JPS5893388A - 反射型光結合半導体装置の製造方法 - Google Patents
反射型光結合半導体装置の製造方法Info
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- JPS5893388A JPS5893388A JP56192462A JP19246281A JPS5893388A JP S5893388 A JPS5893388 A JP S5893388A JP 56192462 A JP56192462 A JP 56192462A JP 19246281 A JP19246281 A JP 19246281A JP S5893388 A JPS5893388 A JP S5893388A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は反射型光結合半導体装置の製造方法に係り、特
に製造工程が簡易で原価の低減可能な反射型光結合半導
体装置の製造方法に関する。
に製造工程が簡易で原価の低減可能な反射型光結合半導
体装置の製造方法に関する。
反射型光結合半導体装置は、発光素子部と受光素子部と
をその主発光面および主受光面が同り、被検出物の識別
を行うのに便利なものである０ 従来における反射型光結合半導体装置の製造方法として
は、大別して次の三種類のものがある。即ち第一の方法
は、発光素子部および受光素子部を発光ペレットおよび
受光ペレットかヘッダの底部に位置するようにキれぞれ
別個に形成して外囲器内に挿入固着して形成するもので
あり、第二の方法は、例えば４ピンのＴｏ−７２ヘツダ
に発光ペレット、受光ペレットを積載してボンディング
した後渡へい板を有する外囲器をＴｏ−７２ヘツダに挿
入固着して、内部に透明樹脂を充填して形成するもので
あり、第三の方法は第１図にその断面図で示すように発
光ペレットの発光波長に対し不透明なセラミックなどで
ヘッダ部１１、遮光壁部１２、外囲器部１３を一体に形
成してリード線１４を固着したステム１に発光ペレット
２１．受光ペレット３１を積載し、ボンディングした後
に凹部１５に透明樹脂４を充填固着して形成するもので
ある。
をその主発光面および主受光面が同り、被検出物の識別
を行うのに便利なものである０ 従来における反射型光結合半導体装置の製造方法として
は、大別して次の三種類のものがある。即ち第一の方法
は、発光素子部および受光素子部を発光ペレットおよび
受光ペレットかヘッダの底部に位置するようにキれぞれ
別個に形成して外囲器内に挿入固着して形成するもので
あり、第二の方法は、例えば４ピンのＴｏ−７２ヘツダ
に発光ペレット、受光ペレットを積載してボンディング
した後渡へい板を有する外囲器をＴｏ−７２ヘツダに挿
入固着して、内部に透明樹脂を充填して形成するもので
あり、第三の方法は第１図にその断面図で示すように発
光ペレットの発光波長に対し不透明なセラミックなどで
ヘッダ部１１、遮光壁部１２、外囲器部１３を一体に形
成してリード線１４を固着したステム１に発光ペレット
２１．受光ペレット３１を積載し、ボンディングした後
に凹部１５に透明樹脂４を充填固着して形成するもので
ある。
しかしながら前述した第一の方法では発光素子部、受光
素子部を別々に形成した後、ケースか利用できないとい
う欠点がある。また、第二１１１１゜ の方法では発光ペレットからの光が受光ペレットに直達
しないようにする遮光壁と外囲器とを後からヘッダに固
着しなければならないため遮光が完全でなく品質が一定
しないことおよび遮“光壁や外囲器部での樹脂の剥離ひ
いては内部配線の断線など信頼性が悪く、また大きさも
ＴＯ−７２ヘッダなどにより限定され小型のものを作る
ことが難しいという欠点がある。また、第三の方法では
ヘッダ部分１１と遮光壁１２．外囲器１３を一体に形成
しているために遮光特性ているためステムが高価である
こと、更には小さなステム１の凹部１５にペレットを積
載してボンディングしなければならないだめ作業性かは
、テープレコーダのモータ回転の検知など種々の民生機
器に利用されるようになり、一層の原価低減および小型
化が要求されるに至り、リードツレ−ムラ利用したトラ
ンスファモールドなどにより製造する方法が検討されて
いる。しかし通常の半導体装置のモールドの場合と異な
り、外部に光を発し、さらに反射光を受光するだめの発
光面および受光面には不透明樹脂が付着しないようにモ
ールドしなければならないため、通常のモールド方法で
は金型の隙間から浸み込み、発光面および受光面に不透
明な薄い被金属細条を利用して透明樹脂および不透明樹
脂で二重モールドするだけで特性の劣化しない反射型光
結合半導体装置の製造方法を提供するもので、具体的に
は金属細条に発光ペレットおよび受光ペレットを積載し
、ボンディングした後、発光波長に対して透明な樹脂で
発光素子部お上周囲に不透明樹脂を充填固着してモール
ドすることにより形成するものである。
素子部を別々に形成した後、ケースか利用できないとい
う欠点がある。また、第二１１１１゜ の方法では発光ペレットからの光が受光ペレットに直達
しないようにする遮光壁と外囲器とを後からヘッダに固
着しなければならないため遮光が完全でなく品質が一定
しないことおよび遮“光壁や外囲器部での樹脂の剥離ひ
いては内部配線の断線など信頼性が悪く、また大きさも
ＴＯ−７２ヘッダなどにより限定され小型のものを作る
ことが難しいという欠点がある。また、第三の方法では
ヘッダ部分１１と遮光壁１２．外囲器１３を一体に形成
しているために遮光特性ているためステムが高価である
こと、更には小さなステム１の凹部１５にペレットを積
載してボンディングしなければならないだめ作業性かは
、テープレコーダのモータ回転の検知など種々の民生機
器に利用されるようになり、一層の原価低減および小型
化が要求されるに至り、リードツレ−ムラ利用したトラ
ンスファモールドなどにより製造する方法が検討されて
いる。しかし通常の半導体装置のモールドの場合と異な
り、外部に光を発し、さらに反射光を受光するだめの発
光面および受光面には不透明樹脂が付着しないようにモ
ールドしなければならないため、通常のモールド方法で
は金型の隙間から浸み込み、発光面および受光面に不透
明な薄い被金属細条を利用して透明樹脂および不透明樹
脂で二重モールドするだけで特性の劣化しない反射型光
結合半導体装置の製造方法を提供するもので、具体的に
は金属細条に発光ペレットおよび受光ペレットを積載し
、ボンディングした後、発光波長に対して透明な樹脂で
発光素子部お上周囲に不透明樹脂を充填固着してモール
ドすることにより形成するものである。
以下図面に示す本発明の実施例につき詳説する。
第２図は本発明の一実施例である反射型光結合半導体装
置の製造方法を示すもので、第２図て 光ダイボンデインクし、金線２２．ａ”ｋをそれぞれワ
イヤボンディングして発光素子部２．受光素子部３を形
成する。次に第２図（ｂ）に示すように発光ペレット２
１の発光波長に対し透明である例えばエポキシなどの樹
脂６で発光素子部２および受光素子部３をそれぞれ別個
にモールド成型する。この際第２図（ｅ）でその断面を
示すように、リードフレーム５のペレット載置側であこ
とができる。また、この透明樹脂６でモールド成型する
際発光面７１．受光面７２と反対側に突起部６２を設け
る。この球状部６１および突起部６２はモールド成型す
る際の金型により任意に形成することが可能で、ある。
置の製造方法を示すもので、第２図て 光ダイボンデインクし、金線２２．ａ”ｋをそれぞれワ
イヤボンディングして発光素子部２．受光素子部３を形
成する。次に第２図（ｂ）に示すように発光ペレット２
１の発光波長に対し透明である例えばエポキシなどの樹
脂６で発光素子部２および受光素子部３をそれぞれ別個
にモールド成型する。この際第２図（ｅ）でその断面を
示すように、リードフレーム５のペレット載置側であこ
とができる。また、この透明樹脂６でモールド成型する
際発光面７１．受光面７２と反対側に突起部６２を設け
る。この球状部６１および突起部６２はモールド成型す
る際の金型により任意に形成することが可能で、ある。
次に、第２図（ｃ）に示すように、発光波長に対し不透
明な衝面７１．受光面７２に不透明樹脂が付着しないた
めに、発光面７１の周囲７３．受光面７２の光面および
受光面の周囲７３および７４から突起部６２の先端７５
までの寸法を、上型８１と下型８２とを装着した際の寸
法光より若干大きく形成しておくことが望ましい。例え
ば尤が１０ｍｍ の場合透明樹脂６の成型体の寸法を
１０．１ からｌｏ、２ｍｍ程度としておけば、透明樹
脂６は多少弾力性があるため例えば８０ ｋ ｇ／ｍ２
の強圧で上型８１と下型８２とを装着すれば、発光面７
１および受光面７２の周囲７３および７４は上型８１に
より完全にシールされ得る。
明な衝面７１．受光面７２に不透明樹脂が付着しないた
めに、発光面７１の周囲７３．受光面７２の光面および
受光面の周囲７３および７４から突起部６２の先端７５
までの寸法を、上型８１と下型８２とを装着した際の寸
法光より若干大きく形成しておくことが望ましい。例え
ば尤が１０ｍｍ の場合透明樹脂６の成型体の寸法を
１０．１ からｌｏ、２ｍｍ程度としておけば、透明樹
脂６は多少弾力性があるため例えば８０ ｋ ｇ／ｍ２
の強圧で上型８１と下型８２とを装着すれば、発光面７
１および受光面７２の周囲７３および７４は上型８１に
より完全にシールされ得る。
この突起２部６２を設ける理由としては、発光面７１、
受光面７２の裏側といえども光が内部反射により廻り込
む可能性があるため、できるだけ全面を不透明樹脂で伽
うことが望ましいことと、るからである。次に第２図（
ｄ）に示すように発光５の枠部分を切断除去し、金属細
条を必要に応じて折り曲げれば第２図（ｅ）に示すよう
にモールドタイプの反射型光結合半導体装置を得ること
ができる。この際、突起部６２の先端７５は不透明樹脂
９で覆われないが面積が小さく、深さがあるため特性に
は影響しないが、より完全を期すためにこの先端７５０
面に不透明マークをマーキングすることも可能である。
受光面７２の裏側といえども光が内部反射により廻り込
む可能性があるため、できるだけ全面を不透明樹脂で伽
うことが望ましいことと、るからである。次に第２図（
ｄ）に示すように発光５の枠部分を切断除去し、金属細
条を必要に応じて折り曲げれば第２図（ｅ）に示すよう
にモールドタイプの反射型光結合半導体装置を得ること
ができる。この際、突起部６２の先端７５は不透明樹脂
９で覆われないが面積が小さく、深さがあるため特性に
は影響しないが、より完全を期すためにこの先端７５０
面に不透明マークをマーキングすることも可能である。
第３図は本発明の要部である発光面７１．受光面７２を
シールする方法の他の実施例を示すもので、この実施例
では透明樹脂６の底面６３に第２図（ｃ）で述べたよう
な突起部６２を形成しないで、その代シ下型８２の内面
に突起部８３を設けることによシ、この突起部８３が底
面６３の場合と同様に、透明樹脂６の弾力性を有効に利
用しているため、発光面、受光面への不透明樹脂の付着
を防止することができる。
シールする方法の他の実施例を示すもので、この実施例
では透明樹脂６の底面６３に第２図（ｃ）で述べたよう
な突起部６２を形成しないで、その代シ下型８２の内面
に突起部８３を設けることによシ、この突起部８３が底
面６３の場合と同様に、透明樹脂６の弾力性を有効に利
用しているため、発光面、受光面への不透明樹脂の付着
を防止することができる。
第４図は本発明の要部である発光面７１．受光面７２を
シールする方法の他の実施例を示す金型部の断面図であ
って、発光面、受光面の周囲７３．７４部に当る上型８
１部に鋭い突起部８４を設けておき、前述実施例と同様
の方法によりめり込みすなわち喰い込み、不透明樹脂の
浸入を完全に防止することができる。またこの例と同様
の考え方で、金型には突起部８４を設けず発光面、受光
面の周囲７３．７４側に透明樹脂６でモールド成型する
際、第５図に断面図で示すように突起部６４を設けるこ
とも可能である。
シールする方法の他の実施例を示す金型部の断面図であ
って、発光面、受光面の周囲７３．７４部に当る上型８
１部に鋭い突起部８４を設けておき、前述実施例と同様
の方法によりめり込みすなわち喰い込み、不透明樹脂の
浸入を完全に防止することができる。またこの例と同様
の考え方で、金型には突起部８４を設けず発光面、受光
面の周囲７３．７４側に透明樹脂６でモールド成型する
際、第５図に断面図で示すように突起部６４を設けるこ
とも可能である。
まだ、第６図に部分拡大断面図を示すように発光面、受
光面に設けた球状部６１の周囲に上型８１を喰い込ませ
て金型を圧接装着することによっても、発光面、受光面
をシールすることができる。
光面に設けた球状部６１の周囲に上型８１を喰い込ませ
て金型を圧接装着することによっても、発光面、受光面
をシールすることができる。
いままで述べた実施例においては、発光面７１、受光面
７２に透明樹脂の球状部６１を設ける場合につき説明し
たが、本発明によれば、後ろととも非常に容易なのであ
るが、もちろん平フレームを使用してポンディングし、
２回のモールドを行うだけで形成できるだめ殆んど自動
化によってこの半導体装置を製造でき、工程数を大幅に
削減しまた原価を低減できるとともに一層の小型化も可
能となシ、シかも発光面、受光面に集光機能を備えるこ
とも同時にできるので、特性の向上を図ることができ民
生機器への普及に有効である。
７２に透明樹脂の球状部６１を設ける場合につき説明し
たが、本発明によれば、後ろととも非常に容易なのであ
るが、もちろん平フレームを使用してポンディングし、
２回のモールドを行うだけで形成できるだめ殆んど自動
化によってこの半導体装置を製造でき、工程数を大幅に
削減しまた原価を低減できるとともに一層の小型化も可
能となシ、シかも発光面、受光面に集光機能を備えるこ
とも同時にできるので、特性の向上を図ることができ民
生機器への普及に有効である。
第１図は従来の反射型光結合半導体装置を示（ｄ）は断
面図、第３図から第６図までは本発明の一工程である発
光面、受光面のシール方法のそ３・・・受光素子部
５・・・リードフレーム６・・・透明樹脂 ９
・・・不透明樹脂１１゜ ２１・・・発光ペレット ３１・・・受光ペレット６１
・・・球状部 ６２・・・突起部７１・・・発光
面 ７２・・・受光面７３・・・発光面の周囲
７４・・・受光面の周囲７５・・・突起部６２の先端 ８１・・・金型の上型 ８２・・・金型の下型特許
出願人 新日本無線株式会社 第３図 篤４図 萬５図 １
面図、第３図から第６図までは本発明の一工程である発
光面、受光面のシール方法のそ３・・・受光素子部
５・・・リードフレーム６・・・透明樹脂 ９
・・・不透明樹脂１１゜ ２１・・・発光ペレット ３１・・・受光ペレット６１
・・・球状部 ６２・・・突起部７１・・・発光
面 ７２・・・受光面７３・・・発光面の周囲
７４・・・受光面の周囲７５・・・突起部６２の先端 ８１・・・金型の上型 ８２・・・金型の下型特許
出願人 新日本無線株式会社 第３図 篤４図 萬５図 １
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 トを積載しボンディングする工程と、前記発光ペレット
の発光波長に対して透明な樹脂で前記発光ペレット部お
よび前記受光ペレット部をそれぞれ隔絶してモールドす
る工程と、前記発光ペレットおよび受光ペレットの前面
である発光面および受光面を前記モールドした透光性樹
脂の有する弾性を利用して金型でシールする工程と、前
記金型で囲まれ前記シールされた発光面および受光面以
外の間隙に前記発光ペレットの発光波長に対して不透明
な樹脂を充填固着してモールドする工程と、前記金属細
条の枠部を除去する工程とからなることを特徴とする反
射型光結合半導体装置の製造方法。 （２）前記透明樹脂でモールドする除、前記発光面およ
び受光面と反対側に前記透明樹脂の突起部を設けて、該
突起部と前記発光面の周囲および前記受光面の周囲とで
、前記金型により前記発光面および受光面をシールする
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の反射型光
結合半導体装置の製造方法。 （３）前記モールドされた透明樹脂の前記発光面の周囲
および前記受光面の周囲に接触させた前記金型と、前記
発光面および受光面の反対側の一部に前記金型の内部に
設けた突起部により接触させた金型とで、前記発光面お
よび受光面をシールすることを特徴とする特許績に接触
させる前記金型部分に鋭い突起部を設けて前記透明樹脂
の内部にめり込ませることにより前記発光面および受光
面をシールすることを特徴とする特許請求の範囲第２項
または第３項記載の反射型光結合半導体装置の製遣方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192462A JPS5893388A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 反射型光結合半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56192462A JPS5893388A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 反射型光結合半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5893388A true JPS5893388A (ja) | 1983-06-03 |
| JPH0151071B2 JPH0151071B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=16291694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56192462A Granted JPS5893388A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | 反射型光結合半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5893388A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59168682A (ja) * | 1983-03-15 | 1984-09-22 | Sharp Corp | 反射型ホトセンサ |
| JPS60170982A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-04 | Toshiba Corp | 光半導体装置の製造方法 |
| JPS6461071A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-08 | Sharp Kk | Optical semiconductor device |
| EP1079443A1 (en) * | 1998-05-20 | 2001-02-28 | Rohm Co., Ltd. | Reflective sensor |
| WO2009143797A1 (de) * | 2008-05-26 | 2009-12-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement, reflexlichtschranke und verfahren zur herstellung eines gehäuses dafür |
| US9190553B2 (en) | 2010-12-08 | 2015-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component, method for producing same and use of such a component |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP56192462A patent/JPS5893388A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59168682A (ja) * | 1983-03-15 | 1984-09-22 | Sharp Corp | 反射型ホトセンサ |
| JPS60170982A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-04 | Toshiba Corp | 光半導体装置の製造方法 |
| JPS6461071A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-08 | Sharp Kk | Optical semiconductor device |
| EP1079443A1 (en) * | 1998-05-20 | 2001-02-28 | Rohm Co., Ltd. | Reflective sensor |
| EP1079443A4 (en) * | 1998-05-20 | 2002-04-17 | Rohm Co Ltd | REFLECTION SENSOR |
| US6596986B1 (en) | 1998-05-20 | 2003-07-22 | Rohm Co., Ltd. | Reflective sensor |
| EP2017896A1 (en) * | 1998-05-20 | 2009-01-21 | Rohm Co., Ltd. | Reflection photointerrupter |
| WO2009143797A1 (de) * | 2008-05-26 | 2009-12-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauelement, reflexlichtschranke und verfahren zur herstellung eines gehäuses dafür |
| US9165913B2 (en) | 2008-05-26 | 2015-10-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor component, reflected-light barrier and method for producing a housing therefor |
| US9190553B2 (en) | 2010-12-08 | 2015-11-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic semiconductor component, method for producing same and use of such a component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0151071B2 (ja) | 1989-11-01 |
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