JP2018037581A - 光半導体装置および光半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 264
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 264
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 11
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- SWPMTVXRLXPNDP-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxy-2,6,6-trimethylcyclohexene-1-carbaldehyde Chemical compound CC1=C(C=O)C(C)(C)CC(O)C1 SWPMTVXRLXPNDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01L33/52—Encapsulations
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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Abstract
Description
図3は、実施の形態に係る発光装置10の製造方法を示すフローチャートである。パッケージ基板30の凹部34に発光素子20を収容し(S10)、パッケージ基板30の第1金属層51と窓部材40の第2金属層52を位置合わせして第1金属層51と第2金属層52の間に金属接合材56(後述の図4参照)が配置されるようにする(S12)。つづいて、パッケージ基板30と窓部材40の間で荷重をかけながら金属接合材を加熱して溶融状態とする(S14)。その後、パッケージ基板30と窓部材40の間で荷重をかけながら金属接合部53を冷却して固化させる(S16)。
図5は、比較例に係る封止構造150を概略的に示す断面図である。本比較例は、窓部材40の第2金属層52が上述の実施の形態と同様に構成される一方、パッケージ基板30の第1金属層151の外形寸法w41が上述の実施の形態より小さくなるよう構成されている。具体的には、第1金属層151の外形寸法w41が第2金属層52の外形寸法w21とほぼ等しい。第1金属層151の内形寸法w42は上述の実施の形態と同様であるため、第1金属層151の幅w43は上述の実施の形態よりも小さい。
Claims (12)
- 上面に開口する凹部を有するパッケージ基板と、
前記凹部に収容される光半導体素子と、
前記凹部の開口を覆うように配置される窓部材と、
前記パッケージ基板と前記窓部材の間を封止する封止構造と、を備え、
前記封止構造は、前記パッケージ基板の上面に枠状に設けられる第1金属層と、前記窓部材の内面に枠状に設けられる第2金属層と、前記第1金属層と前記第2金属層の間に設けられる金属接合部とを有し、前記第1金属層および前記第2金属層の一方が設けられる領域内に前記第1金属層および前記第2金属層の他方の全体が位置するよう構成されることを特徴とする光半導体装置。 - 前記封止構造は、前記第1金属層が設けられる領域内に前記第2金属層の全体が位置するよう構成されることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。
- 前記封止構造は、前記第2金属層を挟んだ両側に前記金属接合部が位置するよう構成されることを特徴とする請求項2に記載の光半導体装置。
- 前記第1金属層の外形寸法は前記第2金属層の外形寸法より大きく、前記第1金属層の内形寸法は前記第2金属層の内形寸法より小さく、前記第1金属層と前記第2金属層の内形寸法差は前記第1金属層と前記第2金属層の外形寸法差より大きいことを特徴とする請求項2または3に記載の光半導体装置。
- 前記第1金属層の外形寸法と内形寸法の差は、前記第2金属層の外形寸法と内形寸法の差の2倍以上であることを特徴とする請求項2から4のいずれか一項に記載の光半導体装置。
- 前記窓部材は、前記パッケージ基板よりも熱膨張係数の小さい材料で構成されることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の光半導体装置。
- 前記光半導体素子は深紫外光を発する発光素子であり、前記窓部材は石英ガラスで構成され、前記金属接合部は金錫(AuSn)を含むことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の光半導体装置。
- 上面に開口する凹部を有するパッケージ基板であって前記上面に枠状の第1金属層が設けられるパッケージ基板の前記凹部に光半導体素子を収容するステップと、
内面に枠状の第2金属層が設けられる窓部材を前記凹部の開口を覆うように配置するステップと、
前記第1金属層と前記第2金属層の間に配置される金属接合材を加熱して前記パッケージ基板と前記窓部材の間を封止するステップと、を備え、
前記配置するステップは、前記第1金属層および前記第2金属層の一方が設けられる領域内に前記第1金属層および前記第2金属層の他方の全体が位置するよう位置合わせするステップを含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。 - 前記封止するステップは、前記パッケージ基板と前記窓部材の間で荷重を加えながら前記金属接合材を加熱するステップを含むことを特徴とする請求項8に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記封止するステップは、前記金属接合材の加熱後に前記パッケージ基板と前記窓部材の間で荷重を加えながら前記金属接合材を冷却するステップを含むことを特徴とする請求項8または9に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記金属接合材は、前記第1金属層または前記第2金属層に対応した枠形状を有する金錫(AuSn)の金属板であることを特徴とする請求項8から10のいずれか一項に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記金属接合材は、10μ以上50μm以下の厚さであることを特徴とする請求項11に記載の光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016171230A JP6294417B2 (ja) | 2016-09-01 | 2016-09-01 | 光半導体装置および光半導体装置の製造方法 |
KR1020197005904A KR102157009B1 (ko) | 2016-09-01 | 2017-08-10 | 광반도체 장치 및 광반도체 장치의 제조 방법 |
CN201780053140.7A CN109690796B (zh) | 2016-09-01 | 2017-08-10 | 光半导体装置以及光半导体装置的制造方法 |
EP17846102.6A EP3509114B1 (en) | 2016-09-01 | 2017-08-10 | Optical semiconductor device and optical semiconductor device production method |
PCT/JP2017/029115 WO2018043094A1 (ja) | 2016-09-01 | 2017-08-10 | 光半導体装置および光半導体装置の製造方法 |
TW106128982A TWI649901B (zh) | 2016-09-01 | 2017-08-25 | 光半導體裝置及光半導體裝置的製造方法 |
US16/284,217 US10840414B2 (en) | 2016-09-01 | 2019-02-25 | Optical semiconductor apparatus and method of manufacturing optical semiconductor apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016171230A JP6294417B2 (ja) | 2016-09-01 | 2016-09-01 | 光半導体装置および光半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018037581A true JP2018037581A (ja) | 2018-03-08 |
JP6294417B2 JP6294417B2 (ja) | 2018-03-14 |
Family
ID=61300659
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016171230A Active JP6294417B2 (ja) | 2016-09-01 | 2016-09-01 | 光半導体装置および光半導体装置の製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10840414B2 (ja) |
EP (1) | EP3509114B1 (ja) |
JP (1) | JP6294417B2 (ja) |
KR (1) | KR102157009B1 (ja) |
CN (1) | CN109690796B (ja) |
TW (1) | TWI649901B (ja) |
WO (1) | WO2018043094A1 (ja) |
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EP3509114A4 (en) | 2020-04-22 |
US10840414B2 (en) | 2020-11-17 |
KR102157009B1 (ko) | 2020-09-16 |
CN109690796A (zh) | 2019-04-26 |
JP6294417B2 (ja) | 2018-03-14 |
EP3509114A1 (en) | 2019-07-10 |
EP3509114B1 (en) | 2021-10-06 |
WO2018043094A1 (ja) | 2018-03-08 |
TWI649901B (zh) | 2019-02-01 |
TW201826572A (zh) | 2018-07-16 |
CN109690796B (zh) | 2021-04-30 |
US20190189862A1 (en) | 2019-06-20 |
KR20190032562A (ko) | 2019-03-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180213 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6294417 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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