JPS60170982A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
光半導体装置の製造方法Info
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- JPS60170982A JPS60170982A JP59027428A JP2742884A JPS60170982A JP S60170982 A JPS60170982 A JP S60170982A JP 59027428 A JP59027428 A JP 59027428A JP 2742884 A JP2742884 A JP 2742884A JP S60170982 A JPS60170982 A JP S60170982A
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、集子か樹脂により封止されるホトダづオード
、ホトセンサ等の光半導体袋１ｔＶｃ［ｄする。
、ホトセンサ等の光半導体袋１ｔＶｃ［ｄする。
被検出物体からの反射光の有無を検出する光反射形ホト
センサはマークリーグ、煙感知器等に使用されている。
センサはマークリーグ、煙感知器等に使用されている。
この光反射形ホトセンサとして、共通保持板上に発光素
子チップと受光素子チップとを並列配鮪するタイプのも
のがあるが、最近は装置の組立てを簡単にするためにリ
ードフレームに発光素子と受光素子とをマワントし樹脂
封止したものが増加している。
子チップと受光素子チップとを並列配鮪するタイプのも
のがあるが、最近は装置の組立てを簡単にするためにリ
ードフレームに発光素子と受光素子とをマワントし樹脂
封止したものが増加している。
第１１乃至第３図はそれぞれ上記のようなタイプの反射
形ホトセン？を示す斜視図、平面図およびＡＡ’線に沿
った断面図で、遮光性樹脂２で形成された平形の遮光ケ
ースは素子間遮光壁２′によって２つの隔室に分離ちれ
ている。
形ホトセン？を示す斜視図、平面図およびＡＡ’線に沿
った断面図で、遮光性樹脂２で形成された平形の遮光ケ
ースは素子間遮光壁２′によって２つの隔室に分離ちれ
ている。
発光素子５および受光素子６はそれぞれリードフレーム
４にマワントデンデイングされ上記２つの隔室に各々収
納略れている。この隔室内は透光性樹脂７が充填され、
正面の窓３．３′が光路となる。
４にマワントデンデイングされ上記２つの隔室に各々収
納略れている。この隔室内は透光性樹脂７が充填され、
正面の窓３．３′が光路となる。
このような樹脂ケースＬを有するホトセンサは次のよう
な手順で形成される。すなわち、す−ドフレーム４ｖｉ
−第４図に示′すような上金型１０上に固定し、上下金
型ｔｏ、Ｊｏ’のキャビティ（中菟部）に遮光性樹脂２
を注入、充填し、硬化きせて遮光性樹脂２とリードフレ
ーム４とが一体となったものを形成する。次にリードフ
レーム４の露出面の所定の部位に第２図および第３図に
示すように発光素子５および受光素子６をマワントし、
ワイヤがンデイングを行なう。その後、上記遮光性樹脂
２で曲まれだ部位に透光性樹脂７を充填して＊ ：ｉ！
＋ Ｉ］’ａケースＪが完成する。
な手順で形成される。すなわち、す−ドフレーム４ｖｉ
−第４図に示′すような上金型１０上に固定し、上下金
型ｔｏ、Ｊｏ’のキャビティ（中菟部）に遮光性樹脂２
を注入、充填し、硬化きせて遮光性樹脂２とリードフレ
ーム４とが一体となったものを形成する。次にリードフ
レーム４の露出面の所定の部位に第２図および第３図に
示すように発光素子５および受光素子６をマワントし、
ワイヤがンデイングを行なう。その後、上記遮光性樹脂
２で曲まれだ部位に透光性樹脂７を充填して＊ ：ｉ！
＋ Ｉ］’ａケースＪが完成する。
ところで、上記の遮光性樹脂２の形成工程において、！
Ｉ−ドフレーム４は、マワントがンデイング面側となる
一方面が金型１０ 、１０’と接触した状態となるよう
に金型ｉ ０． ｉ ｏ’に般社セれる。しかしなから
、！Ｉ−ドフレーム４の背面側はキャビティになってい
るため１例えはリードフレーム４の変形等により少しで
もリードフレーム４と金型との接触が悪い場合には遮光
性樹脂２が９−ドフレーム４のマヮントｙｊ＝”ンデイ
ンダ面（第４図のＢで示す）側に入シ込み、リードフレ
ーム４に樹脂パリが形成される。
Ｉ−ドフレーム４は、マワントがンデイング面側となる
一方面が金型１０ 、１０’と接触した状態となるよう
に金型ｉ ０． ｉ ｏ’に般社セれる。しかしなから
、！Ｉ−ドフレーム４の背面側はキャビティになってい
るため１例えはリードフレーム４の変形等により少しで
もリードフレーム４と金型との接触が悪い場合には遮光
性樹脂２が９−ドフレーム４のマヮントｙｊ＝”ンデイ
ンダ面（第４図のＢで示す）側に入シ込み、リードフレ
ーム４に樹脂パリが形成される。
この傾向は遮光性樹脂２が熱可塑性のものに比らべ熱硬
化性のものでおる場合に特に顕著となる。この樹脂パリ
が発生したり一ドフレーム４には、菓子のマクント？ン
ディングを行うことができないため、製品の歩留りが悪
く製造コストが高いものである。
化性のものでおる場合に特に顕著となる。この樹脂パリ
が発生したり一ドフレーム４には、菓子のマクント？ン
ディングを行うことができないため、製品の歩留りが悪
く製造コストが高いものである。
本発明は上記のような点に鑑みなされたもので、素子が
マクントボンディンダされるリードフレーム面における
樹脂パリの発生の恐れのない光半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
マクントボンディンダされるリードフレーム面における
樹脂パリの発生の恐れのない光半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
すなわち本発明による光半導体装置では、リードフレー
ムに配設された光半導体素子全封止する樹脂ケースを、
上記光半導体素子を囲む第１の樹脂部材と、上記第１の
樹脂部材に囲まれた頗域内に充填きれた透光性の第２の
樹脂部材とで構成し、上記リードフレームの素子のマヮ
ントボンディンダ面を金型で挾み込むことができるよう
に上記第１の樹脂部材の形状をリードフレームのマウン
トポンディンダ面の裏面に第１の樹脂が及んでいない部
分を有したものにしたものである。
ムに配設された光半導体素子全封止する樹脂ケースを、
上記光半導体素子を囲む第１の樹脂部材と、上記第１の
樹脂部材に囲まれた頗域内に充填きれた透光性の第２の
樹脂部材とで構成し、上記リードフレームの素子のマヮ
ントボンディンダ面を金型で挾み込むことができるよう
に上記第１の樹脂部材の形状をリードフレームのマウン
トポンディンダ面の裏面に第１の樹脂が及んでいない部
分を有したものにしたものである。
以下図面を参照して本発明の−実り例につき製造工程と
共に説明する。まず１例えば厚さ０．２間程度の鉄又は
銅系の合金＠をエツチング或いはプレス加工して所定形
状のリードフレームを形成する。リードフレームの素子
のマクント部およびデンディング部には銀メッキを施す
。
共に説明する。まず１例えば厚さ０．２間程度の鉄又は
銅系の合金＠をエツチング或いはプレス加工して所定形
状のリードフレームを形成する。リードフレームの素子
のマクント部およびデンディング部には銀メッキを施す
。
しかる後に、第５図に示すようにこのリードフレーム４
４を下金型１ノおよび上金型１１’で挾み固定する。そ
して、この金型１１．ＩＩ’内のキャビティに遮光性樹
脂を注入、充填し。
４を下金型１ノおよび上金型１１’で挾み固定する。そ
して、この金型１１．ＩＩ’内のキャビティに遮光性樹
脂を注入、充填し。
第６図に示すような製品の外形枠と素子間遮光隔壁とを
兼ねる遮光性樹脂部材２２を形成する。
兼ねる遮光性樹脂部材２２を形成する。
レーム４４の素子配設面の裏面に貫通孔２２ａ奮有する
形状のものとする。すなわち、第５図 ゛に示すように
、シードフレーム４４の素子のマワント面およびデンデ
ィング面は下金型１１および上金型１ノ′で挾まれる。
形状のものとする。すなわち、第５図 ゛に示すように
、シードフレーム４４の素子のマワント面およびデンデ
ィング面は下金型１１および上金型１ノ′で挾まれる。
従って素子の、マワント面およびビンディング面と、金
型との間に間隙ができず、遮光性樹脂の注入にょシ−ド
フレームのマヮント、デンディング面に樹脂パリが形成
される恐れがない。
型との間に間隙ができず、遮光性樹脂の注入にょシ−ド
フレームのマヮント、デンディング面に樹脂パリが形成
される恐れがない。
続いて、第７図（第５図とはリードフレーム４４の上下
が逆である）に示すように上記り−ドフレーム４４の露
出面に発光素子５および受光素子６をマヮントし、所定
のワイヤがンディンダを行う。
が逆である）に示すように上記り−ドフレーム４４の露
出面に発光素子５および受光素子６をマヮントし、所定
のワイヤがンディンダを行う。
しかる後に遮光性樹脂部材２２で曲まれた隔室内および
遮光性樹脂部材２２の貫通孔ＺＺａ内に透光性樹脂部材
７７を充填して製品とする。
遮光性樹脂部材２２の貫通孔ＺＺａ内に透光性樹脂部材
７７を充填して製品とする。
尚、貫通孔２２ｍに充填するものとしては透光性樹脂以
外の絶縁部材を用いてもよい。
外の絶縁部材を用いてもよい。
フレーム４４のマワントボンデインダ面の裏面側に遮光
性樹脂部材２２の及んでいない部分を有するものであれ
ばよい。従って１貫通孔２２＋］を有するものの以外に
１例えはリードフレーム４４のマクントポンディング面
の裏面の遮光性樹脂部材２２がコの字状のもの等、他の
形状のものであってもよい。
性樹脂部材２２の及んでいない部分を有するものであれ
ばよい。従って１貫通孔２２＋］を有するものの以外に
１例えはリードフレーム４４のマクントポンディング面
の裏面の遮光性樹脂部材２２がコの字状のもの等、他の
形状のものであってもよい。
第８図および第８図のＣＣ′線に沿った断面図である第
９図に本発明の変形実施例を示す。
９図に本発明の変形実施例を示す。
これは製品の小型化を目的としてリードフレーム４４０
両面に素子全マヮントしたもので１本発明者が昭和５８
年ｌＯ月７日に光反射形ホトセンサとして特許出願した
形式のものである。
両面に素子全マヮントしたもので１本発明者が昭和５８
年ｌＯ月７日に光反射形ホトセンサとして特許出願した
形式のものである。
この場合にはリードフレーム４４によりリードフレーム
の一方面側と他方面側と１に遮光するようにマワン）ｙ
ｌ？ンディング而を面分に広く取っておる。このような
素子の遮光性樹脂部材２２の形成工程においても成形金
型によりリードフレームのマワントポンディング面を挾
むことによってマクントボンディング面への樹脂パリの
発生の恐れをなくすことができる。
の一方面側と他方面側と１に遮光するようにマワン）ｙ
ｌ？ンディング而を面分に広く取っておる。このような
素子の遮光性樹脂部材２２の形成工程においても成形金
型によりリードフレームのマワントポンディング面を挾
むことによってマクントボンディング面への樹脂パリの
発生の恐れをなくすことができる。
尚１本発明は反射形ホトセンサに限らず１例えばリード
フレーム上にマワントゴンデイングされる素子の数が１
つのホトダイオード等他のものでらってもよい。
フレーム上にマワントゴンデイングされる素子の数が１
つのホトダイオード等他のものでらってもよい。
以上のようにこの発明によれは、リードフレームの素子
の配役てれる部位を金型で挾み込むことができるため、
リードフレームのマクント？ンデイング面への樹脂バジ
の発生が兄全に防止された光半導体装置を提供すること
ができ。
の配役てれる部位を金型で挾み込むことができるため、
リードフレームのマクント？ンデイング面への樹脂バジ
の発生が兄全に防止された光半導体装置を提供すること
ができ。
製品のコストの低減’ｔｂることかできる。
第１図乃至第３図はそれぞれ従来の光半導体装置を示す
斜視図、平面図および断面図、第４崗は従来の光半導体
装置のリードフレームの金型への設置状態を示す断面図
、第５図は本発明による光半導体装置のリードフレーム
の金型への設置状態を示す断面図、第６図および第７図
はそれぞれ本発明による光半導体装置の一実施例を示す
斜視図および断面図り第８図および第９図はそれぞれ本
発明にょる光＃梼体装置°の変形実施例を示す平面図お
よび勅面図である。 ２２・・・遮光性樹脂部材、２２ａ・・・貫通孔。 ４４・４・・・ｙ−ドフレーム、５・・・発光素子、６
．ｔ；’・・・受光素子、７Ｘ７・・・透光性樹脂部材
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 豚第１図 ｙ？２
０ 矛４ 図
斜視図、平面図および断面図、第４崗は従来の光半導体
装置のリードフレームの金型への設置状態を示す断面図
、第５図は本発明による光半導体装置のリードフレーム
の金型への設置状態を示す断面図、第６図および第７図
はそれぞれ本発明による光半導体装置の一実施例を示す
斜視図および断面図り第８図および第９図はそれぞれ本
発明にょる光＃梼体装置°の変形実施例を示す平面図お
よび勅面図である。 ２２・・・遮光性樹脂部材、２２ａ・・・貫通孔。 ４４・４・・・ｙ−ドフレーム、５・・・発光素子、６
．ｔ；’・・・受光素子、７Ｘ７・・・透光性樹脂部材
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 豚第１図 ｙ？２
０ 矛４ 図
Claims (1)
- 光半導体素子と、この光半導体素子が配設されたリード
フレームと、上配光半導体累子を封止する樹脂ケースと
を具備し、上記樹脂ケースは遮光壁として上記光半導体
素子を囲む第１の樹脂部材と、上記第１の樹脂部材に囲
まれた領域内に充填された透光性の第２の樹脂部材とか
らなシ、上記第１の樹脂部伺の形状が９−ドフレームの
素子のマワント＆ンデインダ面の表面に第１の樹脂部材
が及んでいない部分を有したものであることを特徴とす
る光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2742884A JPH0620159B2 (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2742884A JPH0620159B2 (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170982A true JPS60170982A (ja) | 1985-09-04 |
| JPH0620159B2 JPH0620159B2 (ja) | 1994-03-16 |
Family
ID=12220837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2742884A Expired - Lifetime JPH0620159B2 (ja) | 1984-02-16 | 1984-02-16 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0620159B2 (ja) |
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| EP1079443A1 (en) * | 1998-05-20 | 2001-02-28 | Rohm Co., Ltd. | Reflective sensor |
| JP2007087991A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Rohm Co Ltd | 受光モジュール |
| US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
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1984
- 1984-02-16 JP JP2742884A patent/JPH0620159B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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| JPH0620159B2 (ja) | 1994-03-16 |
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