JPS61280676A - フオトセンサｉｃの製造方法 - Google Patents

フオトセンサｉｃの製造方法

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JPS61280676A
JPS61280676A JP60122069A JP12206985A JPS61280676A JP S61280676 A JPS61280676 A JP S61280676A JP 60122069 A JP60122069 A JP 60122069A JP 12206985 A JP12206985 A JP 12206985A JP S61280676 A JPS61280676 A JP S61280676A
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JP
Japan
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light
photosensor
thin film
chip
detection element
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Pending
Application number
JP60122069A
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English (en)
Inventor
Shin Itagaki
板垣　伸
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Faurecia Clarion Electronics Co Ltd
Original Assignee
Clarion Co Ltd
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Publication date
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    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ　産業上の利用分野 本発明は掬脂モールドされる半導体フォトセンサＩＣの
製造方法に関する。
Ｂ　発明の概要 透光性ａ４脂またはガラスで作られた光の入射部の受光
素子に当る部分を除いてＡノ農を形成し、七の窓を受光
素子部分と位置合わせし、透光性樹脂を使ってモールド
する。
Ｃ従来の技術 フォトダイオード、フォトトランジスタなどの受光素子
に流れる充電流を増幅、信号処理する回路などが集積化
されたフォトセンサＩＣでは、フォトダイオードなどの
受光素子以外の周辺回路にも光が照射されると素子特性
の変化により回路動作が不安定になる可能性がある。こ
れを紡ぐために、周辺回路領域において何らかの遮光手
段を施さねばならない。従来この遮光手段として、クエ
へプロセスの最後段階において受光素子以外に孔あげし
たＡ！薄膜が然看等により形成され、これを反射族とし
ている。この反射族の形成生１ｍとしては、へ！配線、
パッシベーション膜形成までは他のＩＣと同様であるが
、この後反射膜となるＡノをり二へ全ｔｈＩＫ＃着し、
写具蝕刻後受元素子領域等の不要なＡ７薄膜をエツチン
グ除去する。つぎに最終パッシベーション換形成後、ポ
ンディングパッド部分のＡＪ’に露出させるため、写真
蝕刻後エツチング除去を行ない、プロセスは終了する。
８２図はこのような７オトセンサＩＣの断面図で。
脂中１は受光素子部、２は周辺回路部、３はパッシベー
ション族、４はＡノ配線、５はＡｌｌ！Ｅ極’に表わす
。
Ｄ　発明が解決しようとする問題点 以上のように反射膜を設けると、通常のウエノ）プロセ
スよ’）ＡＪ？蒸漕、パッシベーション膜の堆積、写真
蝕刻工程などが余分に必要とな９、歩留りの低下、コス
トの上昇などをもたらす。
本発明の目的は、フォトセンサＩＣチップに元反射展と
してアルミ薄膜を形成することによるウェハプロセスの
煩雑さｔ減少し、構造の単純化による信頼性の改善を図
ることを可能にするフォトセンサＩＣの製造方法を提供
することである。
Ｅ　問題点を解決するための手段 上記目的をｆ！属するために、本発明による７オトセン
サＩＣの製造方法は、透光性樹脂またはガラスで形成さ
れた光の入射部の受光素子と重なる領域以外の部分ＫＡ
Ｊ薄換な形成する工程と、上記Ａ１１Ｉ１．農が形成さ
れていない光入射窓とフォトセンサＩＣチップの受光素
子部分を位置合せし、重ねた後、モールドする工程とを
含むことを要旨とする。
Ｆ　作用 受光素子以外の部分はＡｌ薄で覆れているから、動作が
安定し、しかも工程は簡単である。
Ｇ　実施列 第１図は本発明の方法によって製造されたフォトセンサ
ＩＣの断面図である。９示のような形状の透光性樹脂ま
たはガラスにより、光の入射部ｌを形成しておく。ここ
では列としてレンズタイプの入射部を示す。この入射部
１には受光素子と重なる領域以外の部分にＡノ薄展２が
形成されている。Ａ！薄膜２が形成されていない光の入
射窓６とボンディングワイヤ５でボンディングされたフ
ォトセンサＩＣチップ３の受光索子部分を位置合わせし
、重ねた後全体を樹脂モールド７でモールドする。必中
４はフレームを表わす。
Ｈ発明の詳細 な説明した通り、本発明によるパッケージ構造では、Ｉ
Ｃチップに反射膜な設ける必要がな（、ウェハプロセス
およびその構造は簡素化され、コスト・信頼性の改善’
ｒｌｆｆｌることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の方法によって製造されたフォトセンサ
ＩＣの断面図、第２図は従来の７オトセンサＩＣの断面
図である。 １・・・透明樹脂またはガラスの元の入射部、２・・・
Ａ７Ｊｌ、３・・・フォトセンサＩＣチップ、４・・・
フレーム、５・・・ボンディングワイヤ、６・・・光入
射窓、７・・・モールド樹脂。 特許出願人　　クラリオン株式会社 代理人　弁理士　　永　１）武　三　部５；ボンデイン
プワイイ 第２図 従来のフォトセンサＬＣｆ）断Ｉｉ！１図手続補正書 昭和６１年　７月　７日

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （ａ）透光性樹脂またはガラスで形成された光の入射部
    の受光素子と重なる領域以外の部分にアルミニウム薄膜
    を形成する工程、および、 （ｂ）上記アルミニウム薄膜が形成されていない光入射
    窓とフォトセンサＩＣチップの受光素子部分を位置合せ
    し、重ねた後、モールドする工程を含むことを特徴とす
    るフォトセンサＩＣの製造方法。
JP60122069A 1985-06-05 1985-06-05 フオトセンサｉｃの製造方法 Pending JPS61280676A (ja)

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JPS61280676A true JPS61280676A (ja) 1986-12-11

Family

ID=14826867

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH021179A (ja) * 1988-02-09 1990-01-05 Canon Inc 光電変換装置の製造方法
EP0415640A2 (en) * 1989-08-29 1991-03-06 Hewlett-Packard Company High efficiency lamp or light accepter
US5594236A (en) * 1993-12-14 1997-01-14 Nippondenso Co., Ltd. Sunlight sensor
JP2007201140A (ja) * 2006-01-26 2007-08-09 Rohm Co Ltd 半導体受光装置及び半導体受光装置の製造方法

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