JPS59168682A - 反射型ホトセンサ - Google Patents
反射型ホトセンサInfo
- Publication number
- JPS59168682A JPS59168682A JP58043977A JP4397783A JPS59168682A JP S59168682 A JPS59168682 A JP S59168682A JP 58043977 A JP58043977 A JP 58043977A JP 4397783 A JP4397783 A JP 4397783A JP S59168682 A JPS59168682 A JP S59168682A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- emitting element
- receiving element
- resin
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野)
本発明は、発光素子と受光素子とを糾合わせ、発光素子
から光放射し、近接する物体よりの反射光を受光素子で
検知することにより、近接物体の有無もしくは反射状態
の変動を検出する、反射型ホトセンサの構造に関するも
のである。
から光放射し、近接する物体よりの反射光を受光素子で
検知することにより、近接物体の有無もしくは反射状態
の変動を検出する、反射型ホトセンサの構造に関するも
のである。
〈従来技術〉
このようなポトセンザは、使用される機器の小型化、軽
1B−化に伴い小型化され、例えば−例として第1図に
示すような構造かとられている。発光素子1は通常赤外
発光ダイオードが用いられる。
1B−化に伴い小型化され、例えば−例として第1図に
示すような構造かとられている。発光素子1は通常赤外
発光ダイオードが用いられる。
受光素子2は一般にはホトトランジスタか用いられてい
るか、その他増幅回路等を集積化した受光素子であって
もよい。これらを端子3.3.・・・をqllえた黒色
のセラミックステムのような遮光性のある外囲器4に納
め、それぞれを端子3.3に直接ボンディク及び金線5
.5によって内部接続を行なう。そして、透明もしくは
赤外線を透過し=J視光を遮蔽する樹脂6.6でモール
ドしている。
るか、その他増幅回路等を集積化した受光素子であって
もよい。これらを端子3.3.・・・をqllえた黒色
のセラミックステムのような遮光性のある外囲器4に納
め、それぞれを端子3.3に直接ボンディク及び金線5
.5によって内部接続を行なう。そして、透明もしくは
赤外線を透過し=J視光を遮蔽する樹脂6.6でモール
ドしている。
ここで、発光素子1より放射された光は、例えは図示さ
れた近接する反射物7によって反射され、受光素子2I
こ入射する。
れた近接する反射物7によって反射され、受光素子2I
こ入射する。
ところで、この構造i1パッケーン材料としてセラミッ
クステムを用いる必要かあり、パッケージの寸法精度が
不充分であり、かつ工程を自動化するには復フイ1な装
置を必要とし、価格低減に困難が多かった。
クステムを用いる必要かあり、パッケージの寸法精度が
不充分であり、かつ工程を自動化するには復フイ1な装
置を必要とし、価格低減に困難が多かった。
・〈発明の1」的〉
本発明は、上記のような従来の欠点を解消した樹脂モー
ルドタイプの小型反則型ホトセンサを提供するものであ
る。
ルドタイプの小型反則型ホトセンサを提供するものであ
る。
〈実施例〉
以下図1箱に従って本発明の一実施例を説明する。
第2図は一実施例を示す外形斜視図、第3図及び第4図
は第2図の縦方向、横方同各々の断面図、第5図はモー
ルド時の一状態を説明する斜視図である。
は第2図の縦方向、横方同各々の断面図、第5図はモー
ルド時の一状態を説明する斜視図である。
ます、第3図〜第5図に示されるように、発光素J″−
1及び受光素子2の各々をリードフレーム] ] 、
] IJ−にポンチングするとともに、金線5.5によ
り他方のリードフレーム1 ]、 、 11と内部接続
した後、発光素子1側と受光素子2側を全く別個に、互
いに分離独立した透明もしくは赤外光を透過する可視光
遮光の樹脂12.12によってトランスファ成形により
1次モールドする。モールド工程としては適当な間隔を
あけて発光素子1側と受光素子2側は同時に行なうとよ
い。第5図はこの時の状態を示す斜視図であり、破線で
示した部分か透光性樹脂12.12による1次モールド
部13.13である。
1及び受光素子2の各々をリードフレーム] ] 、
] IJ−にポンチングするとともに、金線5.5によ
り他方のリードフレーム1 ]、 、 11と内部接続
した後、発光素子1側と受光素子2側を全く別個に、互
いに分離独立した透明もしくは赤外光を透過する可視光
遮光の樹脂12.12によってトランスファ成形により
1次モールドする。モールド工程としては適当な間隔を
あけて発光素子1側と受光素子2側は同時に行なうとよ
い。第5図はこの時の状態を示す斜視図であり、破線で
示した部分か透光性樹脂12.12による1次モールド
部13.13である。
1次モールド後、樹脂パリを除去する工程を経て、遮光
性ある樹脂14により光の出入りする窓部15.15を
除いて再びトランスファ成形等により2次モールドする
。この後、パリとり、リードメッキもしくは半田ティッ
プ加工を行ない、リードフォーミンクを施こして第2図
のような外観形状に仕上ける。このポトセンサは第2図
の窓部15.15の配置又は第3図の縦方向断面図がら
判るように、従来と同様、発光素子1と受光素子2を並
置した構造体であること明らかである。
性ある樹脂14により光の出入りする窓部15.15を
除いて再びトランスファ成形等により2次モールドする
。この後、パリとり、リードメッキもしくは半田ティッ
プ加工を行ない、リードフォーミンクを施こして第2図
のような外観形状に仕上ける。このポトセンサは第2図
の窓部15.15の配置又は第3図の縦方向断面図がら
判るように、従来と同様、発光素子1と受光素子2を並
置した構造体であること明らかである。
なお、外装の遮光性樹脂14をモールド成形する工程に
おいて、光の出入りする窓部15.15とj、iる部分
は遮光性樹脂(2次モールド部)14かのらないように
する必要がある。このため、窓部] 5 、1.5は、
遮光性樹脂14の成形面より高く、光学的に支障を来た
さない程度に微少な寸法+l−1+状形体とし、凸状形
体部か2次モールドの金型の凹部にはまり込み圧着され
るようにする。又この効果を更に確実なものにするため
、第6図の断面図に示すように、2次モールド部14の
裏面の適宜位置に孔16をうがつようにし、2次成形時
にピン状凸部によって1次モールド部13を上方に押し
」−りるようにする方法もある。
おいて、光の出入りする窓部15.15とj、iる部分
は遮光性樹脂(2次モールド部)14かのらないように
する必要がある。このため、窓部] 5 、1.5は、
遮光性樹脂14の成形面より高く、光学的に支障を来た
さない程度に微少な寸法+l−1+状形体とし、凸状形
体部か2次モールドの金型の凹部にはまり込み圧着され
るようにする。又この効果を更に確実なものにするため
、第6図の断面図に示すように、2次モールド部14の
裏面の適宜位置に孔16をうがつようにし、2次成形時
にピン状凸部によって1次モールド部13を上方に押し
」−りるようにする方法もある。
第7図は他の実施例を示す横方向断面図で、1次モール
ドで形成される窓対応部分を凸状レンズ]7に形成した
ものである。凸状レンズ17とすることにより、窓部1
5に2次モールド部14かのらないようにすることがで
きるとともに、検出し?Liる物体までの距離を長くす
る利点があって有用である。
ドで形成される窓対応部分を凸状レンズ]7に形成した
ものである。凸状レンズ17とすることにより、窓部1
5に2次モールド部14かのらないようにすることがで
きるとともに、検出し?Liる物体までの距離を長くす
る利点があって有用である。
〈発明の効果〉
上述のように本発明によれは、従来のセラミックパッケ
ージなとを用いたものに比べ小型・軽量化され、寸法精
度が良好で実装性に優れる他、生産工程を自動化しやす
く安価なものが実現できる等の特徴をもつ、実用価値高
い反射型ホトセンサが提供できる。
ージなとを用いたものに比べ小型・軽量化され、寸法精
度が良好で実装性に優れる他、生産工程を自動化しやす
く安価なものが実現できる等の特徴をもつ、実用価値高
い反射型ホトセンサが提供できる。
第1図は従来例を示す断面図、第2図は本発明の一実施
例を示す外形斜視図、第3図は縦方向断面図、第4図は
横方向断面図、第5図はモールド時の一状態を説明する
斜視図、第6図は他の実施例を示す横方向断面図、第7
図は更に他の実施例を示す横方向断面図である。 1 発光素子、2・・・受光素子、]1・・・リードフ
レーム、12・・透光性樹脂、]3・・・1次モールド
部、」4・・・遮光性樹脂(2次モールド部)、15・
・窓部、17・凸状レンズ。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)−乙/ユへ
乙l− j 第1図 // 第2図 乎、3[Y 第4]如第6図
第7図
例を示す外形斜視図、第3図は縦方向断面図、第4図は
横方向断面図、第5図はモールド時の一状態を説明する
斜視図、第6図は他の実施例を示す横方向断面図、第7
図は更に他の実施例を示す横方向断面図である。 1 発光素子、2・・・受光素子、]1・・・リードフ
レーム、12・・透光性樹脂、]3・・・1次モールド
部、」4・・・遮光性樹脂(2次モールド部)、15・
・窓部、17・凸状レンズ。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)−乙/ユへ
乙l− j 第1図 // 第2図 乎、3[Y 第4]如第6図
第7図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ] リードに搭載された発光素子、受光素子を各々独立
した透光性樹脂で1次成形し、該両1次成形の・」一部
を除く部分を遮光性樹脂で2次成形して、+iiJ記発
光素子及び受光素子を並置した構造体としてなることを
特徴とする反射型ボトセンザ。 2 +iiJ記]次成形の透光成形脂部の上部面を遮
光性樹脂面より微少分凸状にしたことを特徴とする特許
請求の範囲第1項記1夕の反射型ホトセンサ。 3、 tjij記凸状形体を1)」記発光素子及び受
光素子の凸レンズに形成してなることを特徴とする特許
jl’l求の範囲第2項記載の反則型ホトセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58043977A JPS59168682A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | 反射型ホトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58043977A JPS59168682A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | 反射型ホトセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59168682A true JPS59168682A (ja) | 1984-09-22 |
Family
ID=12678772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58043977A Pending JPS59168682A (ja) | 1983-03-15 | 1983-03-15 | 反射型ホトセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59168682A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0244359U (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-27 | ||
EP1079443A1 (en) * | 1998-05-20 | 2001-02-28 | Rohm Co., Ltd. | Reflective sensor |
US7139488B1 (en) | 1997-09-26 | 2006-11-21 | Fujitsu Limited | Optical communication unit |
JP2007036019A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Sharp Corp | 光半導体装置および電子機器 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5893388A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | New Japan Radio Co Ltd | 反射型光結合半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-03-15 JP JP58043977A patent/JPS59168682A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5893388A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-03 | New Japan Radio Co Ltd | 反射型光結合半導体装置の製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0244359U (ja) * | 1988-09-19 | 1990-03-27 | ||
US7139488B1 (en) | 1997-09-26 | 2006-11-21 | Fujitsu Limited | Optical communication unit |
EP1079443A1 (en) * | 1998-05-20 | 2001-02-28 | Rohm Co., Ltd. | Reflective sensor |
EP1079443A4 (en) * | 1998-05-20 | 2002-04-17 | Rohm Co Ltd | REFLECTION SENSOR |
US6596986B1 (en) | 1998-05-20 | 2003-07-22 | Rohm Co., Ltd. | Reflective sensor |
JP2007036019A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Sharp Corp | 光半導体装置および電子機器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106469660B (zh) | 具有光学树脂透镜的模制测距和接近度传感器 | |
JPS63176A (ja) | 複合型光センサ | |
JPH0918058A (ja) | 発光半導体装置 | |
US20170241834A1 (en) | Optical sensor module and a wearable device including the same | |
JPS59168682A (ja) | 反射型ホトセンサ | |
JPS6428882A (en) | Photoelectronic device, manufacture thereof, and lead frame used in same manufacture | |
US4833318A (en) | Reflection-type photosensor | |
JPS59154083A (ja) | 反射型フオトセンサ | |
JPS62132377A (ja) | フオトマイクロセンサ | |
JPH0799339A (ja) | 光結合装置 | |
JPS5728392A (en) | Optical semiconductor device | |
JPS58204575A (ja) | 半導体発光素子 | |
CN219697627U (zh) | 光电开关 | |
JPS6024079A (ja) | 反射型ホトセンサ | |
JPS60170982A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
JPS5745270A (en) | Semiconductor device | |
JPH05190908A (ja) | 光電変換装置 | |
JP4159147B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH02101776A (ja) | 光センサ用パッケージとその製造方法 | |
JPH07254623A (ja) | 光電変換装置及びその製造方法 | |
JPH0729651Y2 (ja) | 反射型光結合装置 | |
JPH06838Y2 (ja) | 光結合素子 | |
US20220302094A1 (en) | Optical sensor, and method for manufacturing optical sensor | |
JPH07321370A (ja) | 光結合素子 | |
JPS58186980A (ja) | 光半導体装置 |