JP3601931B2 - 光結合半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光結合半導体装置に関し、詳しくは、リードフレームに搭載された発光素子と受光素子が樹脂モールドされた光結合半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図6(a)および(b)に、従来の2層モールドタイプの光結合半導体装置の例を示している。
あらかじめ折り曲げ成形された金属製の第1のリードフレーム1および第2のリードフレーム2の各々の第1ヘッダー部1aおよび第2ヘッダー部2aに発光素子3および受光素子4を各々個別にダイボンドし、各素子3、4と各リードフレーム1、2とを金線12等でワイヤボンドを施す。これにより、各素子3、4は第1ヘッダー部1aおよび第2ヘッダー部2aに搭載される。発光素子3には応力緩和用としてシリコーン樹脂9のプリコートを施す。
【0003】
発光素子3および受光素子4がダイボンドされたリードフレーム1、2をスポット溶接またはローディングフレームセットすることにより、発光素子3および受光素子4が相対向するように位置決めする。これにより、第1ヘッダー部1aおよび第2ヘッダー部2aの素子搭載面は平行状態で対面している(以下、この状態を平行対面と称す)。
【0004】
そして、発光素子3から受光素子4への光路を形成するように透光性エポキシ樹脂により一次トランスファーモールドを行うことにより、インナーパッケージ10を形成し、バリ取り処理を施したあと、外乱光入光防止、および光漏れがなく光信号伝達ができるように遮光性エポキシ樹脂で二次トランスファーモールドを行い、アウタパッケージ11を形成する。
【0005】
さらに、各リードフレーム1、2の外装メッキ、タイバーカットして光結合半導体装置Aが製造される。
図6(b)において、発光素子3から出射する表面発光光L1は受光素子4に直接入射するようになっている。
図7(a)および(b)に、従来の1層モールドタイプの光結合半導体装置の例を示している。
【0006】
1層モールドタイプにおいては、図6のインナーパッケージ10の代わりにシリコーン樹脂6にて発光素子3と受光素子4の間に光路を形成(ドッキング)したあと、遮光性エポキシ樹脂でトランスファーモールドを行い、アウタパッケージ11を形成する。その後リードフレーム1,2の外装メッキ、以下前記2層モールドタイプと同様の工程で光結合半導体装置Aが製造される。
【0007】
図7(b)において、発光素子3から出射する表面発光光L1は受光素子4に直接入射すると共に、発光素子3側面から出る側面発光光L2はシリコーン樹脂6の表面7(アウタパッケージ11との境界)に達し、ここで反射されて受光素子4に入射する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の光結合半導体装置は、上述のように発光素子3と受光素子4とが対向するように配置されるため、必然的に第1ヘッダー部1aおよび第2ヘッダー部2aの素子搭載面も平行対面配置となる。このようにヘッダー部1aおよび2aを平行対面配置して遮光性エポキシ樹脂によるアウタパッケージ11で封止すると、必然的にヘッダー部1aと2a間に浮遊容量(静電容量)が生じる。このような浮遊容量があると、発光素子3と受光素子4間の動作電位が急激に変化した場合、発光素子3に入力信号がなく光信号が発せられないにもかかわらず受光素子4側に変位電流が流れ、誤動作するという問題がある。
【0009】
また、図7の1層モールドタイプの光結合半導体装置では、発光素子3から発せられた光はシリコーン樹脂6の表面で乱反射されながら受光素子4へ届くが、光路となるシリコーン樹脂6が硬化時や封止材成形時に不安定な形状に成形されるため、光信号伝達効率が低減またはばらつくという問題がある。
【0010】
一般に図6のインナーパッケージ10の表面は、金型加工費用や離型性の上から梨地加工されており、このようにインナーパッケージ10の表面が梨地の場合、光信号は梨地の部分で減衰するため、光信号伝達効率が低減またはばらつくという現象はさらに顕著になる。
【0011】
さらにまた、図7のシリコーン樹脂6とアウタパッケージ11を構成する遮光性エポキシ樹脂との境界で界面剥離8が生じやすく、この界面剥離8の箇所で光が減衰するという問題もある。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、特に、発光素子と受光素子間に生じる浮遊容量を低減させ、安定した光伝達効率を保持できる光結合半導体装置を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するべく、本発明は、第1リードフレームの第1ヘッダー部に搭載された発光素子と、第2リードフレームの第2ヘッダー部に搭載された受光素子とが光学的に光路を形成するインナーパッケージでモールドされ、該インナーパッケージの外側にアウタパッケージが形成されている光結合半導体装置において、前記第1ヘッダー部および第2ヘッダー部の各々の素子搭載面が対面しない状態に配置され、かつ、前記インナーパッケージの表面に前記発光素子の表面発光光および/または側面発光光を反射して前記受光素子に導く反射面が形成されていることを特徴としている。
【0013】
そして、光結合半導体装置の具体的な態様としては、前記第1ヘッダー部および第2ヘッダー部は、互いに平行であり、かつ高さが異なるように配置されており、あるいは、前記第1ヘッダー部および第2ヘッダー部は、互いに平行であり、かつ同一平面に配置されており、あるいはまた、前記第1ヘッダー部および第2ヘッダー部は、互いに不平行に配置されていることを特徴としている。さらに、前記反射面は、鏡面加工されていることを特徴としている。
【0014】
前述の如く構成された本発明に係る光結合半導体装置においては、発光素子から出る表面発光光および側面発光光は、光路であるインナーパッケージを経由して直接受光素子に向かい、あるいはインナーパッケージ表面の反射面で反射されて受光素子に向かう。
第1および第2ヘッダー部の各々の素子搭載面が対面しない状態に配置されているため、発光素子と受光素子間に生じる浮遊容量を低減させ、安定した光伝達が可能となる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、図6および図7と同一部材または同一機能のものは同一符号で示している。
図1は、本発明の第1実施の形態に係わる光結合半導体装置を示している。
図1(a)において、光結合半導体装置Aは、第1のリードフレーム1の第1ヘッダー部1aにダイボンドされた発光素子3と、第2のリードフレーム2の第2ヘッダー部2aにダイボンドされた受光素子4とを備えている。
【0016】
第1ヘッダー部1aは第1リードフレーム1の導出部1cから上方に折曲された折曲部1bを介して導出部1cと平行に折曲され、この第1ヘッダー部1aの上面に発光素子3がダイボンドされている。
第2ヘッダー部2aは第2リードフレーム2の導出部2cから下方に折曲された折曲部2bを介して導出部2cと平行に折曲され、この第2ヘッダー部2aの上面に受光素子4がダイボンドされている。
【0017】
第1ヘッダー部1aおよび第2ヘッダー部2aは、互いに平行で、かつ、高さが異なる位置に配置され、かつ各々の素子搭載面は上向きであって幅方向にずれた状態で配置されている。
発光素子3にはシリコーン樹脂9がプリコートされ、透光性エポキシ樹脂によりインナーパッケージ10が形成されている。透光性エポキシ樹脂としては、白色エポキシ樹脂または透明エポキシ樹脂が使用される。
【0018】
インナーパッケージ10の外側にアウタパッケージ11が形成されている。アウタパッケージ11としては、カーボンが含有されている黒色エポキシ樹脂、あるいは酸化チタンが含有されている白色エポキシ樹脂が使用される。但し、後述のようにインナーパッケージ10の反射面で光信号を反射させるため、この反射を助長する上では酸化チタン含有の白色エポキシ樹脂が好ましい。
【0019】
上記第1実施の形態の光結合半導体装置Aは、以下のようにして製造される。あらかじめ折り曲げ成形された第1のリードフレーム1の第1ヘッダー部1aおよび第2のリードフレーム2の第2ヘッダー部2aに各々発光素子3および受光素子4を個別にダイボンドし、各素子3、4とリードフレーム1、2とを金線12等によりワイヤボンドを施す。発光素子3にはシリコーン樹脂9によりプリコートを施す。
【0020】
発光素子3および受光素子4がダイボンドされたリードフレーム1、2を図1(a)の状態に重ね合わせてフレーム組とし、このフレーム組を金型に準備し、型締め後、透光性エポキシ樹脂を注入封止し、一次トランスファーモールドを行うことにより、インナーパッケージ10を形成する。バリ取り処理を施したあと、アウタパッケージ用の金型に準備し、型締め後、遮光性エポキシ樹脂を注入封止してアウタパッケージ11を形成する。このアウタパッケージ11により、外乱光入光を阻止すると共に、光漏れがなく光信号伝達ができるようになる。
【0021】
その後、リードフレーム1、2の外装メッキ、タイバーカットして光結合半導体装置Aが製造される。
前記インナーパッケージ10は不規則な多角形状をなし、表面を鏡面加工することにより、発光素子3の光を表面で反射させて受光素子4に導くようにしている。第1実施の形態では、図1に示すように、第1反射面13と第2反射面14とが上面に所定の傾斜角度をもって形成されている。鏡面加工する部分はこの第1反射面13と第2反射面14の部分だけでもよい(以下同じ)。
【0022】
図1(b)は、発光素子3から受光素子4に至る光路を示す図で、発光素子3から出る表面発光光L1は第1反射面13と第2反射面14で反射されて受光素子4に向かい、側面発光光L2は第2反射面14で反射されて受光素子4に向かうようになっている。
【0023】
図2(a)は、本発明の第2実施の形態に係わる光結合半導体装置を示している。
第1ヘッダー部1aは第1リードフレーム1の導出部1cから下方に折曲された折曲部1bを介して導出部1cと平行に折曲され、この第1ヘッダー部1aの上面に発光素子3がダイボンドされている。第2ヘッダー部2aおよび受光素子4の取り付けは図1の第1実施の形態と同一の構成である。
【0024】
第1ヘッダー部1aおよび第2ヘッダー部2aは、互いに平行で同一高さで並行状態で配置され、かつ各々の素子搭載面は上向きであって幅方向にずれた状態で配置されている。
【0025】
インナーパッケージ10の表面は、第1反射面13と第2反射面14とが上面に所定の傾斜角度をもって対称的に形成されている。
図2(b)において、発光素子3から出る表面発光光L1は第1反射面13と第2反射面14で反射されて受光素子4に向かい、側面発光光L2は受光素子4に直接向かうようになっている。
【0026】
図3(a)は、本発明の第3実施の形態に係わる光結合半導体装置を示している。
第1ヘッダー部1aは第1リードフレーム1の導出部1cから上方に折曲された比較的長い折曲部1bを介して導出部1cと平行に折曲され、この第1ヘッダー部1aの下面に発光素子3がダイボンドされている。第2ヘッダー部2aおよび受光素子4の取り付けは図1の第1実施の形態と同一の構成である。
【0027】
第1ヘッダー部1aおよび第2ヘッダー部2aは、互いに平行で高さが異なる位置に配置され、かつ各々の素子搭載面は反対方向であって幅方向にずれた状態で配置されている。
【0028】
インナーパッケージ10の表面は、第1反射面13と第2反射面14とが上面と下面に所定の傾斜角度をもって略平行に形成されている。
図3(b)において、発光素子3から出る表面発光光L1は下面の第1反射面13と上面の第2反射面14で反射されて受光素子4に向かい、側面発光光L2は第2反射面14で反射されて受光素子4に向かうと共に、側面発光光L2の直接光も受光素子4に向かうようになっている。
【0029】
図4(a)は、本発明の第4実施の形態に係わる光結合半導体装置を示している。
第1ヘッダー部1aは第1のリードフレーム1の導出部1cから上方に折曲された折曲部1bを介して導出部1cと平行に折曲され、この第1ヘッダー部1aの下面に発光素子3がダイボンドされている。
【0030】
第2ヘッダー部2aは第2のリードフレーム2の導出部2cから上方に折曲された折曲部2bを介して導出部2cと平行に折曲され、この第2ヘッダー部2aの下面に受光素子4がダイボンドされている。
第1ヘッダー部1aおよび第2ヘッダー部2aは、互いに平行で同一高さで並行状態で配置され、かつ各々の素子搭載面は下向きであって幅方向にずれた状態で配置されている。
【0031】
インナーパッケージ10の表面は、発光素子3の表面発光光L1を反射する第1反射面13と第2反射面14とが下面に所定の傾斜角度をもって対称的に形成されている。
図4(b)において、発光素子3から出る表面発光光L1は下面の第1反射面13と第2反射面14で反射されて受光素子4に向かい、側面発光光L2の直接光が受光素子4に向かうようになっている。
図5(a)は、本発明の第5実施の形態に係わる光結合半導体装置を示している。
【0032】
第1ヘッダー部1aは、第1リードフレーム1の導出部1cから下方に折曲された折曲部1bを介して導出部1cと平行に折曲され、この第1ヘッダー部1aの上面に発光素子3がダイボンドされている。
第2ヘッダー部2aは、第2リードフレーム2の導出部2cから所定の角度をもって下方に折曲され、この第2ヘッダー部2aの上面に受光素子4がダイボンドされている。
【0033】
第2ヘッダー部2aは第1ヘッダー部1aに対して所定角度をもって幅方向に対向しており、かつ各々の素子搭載面は上向きであって所定の角度をもって配置されている。
インナーパッケージ10の表面は、第1反射面13と第2反射面14とが上面に非対称の傾斜角度をもって形成されている。
【0034】
図5(b)において、発光素子3から出る表面発光光L1は上部の第1反射面13と第2反射面14で反射されて受光素子4に向かい、側面発光光L2は受光素子4に直接向かうようになっている。
以上、本発明の五つの実施の形態について詳述したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、設計において、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱することなしに種々の変更を行うことができる。
【0035】
例えば、第1ヘッダー部1aおよび第2ヘッダー部2aは、水平である必要はなく、任意に角度に傾斜していてもよく、また、第1ヘッダー部1aと第2ヘッダー部2aとの相互間の角度も例えば垂直等任意に設定でき、さらに素子搭載面の向きや素子搭載位置も限定されない。インナーパッケージ10の反射面13、14の形状は、素子搭載位置により決定され、あるいはその逆に、素子搭載位置を反射面13、14の形状に合わせて決定してもよい。
【0036】
【発明の効果】
以上の説明から理解できるように、本発明の光結合半導体装置は、第1および第2ヘッダー部の各々の素子搭載面が平行対面しない状態に配置されているため、発光素子と受光素子間に生じる浮遊容量がほとんどなくなり、安定した光伝達が可能となり、高精度、高信頼性の光結合半導体装置が得られると共に、発光素子の表面発光光だけでなく側面発光光も有効に利用できるため、光伝達効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る光結合半導体装置の第1実施の形態を示すもので、(a)は縦断側面図、(b)は光路説明図である。
【図2】本発明に係る光結合半導体装置の第2実施の形態を示すもので、(a)は縦断側面図、(b)は光路説明図である。
【図3】本発明に係る光結合半導体装置の第3実施の形態を示すもので、(a)は縦断側面図、(b)は光路説明図である。
【図4】本発明に係る光結合半導体装置の第4実施の形態を示すもので、(a)は縦断側面図、(b)は光路説明図である。
【図5】本発明に係る光結合半導体装置の第5実施の形態を示すもので、(a)は縦断側面図、(b)は光路説明図である。
【図6】従来の2層モールドタイプの光結合半導体装置を示すもので、(a)は縦断側面図、(b)は光路説明図である。
【図7】従来の1層モールドタイプの光結合半導体装置を示すもので、(a)は縦断側面図、(b)は光路説明図である。
【符号の説明】
1…第1のリードフレーム、1a…第1ヘッダー部、2…第2のリードフレーム、2a…第2ヘッダー部、3…発光素子、4…受光素子、10…インナーパッケージ、11…アウタパッケージ、13、14…反射面、A…光結合半導体装置、L1…表面発光光、L2…側面発光光
Claims (5)
- 第1のリードフレームの第1ヘッダー部に搭載された発光素子と、第2のリードフレームの第2ヘッダー部に搭載された受光素子とが光学的に光路を形成するインナーパッケージでモールドされ、該インナーパッケージの外側にアウタパッケージが形成されている光結合半導体装置において、
前記第1ヘッダー部および第2ヘッダー部の各々の素子搭載面が対面しない状態に配置され、かつ、前記インナーパッケージの表面に前記発光素子の表面発光光および/または側面発光光を反射して前記受光素子に導く反射面であって少なくとも2つの傾斜面が形成されており、前記発光素子の光を表面で反射させて前記受光素子に導く反射面の部分だけが鏡面加工されたことを特徴とする光結合半導体装置。 - 前記第1ヘッダー部および第2ヘッダー部は、互いに平行であり、かつ高さが異なるように配置されていることを特徴とする請求項1記載の光結合半導体装置。
- 前記第1ヘッダー部および第2ヘッダー部は、互いに平行であり、かつ同一平面に配置されていることを特徴とする請求項1記載の光結合半導体装置。
- 上面に発光素子が設けられた前記第1ヘッダー部と上面に受光素子が設けられた第2ヘッダー部とは、互いに不平行であって、前記第1ヘッダー部がリードフレームの導出部と平行に折曲され、前記第2ヘッダー部がリードフレームの導出部から所定の角度を持って下向きに折曲されて配置されていることを特徴とする請求項1記載の光結合半導体装置。
- 前記反射面以外の面は梨地形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光結合半導体装置。
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