KR100707179B1 - 광스캐너 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

노이즈를 감소시키고 칩스케일 패키징이 가능한 광스캐너 패키지 및 그 제조방법이 개시되어 있다.

개시된 광스캐너 패키지는 입사되는 광을 주사하는 것으로, 미러부, 상기 미러부를 구동시키는 콤전극 구조체 및 베이스 기판을 구비한 광스캐너소자;와 미러부를 보호하기 위한 것으로, 미러부 주변의 베이스 기판의 상면에 밀봉 접합되는 지지부와, 지지부 상부에 형성되며 베이스 기판 상면에 대해 경사지도록 배치된 제 1 및 제 2 투광면를 가지는 투광부를 구비하는 커버글래스;를 포함한다.

이와 같은 광스캐너 패키지를 통해 광스캐너 패키지를 소형화할 수 있고, 패키징의 공정을 단순화하며, 패키징 공정의 비용을 절감할 수도 있다. 나아가, 노이즈의 원인이 되는 부반사광을 감소시킴으로써 화상의 휘도 및 콘트라스트를 증가시키고 백그라운드 노이즈를 감소시킬 수 있다.

Description

광스캐너 패키지 및 그 제조방법{Optical scanner package and method for manufacturing the same}

도 1은 종래의 광스캐너소자의 구조의 개략적인 단면도이다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 광스캐너 패키지의 단면도이다.

도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 광스캐너 패키지의 동작을 보인 도면이다.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예에 따른 광스캐너소자가 형성된 모습을 보인 도면이다.

도 6a 내지 도 6g는 본 발명의 실시예에 따른 광스캐너 패키지의 커버글래스의 가공공정을 보인 도면이다.

도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시예에 따른 광스캐너 패키지를 칩 스케일에서 허메틱 실링을 하는 공정을 보인 도면이다.

〈도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명〉

20...광스캐너 패키지 21, 51...베이스 기판

22, 52...미러부 23...미러

29, 50...광스캐너소자 39, 61...커버글래스

30, 63...캐비티 31...투광부

31a,31b...투광면 34...지지부

37, 71...반사방지층 41, 72...광흡수층

L...레이저빔 A0,B0...주반사광

A1,A2,B1,B2..부반사광 α...경사각

β...미러부의 최대 구동각

본 발명은 마이크로 전자기계 시스템(Micro-electro-mechanical system ;MEMS) 구조에 의해 제공된 미소거울을 포함하는 광스캐너 패키지 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광스캐너의 칩 스케일 패키징(Chip Scale Packaging)이 가능하며 잡음이 감소된 영상이 구현 가능한 광스캐너 패키지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

프로젝션 텔레비젼 등에서 레이저빔을 편향시키는 광스캐너로서, 빗살 모양의 콤전극(comb-typed electrode) 구조에 의한 정전효과를 이용하는 MEMS 구조의 광스캐너소자가 사용되고 있다. 그런데, 이와 같은 광스캐너소자는 미러의 크기가 수 mm 이하가 될 정도로 작은 크기로 만들어지기 때문에, 외부 환경에 매우 민감하다. 따라서, 광스캐너소자의 성능을 유지하고 외부 환경의 변화로부터 보호하기 위하여 허메틱 실링(hermetic sealing)이 된 패키지가 반드시 필요하다.

도 1은 이러한 종래의 광스캐너 패키지(1)를 예시적으로 도시하는 개략적인 단면도이다. 이와 같은 광스캐너 패키지(1)는 광스캐너소자(9)가 패키지 기판(10)의 상면에, 예컨대 다이 본딩 방법으로 장착된다. 상기 광스캐너소자(9)가 상기 패키지 기판(10)의 상면에 장착된 후에는 상기 광스캐너소자(9)의 전극 패드(18)와 상기 패키지 기판(10) 내벽의 전극 패드(19) 사이에 와이어(17)로 연결한다. 상기 패키지 기판(10)의 상기 전극 패드(19)는 상기 패키지 기판(10)의 하부로 돌출된 리드(16)와 연결되어 외부로부터 전압을 공급받는다. 또한 상기 패키지 기판(10)의 상면 둘레에 형성된 측벽(11) 위에 커버글래스(12)를 접합하여 광스캐너소자(9)가 외부로부터 완전히 밀폐되도록 한다.

그런데, 이와 같은 광스캐너 패키지(1)를 제조하는 종래의 공정에서는, 광스캐너소자(9)를 패키지 기판(10)에 다이 본딩하는 공정, 상기 패키지 기판(10)과 상기 광스캐너소자(9) 사이에 와이어(17)를 연결하는 공정, 그리고 상기 패키지 기판(10)의 측벽(11)에 커버글래스(12)를 접합하여 상기 광스캐너소자(9)를 외부로부터 밀폐시키는 공정 등을 거쳐야 한다.

따라서, 제조공정이 복잡하고 시간 및 비용이 많이 소모된다. 또한 본딩 회수가 많고 각 단계마다 사용되는 솔더의 종류가 많으므로, 광스캐너소자의 신뢰성에 영향을 줄 수 있을 뿐만 아니라 공정의 증가로 인한 수율 저하의 문제도 있다. 나아가, 광스캐너소자를 둘러싸는 패키지는 실제 광스캐너소자의 2~4 배 부피를 갖기 때문에, 소형화 추세에 맞지 않는다는 문제점이 있다.

한편, 도 1에 도시된 바와 같이 레이저빔이 광스캐너에 입사하여 반사하는 과정에서 부반사광의 문제점이 발생한다.

위에서 언급한 바와 같이 광스캐너소자(9)를 밀봉하기 때문에 레이저빔(L)은 패키지(1)의 상부에 위치한 커버글래스(12)를 투과하여 상기 미러(2)에 입사한다. 그리고, 상기 커버글래스(12)를 통해 입사된 레이저빔(L)은 미러부(3)의 상면에 형성된 미러(2)에서 반사되어 스크린(S)으로 주사된다. 이렇게 스크린(S)에 주사되는 주반사광(A0)의 경로는 도 1에서 실선과 일점쇄선으로 표시된다.

그런데, 이 과정에서 입사되는 레이저빔(L)의 일부는 상기 미러(2)에 도달하기 전에 상기 커버글래스(12)의 상면과 저면에서 반사된다. 이렇게 상기 커버글래스(12)에서 반사되는 제 1 부반사광(A1)의 광경로는 도 1에서 점선으로 표시된다.

또한, 상기 미러(2)에서 반사된 빔의 일부는 상기 커버글래스(12)를 곧바로 통과하지 못하고 상기 커버글래스(12) 내부에서 재반사를 한 뒤 스크린으로 주사된다. 이렇게 상기 커버글래스(12) 내부에서 재반사되는 제 2 부반사광(A2)의 광경로는 도 1에서 점선으로 표시된다.

이러한 제 1 부반사광(A1,A2)은 상기 스크린에 입사되어, 정상적으로 주사되는 주반사광(A0)에 의해 상기 스크린(S)에 형성되는 화상에 악영향을 주게 된다.

따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로서, 노이즈의 원인이 되는 부반사광이 스크린으로 향하지 않도록 광분리 구조가 개선되고, 칩 스케일로 소형화된 광스캐너 패키지를 제공하는데 일 목적이 있다.

또한, 상기의 구조를 가지는 광스캐너 패키지를 칩 스케일에서 제조하여 제조공정을 보다 단순화할 수 있는 광스캐너 패키지의 제조방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.

상기의 일 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광스캐너 패키지는

입사되는 광을 주사하는 것으로, 미러부, 상기 미러부를 구동시키는 콤전극 구조체 및 베이스 기판을 구비한 광스캐너소자;와

상기 미러부를 보호하기 위한 것으로, 상기 미러부 주변의 상기 베이스 기판의 상면에 밀봉 접합되는 지지부와, 상기 지지부 상부에 형성되며 상기 베이스 기판 상면에 대해 경사지도록 배치된 제 1 및 제 2 투광면를 가지는 투광부를 구비하는 커버글래스;를 포함한다.

여기서, 상기 제 1 및 제 2 투광면와 상기 베이스 기판의 상면 사이의 경사각이 상기 미러부의 최대 구동각보다 크도록 하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 제 1 투광면 및/또는 제 2 투광면에 반사방지층이 형성되는 것이 바람직하다.

나아가, 상기 제 1 투광면 및/또는 제 2 투광면의 광투과영역의 외곽에 광흡수층이 더 구비된 것이 보다 바람직하다.

상기 미러부가 구동하기 위한 전압을 전달하기 위한 전도성 금속이 충전된 관통공이 상기 베이스 기판에 형성되는 것이 바람직하다.

그리고, 상기의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광스캐너 패키지의 제조방법은,

베이스 기판이 되는 웨이퍼 상에서 미러부와 이를 구동하는 콤전극구조체를 적층하여 광스캐너소자를 형성하는 단계;

상기 미러부 주변의 상기 베이스 기판의 상면에 설치되는 지지부와 상기 지지부 상부에 형성된 제 1 및 제 2 투광면을 가지는 투광부를 구비하도록 캐비티를 형성하며, 상기 제 1 및 제 2 투광면이 상기 베이스 기판 상면에 대해 경사지도록 상기 지지부의 일 측의 두께를 다른 측의 두께보다 얇게 커버글래스를 가공하는 단계;

상기 베이스기판의 상면과 상기 지지체의 저면을 접합하여 상기 미러부가 밀봉될 수 있도록 칩 스케일에서 허메틱 실링 접합하는 단계;를 포함할 수 있다.

여기서, 상기 광스캐너소자 형성단계는 광스캐너소자가 매트릭스 형태로 배열된 웨이퍼를 열 단위로 절단하는 단계를 포함할 수 있다.

또한, 상기 커버글래스 가공단계는

글래스웨이퍼의 양면을 평탄화하는 폴리싱 가공단계와,

상기 글래스웨이퍼의 저면에 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 캐비티를 형성하는 단계와,

상기 글래스웨이퍼를 열 단위로 절단하여 글래스 바를 준비하는 단계와,

상기 투광면과 상기 베이스 기판의 상면 사이의 경사각이 상기 미러부의 최대 구동각보다 크도록 상기 지지부의 일 측의 두께를 다른 측의 두께보다 얇도록 상기 글래스 바의 저면을 절삭 및 폴리싱하는 단계;를 포함할 수 있다.

상기 커버글래스 가공단계에는, 상기 커버글래스의 상면 및/또는 저면에 반사방지층을 형성하는 단계가 더 포함되는 것이 바람직하다.

상기 커버글래스 가공단계에는, 상기 커버글래스의 상면 및/또는 저면의 투과면 외곽에 광흡수층을 형성하는 단계가 더 포함되는 것이 보다 바람직하다.

상기 허메틱 실링 단계는, 상기 커버글래스와 상기 광스캐너소자를 웨이퍼 바 단위에서 유택틱 본딩으로 접합하는 것이 바람직하다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 광스캐너 패키지 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 광스캐너 패키지(20)는 허메틱 실링(hermetic sealing) 구조의 칩 스케일 패키지로서, 입사광빔을 주사하는 광스캐너소자(29)와, 상기 광스캐너소자(29)의 베이스 기판(21) 상에 직접 접합되어 상기 광스캐너소자(29)를 보호하는 커버글래스(39)를 포함한다.

상기 광스캐너소자(29)는 베이스 기판(21)과, 상기 베이스 기판(21) 위에서 시소운동이 가능하게 설치된 것으로 상면에 미러(23)를 가지는 미러부(22)와, 상기 미러부(22)를 구동시키는 콤전극구조체(25)와, 외부로부터 인가된 전압을 상기 콤전극구조체(25)에 전달하기 위한 전극구조체(27)를 포함한다.

보다 구체적인 광스캐너 소자의 구조 및 그 제조방법은 한국 특허공개 2004-35116호, 한국 특허출원 2003-86624호 및 2004-83537호에 개시된 구조 및 제조방법이 참조될 수 있으나, 본 발명이 적용되는 광스캐너 소자의 구조 및 제조방법이 이에 한정되는 것은 아니다.

또한, 상기 광스캐너소자(29)는 칩스케일 단위에서 밀봉되므로, 상기 베이스 기판(21)에는 외부의 배선(미도시)과 상기 전극구조체(27)가 전기적으로 연결되도 록 전도성 물질로 충진된 관통공(28)이 형성되어 있다.

상기 커버글래스는 투명 재질로 이루어진다. 또한, 상기 커버글래스(39)가 상기 광스캐너소자(29)와 접합되었을 때 상기 베이스 기판(21) 위에 설치된 미러부(22)가 시소운동을 할 수 있는 캐비티(cavity)(30)가 확보되도록, 상기 커버글래스(39)는 상기 베이스 기판(21)의 상면과 접합되는 지지부(34)와, 상기 지지부(34)의 상부에 마련된 투광부(31)를 포함한다. 상기 투광부(31)는 외부에 노출된 제 1 투광면(31a)과, 상기 광스캐너소자(29)와 마주하는 제 2 투광면(31b)를 가진다. 이때 상기 제 1 및 제 2 투광면(31a, 31b)은 상기 베이스 기판(21)의 상면에 대해 각 α만큼 경사지게 배치되어 있다.

상기 광스캐너소자(29)는 미도시된 화상신호제어장치에 의하여 온/오프 제어되어 광원으로부터 출사되고 상기 투광부(31)를 투과하여 입사되는 레이저빔(L)을 상기 미러부(22)의 구동각을 달리하면서 반사시켜 스크린(S)에 주사되도록 한다.

이때 조사되는 레이저빔(L)의 일부는 은 상기 미러(23)에 도달하기 전에 상기 투광부(31)의 제 1 및 제 2 투광면(31a,31b) 각각에서 반사된다. 여기서, 상기 미러(23)에서 반사되는 주사광빔을 주반사광(B0), 상기 투광부(31)에서 반사되는 광빔을 제 1 부반사광(B1)이라 할 때, 상기한 바와 같이 상기 투광부(31)를 경사 배치시킴으로써, 상기 제 1 부반사광(B1)이 스크린(S)에서 벗어난 곳으로 진행하게 할 수 있다.

상기 주반사광(B0)은 스크린(S)에 주사선을 형성하도록 상기 미러부(22)의 구동각에 따라 상기 스크린(S)에 입사되는 각이 달라진다. 따라서, 주사되는 동안 에 항상 상기 주반사광(B0)이 상기 제 1 부반사광(B1)의 진행방향과 겹치지 않도록 하는 것이 바람직하다. 이를 위하여, 상기 경사각 α이 상기 미러부(22)의 최대 구동각 β 보다 크도록 한다. 이 경우 상기 주반사광(B0)과 상기 제 1 부반사광(B1) 사이의 최소각 γ은 0보다 커져, 상기 제 1 부반사광(B1)은 상기 스크린(S)의 유효영역을 벗어난 위치에 조사될 수 있다. 이때, 상기 미러부(22)의 최대구동각(β)은 상기 스크린의 크기 등과 관련되므로, 설계에 따라 달라질 수 있는 값이다.

따라서, 본 발명에 따른 광스캐너 패키지(20)는 상기 커버글래스(39)와 상기 베이스 기판(21)과의 경사각(α)을 상기 미러부(22)의 최대 구동각(β)보다 크게 함으로써 상기 제 1 부반사광(B1)이 스크린(S)으로 진행하는 것을 효과적으로 차단할 수 있다.

또한, 상기 커버글래스(39)의 제 1 투광면(31a) 및/또는 제 2 투광면(31b)에 방사를 방지하는 반사방지층이 형성되어 제 1 부반사광(B1)을 감소시킬 수 있다. 도 3은 본 발명에 의한 광스캐너 패키지의 커버글래스(39)에 반사방지층(37)이 형성된 것을 도시한다. 상기 반사방지층(37)은 상기 제 1 투광면(31a) 또는 제 2 투광면(31b)에 형성되는 것도 가능하나, 도시된 바와 같이 두 면 모두에 형성되는 것이 바람직하다. 이와 같은 반사방지층(37)을 더 구비함으로써, 제 1 부반사광(B1a)을 감소시켜 제 1 부반사광(B1)의 일부가 스크린(S) 내의 유효화상영역에 입사되더라도, 화상에 미치는 영향을 더욱 줄일 수 있다.

도 4를 참고하면, 미러(23)에서 반사된 레이저빔은 상기 투광부(31)를 곧바로 관통하여 스크린에 주사되는 주반사광(B0) 외에도, 상기 투광부(31) 내부에서 재반사된 후 스크린에 반사되는 제 2 부반사광(B2)도 있을 수 있다. 이와 같은 제 2 부반사광(B2)을 감소시키기 위하여, 도 4에서 도시된 바와 같이 상기 제 1 투광면(31a) 및/또는 제 2 투광면(31b)에서 광투과영역(45)을 제외한 부분에 광흡수층(41)이 더 구비되는 것이 바람직하다. 이와 같이 상기 제 2 투광면(31b)에 형성된 광흡수층(41a)은 상기 제 2 부반사광(B2) 중에서 상기 제 1 투광면(31a)에서 반사되는 광(B2a)을 흡수한다.

또한 상기 제 1 투광면(31a)에도 광흡수층(41b)이 더 형성될 수 있는데, 상기 층(41b)은 상기 제 2 부반사광(B2) 중 제 2 투광면(31b)에서 다시 내부 반사를 한 광(B2b)을 흡수한다. 이와 같이 상기 투광부(31)의 내부에서의 반사를 최소화함으로써 제 2 부반사광(B2)에 의한 화상 노이즈를 감소시킬 수 있다.

그리고, 상기 베이스기판(21)과 상기 커버글래스(39)의 허메틱 실링이 외부의 온도변화에 안정적으로 유지하려면 상기 커버글래스(39)의 열팽창 계수가 상기 베이스 기판(21)의 열팽창 계수와 동일한 재질로 이루어진 것이 바람직하다.

이하, 도면들을 참조하면서 상기와 같은 구조의 본 발명의 광스캐너 패키지를 제작하기 위한 본 발명에 따른 제조방법의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 아래의 제조과정의 설명과 함께 인용되는 도면은 이해를 돕기 위해 전술한 본 발명의 광스캐너 패키지 비해 개략적으로 도시한다.

본 실시예에 따르는 광스캐너소자 제작방법은 광스캐너소자 제조공정과, 부반사광에 의한 화상노이즈를 저감시킬 수 있는 구조의 커버글래스 제조공정과, 상기 광스캐너소자에 대해 커버글래스를 칩스케일로 허메틱 실링 접합공정으로 구분 된다.

우선 광스캐너소자 제조공정을 살펴보면, 광스캐너소자는 통상적인 반도체 소자 제조공정을 이용하여 웨이퍼 단위로 형성되는 것으로, 복수의 광스캐너소자가 일 공정을 통하여 동시에 제조된다. 도 5를 참조하면, 베이스 기판(51)을 이루는 웨이퍼의 상면에 미러부(52)와, 상기 미러부(52)를 구동시키는 콤전극구조체(53) 및 외부로부터 인가된 전압을 상기 콤전극구조체(53)에 전달하기 위한 전극구조체(54)를 형성한다.

상기 광스캐너소자(50)는 후술한 허메틱 실링 접합공정을 통하여 칩 스케일단위로 밀봉되므로 상기 전극구조체(54)는 외부의 전극과 곧바로 연결될 수 있어야 한다. 따라서, 상기 전극구조체(54)를 형성하기 전에 상기 베이스 기판(51)에 관통공(55)을 식각 형성한다. 그 후, 상기 관통공(55) 내에는 전도성 금속을 충진시킨다.

이와 같이, 웨이퍼 단위로 제조된 복수의 광스캐너소자는 상기 커버글래스와의 접합을 위하여, 도 5b에 도시된 바와 같이 상기 웨이퍼를 열 단위로 절단하여 웨이퍼 바(59)로 만든다.

다음으로 도 6a 내지 도 6g를 참고하여, 커버글래스 제작방법을 설명한다. 여기서, 커버글래스는 웨이퍼 단위로 형성되는 것으로, 복수의 커버글래스가 일 공정을 통하여 동시에 제작되며, 도 6a, 도 6b, 도 6f, 도 6g 각각은 설명의 편의를 위하여 한 개의 커버글래스를 분리하여 나타낸 것이다.

도 6a에 도시된 바와 같이 먼저 커버글래스(61) 즉, 글래스웨이퍼를 준비하 고, 그 양면을 폴리싱 가공하여 평탄하게 한다.

다음으로, 상기 커버글래스(61)의 일면에 도 6b에 도시된 바와 같이 광스캐너소자의 미러부(도 5a의 52)가 시소운동할 수 있는 공간을 확보하기 위한 캐비티(63)를 형성한다. 상기 캐비티(63)는 식각공정, 예컨대 건식 식각공정으로 제조될 수 있다. 이와 같은 공정을 통해 상기 커버글래스(61)는 지지부(62)와 투광부(64)로 구분될 수 있다.

이어서, 상기 베이스 기판(도 5a의 51)상에 상기 커버글래스(61)를 접합할 때 상기 투광부(64)가 경사지도록, 상기 지지부(62)의 일부를 제거한다. 이 공정을 위하여 도 6c에 도시된 바와 같이 일 글래스웨이퍼(60)에 메트릭스 형태로 배열된 복수의 커버글래스(61)를 열 단위로 절단하여 글래스 바(68)로 만든다. 이와 같이 글래스 바 단위에서 공정을 함으로써 복수의 커버글래스(61)를 동시에 가공할 수 있으므로, 효율을 높일 수 있다.

다음으로 상기 글래스 바(68)를 도 6d 및 도 6e에서 도시된 바와 같이 상기 글래스 바(68)의 상면(66)과 절삭된 뒤의 저면(67)이 서로 평행하지 않도록 그 일측의 두께(d2)를 다른 측의 두께(d1)보다 얇게 상기 저면(65)을 절삭한다.

바람직하게는 상기 글래스 바(68)의 상면(66)과 하면(67) 사이의 각이 미러부의 최대 구동각보다 클 수 있도록 상기 두께(d1,d2)를 정한다. 이때 상기 글래스 바(68)의 상면(66)과 하면(67) 사이의 각은 최종적으로 완성된 광스캐너 패키지의 커버글래스와 베이스 기판 사이의 경사각 α와 같다. 절삭한 후에는 절삭한 면(67)을 폴리싱한다.

이어서, 도 6f에 도시된 바와 같이 상기 글래스웨이퍼(61)의 적어도 일면에 반사방지층(71)을 형성할 수 있다.

또한, 도 6g에서 도시한 바와 같이 글래스웨이퍼의 적어도 일면에 광흡수층(72)을 형성할 수 있다. 여기서, 레이저빔이 투과되는 광투과영역(73)은 투명해야 하므로, 상기 광흡수층(72)은 상기 광투과영역(73)을 제외한 부분에 형성된다.

다음으로, 바 형태로 각각 제조된 광스케너소자와 커버글래스를 도 7a 및 도 b에 도시된 바와 같이 접합한다. 이를 위하여, 상기 지지부(62)의 저면에 본딩층(74)을 형성한다. 상기 본딩층(74)은 유택틱 본딩을 하기 위하여 크롬(Cr)이나 금(Au)과 같은 물질로 증착될 수 있다. 본 실시예에서는 커버글래스 쪽에 본딩층(74)을 형성하였으나, 상기 베이스 기판 쪽에 형성될 수도 있다.

그리고, 상기 본딩층(74)이 형성된 상태에서, 상기 광스캐너소자와 상기 커버글래스를 접합한다. 예를 들어, 상기 광스캐너소자 바(50)와 상기 커버글래스 바(68)를 서로 다른 진공척으로 각각 고정한 후, 현미경으로 관찰하면서 두 바를 정렬하고, 정렬이 완료되면 두 진공척을 접근시켜 두 바를 하나로 결합한다. 이때에 일정한 압력과 유택틱 온도를 유지하면서, 프레임 사이의 유택틱 본딩층이 녹여 붙어서 상기 두 바가 하나로 결합된다. 이후, 각 소자별로 절단함으로써 도 2에서 도시된 것과 같은 광스캐너 패키지를 완성한다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 광스캐너 패키지은 칩스케일의 패키징이 가능한 구조로서 상기 광스캐너 패키지를 소형화할 수 있고, 패키징의 공 정을 단순화하며, 패키징 공정의 비용을 절감할 수도 있다.

나아가, 노이즈의 원인이 되는 부반사광을 감소시킴으로써 화상의 휘도 및 콘트라스트를 증가시키고 백그라운드 노이즈를 감소시킬 수 있다.

또한 본 발명에 다른 광스캐너 패키지의 제조방법은 목적하는 구조의 광스캐너 패키지를 성공적으로 제작할 수 있으며, 나아가 웨이퍼 바 단위에서 광스캐너소자의 패키징을 함으로써 공정시간을 단축하고 공정을 줄임으로써 소자의 불량률을 감소시킬 수도 있다.

이러한 본원 발명인 광스캐너 패키지 및 그의 제조방법은 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (11)

1. 입사되는 광을 주사하는 것으로, 미러부, 상기 미러부를 구동시키는 콤전극 구조체 및 베이스 기판을 구비한 광스캐너소자;와

   상기 미러부를 보호하기 위한 것으로, 상기 미러부 주변의 상기 베이스 기판의 상면에 밀봉 접합되는 지지부와, 상기 지지부 상부에 형성되며 상기 베이스 기판 상면에 대해 경사지도록 배치된 제 1 및 제 2 투광면를 가지는 투광부를 구비하는 커버글래스;를 포함하며,

   상기 제 1 및 제 2 투광면와 상기 베이스 기판의 상면 사이의 경사각이 상기 미러부의 최대 구동각보다 큰 것을 특징으로 하는 광스캐너 패키지.
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3. 제 1항에 있어서,

   상기 제 1 투광면 및/또는 제 2 투광면에 반사방지층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광스캐너 패키지.
4. 제 1항 또는 제 3항에 있어서,

   상기 제 1 투광면 및/또는 제 2 투광면의 광투과영역의 외곽에 광흡수층이 더 구비된 것을 특징으로 하는 광스캐너 패키지.
5. 제 1항에 있어서,

   상기 미러부가 구동하기 위한 전압을 전달하기 위한 전도성 금속이 충전된 관통공이 상기 베이스 기판에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광스캐너 패키지.
6. 베이스 기판이 되는 웨이퍼 상에서 미러부와 이를 구동하는 콤전극구조체를 적층하고, 광스캐너소자가 매트릭스 형태로 배열된 웨이퍼를 열 단위로 절단하여 광스캐너소자를 형성하는 단계;

   상기 미러부 주변의 상기 베이스 기판의 상면에 설치되는 지지부와 상기 지지부 상부에 형성된 제 1 및 제 2 투광면을 가지는 투광부를 구비하도록 캐비티를 형성하며, 상기 제 1 및 제 2 투광면이 상기 베이스 기판 상면에 대해 경사지도록 상기 지지부의 일 측의 두께를 다른 측의 두께보다 얇게 커버글래스를 가공하는 단계;

   상기 베이스기판의 상면과 상기 지지체의 저면을 접합하여 상기 미러부가 밀봉될 수 있도록 칩 스케일에서 허메틱 실링 접합하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광스캐너 패키지 제조방법.
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8. 제 6항에 있어서, 상기 커버글래스 가공단계는

   글래스웨이퍼의 양면을 평탄화하는 폴리싱 가공단계와,

   상기 글래스웨이퍼의 저면에 매트릭스 형태로 배열된 복수개의 캐비티를 형성하는 단계와,

   상기 글래스웨이퍼를 열 단위로 절단하여 글래스 바를 준비하는 단계와,

   상기 투광면과 상기 베이스 기판의 상면 사이의 경사각이 상기 미러부의 최대 구동각보다 크도록 상기 지지부의 일 측의 두께를 다른 측의 두께보다 얇도록 상기 글래스 바의 저면을 절삭 및 폴리싱하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하 는 광스캐너 패키지 제조방법.
9. 제 6항에 있어서, 상기 커버글래스 가공단계는

   상기 커버글래스의 상면 및/또는 저면에 반사방지층을 형성하는 단계가 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광스캐너 패키지 제조방법.
10. 제 6항 및 제 8항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 커버글래스 가공단계는

    상기 커버글래스의 상면 및/또는 저면의 투과면 외곽에 광흡수층을 형성하는 단계가 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광스캐너 패키지 제조방법.
11. 제 6항에 있어서, 상기 허메틱 실링 접합단계는

    상기 커버글래스와 상기 광스캐너소자를 웨이퍼 바 단위에서 유택틱 본딩으로 접합하는 것을 특징으로 하는 광스캐너 패키지 제조방법.

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