JP2000022013A

JP2000022013A - 電子部品の製造方法

Info

Publication number: JP2000022013A
Application number: JP10183968A
Authority: JP
Inventors: Haruto Ide; 治人井手; Yuji Tamura; 裕司田村
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1998-06-30
Filing date: 1998-06-30
Publication date: 2000-01-21

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、シーム溶接の構造の改善により、
金属製蓋体の熱膨張の影響を小さくして、よって、電子
部品素子の特性変動を有効に抑える電子部品の製造方法
である。【解決手段】本発明は、一面が開口した筺体状セラミ
ックパッケージ１内に、電子部品素子４を収容するとと
もに、前記セラミックパッケージ１の開口周囲に配置し
たシールリング３を介して、矩形状金属製蓋体２を被覆
し、該金属製蓋体２と前記セラミックパッケージ３とを
シーム溶接を行ったにおいて、前記金属製蓋体２の一辺
とセラミックパッケージ１との接合が、一辺の一端部の
シーム溶接Ｙ₃₁を行い、その後、一辺の他端部のシーム
溶接Ｙ₃₂を行う電子部品の製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックパッケ
ージ内に、電子部品素子（水晶振動子片、弾性表面波素
子、ＩＣチップなどのチップ部材）を収容し、金属製蓋
体を封止した電子部品の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、内部に電子部品素子を収容し、表
面実装用セラミックパッケージを蓋体で封止する構造と
しては種々知られている。例えば、表面実装用セラミッ
クパッケージと蓋体とを低融点封止ガラスで接合する構
造、半田を介して接合する構造、さらに、金属製シール
リングを介してシーム溶接する構造などがある。

【０００３】これらの封止構造において、セラミックパ
ッケージ内に収容した電子部品素子に特性を変動させる
ような過度の熱を与えず、しかも、表面実装する際のリ
フロー半田にも充分に耐ええる構造として、シーム溶接
による封止構造が挙げられる。

【０００４】従来のシーム溶接は、一面が開口した筺体
状セラミックパッケージの開口周囲に、タングステンや
モリブデンを下地層、Ｎｉメッキ被覆層などの封止用導
体膜を形成し、また、前記シール用導体膜上に、４２ア
ロイ、コバールなどのシールリングを銀ロウ付けなどで
接合しておき、さらに、このセラミックパッケージ内に
電極部品を収納しておく。

【０００５】その後、セラミックパッケージの開口に、
シールリングと同一の金属材料から成る矩形状金属製蓋
体を載置し、仮付けした後、シールリングと矩形状金属
製蓋体との接合する４辺に、金属製蓋体側からローラー
電極を押圧しながら、通電して回転させ、金属製蓋体と
シールリングとの間に大きな電流を印加して溶接するも
のである（例えば、特開平６−２２４３１５号参照）。

【０００６】尚、上述の特開平６−２２４３１５号参照
は、金属製蓋体の一辺端部でシーム溶接するにあたり、
ローラー電極を、溶接開始端から溶接終了端にかけて一
連に回転・接触させながら溶接を行い、溶接終了端にお
いて、微小距離だけ溶接開始端側に逆回転させて、ロー
ラー電極を金属製蓋体から離間する。これによって、セ
ラミックパッケージの浮き上がりを防止するものであ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述のシーム溶接で
は、ローラー電極の押圧・通電による溶接時に、溶接部
分で発熱が発生してしまう。この発生する熱によりセラ
ミックパッケージ側と金属製シールリングまたは金属製
蓋体の熱膨張係数の差に起因する膨張・収縮応力が発生
してしまう。特に、特開平６−２２４３１５号のよう
に、溶接すべき金属製蓋体の一辺端部の一方端部から他
方端部にかけて一連に溶接していくと、金属製蓋体自身
が膨張しながら溶接されることになる。このため、金属
製蓋体の溶接終端部付近では、熱膨張による変位が最大
となった状態で溶接される。従って、シーム溶接後、金
属製蓋体の熱膨張が収縮する時に、この収縮応力がセラ
ミックパッケージ側に伝わることになる。

【０００８】この収縮応力は、溶接方向（ローラー電極
の回転進行方向）とは逆向きに働き、しかも、セラミッ
クパッケージに伝わり、セラミックパッケージ内に内在
してしまう。

【０００９】結局、セラミックパッケージ内に収容した
電子部品素子にその応力が伝わり、電子部品素子の特性
が、セラミックパッケージ収容後に変動してしまう。

【００１０】このような応力による特性の変動は、特
に、機械的条件に依存する弾性表面波素子や水晶振動素
子などの周波数特性の変動として顕著に現れる。

【００１１】本発明は、上述の問題点に鑑みて案出され
たものであり、その目的は、金属製蓋体の熱膨張の影響
を小さくし、よって、セラミックパッケージに収容した
電子部品素子の特性変動を有効に抑えることができる電
子部品の製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、一面が開口し
た筺体状セラミックパッケージ内に、電子部品素子を収
容するとともに、前記セラミックパッケージの開口周囲
に配置された方形環状のシールリングに矩形状金属製蓋
体をシーム溶接により接合させることによって内部に電
子部品素子を気密に封止して成る電子部品の製造方法に
おいて、前記金属製蓋体と前記シールリングの各辺の接
合を、少なくとも一辺の一端部をシーム溶接を行い、そ
の後、それ以外の箇所をシーム溶接を施すことを特徴と
する電子部品の製造方法である。

【００１３】即ち、前記金属製蓋体と前記シールリング
との少なくとも一辺の接合においては、当該一辺の一端
部側のシーム溶接を行った後、その後、当該一辺の他端
部側のシーム溶接が行われている。

【００１４】また、好ましくは、金属製蓋体の一辺にお
ける一端部におけるシーム溶接のローラー電極の回転に
よる溶接進行方向と、他端部におけるシーム溶接のロー
ラー電極の回転による溶接進行方向とが互いに逆方向と
なるように行っていることである。

【００１５】

【作用】以上のように、金属製蓋体とセラミックパッケ
ージに配置された方形環状のシールリングとの一辺、例
えば長辺におけるシーム溶接が、ローラー電極の回転に
よる溶接が、複数回に分けられている。即ち、当該一辺
の一端部側をシーム溶接を行い、その後、当該一辺の他
端部側をシーム溶接を行っている。

【００１６】この複数回のシーム溶接によって、金属製
蓋体とセラミックパッケージに配置された方形環状のシ
ールリングの一辺の接合が達成されるため、その間に溶
接休止時間が発生する。このため、休止時間で溶接時に
発生する熱の放熱されるため、複数回に分けることによ
り、夫々のシーム溶接における金属製蓋体の熱膨張の絶
対量を小さくすることができ、これにより、セラミック
パッケージに係る応力を小さくすることができる。

【００１７】また、金属製蓋体の一辺の一端部側が接合
されにことにより、金属製蓋体の一端部が完全に位置決
めされて接合されるため、その後、第２回目以降のシー
ム溶接を行っても、機械的に金属製蓋体の熱膨張を小さ
くでき、これによってもセラミックパッケージに係る応
力を小さくすることができる。

【００１８】また、金属製蓋体の一辺の一端部側でのシ
ーム溶接時の溶接進行方向と、金属製蓋体の一辺の他端
部側でのシーム溶接時の溶接進行方向とを互いに逆方向
にすることにより、金属製蓋体の熱収縮力の発生方向が
互いに相殺することができる。これより、金属製蓋体に
よって封止したセラミックパッケージに内在する応力歪
みを小さくでき、収容した電子部品素子にかかる応力を
低減でき、これにより、特性の安定化を図ることができ
る。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の電子部品の製造方
法を図面に基づいて詳説する。

【００２０】図１は、本発明に係る電子部品の金属製蓋
体を省略した状態の平面図であり、図２はその断面図で
あり、図３〜図５は本発明の電子部品の製造方法を説明
するシーム溶接による封止工程時における電子部品の概
略平面図及び側面図である。

【００２１】図において、電子部品１０は、セラミック
パッケージ１、金属製蓋体２、シールリング３、電子部
品素子４から主に構成されている。

【００２２】セラミックパッケージ１は、例えば複数の
セラミック層が積層されてなり、一面が開口した電子部
品素子４を収容するキャビティ部１１が形成されてい
る。即ち、セラミックパッケージ１の一面には、電子部
品素子４を収容するための開口が形成されている。

【００２３】そして、セラミックパッケージ１のキャビ
ティ部１１開口周囲には、タングステンやモリブデンな
どから成る下地導体層及びＮｉメッキ表面層からなるシ
ール導体膜１２が形成されている。

【００２４】また、セラミックパッケージ１のキャビテ
ィ部１１の底面には、電子部品素子４を配置し、また、
電気的に接続する配線導体が形成されている。また、セ
ラミックパッケージ１を構成する各セラミック層の層間
には、底部の導体膜を外部に引き出し、また、所定回路
を形成する導体膜が形成されている。また、セラミック
パッケージ１の外周部には、内部導体膜と接続する外部
端子電極が形成されている。

【００２５】このようなセラミックパッケージ１は、例
えば、周知の多層配線基板と同様にして製造されてい
る。

【００２６】例えば、セラミックパッケージ１の底とな
るセラミックグリーンシート上に底面配線導体となる導
体膜を、また、他のセラミックグリーンシートにキャビ
ティ部１１となる貫通孔及び内部配線となる導体膜、シ
ール導体膜１２の下地導体層となる導体膜を含む内部配
線や底面配線導体となる導体膜を、タングステンやモリ
ブデンの導電性ペーストを用いて印刷・乾燥する。

【００２７】そして、このようなセラミックグリーンシ
ートを積層圧着を行い、所定雰囲気で焼成する。その
後、必要に応じて、内部配線と接続する外部端子電極を
形成する。その後、シール導体膜の下地導体層上に、Ｎ
ｉメッキなどにより、表面メッキ層を形成する。これに
より、セラミックパッケージ１が達成されることにな
る。尚、上述の形成方法は、グリーンシートの積層によ
る製造方法であるが、例えば、セラミック粉末によるプ
レス成型で形成することができる。

【００２８】尚、上述のように、シール用導体膜１２及
び各配線導体は、焼成温度条件によって種々変えること
ができ、例えば、８５０〜１０５０℃で焼成可能なセラ
ミック材料（ガラス−セラミック）を用いた場合には、
ＡｇやＣｕなどでシール用導体膜１２の下地導体層や配
線導体を形成することができる。

【００２９】このようなセラミックパッケージ１のキャ
ビティ部１１内部に、弾性表面波素子や水晶振動子やＩ
Ｃチップなどの電子部品素子４が収容されている。

【００３０】弾性表面波素子は、キャビティ部１１の底
面に接着材などを介して機械的に接合され、同時に、キ
ャビティ部１１に露出する所定配線導体にボンディング
ワイヤｗなどを介して電気的に接続される。尚、ＩＣチ
ップの場合にも、弾性表面波素子と同様であり、必要に
応じて半田バンプを用いてフリップチップ接合しても構
わない。

【００３１】また、必要に応じて、キャビティ部１１内
部に、弾性表面波素子や水晶振動子やＩＣチップなどの
電子部品素子４とともに、所定回路を構成する各種チッ
プ状電子部品も収容配置される。

【００３２】金属製蓋体２は、４２アロイやコバールな
どから成る平板状蓋体であり、セラミックパッケージ１
のキャビティ部１１の開口を気密的に封止を行うもので
ある。このような金属製蓋体２の形状は、概略シールリ
ング３の形状を外周形状とする矩形状となっており、そ
の厚みは、例えば０．１ｍｍ程度である。

【００３３】シールリング３は、４２アロイやコバール
などから成り、セラミックパッケージ１の上面にシール
用導体膜１２と実質的に同一の形状、例えば、４角形状
のリング体となっている。そして、このシールリング３
は、シール用導体膜１２にＡｇロウ材によって強固に接
合されている。

【００３４】このような、シールリング３が接合され、
且つ内部に電子部品素子４が収容されたセラミックパッ
ケージ１と金属製蓋体２との接合封止は、次のようなシ
ーム溶接によって行われる。

【００３５】即ち、金属製蓋体２をシールリング３上に
配置した時、シールリング３に対応する金属製蓋体２の
４辺部分に、通電可能なローラー電極を押し当てなが
ら、金属製蓋体２とシール用導体膜１２間に所定電流を
供給する。尚、金属製蓋体２とシール用導体膜１２間に
所定電流は、例えば、８０〜１５０Ｖで１ｋＡの電流を
流して、これにより、コバール又は４２アロイの金属製
蓋体２とシールリング３及びシール用導体膜１２とを一
体的に溶接接合する。尚、ローラー電極は、矩形状金属
製蓋体２の一対の端辺部分を同時に溶接することがで
き、例えば、まず、矩形状金属製蓋体２の一対の長辺側
端辺部分又は一対の短辺側端辺部分を溶接し、続いて、
矩形状金属製蓋体２の一対の短辺側端辺部分又は一対の
長辺側端辺部分を溶接する。

【００３６】本発明の特徴的なことは、金属製蓋体２の
少なくとも一辺、例えば長辺の端部をシーム溶接するに
あたり、少なくとも２回のシーム溶接によって行われて
いる。即ち、第１回目のシーム溶接により、当該一辺の
一端部が接合される。その後、第２回目以降のシーム溶
接により、当該一辺の他端部が接合される。これによ
り、金属製蓋体２とセラミックパッケージ１とが接合封
止されている。

【００３７】好ましくは、前記金属製蓋体２の少なくと
も一辺の一端部におけるシーム溶接の進行方向（ローラ
ー電極の回転方向）と、他端部におけるシーム溶接の進
行方向（ローラー電極の回転方向）とが夫々逆方向とな
っている。

【００３８】図３は、本発明のシーム溶接時の溶接順序
を説明する平面概略図及び側面図である。このシーム溶
接による接合構造は、複数回のシーム溶接による溶接構
造及び溶接の進行方向が第１回目のシーム溶接と第２回
目のシーム溶接とが互い逆方向となっている。

【００３９】まず、図３（ａ）（ｂ）に示すよう、セラ
ミックパッケージ１の上部に載置した金属製蓋体２を仮
付けするために、例えば、矩形状金属製蓋体２の長辺側
端部の中央部に、ローラー電極３１を押し当てながら通
電し、スッポット的に溶接する。

【００４０】図３（ｂ）に示す示すローラー電極３１に
おいて、点線は初期状態のローラー電極３１であり、実
線は矢印方向に変位された後のローラー電極３１であ
る。

【００４１】これより、図３（ａ）に示すように、金属
製蓋体２の一対の長辺側端部の中央部にスッポット溶接
Ｙ₃₀される。尚、この仮付けのスポット溶接Ｙ₃₀は、本
発明でいう第１回目のシーム溶接（縫い合わせ溶接）に
含めない。

【００４２】次に、図３（ｃ）（ｄ）に示すように、第
１回目のシーム溶接行う。即ち、金属製蓋体２の一対の
長辺側端部の中央部にローラー電極３１に押し当てなが
ら、所定電流を供給し、矢印に示す方向、即ち、長辺側
端部の一端部側にかけて変位（ローラー電極３１の回転
進行）させながら、シーム溶接Ｙ₃₁を行う。

【００４３】次に、図３（ｅ）（ｆ）に示すように、第
２回目のシーム溶接行う。即ち、金属製蓋体２の一対の
長辺側端部の中央部にローラー電極３１に押し当てなが
ら、所定電流を供給し、矢印に示す方向、即ち、長辺側
端部の他端部側にかけて変位させながら、シーム溶接Ｙ
₃₂を行う。

【００４４】その後、図示していないが、金属製蓋体２
の一対の短辺側端部を１回または２回に分けてシーム溶
接を行う。

【００４５】このように、金属製蓋体２の一辺端部、特
に、長辺側における溶接が、ローラー電極３１の溶接進
行方向が、２回に分けられている。従って、第１回目の
シーム溶接と第２回目のシーム溶接との間で、溶接休止
時間ができる。これより、第１回目のシーム溶接により
発生した熱による金属製蓋体２の熱膨張を初期状態に戻
すことができる。しかも、溶接回数を分けたことによ
り、１回のシーム溶接によって発生する金属製蓋体２の
膨張量を小さくすることができるため、応力を細かく分
割することができる。

【００４６】その結果、全体として、金属製蓋体２とセ
ラミックパッケージ１との間に発生する内部応力を小さ
くすることができる。

【００４７】また、第１回目（一辺の一端部の接合）の
シーム溶接Ｙ₃₁の溶接進行方向と第２回目（一辺の他端
部の接合）の溶接Ｙ₃₂の溶接進行方向とを互いに逆方向
とすることにより、第１回目による金属製蓋体２の熱収
縮力の発生方向と、第２回目による金属製蓋体２の熱収
縮力の発生方向を夫々相殺することができ、これによっ
て、第１回目の溶接により、セラミックパッケージの内
部に内在する応力を、第２回目の溶接により発生する応
力により、相殺することができる。

【００４８】これらにより、セラミックパッケージ１に
発生する金属製蓋体２とセラミックパッケージ１との熱
膨張係数の差によるセラミックパッケージ１内に内在す
る応力歪みを小さくでき、封止後の収容した電子部品素
子４にかかる応力を低減できる。その結果、電子部品素
子４の動作にあたり、機械的な応力による特性、特に、
弾性表面波素子や水晶振動振子においては、周波数特性
などの変動を有効に抑えることができる。

【００４９】また、シーム溶接により、局部的に熱が発
生するだけであり、電子部品素子４に影響するような熱
にはならないため、これによっても電子部品素子４の安
定した特性を容易に導出することができる。

【００５０】また、根本的にシーム溶接で金属製蓋体２
とセラミックパッケージ１とを封止しているため、この
電子部品を、プリント配線基板上にリフロー方式によっ
て実装しても、金属製蓋体２とセラミックパッケージ１
との封止部分が安定して維持することができる。

【００５１】尚、図３（ｃ）〜（ｅ）の工程において、
逆方向にローラー電極１３を変位されてもよい。即ち、
第１回目の一端部の接合であるシーム溶接Ｙ₃₁を、金属
製蓋体２の一辺の一端部から中央部に行い、第２回目の
他端部の接合であるシーム溶接Ｙ₃₂を、金属製蓋体２の
他端部から中央部に行っても構わない。

【００５２】図４（ａ）〜（ｈ）は、図３の変形例であ
る。図３（ａ）〜図３（ｆ）との相違部分は、溶接回数
が３回であり、また、第１回目の溶接及び第２回目の溶
接の距離が短いことである。

【００５３】図に示すように、図４（ａ）（ｂ）のよう
に、金属製蓋体２をセラミックパッケージ１に仮付けを
行う。

【００５４】次に、図４（ｃ）（ｄ）のように、一辺の
一端部の接合を第１回目のシーム溶接で行う。即ち、金
属製蓋体２の一辺側端部の中央部から一端部よりの位置
にローラー電極３１に押し当てながら、所定電流を供給
し、矢印に示す方向に変位させながら、シーム溶接Ｙ₄₁
を行う。

【００５５】次に、図４（ｅ）（ｆ）のように、一辺の
他端部の接合を第２回目のシーム溶接で行う。即ち、金
属製蓋体２の一辺側端部の中央部から他端部よりの位置
にローラー電極３１に押し当てながら、所定電流を供給
し、矢印に示す方向に変位させながら、シーム溶接Ｙ₄₂
を行う。

【００５６】次に、図４（ｇ）（ｈ）に示すように、第
３回のシーム溶接を行う。即ち、金属製蓋体２の一辺の
中央部付近の非溶接部分をシーム溶接Ｙ₄₃を行う。具体
的には、第１回目の溶接Ｙ₄₁又は第２回目の溶接Ｙ₄₂の
中央部寄りの一部にローラー電極３１に押し当てなが
ら、所定電流を供給し、矢印に示す方向に向かって変位
させながらシーム溶接Ｙ₄₃を行う。図では、第３回目の
溶接の進行方向を、第１回目の溶接Ｙ₄₁と同じ方向でシ
ーム溶接を行っている。

【００５７】この図４の溶接構造であっても、一辺端部
のシーム溶接が３回に分けて溶接されているため、上述
のように、図４では３回のシーム溶接によって封止され
ることになるため、１回あたりの金属製蓋体２による応
力がさらに小さくでき、これにより、金属製蓋体２から
セラミックパッケージ１に加わる応力を極小化する事が
てきる。

【００５８】また、第１回目及び第２回目のシーム溶接
により、金属製蓋体２の一辺端部の両端部での位置決め
が行われることになり、その間の溶接を行う第３回目の
シーム溶接では、金属製蓋体の熱膨張による変形を抑え
ることができ、これにより、金属製蓋体２からセラミッ
クパッケージ１にかかる応力を緩和する事ができる。

【００５９】また、第１回目の溶接Ｙ₄₁の溶接方向と第
２回目の溶接Ｙ₄₂の溶接方向とを夫々逆方向にすること
により、図3 と同様に、セラミックパッケージの内部に
内在する応力をこれによって小さくすることができる。

【００６０】図５は、図３の別の変形接合構造である。
この工程では、２回のシーム溶接Ｙ₅₁、Ｙ₅₂が夫々同一
方向に溶接している。

【００６１】図５（ｃ）、（ｄ）に示す第１回目のシー
ム溶接Ｙ₅₁では、金属製蓋体２の一端部の溶接により位
置決め（固定）を行い、図５（ｅ）（ｆ）に示すよう
に、第２回目のシーム溶接Ｙ₅₂では、金属製蓋体２の他
端部側から、固定した一端部に向かってシーム溶接を行
っている。

【００６２】このようにすれば、金属製蓋体２に対する
セラミックパッケージ１の封止位置が結果として所定位
置に接合することができ、これにより、金属製蓋体２か
らセラミックパッケージ１に及ぼす熱膨張・収縮による
応力を実質的に緩和することができる。

【００６３】尚、図４、図５において、金属製蓋体２の
位置決め的な作用の大きい、シーム溶接Ｙ₄₁、Ｙ₄₂、Ｙ
₅₁の溶接長さは、溶接する一辺の長さＬに対して、１０
〜３０％となるようにすればよい。仮に、シーム溶接Ｙ
₄₁、Ｙ₄₂、Ｙ₅₁の溶接長さが、０．１×Ｌ未満では、金
属製蓋体２の位置決め・固定としての作用が低下してし
まい、例えば、その後に行うシーム溶接時の機械的な衝
撃によって、溶接部分で剥離が発生してしまうためであ
る。また、シーム溶接Ｙ₄₁、Ｙ₄₂、Ｙ₅₁の溶接長さが、
０．３×Ｌを越えると、このシーム溶接による金属製蓋
体の熱膨張の延び量が大きくなり、その結果、収縮時の
応力が同様に大きくなり、セラミックパッケージ１にか
かる応力が大きくなってしまう。

【００６４】また、既に、シーム溶接した箇所と、その
後にシーム溶接される部分の接合部分は、少なくとも、
溶接する一辺の長さＬに対して、５％以上の長さで重な
りあうように溶接されるようにする。これは、複数回に
分けて行ったシーム溶接部分の継ぎ目で封止漏れの発生
することがないようにするためである。

【００６５】尚、上述の図３〜図５は、いずれも金属製
蓋体２の一対の長辺側端部での溶接について説明してい
る。この長辺側のシーム溶接が完了したら、次の工程と
して、金属製蓋体の一対の短辺側端部のシーム溶接を行
う。この時、既に、両端部側固定されていることから、
短辺側端部のシーム溶接は一連のシーム溶接によって行
うこともできる。

【００６６】尚、一対の短辺側端部でのシーム溶接を行
い、続いて、一対の長辺側端部のシーム溶接を行う場合
には、この一対の短辺側端部でのシーム溶接で、複数回
に分けてシーム溶接を行う。尚、その後に行う長辺側端
部のシーム溶接に関しては、上述のように、複数回に分
けてシーム溶接を行うことが好ましい。

【００６７】また、金属製蓋体２の各々４辺を、ローラ
ー電極でシーム溶接を行う場合には、少なくとも、最初
にシーム溶接を行う一辺端部で、上述のように複数回に
分けてシーム溶接を行う。

【００６８】上述のように、一辺端部のシーム溶接によ
るセラミックパッケージ１と金属製蓋体２との接合が、
複数回の溶接に分けて行われるため、シーム溶接によっ
て発生する熱の影響及びセラミックパッケージ１と金属
製蓋体２との熱膨張係数の差による膨張・収縮の応力を
小さくすることができるため、セラミックパッケージ１
に内在するパッケージを変形させようとする応力を小さ
くすることができる。

【００６９】これによって、セラミックパッケージ１内
に収容された電子部品素子４を安定した特性で動作させ
ることができ、しかも、安定しかも、封止にあたり、電
子部品素子４にまで極度の温度上昇を与えることなく、
また、安定した封止が達成できる電子部品となる。

【００７０】尚、本発明は、本発明の要旨を逸脱しない
限りの種々の変形することができる。

【００７１】

【発明の効果】以上のように、金属製蓋体の一辺とセラ
ミックパッケージに配置された方形環状の一辺とのシー
ム溶接が、まず、当該一辺の一端部側のシーム溶接がお
こなわれ、その後、他端部側のシーム溶接が行われる。
従って、シーム溶接によって発生する熱の影響及びセラ
ミックパッケージと金属製蓋体との熱膨張係数の差によ
る膨張・収縮の応力を小さくすることができる。これに
より、セラミックパッケージに内在するパッケージを変
形させようとする応力を小さくすることができる。

【００７２】特に、一辺の一端部でのシーム溶接進行方
向と、他端部でのシーム溶接進行方向とを互いに逆方向
にすることにより、熱膨張係数の差による膨張・収縮の
応力の発生方向が互いに逆方向とすることができ、これ
により、これらの応力を相殺することができ、一層応力
を小さくすることができる。

【００７３】これによって、セラミックパッケージ内に
収容された電子部品素子の動作が安定するとともに、安
定した封止が達成できる電子部品となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る電子部品の金属製蓋体を省略した
状態の平面図である。

【図２】本発明に係る電子部品の断面図である。

【図３】本発明の電子部品の製造方法、特に、金属製蓋
体のシーム溶接工程を説明する図であり、（ａ）、
（ｃ）、（ｅ）は、電子部品の平面概略図であり、
（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）は、電子部品の側面図である。

【図４】本発明の別の電子部品の製造方法、特に、金属
製蓋体のシーム溶接工程を説明する図であり、（ａ）、
（ｃ）、（ｅ）、（ｇ）は、溶接工程を示す電子部品の
平面概略図であり、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）、（ｈ）
は、溶接工程を示す電子部品の側面図である。

【図５】本発明のさらに別の電子部品の製造方法、特
に、金属製蓋体のシーム溶接工程を説明する図であり、
（ａ）、（ｃ）、（ｅ）は、溶接工程を示す電子部品の
平面概略図であり、（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）は、溶接工
程を示す電子部品の側面図である。

【符号の説明】

１０・・・電子部品１・・・・セラミックパッケージ１１・・・キャビティ部１２・・・シール用導体膜２・・・・金属製蓋体３・・・・シールリング

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一面が開口した筺体状セラミックパッケ
ージ内に、電子部品素子を収容するとともに、前記セラ
ミックパッケージの開口周囲に配置された方形環状のシ
ールリングに矩形状金属製蓋体をシーム溶接により接合
させることによって内部に電子部品素子を気密に封止し
て成る電子部品の製造方法において、前記金属製蓋体と前記シールリングの各辺の接合を、少
なくとも一辺の一端部をシーム溶接を行い、その後、そ
れ以外の箇所をシーム溶接を施すことを特徴とする電子
部品の製造方法。