JPS5998564A - フオトセンサおよびその製造方法 - Google Patents
フオトセンサおよびその製造方法Info
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 53
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 16
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 16
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 abstract description 3
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 abstract 4
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 101100173636 Rattus norvegicus Fhl2 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体発光装置と半導体受光装置とからなり、
発光装置から物体に光を照射してその反射光を受光装置
で検、出することにより物体の存在を検出するフォトセ
ンナおよびその製造方法の改良に関する。
発光装置から物体に光を照射してその反射光を受光装置
で検、出することにより物体の存在を検出するフォトセ
ンナおよびその製造方法の改良に関する。
第１図（５）は従来のフォトセンナを示す斜視図であり
、第１図（Ｂ）は同図（５）のＢ−Ｂ線に沿う断面図で
ある。これらの図において、１は不透明樹脂で成型され
たケースである。該ケース１には発光窓２および受光窓
３が開孔されている。
、第１図（Ｂ）は同図（５）のＢ−Ｂ線に沿う断面図で
ある。これらの図において、１は不透明樹脂で成型され
たケースである。該ケース１には発光窓２および受光窓
３が開孔されている。
そして、発光窓２の部分および受光窓３の部分には夫々
半導体発光装置および半導体受光装置が装着され、両者
はケース１の隔壁１′で分離遮光されている。半導体発
光装置はアノードリードまたはカソードリードとなる２
本のリード４、．４．と、その一方にマウントされると
共に他方のリードにワイヤボンディングされた半導体発
光素子５を有し、透明樹脂Ｉｗ６で封止された構造を有
している。また、半導体受光装置は半導体発光素子の代
りに半導体受光素子が用いられている以外は上記半導体
発光装置と同じ構造を有している。即ち、図中４’１
＋ ＜ は半導体受光装置のリード、６′は透明樹脂層
である。
半導体発光装置および半導体受光装置が装着され、両者
はケース１の隔壁１′で分離遮光されている。半導体発
光装置はアノードリードまたはカソードリードとなる２
本のリード４、．４．と、その一方にマウントされると
共に他方のリードにワイヤボンディングされた半導体発
光素子５を有し、透明樹脂Ｉｗ６で封止された構造を有
している。また、半導体受光装置は半導体発光素子の代
りに半導体受光素子が用いられている以外は上記半導体
発光装置と同じ構造を有している。即ち、図中４’１
＋ ＜ は半導体受光装置のリード、６′は透明樹脂層
である。
上記従来のフォトセンサは、半導体発光装置および半導
体受光装置の夫々を別々に製造した後、これらをケース
１内に収納すると共に接着剤等により一体に固着して製
造されていた。
体受光装置の夫々を別々に製造した後、これらをケース
１内に収納すると共に接着剤等により一体に固着して製
造されていた。
上述のように、従来のフォトセンサではこれを製造する
際に夫々別々に製造された半導体発光装置、半導体受光
装置およびケースの王者を組み合わせ、更に接着して一
体に固着するといった煩雑な製造工程を必要とし、この
ために作業性が悪く生産性が低いという問題があった。
際に夫々別々に製造された半導体発光装置、半導体受光
装置およびケースの王者を組み合わせ、更に接着して一
体に固着するといった煩雑な製造工程を必要とし、この
ために作業性が悪く生産性が低いという問題があった。
また、従来の製造方法では発光装置と受光装置との位置
精度にばらつきを生じざるを得ず、このため得られたフ
ォトセンサの信号伝達特性のばらつきが大きくなるとい
った問題があった。
精度にばらつきを生じざるを得ず、このため得られたフ
ォトセンサの信号伝達特性のばらつきが大きくなるとい
った問題があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、良好な作業
性により高い生産性で製造できる構造を具備したフォト
センナを提供し、またこのような構造のフォトセンサを
製造する際にその半導体発光装置と半導体受光装置との
位置精度を向上し、・もって信号伝達特性のばらつきを
防止することができるフォトセンナの製造方法を提供す
るものである。
性により高い生産性で製造できる構造を具備したフォト
センナを提供し、またこのような構造のフォトセンサを
製造する際にその半導体発光装置と半導体受光装置との
位置精度を向上し、・もって信号伝達特性のばらつきを
防止することができるフォトセンナの製造方法を提供す
るものである。
本発明によるフォトセンサは、半導体発光素子およびこ
れに接続されたリードの接続部分を前記発光素子の発光
波長に対して透明なモールド樹脂層で封止した半導体発
光装置と、半導体受光素子およびこれに接続されたリー
ドの接続部分を前記発光素子の発光波長に対して透明な
モールド樹脂層で封止した半導体受光装置と、所定間隔
で離間された上記半導体発光装置および半導体受光装置
における前記モールド樹脂層の周囲にこれらを一体に保
持するようにモールド成型された不透光性樹脂層と、該
不透光性樹脂層に設けられた発光窓および受光窓とを具
備したことを特徴とするものである。
れに接続されたリードの接続部分を前記発光素子の発光
波長に対して透明なモールド樹脂層で封止した半導体発
光装置と、半導体受光素子およびこれに接続されたリー
ドの接続部分を前記発光素子の発光波長に対して透明な
モールド樹脂層で封止した半導体受光装置と、所定間隔
で離間された上記半導体発光装置および半導体受光装置
における前記モールド樹脂層の周囲にこれらを一体に保
持するようにモールド成型された不透光性樹脂層と、該
不透光性樹脂層に設けられた発光窓および受光窓とを具
備したことを特徴とするものである。
上記構造を具備したフォトセンサは二重モールド成型技
術によって製造することができる。
術によって製造することができる。
即ち、前記透明なモールド樹脂層で樹脂封止した半導体
発光装置および半導体受光装置の両者を別の金型内の所
定位置に配置した後、金型内に前記不透光性樹脂を流し
込んで一体にモールド成型すればよい。前記発光窓およ
び受光窓はその部分に不透光性樹脂が流れ込まないよう
な金型を用いれば、モールド成型と同時に形成される。
発光装置および半導体受光装置の両者を別の金型内の所
定位置に配置した後、金型内に前記不透光性樹脂を流し
込んで一体にモールド成型すればよい。前記発光窓およ
び受光窓はその部分に不透光性樹脂が流れ込まないよう
な金型を用いれば、モールド成型と同時に形成される。
本発明によるフォトセンナの製造方法は、発光装置用お
よび受光装置用のリードが所定の位置関係で枠体に一体
に連結されたリードツレ−ムラ用い、該リードフレーム
の所定のリード上に半導体発光素子および半導体受光素
子をマウントした後、これら素子と所定のリードとの間
でワイヤボンディングを行なう工程と、前記発光素子の
発光波長に対して透明なモールド樹脂層で、前記発光装
置部分および受光装置部分を夫々独立に封止する工程と
、こうして夫々独立に封止された半導体発光装置および
半導体受光装置の両者をこれらのリードが前記リードフ
レームの枠体に連結されたままの状態で金型内に収容し
、発光装置の発光面および受光装置の受光面が露出する
ように不透光性樹脂で一体にモールド成形する工程と、
得られた成型体を脱型した後、前記リードをリードフレ
ームの枠体から切断分離する工程とからなることを特徴
とするものである。
よび受光装置用のリードが所定の位置関係で枠体に一体
に連結されたリードツレ−ムラ用い、該リードフレーム
の所定のリード上に半導体発光素子および半導体受光素
子をマウントした後、これら素子と所定のリードとの間
でワイヤボンディングを行なう工程と、前記発光素子の
発光波長に対して透明なモールド樹脂層で、前記発光装
置部分および受光装置部分を夫々独立に封止する工程と
、こうして夫々独立に封止された半導体発光装置および
半導体受光装置の両者をこれらのリードが前記リードフ
レームの枠体に連結されたままの状態で金型内に収容し
、発光装置の発光面および受光装置の受光面が露出する
ように不透光性樹脂で一体にモールド成形する工程と、
得られた成型体を脱型した後、前記リードをリードフレ
ームの枠体から切断分離する工程とからなることを特徴
とするものである。
上記本発明の製造方法によれば、半導体発光装置および
半導体受光装置はこれらのリードがリードフレームの枠
体に連結固定された状態でフォトセンサに組み込まれる
から、両者間の位置精度を顕著に向上することができる
。
半導体受光装置はこれらのリードがリードフレームの枠
体に連結固定された状態でフォトセンサに組み込まれる
から、両者間の位置精度を顕著に向上することができる
。
第２図（５）は本発明の一実施例になるフォトセンサの
斜視図であり、第２図ＣＢ）は同図（４）のＢ −Ｂ線
に沿う断面図である。これらの図において、１ハ、１１
．は半導体発光装置のリード、１１’、。
斜視図であり、第２図ＣＢ）は同図（４）のＢ −Ｂ線
に沿う断面図である。これらの図において、１ハ、１１
．は半導体発光装置のリード、１１’、。
１１′、は半導体受光装置のリードである。リード１ハ
の先端部には半導体発光素子１２がマウントされており
、該発光素子１２はリード１１゜にワイヤボンディング
されている。そして、透明なエポキシ樹脂のモールド層
１３で封止されている。該モールド層１３はその発光面
にレンズ部１４を設け、また裏面側には突起部１５を設
けて一体にモールド成形されている。他方、リード１１
′の先端部には半導体受光素子１２／がマウントされ、
該半導体受光素子１２′はリード１１′、にワイヤボン
ディングされている。そして、受光面にレンズ部１４′
を設け、裏面側に突起部１５′を設けた透明なエポキシ
樹脂のモールド層１２′で封止されている。この受光装
置のモールド層１２′は、前記発光装置のモールド層１
２から所定距離だけ離間されている。そして、これらの
モールド層１２ 、１２’の外側には、所謂二重モール
ド成型法で一体に成型された不透光性エポキシ樹脂１ｌ
１１６が形成され、これによって発光装置と受光装置と
が一体に保持されている。
の先端部には半導体発光素子１２がマウントされており
、該発光素子１２はリード１１゜にワイヤボンディング
されている。そして、透明なエポキシ樹脂のモールド層
１３で封止されている。該モールド層１３はその発光面
にレンズ部１４を設け、また裏面側には突起部１５を設
けて一体にモールド成形されている。他方、リード１１
′の先端部には半導体受光素子１２／がマウントされ、
該半導体受光素子１２′はリード１１′、にワイヤボン
ディングされている。そして、受光面にレンズ部１４′
を設け、裏面側に突起部１５′を設けた透明なエポキシ
樹脂のモールド層１２′で封止されている。この受光装
置のモールド層１２′は、前記発光装置のモールド層１
２から所定距離だけ離間されている。そして、これらの
モールド層１２ 、１２’の外側には、所謂二重モール
ド成型法で一体に成型された不透光性エポキシ樹脂１ｌ
１１６が形成され、これによって発光装置と受光装置と
が一体に保持されている。
この不透光性エポキシ樹脂１９１６はモールド層１ Ｊ
、 Ｊ Ｊ’間の間隙に充満して形成されてちり、こ
れによって発光装置と受光装置との間の遮光が達成され
ている。また、不透光性エポキシ樹脂ｒ＠１６にはレン
ズ部１４ 、１４’が露出するように発光窓１７受光窓
１７／が開孔されている。
、 Ｊ Ｊ’間の間隙に充満して形成されてちり、こ
れによって発光装置と受光装置との間の遮光が達成され
ている。また、不透光性エポキシ樹脂ｒ＠１６にはレン
ズ部１４ 、１４’が露出するように発光窓１７受光窓
１７／が開孔されている。
上記構成からなるフォトセンサでは、発光装置と受光装
置とを別個に製造した後、二重モールド成型法により不
透光性エポキシ樹脂層１６を形成することによって製造
でき、従来のフォトセンサのような煩雑な組立て工程を
必要としない。従って、製造における作業性が改善され
、生産性の向上を達成することができる。
置とを別個に製造した後、二重モールド成型法により不
透光性エポキシ樹脂層１６を形成することによって製造
でき、従来のフォトセンサのような煩雑な組立て工程を
必要としない。従って、製造における作業性が改善され
、生産性の向上を達成することができる。
次に、上記実施例になるフォトセンナの製造に適用した
本発明による製造方法の一実施例を説明する。
本発明による製造方法の一実施例を説明する。
（１） まず、リード１ハ、、Ｊ Ｊ、 、 Ｊ １
’、 、 Ｊ １’、が予め定められた間隔で枠体２１
、２１’に一体に連結されたリードフレーム２０を用
い、リード１１ｍの先端部に半導体発光素子１２をマウ
ントし、リード１１１．の先端部に半導体受光素子１２
′をマウントする。続いて発光素子１２とリード１１８
、受光素子１２′とリード１１′！を夫々ボンディング
ワイヤＪ ８．１ Ｂ’を介して接続する（第３図（５
）図示）。
’、 、 Ｊ １’、が予め定められた間隔で枠体２１
、２１’に一体に連結されたリードフレーム２０を用
い、リード１１ｍの先端部に半導体発光素子１２をマウ
ントし、リード１１１．の先端部に半導体受光素子１２
′をマウントする。続いて発光素子１２とリード１１８
、受光素子１２′とリード１１′！を夫々ボンディング
ワイヤＪ ８．１ Ｂ’を介して接続する（第３図（５
）図示）。
（１１）次に、透明なエポキシ樹脂のトランスファーモ
ールドによりモールド層１４ 、１４’を形成し、発光
装置部分および受光装置部分を夫々独立した状態で封止
する（第３図ＣＢ）図示）。
ールドによりモールド層１４ 、１４’を形成し、発光
装置部分および受光装置部分を夫々独立した状態で封止
する（第３図ＣＢ）図示）。
（曲 続いて、リード１ハ＊ ” ｔ ｍ ｌ’ｌ／１
＊ １１：が枠体２１ 、２１’に連結されたままの状
態でこれを第４図に示す金型内に入れて不透光性エポキ
シ樹脂のトランスファーモールドを行ない、発光装置部
分および受光装置部分を一体に保持すると共に、発光窓
１７および受光窓１７′を有する不透光性エポキシ樹脂
層１６を形成する（第３図（Ｑ図示）。
＊ １１：が枠体２１ 、２１’に連結されたままの状
態でこれを第４図に示す金型内に入れて不透光性エポキ
シ樹脂のトランスファーモールドを行ない、発光装置部
分および受光装置部分を一体に保持すると共に、発光窓
１７および受光窓１７′を有する不透光性エポキシ樹脂
層１６を形成する（第３図（Ｑ図示）。
なお、第４図に示すように透明なモールド層Ｊ ３ 、
Ｊ Ｊ’に設けられた突起１５ 、１５’はスペーサ
乃至支えとして機能する。図中２２は下型、２３は上型
である。
Ｊ Ｊ’に設けられた突起１５ 、１５’はスペーサ
乃至支えとして機能する。図中２２は下型、２３は上型
である。
１１ＶＩ 最後に、リード１１．．１１．．１１’、
、１１’、を枠体２１ 、 ｊ １’から切断分離し
て第２図（５）、（Ｂ）のフォトセンサが得られる。
、１１’、を枠体２１ 、 ｊ １’から切断分離し
て第２図（５）、（Ｂ）のフォトセンサが得られる。
上記実施例の製造方法によれば、リード１１１゜１１、
．１１’、、１１’、がリードフレームＬ」の枠体２１
、２１’に連結固定された状態で不透明エポキシ樹脂
層１６のモールド成型までの工程が行なわれるため、フ
ォトセンサにおける発光装置と受光装置との位置精度が
飛躍的に向上し、信号伝達特性のばらつきを顕著に縮小
することができる。
．１１’、、１１’、がリードフレームＬ」の枠体２１
、２１’に連結固定された状態で不透明エポキシ樹脂
層１６のモールド成型までの工程が行なわれるため、フ
ォトセンサにおける発光装置と受光装置との位置精度が
飛躍的に向上し、信号伝達特性のばらつきを顕著に縮小
することができる。
な詔、上記実施例ではエポキシ樹脂のトランスファー成
型を用いているが、他の成型法（例えば熱可塑性樹脂の
射出成型等）を用いて本発明を適用することも可能であ
る。
型を用いているが、他の成型法（例えば熱可塑性樹脂の
射出成型等）を用いて本発明を適用することも可能であ
る。
また、フォトセンサの形状も上記の実施例では８ Ｉ
Ｐ （Ｓｉｎｇｌｅ Ｉｎ Ｌｌｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ
）であるが、Ｄ Ｉ Ｐ （Ｄｒａｌ Ｉｎ １ｉｎ
ｅ Ｐａｃｋａｇｅ ）として実施することも可能であ
ることは言うまでもない。
Ｐ （Ｓｉｎｇｌｅ Ｉｎ Ｌｌｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ
）であるが、Ｄ Ｉ Ｐ （Ｄｒａｌ Ｉｎ １ｉｎ
ｅ Ｐａｃｋａｇｅ ）として実施することも可能であ
ることは言うまでもない。
以上詳述したように、本発明によれば良好な作業性によ
り高い生産性で製造できる構造のフォトセンサを提供で
き、またこのような構造のフォトセンサを製造する際に
その発光装置と受光装置の位置精度を向上して信号伝達
特性のばらつきを防止できるフォトセンサの製造装置を
提供できるものである。
り高い生産性で製造できる構造のフォトセンサを提供で
き、またこのような構造のフォトセンサを製造する際に
その発光装置と受光装置の位置精度を向上して信号伝達
特性のばらつきを防止できるフォトセンサの製造装置を
提供できるものである。
第１図（５）は従来のフォトセンサを示す斜視図、第１
図（Ｂ）は同図（５）のＢ−Ｂ線に旧う断面図、第２図
囚は本発明の一実施例になるフォトセンサの斜視図、第
２図（Ｂ）は同図（５）のＢ−Ｂ線に沿う断面図、第３
図囚〜（Ｃ）は本発明の一実施例になるフォトセンサの
製造工程を順を追って示す斜視図、第４図は第３図（Ｂ
）の状態から第３図（Ｃ）の状態を得るための二重モー
ルド成型法の説明図である。 １ハ ｅｌｋ ＃”Ｉ ＊１１：・・・リード、１２
・・・半導体発光素子、１２′・・・半導体受光素子、
１３゜１３／・・・透明なモールドＩｉ！％ １４ 、
１４’・・・レンズ部、１５ 、１５’・・・突起、１
６・・・不透光性エポキシ樹脂層、１７・・・発光窓、
１７′・・・受光窓、１８゜１８′・・・ボンディング
ワイヤ、２０・・・リードフレーム、２１．３１’・・
・枠体、２２・・・下型、２３・・・上型。
図（Ｂ）は同図（５）のＢ−Ｂ線に旧う断面図、第２図
囚は本発明の一実施例になるフォトセンサの斜視図、第
２図（Ｂ）は同図（５）のＢ−Ｂ線に沿う断面図、第３
図囚〜（Ｃ）は本発明の一実施例になるフォトセンサの
製造工程を順を追って示す斜視図、第４図は第３図（Ｂ
）の状態から第３図（Ｃ）の状態を得るための二重モー
ルド成型法の説明図である。 １ハ ｅｌｋ ＃”Ｉ ＊１１：・・・リード、１２
・・・半導体発光素子、１２′・・・半導体受光素子、
１３゜１３／・・・透明なモールドＩｉ！％ １４ 、
１４’・・・レンズ部、１５ 、１５’・・・突起、１
６・・・不透光性エポキシ樹脂層、１７・・・発光窓、
１７′・・・受光窓、１８゜１８′・・・ボンディング
ワイヤ、２０・・・リードフレーム、２１．３１’・・
・枠体、２２・・・下型、２３・・・上型。
Claims (2)
- （１）半導体発光素子およびこれに接続されたリードの
接続部分を前記発光素子の発光波長に対して透明なモー
ルド樹脂層で封止した半導体発光装置と、半導体受光素
子およびこれに接続されたリードの接続部分を前記発光
素子の発光波長に対して透明なモールド樹脂層で封止し
た半導体受光装置と、所定間隔で離間された上記半導体
発光装置および半導体受光装置における前記モールド樹
脂層の周囲にこれらを一体に保持するようにモールド成
型された不透光性樹脂層と、該不透光性樹脂層に設けら
れた発光窓および受光窓とを具備したことを特徴とする
フォトセンサ。 - （２）発光装置用および受光装置用のリードが所定の位
置関係で枠体に一体に連結されたリードフレームを用い
、該リードフレームの所定のリード上に半導体発光素子
および半導体受光素子をマウントした後、これら素子と
所定のリードとの間をワイヤボンディングする工程と、
前記発光素子の発光波長に対して透明なモールド樹脂層
で前記発光装置部分および受光装置部分を夫々独立に封
止する工程と、こうして夫々独立に封止された半導体発
光装置および半導体受光装置の両者をこれらのリードが
前記リードフレームの枠体に連結されたままの状態で金
型内に収容し、発光装置の発光面および受光装置の受光
面が露出するように不透光性樹脂で一体にモールド成形
する工程と、得られた成型体を脱型した後、前記リード
をリードフレームの枠体から切断分離する工程とからな
ることを特徴とするフォトセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57207842A JPS5998564A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | フオトセンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57207842A JPS5998564A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | フオトセンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5998564A true JPS5998564A (ja) | 1984-06-06 |
Family
ID=16546424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57207842A Pending JPS5998564A (ja) | 1982-11-27 | 1982-11-27 | フオトセンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5998564A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6024079A (ja) * | 1983-05-07 | 1985-02-06 | Sharp Corp | 反射型ホトセンサ |
| JPH0254250U (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-19 | ||
| US4959395A (en) * | 1988-06-28 | 1990-09-25 | The B. F. Goodrich Company | Bulk polymerized molded products containing cycloolefin monoments with microencapsulated blowing agents |
| DE19508284A1 (de) * | 1994-06-24 | 1996-01-04 | Hewlett Packard Co | Optisches Sende-Empfangs-Modul |
| WO2016014230A1 (en) | 2014-07-25 | 2016-01-28 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Footwear compositions comprising propylene-based elastomers |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5616963B2 (ja) * | 1975-07-11 | 1981-04-20 |
-
1982
- 1982-11-27 JP JP57207842A patent/JPS5998564A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5616963B2 (ja) * | 1975-07-11 | 1981-04-20 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6024079A (ja) * | 1983-05-07 | 1985-02-06 | Sharp Corp | 反射型ホトセンサ |
| US4959395A (en) * | 1988-06-28 | 1990-09-25 | The B. F. Goodrich Company | Bulk polymerized molded products containing cycloolefin monoments with microencapsulated blowing agents |
| JPH0254250U (ja) * | 1988-10-11 | 1990-04-19 | ||
| DE19508284A1 (de) * | 1994-06-24 | 1996-01-04 | Hewlett Packard Co | Optisches Sende-Empfangs-Modul |
| US5506445A (en) * | 1994-06-24 | 1996-04-09 | Hewlett-Packard Company | Optical transceiver module |
| DE19508284C2 (de) * | 1994-06-24 | 1998-12-10 | Hewlett Packard Co | Optisches Sende-Empfangs-Modul mit verschiedenen möglichen Befestigungsstellungen auf einer Platine |
| WO2016014230A1 (en) | 2014-07-25 | 2016-01-28 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Footwear compositions comprising propylene-based elastomers |
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