
そのガラス層３４上にリードフレーム３５が載せられ４
５０℃程度に加熱されガラス層３４を溶かしてそのリー
ド端子３６がガラス層３４に固定される。
５０℃程度に加熱されガラス層３４を溶かしてそのリー
ド端子３６がガラス層３４に固定される。
リードフレーム３５は第３図に示すようにそのフレーム
部から内側に凹所３２の近くまで延長されたリード端子
３６が複数本一体に形或され、そのリード端子３６の内
端部上にアルミニウム層３７が形或されている。
部から内側に凹所３２の近くまで延長されたリード端子
３６が複数本一体に形或され、そのリード端子３６の内
端部上にアルミニウム層３７が形或されている。
リードフレーム３５はコバール（Ｎｉ：２３〜３２重量
％，Ｃｏ：１６〜３２重量％，Ｍ． ： ０．６〜０．
８重量％，残部Ｆｅ）４２アロイ（Ｎ＋ ： ４２重量
％，残部Ｆｅ）等の鉄合金の帯村上面中心部にアルミニ
ウムを帯状に蒸着又はクラツドの手段で被着したものを
精密打抜プレスで不用部分を抜落して複数本のリード３
６を形或した後、これらリード３６のアルミニウム層３
７が形威された端部に対向する端部側が基板３１の側面
に沿うように折曲げてある。
％，Ｃｏ：１６〜３２重量％，Ｍ． ： ０．６〜０．
８重量％，残部Ｆｅ）４２アロイ（Ｎ＋ ： ４２重量
％，残部Ｆｅ）等の鉄合金の帯村上面中心部にアルミニ
ウムを帯状に蒸着又はクラツドの手段で被着したものを
精密打抜プレスで不用部分を抜落して複数本のリード３
６を形或した後、これらリード３６のアルミニウム層３
７が形威された端部に対向する端部側が基板３１の側面
に沿うように折曲げてある。
この考案ではメタライズ層３３上にアース導出片３８が
固着される。
固着される。
アース導出片３８は例えば第６図に示すようにニッケル
又はニッケルを含む鉄合金の中心基材３９の一面にアル
ミニウム層４１が、他面にゲルマニウム１２重量％残部
金の金−ゲルマニウム合金層４２がそれぞれ形威された
クラツド材の小片である。
又はニッケルを含む鉄合金の中心基材３９の一面にアル
ミニウム層４１が、他面にゲルマニウム１２重量％残部
金の金−ゲルマニウム合金層４２がそれぞれ形威された
クラツド材の小片である。
このアース導出片３８はその金−ゲルマニウム合金層４
２側から金メタライズ層３３に載せられ約３５０℃に加
熱されて融着される。
２側から金メタライズ層３３に載せられ約３５０℃に加
熱されて融着される。
その金一ゲルマニウム合金層４２とセラミック基板上の
金メタライズ層３３とが一度融着すると金−ゲルマニウ
ム層４２は金の含有率が上昇し４５０℃でも固相を有す
るようになるため形の工程でガラス封着を４５０℃で行
っても必要な強度が得られる。
金メタライズ層３３とが一度融着すると金−ゲルマニウ
ム層４２は金の含有率が上昇し４５０℃でも固相を有す
るようになるため形の工程でガラス封着を４５０℃で行
っても必要な強度が得られる。
凹所３２のメタライズ層３３にはＩＣペレット４３も同
様に接合される。
様に接合される。
ＩＣペレット４３は例えばチャージ力ップルドデバイス
、いわゆるＣＣＤによるイメージセツサである。
、いわゆるＣＣＤによるイメージセツサである。
ＩＣペレットの接合はＩＣペレット４３と金メタライズ
層３３との間に金一珪素合金プリフォームを敷いて約４
００℃に加熱し融着しても良い。
層３３との間に金一珪素合金プリフォームを敷いて約４
００℃に加熱し融着しても良い。
ＩＣペレット４３を直接金メタライズ層３３に押し付け
ながら加熱して融着しても良く、これらはいずれも公知
の各種方法を利用できる。
ながら加熱して融着しても良く、これらはいずれも公知
の各種方法を利用できる。
ＩＣペレット４３上の複数のアルミニウム電極部と複数
本のリード端子３６の内側先端部上のアルミニウム層３
７とはそれぞれ対応するようにアルミニウム細線４４を
用いて超音波ボンデイングにより接続される。
本のリード端子３６の内側先端部上のアルミニウム層３
７とはそれぞれ対応するようにアルミニウム細線４４を
用いて超音波ボンデイングにより接続される。
複数本のリード端子３６のうちアース用リード端子３６
ｅの先端アルミニウム層とアース導出片３８のアルミ
ニウム層４１はアルミニウム細線４４ ｅで互に接続さ
れる。
ｅの先端アルミニウム層とアース導出片３８のアルミ
ニウム層４１はアルミニウム細線４４ ｅで互に接続さ
れる。
更にＩＣペレット４３上のアース電極部とアース導出片
３８はアルミニウム細線４４ ａで互に接続される。
３８はアルミニウム細線４４ ａで互に接続される。
ＩＣペレット４３上にアース電極部が設けられていない
場合はアルミニウム細線４４ ａのボンデイングは不用
となる。
場合はアルミニウム細線４４ ａのボンデイングは不用
となる。
ガラス層３４及びリード端子３６の上に低融点ガラス粉
末がペースト状にして凹所３２を同心とする額縁状に塗
布され４００℃程度で仮焼結してガラス層４６が形威さ
れ、そのガラス層４６に紫外線透過ガラス板から戒るキ
ャップ４７が載せられ、約４５０℃に加熱しガラス層３
４及び４６が溶かされてキャップ４７が融着され、同時
にキャップ４７とセラミック基板３１とはリード端子３
６を挾んで密封される。
末がペースト状にして凹所３２を同心とする額縁状に塗
布され４００℃程度で仮焼結してガラス層４６が形威さ
れ、そのガラス層４６に紫外線透過ガラス板から戒るキ
ャップ４７が載せられ、約４５０℃に加熱しガラス層３
４及び４６が溶かされてキャップ４７が融着され、同時
にキャップ４７とセラミック基板３１とはリード端子３
６を挾んで密封される。
リードフレーム３５のリード端子を連結支持する外周縁
部が切離され各リード端子３６はそれぞれ独立したリー
ド端子とされる。
部が切離され各リード端子３６はそれぞれ独立したリー
ド端子とされる。
このパッケージの外観は第７図に示すようになる。
アース導出片３８の上部層４１はアルミニウム又は硅素
５重量％以下残部アルミニウムのアルミニウムー珪素合
金が好ましい。
５重量％以下残部アルミニウムのアルミニウムー珪素合
金が好ましい。
アルミニウムー珪素合金で珪素を５重量％を超えて含有
するものは硬過ぎてアルミニウム細線を充分接合するこ
とができない。
するものは硬過ぎてアルミニウム細線を充分接合するこ
とができない。
又同じく下部層４２を構戊する金属は共晶組或よりも金
に富む金一ゲルマニウム合金が適当であり、好ましいゲ
ルマニウムの含有率は６〜１２重量％である。
に富む金一ゲルマニウム合金が適当であり、好ましいゲ
ルマニウムの含有率は６〜１２重量％である。
ゲルマニウムを１２重量％を超えて含有する金一ゲルマ
ニウム合金では金メタライズ層３３と接合した時に局部
的に共晶組或ができ、４５０℃程度でガラス層を溶融し
た際にアース導出片３８が脱落するおそれがある。
ニウム合金では金メタライズ層３３と接合した時に局部
的に共晶組或ができ、４５０℃程度でガラス層を溶融し
た際にアース導出片３８が脱落するおそれがある。
又ゲルマニウムを６重量％を下回って含有する金−ゲル
マニウム合金は接合温度を４６０℃以上にしなければな
らず実用上好ましくない。
マニウム合金は接合温度を４６０℃以上にしなければな
らず実用上好ましくない。
上述の構成においてＩＣペレット４３はメタライズ層３
３、アース導出片３８、アルミニウム細線４４ｅ、リー
ド端子３６を順次通じて外部へ電気的に導出される。
３、アース導出片３８、アルミニウム細線４４ｅ、リー
ド端子３６を順次通じて外部へ電気的に導出される。
上述の実施例においてはＩＣペレット４３としてイメー
ジセンサを用いたためキャツフ゜４７として紫外線透過
ガラスを用いたが、ペレットの裏面よりアースを取る必
要があって受光を要しないＩＣペレットのパッケージに
はキャップ４７をセラミックとしても差支えない。
ジセンサを用いたためキャツフ゜４７として紫外線透過
ガラスを用いたが、ペレットの裏面よりアースを取る必
要があって受光を要しないＩＣペレットのパッケージに
はキャップ４７をセラミックとしても差支えない。
又キャップの構造は単一の素材、単一の形状に限られる
ものではなく、例えば額縁状のセラミック板の開口部に
ガラスを取付けたものも適用できるし、下面中央部に凹
所を有するようなセラミックとしてもよく、このように
キャップ４７に凹所を設ける場合は基板３１は凹所３２
を形或することなく平面としてもよい。
ものではなく、例えば額縁状のセラミック板の開口部に
ガラスを取付けたものも適用できるし、下面中央部に凹
所を有するようなセラミックとしてもよく、このように
キャップ４７に凹所を設ける場合は基板３１は凹所３２
を形或することなく平面としてもよい。
更にリードフレーム３５の形状を予めリード端子３６の
中間で゛折り曲げたものを用いたがパッケージ完或後に
折り曲げてもよい。
中間で゛折り曲げたものを用いたがパッケージ完或後に
折り曲げてもよい。
又全く外部リード端子３６を折り曲げずに使用するいわ
ゆるフラットパッケージの場合にもこの考案を適用でき
る。
ゆるフラットパッケージの場合にもこの考案を適用でき
る。
以上述べたようにこの考案のパッケージによればアース
導出片３８を用いるためＩＣペレット裏面からアースを
導出する場合でも基板３１の構造が頗る簡単であり、安
価に構或できる。
導出片３８を用いるためＩＣペレット裏面からアースを
導出する場合でも基板３１の構造が頗る簡単であり、安
価に構或できる。
更に金とアルミニウムとの接合が無いためパープルプレ
ーグの発生するおそれが全く無く、シかも低融点ガラス
による封着の採用により耐水性、気密性に優れた極めて
信頼性の高いものとすることができる。
ーグの発生するおそれが全く無く、シかも低融点ガラス
による封着の採用により耐水性、気密性に優れた極めて
信頼性の高いものとすることができる。
アース導出片３８の中心基材３９は耐蝕性があり、かつ
ボンデイングを行うために或る程度の硬さがある導電材
であればよく、例えば銅を用いてもよい。
ボンデイングを行うために或る程度の硬さがある導電材
であればよく、例えば銅を用いてもよい。
第１図は従来のＩＣパッケージの内部を示す斜視図、第
２図は第１図に示したパッケージの分解斜視図、第３図
は第１図に示したＩＣパッケージにおけるアースリード
とＩＣペレットの接続状態を示す断面図、第４図はこの
考案によるＩＣパッケージの一実施例を示す断面図、第
５図は第３図に示したパッケージの分解斜視図、第６図
はアース導出片の拡大断面図、第７図は第４図に示した
パッケージの外観斜視図である。 ３１：絶縁基板、３２：凹所、３３：メタライズ層、３
４，４６：低融点ガラス層、３６：リード端子、３８：
アース導出片、３９：中心基材、４１：アルミニウム層
、４２：金一ゲルマニウム合金層、４３：ＩＣペレット
、４４：アルミニウム細線、４７：キャップ。
２図は第１図に示したパッケージの分解斜視図、第３図
は第１図に示したＩＣパッケージにおけるアースリード
とＩＣペレットの接続状態を示す断面図、第４図はこの
考案によるＩＣパッケージの一実施例を示す断面図、第
５図は第３図に示したパッケージの分解斜視図、第６図
はアース導出片の拡大断面図、第７図は第４図に示した
パッケージの外観斜視図である。 ３１：絶縁基板、３２：凹所、３３：メタライズ層、３
４，４６：低融点ガラス層、３６：リード端子、３８：
アース導出片、３９：中心基材、４１：アルミニウム層
、４２：金一ゲルマニウム合金層、４３：ＩＣペレット
、４４：アルミニウム細線、４７：キャップ。
Claims (1)
- 絶縁基板上にＩＣペレットが取付けられるべきメタライ
ズ層が形或され、そのメタライズ層上にアース導出片が
固着され、前記アース導出片はニッケル又はニッケルを
含む鉄合金の中心基材の一面に対してアルミニウム又は
珪素５重量％以下のアルミニウム合金の上部層が、前記
中心基材の他面に対してゲルマニウム含有率が６乃至１
２重量％の金−ゲルマニウム合金の下部層が形或された
三層構造とされ、前記アース導出片は前記下部層を前記
メタライズ層に対向させて固着され、上記絶縁基板上に
複数のリード端子が取付けられ、この複数のリード端子
は導電材の帯村上面中心部にアルミニウムを帯状に被着
してアルミニウム層部が設けられ、打抜きで不用部分を
抜落して前記複数のリード端子の一端の前記アルミニウ
ム層部が前記メタライズ層を周縁から囲むように配設さ
れた構戒を有することを特徴とするＩＣ用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978113193U JPS598361Y2 (ja) | 1978-08-17 | 1978-08-17 | Ｉｃパツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1978113193U JPS598361Y2 (ja) | 1978-08-17 | 1978-08-17 | Ｉｃパツケ−ジ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5529562U JPS5529562U (ja) | 1980-02-26 |
| JPS598361Y2 true JPS598361Y2 (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=29062776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1978113193U Expired JPS598361Y2 (ja) | 1978-08-17 | 1978-08-17 | Ｉｃパツケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598361Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58104675U (ja) * | 1982-01-09 | 1983-07-16 | キング商事株式会社 | 連続伝票発行器 |
-
1978
- 1978-08-17 JP JP1978113193U patent/JPS598361Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5529562U (ja) | 1980-02-26 |
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