JPS58186980A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

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JPS58186980A
JPS58186980A JP57069979A JP6997982A JPS58186980A JP S58186980 A JPS58186980 A JP S58186980A JP 57069979 A JP57069979 A JP 57069979A JP 6997982 A JP6997982 A JP 6997982A JP S58186980 A JPS58186980 A JP S58186980A
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JP
Japan
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terminal
sealed
inert liquid
photosemiconductor
light emitting
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Pending
Application number
JP57069979A
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English (en)
Inventor
Takeshi Kato
剛 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS58186980A publication Critical patent/JPS58186980A/ja
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    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光半導体装置に関するものであり、特に発光ダ
イオードや受光ダイオードの如く光信号を送受する光半
導体装置に関するものである。
従来発光ダイオードや受光ダイオードＦｉ素子の信頑性
を高めるための樹脂封止をしたり、あるいはガラス等の
光透過性の良い誘電体板を構成要素として待つ主に金属
からなるハーメチックシール容器に封入されている。
本発明は後者の４４に封止される光≠導体装置に関する
ものであり、発光ダイオードを例として以下に説明する
。
従来の発光ダイオードの構造は第１図に示すように金属
ステムｌ上に、半導体素子片２をＡ　Ｉ３　’Ｊｅ　＋
Ａ、ｓｉ等の共晶半田等で固定させ、　Ａｕ線３等で題
気的＋＃ｄをとるようになっている。その後、気田性を
とるためガラスレンズ４が融着された金属キャップ５が
金属ステムｌに清浄変の高い雰囲気中で・６接されてい
る。
しかしかかる構造においては元の屈折率は大気で約そ１
１半導体素子片例えばＧ　Ｂ　Ａ　＠では約そ３，４ガ
ラスでは約そ１．５と各々異なるため、各界面上で反射
を起こし発光効率が低下していた。そのため従来は屈折
率差の最も大きい半導体素子と大気との反射を防止する
ため、屈折率す１．５程度の樹脂６がプリコートされて
い次。しかし、かかる構造でも、ガラス、大気、プリコ
ート樹脂と３つの４而があるため反射が大きくなる欠点
を除くことはできなかった。
本発明の目的は上記の欠点を補うためなされたものであ
り、これを第２図に従−説明する。
本発明の基本構造は従来とＦｉｑＩＩＫ変わらないが、
金属キャップ部に圧接融着が可能なる端子７を待ってい
る。金属キャップがステムにＳ＊融層された後、４子７
よりケース内の大気を引いて真空にし、かわりにフレオ
ン系の不活性液体８をケース内に充テンする。さらにそ
の後端子７を圧接融着し気密性を確保する。この結果本
発明によれば不活性液体８の屈折率は１．５８饗である
ため、従来の如き欠点を除くことができ、更忙は熱伝導
性の同上により素子の信頼性を向上させることもできる
。
本発明の特長は上記に述べた如きであるが、不活性液体
の種頌はもとよりその量も必らずしも完全に金属キャッ
プステム間の空間を堀める普が必要であるとは限らない
０例えば、素子を反転させる等して半導体素子、ガラス
レンズ部との空間を満たす量であれば充分である。
【図面の簡単な説明】 第１図は従来の半導体装置を示す１ｌｆｒ［ｉｋ１図、
第２図は本発明の一実施例を示す断面図である。 ｌ・・・・・・金属ステム、２・・・・・・半導体素子
、３・・・・・・金襟（ボンティング＃）、４・・・・
・・ガラスレンズ、５・・・・・・金属キャップ、６・
・・・・・プリコート樹脂、７・・・・・・端子、８・
・・・・・不活性液体。 ス　　ｆｌＫＪ ＦｙＺ　　圓

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ハーメチック・シール容器に封止された光半導体装置に
    おいて、光伝達用誘電体部と内部に封止された光半導体
    素子片との間を不活性液体で満たしたことを特徴とする
    光半導体装置。
JP57069979A 1982-04-26 1982-04-26 光半導体装置 Pending JPS58186980A (ja)

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