JPH043609A - 発振器 - Google Patents
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- JPH043609A JPH043609A JP2105590A JP10559090A JPH043609A JP H043609 A JPH043609 A JP H043609A JP 2105590 A JP2105590 A JP 2105590A JP 10559090 A JP10559090 A JP 10559090A JP H043609 A JPH043609 A JP H043609A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、例えばマイクロコンピュータ、パソコン、ビ
デオ機器、デジタルオーディオ機器、デジタル通信分野
等の時分割を必要とする機器において、基本周波数を発
生させる発振器の構造、特に多層セラミックをパッケー
ジに用いた小型薄型対応のリードレス表面実装型発振器
の構造に関するものである。
デオ機器、デジタルオーディオ機器、デジタル通信分野
等の時分割を必要とする機器において、基本周波数を発
生させる発振器の構造、特に多層セラミックをパッケー
ジに用いた小型薄型対応のリードレス表面実装型発振器
の構造に関するものである。
（従来の技術）
第５図、第７図は従来の発振器Ａ、Ｂの説明図、第６図
、第８図は発振器Ａ、Ｂの断面図である。
、第８図は発振器Ａ、Ｂの断面図である。
第５図、第６図に示す従来例Ａにおいて、１は多層セラ
ミック封止容器、２は封止容器１に設けてある導電性金
属の配線パターン（斜線で示す）、３は水晶などの圧電
振動片、４はＮｉメツキされた金属キャップ（コバール
材）、５は発振回路を含む集積回路素子、６は集積回路
素子５と配線パターン２を接続するワイヤー（例えばＡ
ｕやＡｆＪ）、７は圧電振動片３と封止容器１を固着さ
せ、かつ圧電振動片３に形成されている電極膜と電気的
に接続させるための導電性接着剤、８は封止容器１にろ
う付けされたコバール材リング（Ａｕメツキされている
）である。
ミック封止容器、２は封止容器１に設けてある導電性金
属の配線パターン（斜線で示す）、３は水晶などの圧電
振動片、４はＮｉメツキされた金属キャップ（コバール
材）、５は発振回路を含む集積回路素子、６は集積回路
素子５と配線パターン２を接続するワイヤー（例えばＡ
ｕやＡｆＪ）、７は圧電振動片３と封止容器１を固着さ
せ、かつ圧電振動片３に形成されている電極膜と電気的
に接続させるための導電性接着剤、８は封止容器１にろ
う付けされたコバール材リング（Ａｕメツキされている
）である。
従来例Ａはコバール材リング８上に金属キャップ４をシ
ーム溶接し封着するタイプであり、シーム溶接用平行ロ
ーラーを極りを外周に沿って回転させながらシールする
方式である。シール材は一般にセラミックと熱膨張係数
の類似しているコバール材リング８が使用され、溶接性
の改善のためＡｕメツキがなされている。キャップ４し
コバールか使用されＮｉメツキされている。また圧電振
動片３は長手方向の両端を導電性接着剤７で封止容器１
に固定されている。
ーム溶接し封着するタイプであり、シーム溶接用平行ロ
ーラーを極りを外周に沿って回転させながらシールする
方式である。シール材は一般にセラミックと熱膨張係数
の類似しているコバール材リング８が使用され、溶接性
の改善のためＡｕメツキがなされている。キャップ４し
コバールか使用されＮｉメツキされている。また圧電振
動片３は長手方向の両端を導電性接着剤７で封止容器１
に固定されている。
第７図、第８図に示す従来例Ｂにおいて、１０は多層セ
ラミック封止容器、ＩＩＡは封止容器１０に設けてある
導電性金属の配線パターン（斜線で示す）、１２は水晶
などの圧電振動片、１３はセラミックキャップ、１４は
発振回路を含む集積回路素子、１５は配線パターンＩＩ
Ａと集積回路素子１４を接続するワイヤー（例えばＡｕ
や、り、１６は圧電振動片１２を封止容器１０に固定さ
せ、圧４４振動片１２に形成されているｔ極膜と電気的
に接続させる導電性接着剤、１７はセラミックキャップ
１３に形成されている半田などのろう材である。
ラミック封止容器、ＩＩＡは封止容器１０に設けてある
導電性金属の配線パターン（斜線で示す）、１２は水晶
などの圧電振動片、１３はセラミックキャップ、１４は
発振回路を含む集積回路素子、１５は配線パターンＩＩ
Ａと集積回路素子１４を接続するワイヤー（例えばＡｕ
や、り、１６は圧電振動片１２を封止容器１０に固定さ
せ、圧４４振動片１２に形成されているｔ極膜と電気的
に接続させる導電性接着剤、１７はセラミックキャップ
１３に形成されている半田などのろう材である。
従来例Ｂは半田などのろう材１７で、ろう材の融点以上
の加熱処理を電気炉などで行ない接着するタイプである
。半田はセラミックと直接接合しないため、封止容器１
０のシール部分に金属膜１１Ｂが必要であり、セラミッ
クキャップ１３の半田を形成するためにセラミックキャ
ップ１３と半田（ろう材１７）との間にも金属膜１１ｃ
が必要である。また、従来例Ａと同様に、圧電振動片１
２は長手方向の両端を導電性接着剤１６と固定されてい
る。
の加熱処理を電気炉などで行ない接着するタイプである
。半田はセラミックと直接接合しないため、封止容器１
０のシール部分に金属膜１１Ｂが必要であり、セラミッ
クキャップ１３の半田を形成するためにセラミックキャ
ップ１３と半田（ろう材１７）との間にも金属膜１１ｃ
が必要である。また、従来例Ａと同様に、圧電振動片１
２は長手方向の両端を導電性接着剤１６と固定されてい
る。
（発明が解決しようとする課題）
従来例Ａにおいては、シーム溶接用平行ローラーを極９
をシール部に沿って移動させながら接着するために１個
ずつしか出来ない。そのため時間がかかり生産性が悪い
。さらにコバール材リング８をセラミック封止容器１に
ろう付けしなければならずコスト高となる。
をシール部に沿って移動させながら接着するために１個
ずつしか出来ない。そのため時間がかかり生産性が悪い
。さらにコバール材リング８をセラミック封止容器１に
ろう付けしなければならずコスト高となる。
従来例Ｂにおいては、炉などでまとめて処理できるため
、生産性は従来例Ａより優れているが、ろう材１７であ
る半田をつけるための金属膜がセラミックキャップ１３
の下地になければならず、コスト高となる。さらに半田
は接着時アウトガスが発生するため、経時的に発振周波
数の変化があり、経時的な特性劣化が起りやすく信頼性
が乏しい。
、生産性は従来例Ａより優れているが、ろう材１７であ
る半田をつけるための金属膜がセラミックキャップ１３
の下地になければならず、コスト高となる。さらに半田
は接着時アウトガスが発生するため、経時的に発振周波
数の変化があり、経時的な特性劣化が起りやすく信頼性
が乏しい。
また、従来例Ａ、Ｂ共に、圧電振動片３，１２は長手方
向の両端を封止容器１．１０に固着しているため、圧ｔ
＠動片３，１２と封止容器１゜１０のセラミックの熱膨
張率の差がストレスとなり顕著に表われる。表面実装タ
イプは実装時にはりフロー炉等で２４０℃〜２７０°Ｃ
位迄温度を上げるため（さらに製造中の加熱処理におい
ても、温度を上げるため）経時的に導電性接着剤７゜１
６に亀裂が生じてしまい信頼性の乏しいものとなる。
向の両端を封止容器１．１０に固着しているため、圧ｔ
＠動片３，１２と封止容器１゜１０のセラミックの熱膨
張率の差がストレスとなり顕著に表われる。表面実装タ
イプは実装時にはりフロー炉等で２４０℃〜２７０°Ｃ
位迄温度を上げるため（さらに製造中の加熱処理におい
ても、温度を上げるため）経時的に導電性接着剤７゜１
６に亀裂が生じてしまい信頼性の乏しいものとなる。
（課題を解決するための手段）
上述した課題を解決するために、本発明は下記の構成に
なる発振器を提案するものである。
なる発振器を提案するものである。
導電性の配線パターンを設けてある封止容器と、この封
止容器に封着されるキャップと、この封止容器の配線パ
ターンに固着される圧電振動片と、発振回路を含む集積
回路素子とを有する発振器において、 前記封止容器と前記キャップとを封着する到着材料にガ
ラスを用い、前記圧電振動片の長手方向の片端部だけを
前記封止容器の前記配線パターンに固着させ、前記封止
容器の前記圧電振動片の片端固定部に溝を設けたことを
特徴とする発振器。
止容器に封着されるキャップと、この封止容器の配線パ
ターンに固着される圧電振動片と、発振回路を含む集積
回路素子とを有する発振器において、 前記封止容器と前記キャップとを封着する到着材料にガ
ラスを用い、前記圧電振動片の長手方向の片端部だけを
前記封止容器の前記配線パターンに固着させ、前記封止
容器の前記圧電振動片の片端固定部に溝を設けたことを
特徴とする発振器。
（実施例）
本発明は安価でしかも生産性と信頼性の高い発振器を得
ることを目的としており、後述するように、その封止法
としては、コバールリングを用いたシーム溶接ではなく
、−括処理の可能な加熱処理方式であり、シール材とし
ては半田ではなくガラスを用いるようにし、また、熱膨
張率の違いが顕著に表われ易い長手方向の両端固定では
なく、長手方向の片端のみを固定するようにしている。
ることを目的としており、後述するように、その封止法
としては、コバールリングを用いたシーム溶接ではなく
、−括処理の可能な加熱処理方式であり、シール材とし
ては半田ではなくガラスを用いるようにし、また、熱膨
張率の違いが顕著に表われ易い長手方向の両端固定では
なく、長手方向の片端のみを固定するようにしている。
さらに、多層セラミック封止容器の片端固定部の形状に
関しては、中央近辺に溝を設けて導電性接着剤が２つの
電極性のショートを防ぐことを図りた発振器に関するも
のである。
関しては、中央近辺に溝を設けて導電性接着剤が２つの
電極性のショートを防ぐことを図りた発振器に関するも
のである。
第１図は本発明になる発振器の第１実施例の説明図、第
２図は第１実施例の断面図、第３図は本発明の第２実施
例の断面図、第４図は第１実施例の部分拡大図である。
２図は第１実施例の断面図、第３図は本発明の第２実施
例の断面図、第４図は第１実施例の部分拡大図である。
以下、実施例について説明する。
第１図、第２図に示す第１実施例Ｃの多層セラミック材
の封止容器１８には斜線で示す導電性金属の配線パター
ン１９があり、４層のラミネートセラミックとなってい
る。水晶などの圧電振動片２０を発振させる回路を含む
集積回路素子２１は導電性ペースト２３で封止容器１８
に固着され、アルミニウム（Ａ１）又は金（Ａｕ）線２
２で封止容器１８の導電性金属の配線パターン１９に接
続されている。圧電振動片２０は長手方向の片端部を封
止容器１８の配線パターン１９に導電性ペースト２３に
よって固着されており、封止容器１８の固着部には溝（
又は段差）２４かあり、圧電振動片２０の長手方向の片
端部を２ケ所に分離させて、圧電振動片２０の表裏の電
極に別々に接続されている。一方、セラミックキャップ
２５には溶媒で溶かされたフリットガラスを塗布した後
に焼成されたガラス２６か封止容器１８の接着部に対応
するよう形成されている。
の封止容器１８には斜線で示す導電性金属の配線パター
ン１９があり、４層のラミネートセラミックとなってい
る。水晶などの圧電振動片２０を発振させる回路を含む
集積回路素子２１は導電性ペースト２３で封止容器１８
に固着され、アルミニウム（Ａ１）又は金（Ａｕ）線２
２で封止容器１８の導電性金属の配線パターン１９に接
続されている。圧電振動片２０は長手方向の片端部を封
止容器１８の配線パターン１９に導電性ペースト２３に
よって固着されており、封止容器１８の固着部には溝（
又は段差）２４かあり、圧電振動片２０の長手方向の片
端部を２ケ所に分離させて、圧電振動片２０の表裏の電
極に別々に接続されている。一方、セラミックキャップ
２５には溶媒で溶かされたフリットガラスを塗布した後
に焼成されたガラス２６か封止容器１８の接着部に対応
するよう形成されている。
接着法としては、組み立てられた封止容器１８にセラミ
ックキャップ２５を搭載し、炉内においてＮ２などの不
活性ガス中で加熱し、ガラス２６を溶融させ接着させる
。
ックキャップ２５を搭載し、炉内においてＮ２などの不
活性ガス中で加熱し、ガラス２６を溶融させ接着させる
。
第３図に示す第２実施例りでは、３層のラミネートセラ
ミック封止容器２７を用いており、封止容器２７の最上
層上に水晶などの圧電振動片２８を導電性ペースト２９
で固着させている。ガラス３０の付いたセラミックキャ
ップ３１の断面形状は、同図に示すように断面形状にし
て、圧電振動片２８及び導電性ペースト２９かセラミッ
クキャップ３１に接触しないようにしている。
ミック封止容器２７を用いており、封止容器２７の最上
層上に水晶などの圧電振動片２８を導電性ペースト２９
で固着させている。ガラス３０の付いたセラミックキャ
ップ３１の断面形状は、同図に示すように断面形状にし
て、圧電振動片２８及び導電性ペースト２９かセラミッ
クキャップ３１に接触しないようにしている。
また、第１及び第２実施例Ｃ，Ｄのいずれも、圧電振動
片２０．２８の長手方向の片端部で、導電性ペースト２
３．２９に固着されていないもう一方の片端部はフリー
となっており、セラミック封止容器１８．２７に単に接
触させているだけで、（セラミック容器容器１８．２７
のもう一方の配線パターンのない片端部は）導電性ペー
スト２３２９を硬化させる前には、圧電振動片２０．２
８を支える役目を有する。
片２０．２８の長手方向の片端部で、導電性ペースト２
３．２９に固着されていないもう一方の片端部はフリー
となっており、セラミック封止容器１８．２７に単に接
触させているだけで、（セラミック容器容器１８．２７
のもう一方の配線パターンのない片端部は）導電性ペー
スト２３２９を硬化させる前には、圧電振動片２０．２
８を支える役目を有する。
上述したように、本発明の多層セラミック封止容器を用
いた発振器において、封止材料をカラスにしたことによ
り、■−括加熱処理が可能、■セラミックキャップには
直接、溶媒に溶かされたフリットガラスを塗布すること
が可能、■さらに封止容器側のシール部にガラスが直接
接合するため、キャップ容器共に下地処理をする必要が
ないなどの効果を有する０、ｔな、圧電振動片の長手方
向の片端のみを固着し片端を自由にしたことにより、■
セラミックと圧電振動片の熱膨張率の差による熱ストレ
スが小さくなり導電性接着剤の亀裂か発生しにくい、０
表面実装タイプはりフロー類等で２３０℃〜２７０℃位
迄温度が上げられたりするが、製造工程上での熱処理工
程の際にも、導電性ペーストの亀裂が発生しにくい、■
上記熱処理工程で亀裂が発生しないだけでなく経時的に
ひずみが解放されて、断線したり特性の劣化かおこらな
いなどの効果を有する。さらに、多層セラミック封止容
器の片端固定部に清を設けることによって、■圧電振動
片を導電性接着剤で封止容器に固着させるために、塗布
する際、圧電振動片の２つの電極のショートを防止でき
る（清を境にして導電性接着剤かつながらない）。
いた発振器において、封止材料をカラスにしたことによ
り、■−括加熱処理が可能、■セラミックキャップには
直接、溶媒に溶かされたフリットガラスを塗布すること
が可能、■さらに封止容器側のシール部にガラスが直接
接合するため、キャップ容器共に下地処理をする必要が
ないなどの効果を有する０、ｔな、圧電振動片の長手方
向の片端のみを固着し片端を自由にしたことにより、■
セラミックと圧電振動片の熱膨張率の差による熱ストレ
スが小さくなり導電性接着剤の亀裂か発生しにくい、０
表面実装タイプはりフロー類等で２３０℃〜２７０℃位
迄温度が上げられたりするが、製造工程上での熱処理工
程の際にも、導電性ペーストの亀裂が発生しにくい、■
上記熱処理工程で亀裂が発生しないだけでなく経時的に
ひずみが解放されて、断線したり特性の劣化かおこらな
いなどの効果を有する。さらに、多層セラミック封止容
器の片端固定部に清を設けることによって、■圧電振動
片を導電性接着剤で封止容器に固着させるために、塗布
する際、圧電振動片の２つの電極のショートを防止でき
る（清を境にして導電性接着剤かつながらない）。
（発明の効果）
上記したように、本発明になる発振器は次の１〜３の効
果がある。
果がある。
１、封着材料にカラスを用いたことにより、従来のシー
ム溶接に比較し、−括熱処理か可能となるため生産性が
向上し、シーム溶接やハンタ材に比較し、キャップや封
止容器のシール部に下地処理をしないで済むため、材料
コストか低くなる。
ム溶接に比較し、−括熱処理か可能となるため生産性が
向上し、シーム溶接やハンタ材に比較し、キャップや封
止容器のシール部に下地処理をしないで済むため、材料
コストか低くなる。
２、圧電振動片と長手方向の片端のみを封止容器に固着
し、もう片端を自由にしたため、圧電振動片と例えばセ
ラミック材で構成された封止容器との熱膨張係数の差に
よるストレスや寸法変化か加わっても両者を固着しであ
る導電ペーストへの亀裂は入りにくくなり、両端固着よ
りも（導電ペーストの効果時にひずみが発生するため）
経時的にも特性変化が少なく、耐熱的にも信頼性が高い
ものとなる。
し、もう片端を自由にしたため、圧電振動片と例えばセ
ラミック材で構成された封止容器との熱膨張係数の差に
よるストレスや寸法変化か加わっても両者を固着しであ
る導電ペーストへの亀裂は入りにくくなり、両端固着よ
りも（導電ペーストの効果時にひずみが発生するため）
経時的にも特性変化が少なく、耐熱的にも信頼性が高い
ものとなる。
３、封止容器の片端固着部に溝を設けることにより、圧
電振動片を導電性ペーストで封止容器に固着させるため
に、導電ペーストを塗布する際、溝を境にしてペースト
が繋がらないなめ、圧電振動片の２つの電極のショート
を防ぎ効果があり、生産性が向上する。
電振動片を導電性ペーストで封止容器に固着させるため
に、導電ペーストを塗布する際、溝を境にしてペースト
が繋がらないなめ、圧電振動片の２つの電極のショート
を防ぎ効果があり、生産性が向上する。
第１図は本発明になる発振器の第１実施例の説明図、第
２図は第１実施例の断面図、第３図は本発明の第２実施
例の断面図、第４図は第１実施例の部分拡大図、第５図
、第７図は従来の発振器Ａ。 Ｂの説明図、第６図、第８図は発振器Ａ、Ｂの断面図で
ある。 １．１０，１８．２７・・・多層セラミック封止容器、 ２．１９・・・導電性金属の配線パターン、３ １２．
２０．２８・・・圧電振動片、４・・・金属キャップ、 ５．１４．２１・・・集積回路素子、 ６．１５．２２・・・ワイヤー ７．１６，２３．２９・・・導電性ペースト、８・・・
金属リング（コバール）、 ９・・・シーム溶接用ローラー電極材、１１、ＩＩＡ、
ＩＩＢ、ＩＩＣ・・・導電性金属の配線パターン、 １３ ３１．２５・・・セラミックキャップ、１７・・
・半田、 ２４・・・多層セラミック容器の片端固定部の講、２６
．３０・・・ガラス、 ３２・・・圧電振動片が固着されないでフリーな方のセ
ラミック封止容器の配線パターンのない片端部、Ａ、Ｂ
、Ｃ，Ｄ・・・発振器。 特 許 出願人 日本ビクター株式会社代表者 垣木
邦夫 第１図 第２図 第４図 第 図 第 図 第 図 第 図
２図は第１実施例の断面図、第３図は本発明の第２実施
例の断面図、第４図は第１実施例の部分拡大図、第５図
、第７図は従来の発振器Ａ。 Ｂの説明図、第６図、第８図は発振器Ａ、Ｂの断面図で
ある。 １．１０，１８．２７・・・多層セラミック封止容器、 ２．１９・・・導電性金属の配線パターン、３ １２．
２０．２８・・・圧電振動片、４・・・金属キャップ、 ５．１４．２１・・・集積回路素子、 ６．１５．２２・・・ワイヤー ７．１６，２３．２９・・・導電性ペースト、８・・・
金属リング（コバール）、 ９・・・シーム溶接用ローラー電極材、１１、ＩＩＡ、
ＩＩＢ、ＩＩＣ・・・導電性金属の配線パターン、 １３ ３１．２５・・・セラミックキャップ、１７・・
・半田、 ２４・・・多層セラミック容器の片端固定部の講、２６
．３０・・・ガラス、 ３２・・・圧電振動片が固着されないでフリーな方のセ
ラミック封止容器の配線パターンのない片端部、Ａ、Ｂ
、Ｃ，Ｄ・・・発振器。 特 許 出願人 日本ビクター株式会社代表者 垣木
邦夫 第１図 第２図 第４図 第 図 第 図 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性の配線パターンを設けてある封止容器と、この
封止容器に封着されるキャップと、この封止容器の配線
パターンに固着される圧電振動片と、発振回路を含む集
積回路素子とを有する発振器において、 前記封止容器と前記キャップとを封着する封着材料にガ
ラスを用い、前記圧電振動片の長手方向の片端部だけを
前記封止容器の前記配線パターンに固着させ、前記封止
容器の前記圧電振動片の片端固定部に溝を設けたことを
特徴とする発振器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2105590A JPH043609A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 発振器 |
| KR1019910005695A KR950012947B1 (ko) | 1990-04-20 | 1991-04-10 | 발진기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2105590A JPH043609A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH043609A true JPH043609A (ja) | 1992-01-08 |
Family
ID=14411716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2105590A Pending JPH043609A (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 発振器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH043609A (ja) |
| KR (1) | KR950012947B1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0565110U (ja) * | 1992-02-13 | 1993-08-27 | 株式会社大真空 | 表面実装型水晶発振器 |
| JPH0568121U (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-10 | 株式会社光陽精密 | 圧電振動子の容器 |
| WO1996001524A1 (en) * | 1994-07-04 | 1996-01-18 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator |
| WO2002087070A1 (fr) * | 2001-04-18 | 2002-10-31 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Oscillateur piezoelectrique et procede de fabrication |
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Citations (5)
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| JPS5239089A (en) * | 1975-09-24 | 1977-03-26 | Toyoda Autom Loom Works Ltd | Calling-in for a conductorless travelling vehicle |
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-
1990
- 1990-04-20 JP JP2105590A patent/JPH043609A/ja active Pending
-
1991
- 1991-04-10 KR KR1019910005695A patent/KR950012947B1/ko not_active IP Right Cessation
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| US9313888B2 (en) | 2013-08-19 | 2016-04-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950012947B1 (ko) | 1995-10-23 |
| KR910019321A (ko) | 1991-11-30 |
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