JP2022010778A - 蓋部材、蓋部材の製造方法、パッケージ、及びパッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】パッケージに使用される蓋部材の破損を低減する。【解決手段】蓋部材４は、本体部７と、本体部７の表面７ａに形成される緩衝膜８と、緩衝膜８に重なるように形成される接合部１０と、を備える。接合部１０は、金属系接合材を含む。緩衝膜８は、酸化膜を含む。【選択図】図１

Description

本発明は、パッケージに用いられる蓋部材及びその製造方法に関する。本発明は、蓋部材を備えるパッケージ及びその製造方法に関する。

電子部品を収容するパッケージとして、凹部を有する基体と、凹部に収容された電子部品を覆うように基体に重ねられる蓋部材とを備えるものがある。一例として、特許文献１には、基体と金属層が形成された蓋部材（窓部材）とを金属系接合材によって接合してなるパッケージ及びその製造方法が開示されている。

パッケージを製造するには、まず、金属層が形成された蓋部材と凹部に電子部品が収容された基体を用意し、この基体に蓋部材を重ね合わせる。この場合において、基体と蓋部材との間に、金属系接合材（プリフォーム）を配置する。次に、基体と蓋部材の間で荷重をかけながら金属系接合材を加熱して溶融状態とする。その後、基体と蓋部材の間で荷重をかけながら金属系接合材を冷却して固化させることで、基体と蓋部材とを接合する（同文献の段落００３９参照）。

上記の製造方法の他、金属系接合材を用いて基体に蓋部材を接合する場合、蓋部材に金属系接合材を予め接合しておくことで、基体と蓋部材とを接合する工程を簡略化してもよい。

特開２０１８－３７５８１号公報

従来のパッケージの製造方法では、金属系接合材を加熱して溶融させた後の冷却工程において、金属接合材と蓋部材の熱膨張係数の差、或いは基体と蓋部材との熱膨張係数の差に起因して、蓋部材に応力が発生し、蓋部材に破損が発生するおそれがあった。

本発明は上記の事情に鑑みて為されたものであり、パッケージに使用される蓋部材の破損を低減することを技術的課題とする。

本発明は上記の課題を解決するためのものであり、パッケージの基体を覆うための蓋部材であって、本体部と、前記本体部の表面に形成される緩衝膜と、前記緩衝膜に重なるように形成される接合部と、を備え、前記接合部は、金属系接合材を含み、前記緩衝膜は、酸化膜を含むことを特徴とする。

かかる構成によれば、本体部の表面に形成された緩衝膜によって、接合部を本体部に形成する際に蓋部材に発生する応力を緩和することができる。これにより、蓋部材の破損を低減することができる。

前記緩衝膜を構成する材料のヤング率は、２５０ＧＰａ以下であることが好ましい。このように規定すれば、前記緩衝膜の緩衝性を高めることができ、蓋部材に発生する応力を緩和することができる。

前記緩衝膜は、積層膜であることが好ましい。積層した膜であれば、接合部を本体部に形成する際に、更に効果的に、蓋部材に発生する応力を緩和することができる。これにより、蓋部材の破損を低減することができる。また、効果的に反射防止効果を得ることができ、パッケージ内部の電子部品素子の発光特性が改善する。

上記構成の蓋部材において、前記緩衝膜は、酸化シリコン膜及び酸化ハフニウム膜を含むことが好ましい。

上記構成の蓋部材において、前記本体部は、石英又は石英ガラスにより構成されてもよい。

本発明は上記の課題を解決するためのものであり、パッケージの基体を覆うための蓋部材を製造する方法であって、前記蓋部材は、本体部を備え、前記本体部の表面に緩衝膜を形成する緩衝膜形成工程と、前記緩衝膜形成工程後に、前記緩衝膜に重なるように接合部を形成する接合部形成工程と、を備え、前記緩衝膜は、酸化膜を含むことを特徴とする。

かかる構成によれば、緩衝膜形成工程において蓋部材における本体部の表面に形成された緩衝膜によって、接合部形成工程において蓋部材に発生する応力を緩和することができる。これにより、蓋部材の破損を低減することができる。

上記の蓋部材の製造方法において、前記緩衝膜形成工程では、二種以上の緩衝膜を積層してもよい。

上記の蓋部材の製造方法において、前記緩衝膜形成工程では、前記緩衝膜として、酸化シリコン膜及び酸化ハフニウム膜を積層してもよい。

前記緩衝膜形成工程では、スパッタリング法又は蒸着法により前記緩衝膜を前記本体部の前記表面に形成してもよい。

本発明に係るパッケージは上記の課題を解決するためのものであり、電子部品を収容する基体と、上記した蓋部材と、を備えることを特徴とする。

かかる構成によれば、蓋部材における本体部の表面に形成された緩衝膜によって、蓋部材を基体に接合する際に蓋部材に発生する応力を緩和することができる。これにより、蓋部材の破損を低減することができる。

上記のパッケージにおいて、前記電子部品は、紫外線照射用ＬＥＤであってもよく、この場合、前記緩衝膜の紫外線（波長２８０ｎｍ）の透過率は、９０％以上であってもよい。

かかる構成によれば、緩衝膜によって、紫外線照射用ＬＥＤから照射された紫外線の反射を防止することが可能となる。

本発明に係るパッケージの製造方法は、上記の課題を解決するためのものであり、電子部品を収容する基体に、上記の蓋部材を接合する接合工程を備えることを特徴とする。

かかる構成によれば、蓋部材の本体部の表面に形成された緩衝膜によって、接合工程において蓋部材に発生する応力を緩和することができる。これにより、蓋部材の破損を低減することができる。

本発明によれば、パッケージに使用される蓋部材の破損を低減することができる。

パッケージの断面図である。 基体の平面図である。 図２のＩＩＩ―ＩＩＩ矢視線に係る基体の断面図である。 蓋部材の平面図である。 図４のＶ－Ｖ矢視線に係る蓋部材の断面図である。 蓋部材の要部拡大断面図である。 蓋部材の製造方法を示すフローチャートである。 蓋部材の製造方法における一工程を示す平面図である。 蓋部材の製造方法における一工程を示す平面図である。 蓋部材の製造方法における一工程を示す平面図である。 パッケージの製造方法における一工程を示す断面図である。

以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。図１乃至図１１は、本発明に係る蓋部材、パッケージ及びその製造方法の一実施形態を示す。

図１は、本発明に係るパッケージの一例を示す断面図である。パッケージ１は、基体２と、基体２に収容される電子部品３と、基体２及び電子部品３を覆う蓋部材４と、基体２と蓋部材４とを気密に接合する封止部５と、を備える。

図２及び図３は、蓋部材４が接合される前の基体２を示す。基体２は、電子部品３を収容する凹部２ａと、封止部５によって蓋部材４と接合される端面２ｂと、端面２ｂに形成される金属層６とを有する。

基体２の材質としては、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素等のセラミックス、これらセラミックスとガラス粉末が混合焼結されて成るガラスセラミックス、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｏ合金、Ｃｕ－Ｗ合金、Ｋｏｖａｒ（登録商標）等の合金等が挙げられる。

後述する金属系の接合材を、基体２の端面２ｂに、直接、接合しようとすると、金属系接合材の濡れ性が悪いため、良好に接合部１０を形成することが困難である。そこで、金属系接合材の濡れ性を改善するため、基体２の端面２ｂに、金属層６を形成することが好ましい。このようにすれば、基体２の端面２ｂに、接合部１０を効果的に形成できる。

図２に示すように、金属層６は、凹部２ａの開口部を囲む枠形状を有する。金属層６は、四角形状とされているが、この形状に限定されるものではない。例えば凹部２ａの開口部が円形である場合、金属層６は、凹部２ａの形状に対応するように、円形状に構成されてもよい。

金属層６は、端面２ｂ側から順に下地層、中間層、及び表層の三層を含む。下地層に用いられる金属としては、例えば、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｔ等が挙げられる。中間層に用いられる金属としては、例えば、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等が挙げられる。表層に用いられる金属としては、例えば、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｔ等が挙げられる。金属層６に用いられる金属は、単体であってもよいし、合金であってもよい。

金属層６を基体２の端面２ｂに形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンアシスト又はイオンプレーティングを用いた真空蒸着法、及びＣＶＤ法等の成膜法が挙げられる。

電子部品３は、基体２における凹部２ａの底面に固定されている。電子部品３の例としては、レーザーモジュール、ＬＥＤ光源、光センサ、撮像素子、光スイッチ等の光学デバイスが挙げられる。電子部品３は、振動センサ、加速度センサ等であってもよい。本実施形態では、電子部品３が紫外線照射用ＬＥＤである場合を一例として説明する。

図４乃至図６は、基体２に接合される前の蓋部材４を示す。蓋部材４は、本体部７と、本体部７の一部に形成される緩衝膜８と、金属層９と、接合部１０と、を備える。

本体部７は、光透過性を有する基板により構成される。具体的には、本体部７は、石英基板、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス、その他の各種ガラスを含むガラス基板、サファイア基板、樹脂基板等により構成される。本実施形態では、高い紫外線透過性を有する石英基板又は石英ガラス基板が本体部７に用いられる場合について説明する。

本体部７の厚さは、０．１ｍｍ以上、１ｍｍ以下の範囲内であることが好ましく、より好ましくは０．２ｍｍ以上、０．５ｍｍ以下の範囲内である。本体部７の熱膨張係数は、接合部１０の熱膨張係数よりも小さい。本体部７の熱膨張係数は、基体２の熱膨張係数よりも小さい。

図１、図４及び図５に示すように、本体部７の表面は、第一主面７ａと、第一主面７ａの反対側に位置する第二主面７ｂと、を含む。第一主面７ａ及び第二主面７ｂは、基体２の凹部２ａの開口面積よりも大きな面積を有する。

緩衝膜８は、基体２と蓋部材４とを接合部１０によって接合する際に、蓋部材４に発生する応力を緩和するためのものである。緩衝膜８は、酸化膜により構成される。

緩衝膜８を構成する酸化物のヤング率は、好ましくは２５０ＧＰａ以下、より好ましくは２００ＧＰａ以下、更に好ましくは１５０ＧＰａ以下、特に好ましくは１００ＧＰａ以下である。このように上限を規定すれば、緩衝膜８の緩衝性を高めることができ、接合部１０と蓋部材４の熱膨張係数の違いに起因する応力を緩和する効果を得られる。

図４に示すように、緩衝膜８は、枠形状を有する。緩衝膜８は、四角形状に構成されるが、この形状に限定されず、円形状その他の形状であってもよい。図４及び図５に示すように、緩衝膜８は、本体部７の第一主面７ａに形成されている。緩衝膜８は、本体部７の第一主面７ａの全面に形成してもよく、第一主面７ａの一部に形成してもよい。

図６に示すように、緩衝膜８は、第一の膜としての酸化シリコン膜（ＳｉＯ_２）１１ａ，１１ｂと、第二の膜としての酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ_２）１２ａ，１２ｂとを含む多層膜構造を有する。緩衝膜８の材質は、本実施形態に限定されない。なお、緩衝膜８における酸化シリコン膜１１ａ，１１ｂを構成する酸化シリコンのヤング率は、７３ＧＰａである。緩衝膜８における酸化ハフニウム膜１２ａ，１２ｂを構成する酸化ハフニウムのヤング率は、５５ＧＰａである。

本実施形態では、二層の酸化シリコン膜１１ａ，１１ｂと、二層の酸化ハフニウム膜１２ａ，１２ｂとが交互に積層された緩衝膜８(積層膜)を例示する。緩衝膜８における膜の構成（各膜の数や積層順）は、本実施形態に限定されない。酸化シリコン膜１１ａ，１１ｂの数と、酸化ハフニウム膜１２ａ，１２ｂの数の合計は、４以上、好ましくは１６以上である。

緩衝膜８の厚さは、好ましくは０．１μｍ以上１μｍ以下であり、より好ましくは０．２μｍ以上０．８μｍ以下である。このように下限を規定すれば、緩衝膜８の緩衝性を更に高めることができ、接合部１０と蓋部材４の熱膨張係数の違いに起因する応力を緩和する効果を得られる。また、このように上限を規定すれば、緩衝膜８の製造コストを下げることができる。酸化シリコン膜１１ａ，１１ｂの厚さは、好ましくは０．０１μｍ以上０．０７μｍ以下であり、より好ましくは、０．０１５μｍ以上０．０６５μｍ以下である。酸化ハフニウム膜１２ａ，１２ｂの厚さは、好ましくは０．００１μｍ以上１μｍ以下であり、より好ましくは、０．００２μｍ以上０．８μｍ以下である。

電子部品３が紫外線照射用ＬＥＤである場合、緩衝膜８は、紫外線の反射を防止する反射防止膜としても機能する。すなわち、緩衝膜８は、低屈折率層（本実施形態においては酸化シリコン膜１１ａ，１１ｂ）と、高屈折率層（本実施形態においては酸化ハフニウム膜１２ａ，１２ｂ）とを交互に積層してなる多層構造を有する。緩衝膜８の紫外線（波長２８０ｎｍ）の透過率は、９０％以上であることが好ましい。

低屈折率層における紫外線（波長２８０ｎｍ）の屈折率は、１．４以上１．７以下である。高屈折率層における紫外線（波長２８０ｎｍ）の屈折率は、１．８以上２．５以下である。このように規定すると、積層された緩衝膜８は、紫外線の反射防止膜としての効果を高めることができる。なお、本実施形態で例示する緩衝膜８の酸化シリコン膜１１ａ，１１ｂにおける紫外線の屈折率は、１．５である。緩衝膜８の酸化ハフニウム膜１２ａ，１２ｂにおける紫外線の屈折率は、２．１である。

図４に示すように、金属層９は、基体２の金属層６の形状に対応するように、四角形の枠形状を有する。金属層９の形状は本実施形態に限定されない。金属層９は、円形状その他の各種枠形状を有してもよい。後述する金属系の接合材を、蓋部材４の本体部７に形成されている酸化膜からなる緩衝膜８の上に、直接、形成しようとすると、金属系接合材の濡れ性が悪いため、良好に接合部１０を形成することが困難である。そこで、金属系接合材の濡れ性を改善するため、蓋部材４の本体部７に形成される緩衝膜８の上に、金属層９を形成することが好ましい。このようにすれば蓋部材４の上に、接合部１０を効果的に形成できる。

図４及び図５に示すように、金属層９は、緩衝膜８に重なるように形成されている。図６に示すように、金属層９は、本体部７の緩衝膜８側から順に、下地層１３、中間層１４、及び表層１５の三層を含む。

下地層１３に用いられる金属としては、例えば、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｔ等が挙げられる。下地層１３にＣｒが用いられる場合、下地層１３のヤング率は、２７９ＧＰａである。中間層１４に用いられる金属としては、例えば、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等が挙げられる。表層１５に用いられる金属としては、例えば、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｔ等が挙げられる。金属層９に用いられる金属は、単体であってもよいし、合金であってもよい。

図４に示すように、接合部１０は、緩衝膜８及び金属層９の形状に対応するように、四角形の枠形状を有する。接合部１０の形状は本実施形態に限定されず、円形その他の各種枠形状であってもよい。図５及び図６に示すように、接合部１０は、金属層９の表層１５に重なるように層状に構成される。

接合部１０は、金属系接合材により構成される。金属系接合材としては、半田材やろう材として市販されるものを用いることができる。金属系接合材としては、例えば、Ａｕ－Ｓｎ合金、Ｐｂ－Ｓｎ合金、Ａｕ－Ｇｅ合金等が挙げられる。本実施形態では、金属系接合材としてＡｕ－Ｓｎ合金が使用される場合について説明する。

封止部５は、基体２の金属層６と蓋部材４の金属層９とを接合部１０で一体に接合することにより形成される。

以下、蓋部材４を製造する方法について説明する。図７に示すように、蓋部材４の製造方法は、準備工程Ｓ１と、緩衝膜形成工程Ｓ２と、金属層形成工程Ｓ３と、接合部形成工程Ｓ４と、切断工程Ｓ５と、を備える。

図８に示すように、準備工程Ｓ１では、蓋部材４を複数形成することが可能な大型の基板１６が用意される。本実施形態では、４枚の蓋部材４（本体部７）を形成することが可能な基板１６を例示するが、基板１６の大きさは本実施形態に限定されない。基板１６は、蓋部材４の本体部７の母材であり、本体部７と同じ材料により構成される。このため、基板１６は、複数の本体部７が一体に構成されたものと見做すことができる。

図８に示すように、緩衝膜形成工程Ｓ２では、基板１６に複数の緩衝膜８が形成される。緩衝膜８は、基板１６における一方の面１６ａ（本体部７の第一主面７ａに相当）に形成される。複数の緩衝膜８は所定の間隔をおいて基板１６に形成される。

緩衝膜形成工程Ｓ２では、酸化シリコン膜１１ａ，１１ｂと酸化ハフニウム膜１２ａ，１２ｂとが交互に積層形成されることにより、緩衝膜８が形成される。緩衝膜８を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンアシスト又はイオンプレーティングを用いた真空蒸着法、及びＣＶＤ法の成膜法が挙げられる。

図９に示すように、金属層形成工程Ｓ３では、緩衝膜８に重なるように、金属層９が形成される。金属層９を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンアシスト又はイオンプレーティングを用いた真空蒸着法、及びＣＶＤ法の成膜法が挙げられる。

図１０に示すように、接合部形成工程Ｓ４では、金属層９に重なるように、接合部１０が形成される。接合部１０は、例えばペースト状の金属系接合材を金属層９に重ねるように塗布する工程を有する（塗布工程）。塗布工程の具体例としては、マスクを用いた印刷法（スクリーン印刷法）、ディスペンサを用いた塗布法等が挙げられる。

接合部形成工程Ｓ４は、本実施形態に限定されない。接合部形成工程Ｓ４では、例えば、予め所定の枠形状に形成した金属系接合材の成形体を、本体部７の第一主面７ａの金属層９に重なるように配置してもよい。

接合部１０に係る金属系接合材が本体部７の第一主面７ａに塗布されると、この金属系接合材を第一主面７ａの金属層９に固定するための熱処理工程が実行される。熱処理工程は、加熱工程と、冷却工程とを備える。

加熱工程では、本体部７をリフロー炉等の加熱装置を用いて加熱することで、金属系接合材を溶融させることができる。加熱工程は、例えば炉内に窒素を充填した状態で実施してもよい。加熱工程において、本体部７は、３００℃以上の温度に加熱される。

冷却工程において、本体部７の第一主面７ａ上で溶融した金属系接合材は、冷却されることで固化する。冷却工程は、１５０℃以上３００℃以下の温度範囲、２分間以上３０分間以下の時間の条件で温度を維持する徐冷を含むことが好ましい。冷却工程において、本体部７と接合部１０との熱膨張係数の差により、蓋部材４に応力が発生するが、緩衝膜８は、この応力を緩和することができる。

以上により、複数の緩衝膜８、複数の金属層９及び複数の接合部１０が積層されてなるパッケージ用基板１６が完成する。切断工程Ｓ５において、この基板１６は、切断刃や、レーザー等を用いた公知の切断法により、図１０に示す切断予定線ＣＬに沿って切断される。これにより、複数の蓋部材４が製造される。

次に、パッケージ１の製造方法について説明する。本方法は、上記のように製造された蓋部材４を基体２の端面２ｂに接合する接合工程を備える。

図１１に示すように、接合工程では、蓋部材４が基体２に重ねられる。具体的には、蓋部材４の本体部７の第一主面７ａを基体２に対向させ、接合部１０を基体２の端面２ｂの金属層６に接触させる。その後、金属層６と接合部１０とを圧接させた状態で加熱する（加熱工程）。これにより、接合部１０の金属系接合材が溶融した状態となる。

その後、溶融した金属系接合材を冷却することにより固化させる（冷却工程）。冷却工程において、基体２と蓋部材４の本体部７との熱膨張係数の差に起因して、蓋部材４に応力が発生することとなる。この場合において、緩衝膜８は、この応力を緩和するように変形する。

冷却工程が終了すると、接合部１０が基体２の金属層６と本体部７の金属層９とを一体に接合してなる封止部５が形成される。以上により、基体２の凹部２ａの気密性が保たれたパッケージ１が完成する。

以上説明した本実施形態に係るパッケージ１、蓋部材４及びその製造方法によれば、蓋部材４における本体部７の第一主面７ａに緩衝膜８を形成することで、接合部形成工程Ｓ４、及び接合工程における冷却時に蓋部材４に発生する応力を緩和することができる。これにより、蓋部材４の破損を低減することができる。

蓋部材４の本体部７に石英基板又は石英ガラス基板を用いた場合には、接合部１０と本体部７の熱膨張係数の差、及び基体２と本体部７との熱膨張係数の差が顕著に大きくなる。このような場合であっても、金属層９よりもヤング率の小さな緩衝膜８によって蓋部材４に発生する応力を緩和することで、蓋部材４の破損を効果的に低減することが可能である。

なお、本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、上記した作用効果に限定されるものでもない。本発明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

上記の実施形態では、紫外線の反射防止膜としても機能する緩衝膜８を例示したが、本発明は、この構成に限定されない。緩衝膜８は、紫外線の反射防止機能を有していなくてもよい。

上記の実施形態では、緩衝膜８における第二の膜として酸化ハフニウム膜１２ａ，１２ｂを例示したが、本発明はこの構成に限定されるものではない。緩衝膜８の第二の膜（高屈折率層）は、例えばチタン、ニオブ、タンタルのいずれか一種を含む酸化膜により構成されてもよい。

上記の実施形態では、複数の蓋部材４を製造することが可能な基板１６に複数の緩衝膜８、金属層９及び接合部１０を形成する工程を示したが、本発明はこの構成に限定されない。本発明は、基板１６を切断することによって複数の本体部７を形成した後に、各本体部７に緩衝膜８等を形成してもよい。

上記の実施形態では、基板１６を切断予定線ＣＬに沿って切断する切断工程Ｓ５を例示したが、本発明はこの構成に限定されない。例えば複数の緩衝膜８、金属層９及び接合部１０が形成された基板１６を切断することなく蓋部材４として使用してもよい。この場合、基板１６自体がこの蓋部材４の本体部７となる。この蓋部材４を複数の凹部２ａを有する基体２に接合することで、複数の電子部品３を備えるパッケージを製造することができる。このパッケージは、接合工程後に、複数の電子部品を個別に分割するように切断されてもよい。

上記の実施形態では、二種（酸化シリコン膜１１ａ，１１ｂ及び酸化ハフニウム膜１２ａ，１２ｂ）の膜を積層してなる緩衝膜８を例示したが、本発明は、この構成に限定されず、他種の膜が追加されてもよい。すなわち、緩衝膜８は二種以上の膜を積層してなる積層膜であってもよい。

１ パッケージ
２ 基体
３ 電子部品
４ 蓋部材
７ 本体部
７ａ 第一主面
８ 緩衝膜
１０ 接合部
１１ａ 酸化シリコン膜
１１ｂ 酸化シリコン膜
１２ａ 酸化ハフニウム膜
１２ｂ 酸化ハフニウム膜
Ｓ２ 緩衝膜形成工程
Ｓ４ 接合部形成工程

Claims (12)

1. パッケージの基体を覆うための蓋部材であって、
   本体部と、前記本体部の表面に形成される緩衝膜と、前記緩衝膜に重なるように形成される接合部と、を備え、
   前記接合部は、金属系接合材を含み、
   前記緩衝膜は、酸化膜を含むことを特徴とする蓋部材。
2. 前記緩衝膜を構成する材料のヤング率は、２５０ＧＰａ以下である請求項１に記載の蓋部材。
3. 前記緩衝膜は、積層膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の蓋部材。
4. 前記緩衝膜は、酸化シリコン膜及び酸化ハフニウム膜を含む請求項１から３のいずれか一項に記載の蓋部材。
5. 前記本体部は、石英又は石英ガラスにより構成される請求項１から４のいずれか一項に記載の蓋部材。
6. パッケージの基体を覆うための蓋部材を製造する方法であって、
   前記蓋部材は、本体部を備え、
   前記本体部の表面に緩衝膜を形成する緩衝膜形成工程と、前記緩衝膜形成工程後に、前記緩衝膜に重なるように接合部を形成する接合部形成工程と、を備え、
   前記接合部は、金属系接合材を含み、
   前記緩衝膜は、酸化膜を含むことを特徴とする蓋部材の製造方法。
7. 前記緩衝膜形成工程では、二種以上の緩衝膜を積層する請求項６に記載の蓋部材の製造方法。
8. 前記緩衝膜形成工程では、前記緩衝膜として、酸化シリコン膜及び酸化ハフニウム膜を積層する請求項６又は７に記載の蓋部材の製造方法。
9. 前記緩衝膜形成工程では、スパッタリング法又は蒸着法により前記緩衝膜を前記本体部の前記表面に形成する請求項６から８のいずれか一項に記載の蓋部材の製造方法。
10. 電子部品を収容する基体と、請求項１から５のいずれか一項に記載の蓋部材と、を備えることを特徴とするパッケージ。
11. 前記電子部品は、紫外線照射用ＬＥＤであり、
    前記緩衝膜の紫外線透過率は、９０％以上である請求項１０に記載のパッケージ。
12. 電子部品を収容する基体に、請求項１から５のいずれか一項に記載の蓋部材を接合する接合工程を備えることを特徴とするパッケージの製造方法。
    

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