TWI649901B - 光半導體裝置及光半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之光半導體裝置10係具備有：封裝基板30，於上表面31具有開口的凹部34；發光元件20，收容於凹部34；窗構件40，以覆蓋凹部34之開口的方式配置；以及密封構造50，將封裝基板30與窗構件40之間密封。密封構造50係具有：第一金屬層51，於封裝基板30之上表面31設置成框狀；第二金屬層52，於窗構件40之內表面44設置成框狀；以及金屬接合部53，設置於第一金屬層51與第二金屬層52之間，以在設置有第一金屬層51及第二金屬層52中的其中一方之區域內存在有第一金屬層51及第二金屬層52中的另外一方的整體的方式構成。

Description

光半導體裝置及光半導體裝置的製造方法
本發明係關於一種光半導體裝置，尤其是關於一種具有光半導體元件的光半導體裝置。
近年來，輸出藍色光的發光二極體(light emitting diode)或雷射二極體(laser diode)等的半導體發光元件係已實用化，進一步地輸出短波長之深紫外光發光元件的開發正進展中。由於深紫外光具有高度殺菌能力，能夠輸出深紫外光的半導體發光元件係在醫療或食品加工的現場中作為無水銀的殺菌用光源而受到注目。而且，無關乎輸出波長而發光強度更高的半導體發光元件之開發正進展中。
發光元件係收容於用以從外部環境保護元件的封裝(package)內。例如藉由將安裝發光元件的基板與配置於該基板上的玻璃蓋進行共晶接合(eutectic bonding)來密封發光元件。此時，盡可能選定線膨脹係數近似的材料作為基板及玻璃蓋的材料(例如，參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2012-69977號公報。
用以收容發光元件之封裝的窗構件係發光波長之透光率高的材料為佳，但可選擇的窗構件之材料會隨著發光元件的發光波長而受限。結果，可能難以使共晶接合的封裝基板與窗構件的熱膨脹係數近似。即使在於封裝基板及窗構件使用了熱膨脹係數不同之材料的情形下，也期望能夠得到可靠性高的密封構造。
本發明係有鑑於如此的課題而完成，其示範性目的之一係提供一種提高具有光半導體元件的半導體裝置之可靠性的技術。
本發明之一態樣的光半導體裝置係具備：封裝基板，於上表面具有開口的凹部；光半導體元件，收容於凹部；窗構件，以覆蓋凹部之開口的方式配置；以及密封構造，將封裝基板與窗構件之間密封。密封構造係具有：第一金屬層，於封裝基板之上表面設置成框狀；第二金屬層，於窗構件之內表面設置成框狀；以及金屬接合部，設置於第 一金屬層與第二金屬層之間；以在設置有前述第一金屬層及前述第二金屬層中的其中一方之區域內存在有前述第一金屬層及前述第二金屬層中的另外一方的整體的方式構成。
依據此態樣，由於以相對狹窄的其中一方之金屬層的整體位於相對寬廣的另外一方之金屬層的區域內之方式構成，故相較於和其中一方的金屬層與另外一方的金屬層偏離配置的情形更能夠使雙方的金屬層重合範圍變大。藉此，將雙方金屬層重疊而接合的範圍變大而能夠提高密封性。而且，藉由將雙方金屬層重合的範圍變大，能夠使金屬接合部沿著任一金屬層而形成薄的填角(fillet)狀之範圍變小。藉此，能夠防止由熱膨脹係數之差所引起的應力集中於薄的填角而在窗構件產生破裂或缺角。
密封構造亦可以第二金屬層之整體位於設置有第一金屬層之區域內的方式構成。
密封構造亦可以金屬接合部位於夾著第二金屬層之兩側的方式構成。
第一金屬層的外形尺寸係比第二金屬層的外形尺寸更大，第一金屬層的內形尺寸係比第二金屬層的內形尺寸更小，第一金屬層與第二金屬層的內形尺寸差係比第一金屬 層與第二金屬層的外形尺寸差更大。
第一金屬層之外形尺寸與內形尺寸的差係第二金屬層之外形尺寸與內形尺寸的差之兩倍以上亦可。
窗構件係以熱膨脹係數比封裝基板更小之材料所構成亦可。
光半導體元件係用以發出深紫外光的發光元件，窗構件係以石英玻璃所構成，金屬接合部係亦可包含金錫(AuSn)。
本發明之別的態樣係光半導體裝置的製造方法。該方法係具備以下步驟：收容步驟，於上表面具有開口的凹部且於前述上表面設置有框狀的第一金屬層之封裝基板的前述凹部收容光半導體元件；配置步驟，將於內表面設置有框狀之第二金屬層的窗構件以覆蓋凹部之開口的方式配置；以及密封步驟，將配置於第一金屬層與第二金屬層之間的金屬接合材加熱而將封裝基板與窗構件之間密封。配置步驟係包含以在設置有前述第一金屬層及前述第二金屬層中的其中一方之區域內存在有前述第一金屬層及前述第二金屬層中的另外一方的整體的方式對準位置的步驟。
依據此態樣，由於以相對狹窄的其中一方之金屬層的 整體位於相對寬廣的另外一方之金屬層的區域內之方式構成，故相較於其中一方的金屬層與另外一方的金屬層偏離配置的情形更能夠使雙方的金屬層重合範圍變大。藉此，將雙方金屬層重疊而接合的範圍變大而能夠提高密封性。而且，藉由將雙方金屬層重合的範圍變大，能夠使金屬接合部沿著任一金屬層而形成薄的填角狀之範圍變小。藉此，能夠防止由熱膨脹係數之差所引起的應力集中於薄的填角而在窗構件產生破裂或缺角。
密封步驟係亦可包含一邊將荷重加在封裝基板與窗構件之間一邊加熱金屬接合材的加熱步驟。
密封步驟係亦可包含於金屬接合材加熱後一邊將荷重加在封裝基板與窗構件之間一邊冷卻金屬接合材的冷卻步驟。
金屬接合材亦可為具有對應於第一金屬層或第二金屬層的框形狀之金錫(AuSn)的金屬板。
金屬接合材亦可為10μm以上50μm以下的厚度。
依據本發明能夠提高具有光半導體元件之光半導體裝置的可靠性。
10、210‧‧‧發光裝置
20‧‧‧發光元件
22‧‧‧半導體積層構造
24‧‧‧光射出面
26‧‧‧第一元件電極
27‧‧‧第二元件電極
30、130‧‧‧封裝基板
31‧‧‧封裝基板之上表面
32‧‧‧封裝基板之下表面
34‧‧‧封裝基板之凹部
36‧‧‧第一內側電極
37‧‧‧第二內側電極
38‧‧‧第一外側電極
39‧‧‧第二外側電極
40‧‧‧窗構件
43‧‧‧窗構件之外表面
44‧‧‧窗構件之內表面
50、250‧‧‧密封構造
51、151、251‧‧‧第一金屬、層
52、252‧‧‧第二金屬層
53、153、253‧‧‧金屬接合部
56‧‧‧金屬接合材
60‧‧‧荷重
150‧‧‧密封構造
153a‧‧‧第一填角
153b‧‧‧第二填角
d‧‧‧尺寸
w10、w11、w20、w21、w41‧‧‧外形尺寸
w12、w22、w42‧‧‧內形尺寸
w13、w23、w43‧‧‧寬度
圖1係概略地表示實施形態的發光裝置之剖視圖。
圖2係概略地表示圖1之發光裝置的俯視圖。
圖3係表示實施形態的發光裝置之製造方法的流程圖。
圖4係概略地表示發光裝置之製造步驟的剖視圖。
圖5係概略地表示比較例的發光裝置之密封構造的剖視圖。
圖6係概略地表示實施形態的發光裝置之密封構造的剖視圖。
圖7係概略地表示變形例的發光裝置之剖視圖。
以下一邊參照圖式，一邊對用以實施本發明之形態詳細說明。在說明中對同一要件附上同一符號，並適當省略重複的說明。為了有助於理解說明，各圖式中的各構成要件的尺寸比不一定與實際的裝置之尺寸比一致。
圖1係概略地表示實施形態的發光裝置10之剖視圖，圖2係概略地表示圖1之發光裝置10的俯視圖。發光裝置10係具備發光元件20、封裝基板30、窗構件40以及密封構造50。發光裝置10係光半導體裝置，具有作為光半導體元件的發光元件20。
發光元件20係以發出中心波長λ約360nm以下之「深紫外光」的方式構成的LED(Light Emitting Diode；發光二極體)晶片。為了輸出此種波長的深紫外光，發光元件20係以能帶隙(band gap)成為約3.4eV以上的鋁鎵氮化物(AlGaN)系半導體材料所構成。在本實施形態中，特別對發出中心波長λ約240nm至350nm之深紫外光的情形進行表示。
發光元件20係具有半導體積層構造22、光射出面24、第一元件電極26及第二元件電極27。
半導體積層構造22係包含於成為光射出面24之基板上積層的模板(template)層、n型披覆(clad)層、活性層、p型披覆層等。在發光元件20以輸出深紫外光的方式構成的情形下，使用藍寶石(Al2O3)基板作為成為光射出面24的基板，使用氮化鋁(AlN)層作為半導體積層構造22的模板層。而且，半導體積層構造22的披覆層或活性層係以AlGaN(鋁鎵氮化物)系半導體材料所構成。
第一元件電極26及第二元件電極27係用以對半導體積層構造22之活性層提供載體(carrier)的電極，分別為陽(anode)電極或是陰(cathode)電極。第一元件電極26及第二元件電極27係與光射出面24成相反側而設置。第一元件電極26係於基板30的第一內側電極36安裝，第二元件電 極27係於基板30的第二內側電極37安裝。
封裝基板30係具有上表面31及下表面32之矩形狀的構件。封裝基板30係含有氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)等的陶瓷基板，即所謂的高溫共燒多層陶瓷(HTCC：High Temperature Co-fired Ceramic)基板。
於封裝基板30的上表面31係設置有用以收容發光元件20的凹部34。於凹部34的底面係設置有用以安裝發光元件20的第一內側電極36及第二內側電極37。於封裝基板30的下表面32係設置有用以將發光裝置10實際安裝於外部基板等的第一外側電極38及第二外側電極39。
窗構件40係以覆蓋凹部34之開口的方式設置的保護構件。窗構件40係以使發光元件20所發出的紫外光透過的材料所構成，例如能夠使用玻璃、石英、水晶、藍寶石等。窗構件40係特別以深紫外光的透光率高，耐熱性及氣密性高的材料所構成尤佳，以熱膨脹係數比封裝基板30小的材料所構成尤佳。期望將石英玻璃作為具備此種特性的材料用於窗構件40。發光元件20所發出的紫外光係透由窗構件40而從窗構件40之外表面43向封裝的外部輸出。
密封構造50係具有第一金屬層51、第二金屬層52及 金屬接合部53。
第一金屬層51係於封裝基板30的上表面31設置成框狀。第一金屬層51係具有對應於矩形之封裝基板30的矩形框形狀，四角被施以圓倒角處理。第一金屬層51係例如藉由對陶瓷基板的金屬化(metalize)處理所形成。第一金屬層51係對含有鎢(W)或鉬(Mo)等的基材鍍覆鎳(Ni)或金(Au)等而形成，例如具有鎢/鎳/金(W/Ni/Au)的積層構造。第一金屬層51係與金屬接合部53接合。
第二金屬層52係於窗構件40的內表面44設置成框狀。第二金屬層52係具有對應於矩形之窗構件40的矩形框形狀，四角被施以圓倒角處理。第二金屬層52係藉由真空蒸鍍或濺鍍(sputtering)等的方法所形成。第二金屬層52係於窗構件40之內表面44上依序積層有鈦(Ti)、鉑(Pt)、金(Au)的多層膜。另外，可以使用鉻(Cr)來取代鈦，可以使用銅(Cu)及鎳(Ni)來取代鉑(Pt)。第二金屬層52係與金屬接合部53接合。
金屬接合部53係設置於第一金屬層51與第二金屬層52之間，於封裝的外周部將封裝基板30與窗構件40之間予以接合並密封。金屬接合部53係填充第一金屬層51與第二金屬層52之間，並以位於夾著第二金屬層52的兩側(封裝的內側及外側雙方)之方式構成。金屬接合部53係以 低熔點的金屬材料構成，例如含有金錫(AuSn)或銀錫(AgSn)的合金。金屬接合部53係於熔融狀態中在第一金屬層51與第二金屬層52之間擴展而形成共晶接合。金屬接合部53較佳為由錫(Sn)含有量為20%wt至24%wt的金錫以具有高度密封可靠性並且熔融溫度成為300℃以下的低溫的方式所構成。
密封構造50係構成為第二金屬層52的整體重合於第一金屬層51之上且構成為第二金屬層52的整體位於第一金屬層51所設置之區域內。亦即，構成為第二金屬層52不位於未設置第一金屬層51之區域上的方式，第一金屬層51與第二金屬層52不偏移配置。具體來說，第一金屬層51及第二金屬層52個別的外形尺寸及內形尺寸係調整成如以下所詳細描述的預定尺寸。
圖2係概略地表示第一金屬層51及第二金屬層52的尺寸。如圖所示，第一金屬層51的外形尺寸w11係比第二金屬層52的外形尺寸w21更大，第一金屬層51的內形尺寸w12係比第二金屬層52的內形尺寸w22更小。因此，第一金屬層51的外形尺寸w11與內形尺寸w12之差所對應的寬度w13係比第二金屬層52的外形尺寸w21與內形尺寸w22之差所對應的寬度w23更大。而且，第一金屬層51的寬度w13係以成為第二金屬層52的寬度w23之兩倍以上的方式構成。
在一個實施例中，封裝基板30的外形尺寸w10係3.5mm，第一金屬層51的外形尺寸w11係3.2mm，第一金屬層51的內形尺寸w12係2.3mm，第一金屬層51的寬度w13係0.45mm。而且，窗構件40的外形尺寸w20係3.4mm，第二金屬層52的外形尺寸w21係3.0mm，第二金屬層52的內形尺寸w22係2.6mm，第二金屬層52的寬度w23係0.2mm。在此實施例中，第一金屬層51與第二金屬層52的內形尺寸差(0.3mm)係比第一金屬層51與第二金屬層52的外形尺寸差(0.2mm)更大。
接下來對發光裝置10的製造方法進行說明。
圖3係用以表示實施形態的發光裝置10之製造方法的流程圖。於封裝基板30之凹部34將發光元件20收容(S10)、將封裝基板30之第一金屬層51與窗構件40之第二金屬層52對準位置，而在第一金屬層51與第二金屬層52之間配置金屬接合材56(參照後述的圖4)(S12)。接下來，一邊在封裝基板30與窗構件40之間施加荷重，一邊將金屬接合材加熱而成為熔融狀態(S14)。之後，一邊在封裝基板30與窗構件40之間施加荷重，一邊使金屬接合部53冷卻而固化(S16)。
圖4係概略地表示發光裝置10之製造步驟的剖視圖，表示將金屬接合材56配置而將封裝基板30與窗構件40對 準位置的步驟。使封裝基板30及窗構件40以第二金屬層52之整體位於第一金屬層51之區域上的方式對準位置。例如，以使封裝基板30與窗構件40的中心位置對齊的方式來進行對準位置，藉此能夠將第二金屬層52之整體配置於第一金屬層51之上。另外，以封裝基板30之四角中的任一角與窗構件40之四角中的任一角對齊的方式來對準位置亦可。在此情況下若依照上述之尺寸的實施例，雖然封裝基板30與窗構件40的中心位置會以±50μm的範圍偏移，但即使存在此偏移亦能以第二金屬層52之整體位於第一金屬層51之上的方式進行配置。
已對準位置的第一金屬層51與第二金屬層52之間係配置有金屬接合材56。金屬接合材56係具有對應於第二金屬層52之矩形框形狀的金錫預成形體(preform)。金屬接合材56例如係具有與第二金屬層52相同的外形尺寸與內形尺寸。金屬接合材56亦可事先被預固定於第一金屬層51或第二金屬層52。金屬接合材56之厚度係10μm至50μm左右，較佳係15μm至30μm左右。藉由使用此種形狀及厚度的預成形體而一邊施加荷重60一邊密封，能夠形成厚度5μm至20μm左右的金屬接合部53。另外，密封時施加的荷重60係50g以上，較佳係100g以上，更佳係200g以上。
使金屬接合材56加熱熔融的步驟較佳係於氮(N2)等之 惰性氣體的氛圍下進行。藉此，能夠防止成為了熔融狀態之金錫預成形體的氧化，並能夠於封裝的內部填充惰性氣體。然而，本實施形態的加熱熔融步驟係於含有氧(O2)的乾燥空氣之氛圍下進行亦可。藉由一邊施加荷重一邊使金錫預成形體加熱熔融，能夠在第一金屬層51與第二金屬層52之間一邊防止金屬接合材56的氧化一邊密封。
接下來，一邊參照比較例一邊對本實施形態所達到的功效進行說明。
圖5係概略地表示比較例之密封構造150的剖視圖。本比較例係窗構件40之第二金屬層52與上述的實施形態同樣地構成，另一方面封裝基板30之第一金屬層51的外形尺寸w41以成為比上述實施形態更小的方式構成。具體來說，第一金屬層151的外形尺寸w41與第二金屬層52的外形尺寸w21大致相等。由於第一金屬層151的內形尺寸w42係與上述實施形態同樣，因此第一金屬層151的寬度w43係比上述實施形態更小。
在比較例中，如果能夠精度良好地將封裝基板130與窗構件40對準位置，或許能夠使第二金屬層52的整體位於第一金屬層150之上。然而，微妙的位置偏移會因為製造時的尺寸誤差或對準位置的精度等而產生，結果如圖5所示般，第一金屬層151與第二金屬層52可能會以彼此部分重疊的形態偏移而配置。例如，若以封裝基板130與窗 構件40的邊緣面對齊(圖示中成為尺寸d=0)的方式配置，則第二金屬層52會突出於第一金屬層151之範圍的外側。
若以如此偏移了的狀態將第一金屬層151與第二金屬層52之間接合，會形成包含第一填角153a及第二填角153b的金屬接合部153。第一填角153a係於第一金屬層151之上形成的填角，形成於比第一金屬層151與第二金屬層52重疊的範圍更靠內側處。第二填角153b係於第二金屬層52之上形成的填角，形成於比第一金屬層151與第二金屬層52重疊的範圍更靠外側處。這樣的第一填角153a及第二填角153b係隨著第一金屬層151與第二金屬層52的偏移越大，第一填角153a及第二填角153b之寬度就變得越大而厚度變得越薄。而且，如果不在封裝基板130與窗構件40之間施加適當的荷重而密封，填角的寬度會因為無法適當地抑制填角之形狀的緣故而增大。
發明人們依據研究而了解到，若像這樣於金屬接合部形成薄填角狀，該處會成為剝落的起點而損害密封性。尤其是沿著窗構件40之第二金屬層52而形成的第二填角153b之寬度變大的話，可以明白到窗構件40會變得容易產生以第二填角153b所形成處作為起點的龜裂。因此，如本比較例所示般，若於第一金屬層151與第二金屬層52之間產生位置偏移的話，便無法保持氣密密封，封裝的可靠性會降低。
圖6係概略地表示實施形態之密封構造50的剖視圖。在本圖中，示出了以封裝基板130與窗構件40的邊緣面對齊(圖示中成為尺寸d=0)的方式配置，封裝基板130與窗構件40的中心位置偏移的情形。依據本實施形態，第一金屬層51的外形尺寸w11比第二金屬層52的外形尺寸w21更大的緣故，能夠吸收製造時的尺寸誤差或對準位置的精度等所導致的位置偏移，使第二金屬層52之整體位於第一金屬層51所設置的範圍內。結果，能夠將雙方金屬層重疊而接合的範圍最大化。而且，藉由在密封時施以荷重而適當地控制於第一金屬層51與第二金屬層52之間所形成之金屬接合部53的形狀，能夠抑制如比較例所示出般的薄填角之形成。若依據本實施形態，能夠防止薄填角所引起的窗構件40之龜裂發生，並能使雙方金屬層重疊而強力穩固地接合，因此能夠適宜地保持氣密密封。
若依據本實施形態，即使在封裝基板30與窗構件40之熱膨脹係數不同的情形下，也能夠維持良好的氣密性。例如，在使用了氮化鋁(熱膨脹係數：4.6×10-6/℃)作為封裝基板30，使用了石英玻璃(線膨脹係數：0.6×10-6/℃)作為窗構件40，實施了2000次的溫度循環試驗(-40℃/85℃)的情形下，未能發現窗構件40的破裂或剝離。石英玻璃係因AlN(氮化鋁)或Al2O3(氧化鋁)等的陶瓷材料而熱膨脹係數小的緣故，在將金屬接合材加熱熔融了之後冷卻的過程 中，會受到來自封裝基板30之壓縮應力。由於一般玻璃係具有抗壓縮應力之特性，藉由使用熱膨脹係數小的石英玻璃能夠實現抗破裂、抗剝離的封裝構造。
若依據本實施形態，相對於第一金屬層51與第二金屬層52的外形尺寸差(例如0.2mm)，藉由將第一金屬層51與第二金屬層52的內形尺寸差(例如0.3mm)變大，能夠重現性佳地形成金屬接合部53之內形側的填角形狀。封裝基板30之上表面31及第一金屬層51有時係因製造上的狀況等而平坦性低，有時會隨著場所而產生細微的凹凸。結果，有時會隨著凹凸的形成位置而產生熔融狀態之金屬接合材56容易流到封裝內側的場所，或產生容易流到封裝外側的場所。如此一來，也許會變得無法在遍及封裝基板30之上表面31的全周重現適切的填角形狀。在本實施形態中，藉由將第一金屬層51與第二金屬層52的內形尺寸差變大，能夠使熔融狀態的金屬接合材相對地容易流到內側。藉此，使適當的填角形狀形成於封裝之內側，能夠實現密封性高的封裝構造。
圖7係概略地表示變形例之發光裝置210的構成之剖視圖。本實施例與上述實施形態之不同點在於：設置於窗構件40之第二金屬層252形成比設置於封裝基板30之第一金屬層251更大。也就是說，在本變形例中係以第一金屬層251之整體位於第二金屬層252所設置之區域內的方 式構成。以下就發光裝置210與上述實施形態的相異點進行說明。
發光裝置210係具備發光元件20、封裝基板30、窗構件40以及密封構造250。密封構造250係具有第一金屬層251、第二金屬層252及金屬接合部253。
第一金屬層251係例如以與上述實施形態之第二金屬層52具有相等的形狀及尺寸的方式形成，第二金屬層252係例如以與上述實施形態之第一金屬層51具有相等的形狀及尺寸的方式形成。第一金屬層251之外形尺寸係比第二金屬層252之外型尺寸更小，第一金屬層251之內形尺寸係比第二金屬層252之內型尺寸更大。而且，第二金屬層252之寬度係以成為第一金屬層251的寬度之兩倍以上的方式構成。於本實施例中也可以達到與上述實施形態同樣的功效，因此能夠適當地保持封裝內的氣密密封。
以上基於實施本發明之形態進行了說明。所屬技術領域中具有通常知識者應可理解本發明並不限定於上述的實施形態而可有各種設計變更或各種變形例，且該等變形例亦屬於本發明之範圍。
在上述的實施形態及變形例中示出了發光裝置的封裝內僅包含發光元件的情形。在進一步的變形例中，亦可於 封裝內加裝發光元件以外的電子組件以使其具有附加功能。例如，亦可於殼體內加裝用以自電性突波(surge)保護發光元件的齊納二極體(zener diode)。而且，亦可加裝用以將發光元件所輸出之光的波長予以轉換的螢光體，也可加裝用以控制發光元件所發出的光之配向的光學元件。
於上述的實施形態及變形例係示出了將半導體發光元件於封裝內予以密封的發光裝置。在進一步的變形例中，亦可使用上述的密封構造來將受光元件予以密封。例如，亦可將上述的封裝構造使用於用來受光深紫外光之受光元件的密封。也就是說，亦可將上述封裝用於光半導體元件的密封。
(產業可利用性)
若依據本發明，能夠提高具有光半導體元件之光半導體裝置的可靠性。

Claims (12)

  1. 一種光半導體裝置，係具備：封裝基板，於上表面具有開口的凹部；光半導體元件，收容於前述凹部；窗構件，以覆蓋前述凹部之開口的方式配置；以及密封構造，將前述封裝基板與前述窗構件之間密封；前述密封構造係具有：第一金屬層，於前述封裝基板之上表面設置成框狀；第二金屬層，於前述窗構件之內表面設置成框狀；以及金屬接合部，設置於前述第一金屬層與前述第二金屬層之間；於前述封裝基板與前述窗構件重合的方向的俯視中，前述窗構件的外形尺寸係比前述封裝基板的外形尺寸更小，前述第一金屬層與前述第二金屬層的外形尺寸差係比前述窗構件與前述封裝基板的外形尺寸差更大，於比前述封裝基板的外周的更內側配置有前述窗構件；前述密封構造係以在設置有前述第一金屬層及前述第二金屬層中的其中一方之區域內存在有前述第一金屬層及前述第二金屬層中的另外一方的整體的方式構成。
  2. 如請求項1所記載之光半導體裝置，其中前述第一金屬層的外形尺寸係比前述窗構件的外形尺寸更小，前述窗構件與前述第一金屬層的外形尺寸差係比前述窗構件與前述封裝基板的外形尺寸差更大。
  3. 如請求項1或2所記載之光半導體裝置，其中前述密封構造係以前述第二金屬層之整體位於設置有前述第一金屬層之區域內且前述金屬接合部位於夾著前述第二金屬層之兩側的方式構成。
  4. 如請求項3所記載之光半導體裝置，其中前述第一金屬層的外形尺寸係比前述第二金屬層的外形尺寸更大，前述第一金屬層的內形尺寸係比前述第二金屬層的內形尺寸更小，前述第一金屬層與前述第二金屬層的內形尺寸差係比前述第一金屬層與前述第二金屬層的外形尺寸差更大。
  5. 如請求項3所記載之光半導體裝置，其中前述第一金屬層之外形尺寸與內形尺寸的差係前述第二金屬層之外形尺寸與內形尺寸的差之兩倍以上。
  6. 如請求項1或2所記載之光半導體裝置，其中前述窗構件係以熱膨脹係數比前述封裝基板更小之材料所構成。
  7. 如請求項1或2所記載之光半導體裝置，其中前述光半導體元件係用以發出深紫外光的發光元件，前述窗構件係以石英玻璃所構成，前述金屬接合部係包含金錫。
  8. 一種光半導體裝置的製造方法，係具備以下步驟：收容步驟，於上表面具有開口的凹部且於前述上表面設置有框狀的第一金屬層之封裝基板的前述凹部收容光半導體元件；配置步驟，將於內表面設置有框狀之第二金屬層的窗構件以覆蓋前述凹部之開口的方式配置；以及密封步驟，將配置於前述第一金屬層與前述第二金屬層之間的金屬接合材加熱而將前述封裝基板與前述窗構件之間密封；於前述封裝基板與前述窗構件重合的方向的俯視中，前述窗構件的外形尺寸係比前述封裝基板的外形尺寸更小，前述第一金屬層與前述第二金屬層的外形尺寸差係比前述窗構件與前述封裝基板的外形尺寸差更大；前述配置步驟係於前述封裝基板與前述窗構件重合的方向的俯視中將前述窗構件配置於比封裝基板的外周的更內側，藉此以在設置有前述第一金屬層及前述第二金屬層中的其中一方之區域內存在有前述第一金屬層及前述第二金屬層中的另外一方的整體的方式對準位置。
  9. 如請求項8所記載之光半導體裝置的製造方法，其中前述密封步驟係包含一邊將荷重施加在前述封裝基板與前述窗構件之間一邊加熱前述金屬接合材的加熱步驟。
  10. 如請求項8或9所記載之光半導體裝置的製造方法，其中前述密封步驟係包含於前述金屬接合材加熱後一邊將荷重施加在前述封裝基板與前述窗構件之間一邊冷卻前述金屬接合材的冷卻步驟。
  11. 如請求項8或9所記載之光半導體裝置的製造方法，其中前述金屬接合材係具有對應於前述第一金屬層或前述第二金屬層的框形狀之金錫的金屬板。
  12. 如請求項11所記載之光半導體裝置的製造方法，其中前述金屬接合材係10μm以上50μm以下的厚度。
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