JPH05218491A - 光結合装置 - Google Patents
光結合装置Info
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- JPH05218491A JPH05218491A JP1900992A JP1900992A JPH05218491A JP H05218491 A JPH05218491 A JP H05218491A JP 1900992 A JP1900992 A JP 1900992A JP 1900992 A JP1900992 A JP 1900992A JP H05218491 A JPH05218491 A JP H05218491A
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光の利用効率を上げる。
【構成】 透光性の一次モールド体２５を楕円形状と
し、その周面に反射膜２７を形成し、発光素子１０と受
光素子１１とを一次モールド体２５の楕円焦点Ｐ１，Ｐ
２に配置する。 【効果】 発光素子１０と受光素子１１との絶縁性を高
めるために離間させても、発光素子からの光を受光素子
へ充分に収束し得る。
し、その周面に反射膜２７を形成し、発光素子１０と受
光素子１１とを一次モールド体２５の楕円焦点Ｐ１，Ｐ
２に配置する。 【効果】 発光素子１０と受光素子１１との絶縁性を高
めるために離間させても、発光素子からの光を受光素子
へ充分に収束し得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光結合装置に関し、特
に耐熱性樹脂基板上に金属メツキで配線を施したメタル
リードフレームレス構造を有し、表面実装型の光結合装
置に係る。
に耐熱性樹脂基板上に金属メツキで配線を施したメタル
リードフレームレス構造を有し、表面実装型の光結合装
置に係る。
【０００２】
【従来の技術】図１０に従来の光結合装置（フオトカプ
ラ）の断面構造を示す。図１０のように導電性のある金
属に錫メツキを施したリードフレーム１，２の先端に、
発光素子（ＬＥＤチツプ）３と、受光素子（フオトトラ
ンジスタもしくはフオトダイオードチツプ）４とをそれ
ぞれ銀ペースト等でダイボンドし、その後、金ワイヤー
等でワイヤーボンデイングを施し、発光素子３と受光素
子４を対向して配置し、さらに透光性樹脂５で一次モー
ルド後、リードフレームの保護と外乱光の遮光のために
遮光性樹脂６を二次モールドしていた。
ラ）の断面構造を示す。図１０のように導電性のある金
属に錫メツキを施したリードフレーム１，２の先端に、
発光素子（ＬＥＤチツプ）３と、受光素子（フオトトラ
ンジスタもしくはフオトダイオードチツプ）４とをそれ
ぞれ銀ペースト等でダイボンドし、その後、金ワイヤー
等でワイヤーボンデイングを施し、発光素子３と受光素
子４を対向して配置し、さらに透光性樹脂５で一次モー
ルド後、リードフレームの保護と外乱光の遮光のために
遮光性樹脂６を二次モールドしていた。
【０００３】また、両素子３，４は、一般に応力に対し
て結晶構造的に敏感であるため、透光性樹脂５による一
次モールド実施に伴う応力によりメタルリードフレーム
１，２とモールド樹脂５との間が剥離したり、樹脂５に
クラツクが発生することがある。これを抑えるため、透
光性樹脂５として受発光両素子３，４やリードフレーム
１，２の熱膨張係数を極力合わせるためにガラス粉末な
どのフイラーを樹脂５の中に混入していた。
て結晶構造的に敏感であるため、透光性樹脂５による一
次モールド実施に伴う応力によりメタルリードフレーム
１，２とモールド樹脂５との間が剥離したり、樹脂５に
クラツクが発生することがある。これを抑えるため、透
光性樹脂５として受発光両素子３，４やリードフレーム
１，２の熱膨張係数を極力合わせるためにガラス粉末な
どのフイラーを樹脂５の中に混入していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図１０に示す光結合装
置において、発光素子３より出射される光は指向性をも
たず広がるため、受光素子４に入射する光の量は、その
受光面積と、受発光素子間の距離により決定される。
置において、発光素子３より出射される光は指向性をも
たず広がるため、受光素子４に入射する光の量は、その
受光面積と、受発光素子間の距離により決定される。
【０００５】しかし、光の利用効率を上げるために受光
素子を大きくすると高速化が図れないという問題が生
じ、更に距離を近づけると絶縁耐圧がとれないという問
題が生じる。具体的に、チツプサイズ０.６３ｍｍ×０.
８０ｍｍの受光素子を用いて、受発光素子３，４間の距
離を０.５ｍｍとしてシミユレーシヨンした結果、発光
素子３から出射された光の約３０％が受光素子４に入射
されるにすぎない。また、受発光素子３，４間には透光
性樹脂５による一次モールドが実施されているが、その
樹脂の中にはフイラーが混入されている。このフイラー
と樹脂５との屈折率が異なるため、発光素子３から出射
される光が散乱し、受光素子４に入射する光量は、フイ
ラーが混入されていない時の光量よりも更に少なくな
り、光の利用効率が低下する。
素子を大きくすると高速化が図れないという問題が生
じ、更に距離を近づけると絶縁耐圧がとれないという問
題が生じる。具体的に、チツプサイズ０.６３ｍｍ×０.
８０ｍｍの受光素子を用いて、受発光素子３，４間の距
離を０.５ｍｍとしてシミユレーシヨンした結果、発光
素子３から出射された光の約３０％が受光素子４に入射
されるにすぎない。また、受発光素子３，４間には透光
性樹脂５による一次モールドが実施されているが、その
樹脂の中にはフイラーが混入されている。このフイラー
と樹脂５との屈折率が異なるため、発光素子３から出射
される光が散乱し、受光素子４に入射する光量は、フイ
ラーが混入されていない時の光量よりも更に少なくな
り、光の利用効率が低下する。
【０００６】本発明は、上記課題に鑑み、発光素子から
出射される光を受光素子に集光することにより、光の利
用効率を向上させ得る光結合装置を作ることを目的とす
る。
出射される光を受光素子に集光することにより、光の利
用効率を向上させ得る光結合装置を作ることを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明請求項１による課
題解決手段は、図１，２の如く、発光素子１０と受光素
子１１とが光学的に結合するよう配置され、これらが透
光性樹脂により封止されて一次モールド体２５が形成さ
れ、さらに遮光性樹脂により封止されて二次モールド体
２８が形成された光結合装置において、前記発光素子１
０の発光面と受光素子１１の受光面とが同方向に向けて
配置され、該発光素子１０の発光面および受光素子１１
の受光面に対向する一次モールド体２５と二次モールド
体２８の境界面に発光素子１０からの光を受光素子１１
に反射させる反射面２６が形成され、該反射面２６は断
面楕円形に形成され、前記発光素子１０の発光面は一側
の反射面２６の楕円焦点Ｐ１に配置され、前記受光素子
１１の受光面は他側の反射面２６の楕円焦点Ｐ２に配置
されたものである。
題解決手段は、図１，２の如く、発光素子１０と受光素
子１１とが光学的に結合するよう配置され、これらが透
光性樹脂により封止されて一次モールド体２５が形成さ
れ、さらに遮光性樹脂により封止されて二次モールド体
２８が形成された光結合装置において、前記発光素子１
０の発光面と受光素子１１の受光面とが同方向に向けて
配置され、該発光素子１０の発光面および受光素子１１
の受光面に対向する一次モールド体２５と二次モールド
体２８の境界面に発光素子１０からの光を受光素子１１
に反射させる反射面２６が形成され、該反射面２６は断
面楕円形に形成され、前記発光素子１０の発光面は一側
の反射面２６の楕円焦点Ｐ１に配置され、前記受光素子
１１の受光面は他側の反射面２６の楕円焦点Ｐ２に配置
されたものである。
【０００８】本発明請求項２による課題解決手段は、請
求項１記載の発光素子１０および受光素子１１は、配線
パターン１６，１７，１８，１９が形成された基板１２
の同一面上に搭載されたものである。
求項１記載の発光素子１０および受光素子１１は、配線
パターン１６，１７，１８，１９が形成された基板１２
の同一面上に搭載されたものである。
【０００９】
【作用】上記請求項１による課題解決手段において、一
方の焦点Ｐ１位置に搭載された発光素子１０からの光
は、金属反射膜２７をつけた楕円形状の反射面２６で反
射され、他方の焦点Ｐ２位置に搭載された受光素子１１
に効率良く集光される。そうすると、発光素子１０から
出た光が指向性を持たずに広がつていても、他方の焦点
Ｐ２位置に確実に集光される。しかも、発光素子１０と
受光素子１１との間の距離が大となるので、両者間の絶
縁耐圧が向上する。
方の焦点Ｐ１位置に搭載された発光素子１０からの光
は、金属反射膜２７をつけた楕円形状の反射面２６で反
射され、他方の焦点Ｐ２位置に搭載された受光素子１１
に効率良く集光される。そうすると、発光素子１０から
出た光が指向性を持たずに広がつていても、他方の焦点
Ｐ２位置に確実に集光される。しかも、発光素子１０と
受光素子１１との間の距離が大となるので、両者間の絶
縁耐圧が向上する。
【００１０】請求項２では、発光素子１０および受光素
子１１を、配線パターン１６，１７，１８，１９を施し
た基板１２の裏面に搭載することにより、従来用いてい
た金属製のリードフレームを省略できる。そのため、各
部材間の熱膨張係数の差を減少できる。
子１１を、配線パターン１６，１７，１８，１９を施し
た基板１２の裏面に搭載することにより、従来用いてい
た金属製のリードフレームを省略できる。そのため、各
部材間の熱膨張係数の差を減少できる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す光結合装置の
断面図、図２は同じくそのＡ−Ａ断面図、図３は基板の
斜視図、図４は基板の平面図、図５は基板の側面図、図
６は基板の底面図である。
断面図、図２は同じくそのＡ−Ａ断面図、図３は基板の
斜視図、図４は基板の平面図、図５は基板の側面図、図
６は基板の底面図である。
【００１２】本実施例の光結合装置（フオトカプラ）
は、発光素子１０と受光素子１１とが耐熱性樹脂基板１
２上に並置搭載された横置型光結合装置である。
は、発光素子１０と受光素子１１とが耐熱性樹脂基板１
２上に並置搭載された横置型光結合装置である。
【００１３】前記耐熱性樹脂基板１２は、液晶ポリマー
等の耐熱性のエンジニアリング・プラスチツクからな
り、図３〜６のようにＡｌやＮｉなどで配線パターン１
６，１７，１８，１９が施されている。この配線パター
ン１６〜１９は、耐熱性樹脂基板１２の側面のスルーホ
ール２１を通り、基板１２の裏面まで引き回され、表面
実装時の電極（半田パツド）として利用される。このう
ち、配線パターン１６，１７は発光素子１０に接続さ
れ、配線パターン１８，１９は受光素子１１に接続され
る。該基板１２の上面には、後述の一次モールド体２５
および二次モールド体２８との密着性を高めるための凹
部２３ａ，２３ｂが形成されている。該凹部２３ａ，２
３ｂの側面は、垂直もしくは逆テーパ状とされている。
また、基板１２の上壁面や凹部２３ａ，２３ｂの内壁面
は梨地状とされ、一層の密着力が確保されている。
等の耐熱性のエンジニアリング・プラスチツクからな
り、図３〜６のようにＡｌやＮｉなどで配線パターン１
６，１７，１８，１９が施されている。この配線パター
ン１６〜１９は、耐熱性樹脂基板１２の側面のスルーホ
ール２１を通り、基板１２の裏面まで引き回され、表面
実装時の電極（半田パツド）として利用される。このう
ち、配線パターン１６，１７は発光素子１０に接続さ
れ、配線パターン１８，１９は受光素子１１に接続され
る。該基板１２の上面には、後述の一次モールド体２５
および二次モールド体２８との密着性を高めるための凹
部２３ａ，２３ｂが形成されている。該凹部２３ａ，２
３ｂの側面は、垂直もしくは逆テーパ状とされている。
また、基板１２の上壁面や凹部２３ａ，２３ｂの内壁面
は梨地状とされ、一層の密着力が確保されている。
【００１４】前記発光素子１０は配線パターン１６のヘ
ツダ部１６ａにダイボンドされ、金線等のボンデイング
ワイヤーで配線パターン１７に結線される。受光素子１
１も同様に配線パターン１８のヘツダ部１８ａにダイボ
ンドされ、ボンデイングワイヤーで配線パターン１９に
結線される。また、受発光両素子１０，１１は耐熱性樹
脂基板１２上で中央の凹部２３ａ，２３ｂを介して１ｍ
ｍ以上離して搭載され、これにより絶縁耐圧の向上が図
られている。さらに、受発光素子１０，１１間を凹形に
することにより、側面距離も大きくすることができる。
ツダ部１６ａにダイボンドされ、金線等のボンデイング
ワイヤーで配線パターン１７に結線される。受光素子１
１も同様に配線パターン１８のヘツダ部１８ａにダイボ
ンドされ、ボンデイングワイヤーで配線パターン１９に
結線される。また、受発光両素子１０，１１は耐熱性樹
脂基板１２上で中央の凹部２３ａ，２３ｂを介して１ｍ
ｍ以上離して搭載され、これにより絶縁耐圧の向上が図
られている。さらに、受発光素子１０，１１間を凹形に
することにより、側面距離も大きくすることができる。
【００１５】前記基板１２上の各素子１０，１１の周囲
には、透光性樹脂を用いてトランスフアーモールドまた
はインジエクシヨンモールドにより一次モールド体２５
が形成されている。該一次モールド体２５は、厚み０.
８ｍｍの側面視楕円形状とされ、その第一焦点Ｐ１およ
び第二焦点Ｐ２が１ｍｍ以上離間するよう、長径と短径
の差は大とされている。そして、該各焦点Ｐ１，Ｐ２に
は、前記発光素子１０の発光面と受光素子１１の受光面
とが夫々配置される。
には、透光性樹脂を用いてトランスフアーモールドまた
はインジエクシヨンモールドにより一次モールド体２５
が形成されている。該一次モールド体２５は、厚み０.
８ｍｍの側面視楕円形状とされ、その第一焦点Ｐ１およ
び第二焦点Ｐ２が１ｍｍ以上離間するよう、長径と短径
の差は大とされている。そして、該各焦点Ｐ１，Ｐ２に
は、前記発光素子１０の発光面と受光素子１１の受光面
とが夫々配置される。
【００１６】該一次モールド体２５の外周面には、Ａ
ｌ，Ａｕ，Ｃｕ等を用いて、スパツタ法や蒸着法または
メツキ法により反射率の高い金属反射膜２７が形成さ
れ、これにて一次モールド体２５の外周面は、光沢のあ
る反射面２６とされている。該金属反射膜２７は、基板
上の回路部分をマスキングして塗布される。該金属反射
膜２７は、前記一次モールド体２５にしたがつて楕円形
状とされることにより、発光素子１０から出た光を受光
素子１１に集光する機能を有する。
ｌ，Ａｕ，Ｃｕ等を用いて、スパツタ法や蒸着法または
メツキ法により反射率の高い金属反射膜２７が形成さ
れ、これにて一次モールド体２５の外周面は、光沢のあ
る反射面２６とされている。該金属反射膜２７は、基板
上の回路部分をマスキングして塗布される。該金属反射
膜２７は、前記一次モールド体２５にしたがつて楕円形
状とされることにより、発光素子１０から出た光を受光
素子１１に集光する機能を有する。
【００１７】該金属反射膜２７および一次モールド体２
５の周囲は、外乱光を遮蔽する目的と、光ガイドの周囲
に作られた金属の反射膜を保護する目的から、遮光性樹
脂にてトランスフアーモールド手法により二次モールド
体２８が形成されている。
５の周囲は、外乱光を遮蔽する目的と、光ガイドの周囲
に作られた金属の反射膜を保護する目的から、遮光性樹
脂にてトランスフアーモールド手法により二次モールド
体２８が形成されている。
【００１８】上記構成の光結合装置において、第一焦点
Ｐ１の位置に搭載された発光素子１０から出た光は、第
二焦点Ｐ２に搭載されている受光素子１１に集められ
る。これにより、従来の対向型の光結合装置の光利用率
が約３０％なのに比べ、本実施例では約４６％となり、
利用率を約１.５倍も向上し得る。
Ｐ１の位置に搭載された発光素子１０から出た光は、第
二焦点Ｐ２に搭載されている受光素子１１に集められ
る。これにより、従来の対向型の光結合装置の光利用率
が約３０％なのに比べ、本実施例では約４６％となり、
利用率を約１.５倍も向上し得る。
【００１９】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
【００２０】例えば、上記実施例では、図２の如く、一
次モールド体２５および二次モールド体２８を断面視角
形状としていたが、半楕円球状に形成して、第二焦点Ｐ
２への集光力をさらに高めてもよい。
次モールド体２５および二次モールド体２８を断面視角
形状としていたが、半楕円球状に形成して、第二焦点Ｐ
２への集光力をさらに高めてもよい。
【００２１】また、反射膜は金属の反射膜だけでなく、
光ガイドの内部とその周辺部の屈折率を調整すること
で、光ガイド外部への光の漏れを防止してもよいことは
勿論のことである。
光ガイドの内部とその周辺部の屈折率を調整すること
で、光ガイド外部への光の漏れを防止してもよいことは
勿論のことである。
【００２２】さらに上記実施例では各電極用に１つのス
ルーホール２１が必要であつたのに対し、図７〜９の如
く、隣のパターンのスルーホールとを共用しスルーホー
ルの数を減らすことも可能である。
ルーホール２１が必要であつたのに対し、図７〜９の如
く、隣のパターンのスルーホールとを共用しスルーホー
ルの数を減らすことも可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明請
求項１によると、発光素子の発光面と受光素子の受光面
とを同方向に向けて配置し、一次モールド体と二次モー
ルド体の境界面に反射膜を有する断面楕円形の反射面を
形成し、発光素子の発光面と、受光素子の受光面とを、
反射面の各楕円焦点に夫々配置しているので、発光素子
からの光が拡散しても、全ての光が幾何学的に受光素子
の受光面に収束する。したがつて、光の利用効率が向上
し、わずかな光量でも光結合動作を安定的に達成し得
る。しかも、発光素子と受光素子との間の距離が大とな
るので、両者間の絶縁耐圧の向上が図れる。
求項１によると、発光素子の発光面と受光素子の受光面
とを同方向に向けて配置し、一次モールド体と二次モー
ルド体の境界面に反射膜を有する断面楕円形の反射面を
形成し、発光素子の発光面と、受光素子の受光面とを、
反射面の各楕円焦点に夫々配置しているので、発光素子
からの光が拡散しても、全ての光が幾何学的に受光素子
の受光面に収束する。したがつて、光の利用効率が向上
し、わずかな光量でも光結合動作を安定的に達成し得
る。しかも、発光素子と受光素子との間の距離が大とな
るので、両者間の絶縁耐圧の向上が図れる。
【００２４】本発明請求項２によると、一枚の基板上に
受発光素子を搭載するので、両素子を同一平面に位置決
めでき、これらの光学的位置精度を向上できる。
受発光素子を搭載するので、両素子を同一平面に位置決
めでき、これらの光学的位置精度を向上できる。
【００２５】また、従来のメタルリードフレーム構造に
比べて、対半田リフロー性等を向上し得、さらに各部材
間の熱膨張係数を均質化できることにより信頼性を向上
し得ると共に自動化への対応が容易になるといつた優れ
た効果がある。
比べて、対半田リフロー性等を向上し得、さらに各部材
間の熱膨張係数を均質化できることにより信頼性を向上
し得ると共に自動化への対応が容易になるといつた優れ
た効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す光結合装置の断面図
【図２】図１のＡ−Ａ断面図
【図３】本発明の一実施例の基板の斜視図
【図４】本発明の一実施例の基板の平面図
【図５】本発明の一実施例の基板の側面図
【図６】本発明の一実施例の基板の底面図
【図７】本発明の他の実施例の基板の平面図
【図８】本発明の他の実施例の基板の側面図
【図９】本発明の他の実施例の基板の底面図
【図１０】従来の光結合装置の断面図
１０ 発光素子 １１ 受光素子 １２ 基板 １６〜１９ 配線パターン ２５ 一次モールド体 ２６ 反射面 ２７ 反射膜 ２８ 二次モールド体 Ｐ１，Ｐ２ 楕円焦点
Claims (2)
- 【請求項１】 発光素子と受光素子とが光学的に結合す
るよう配置され、これらが透光性樹脂により封止されて
一次モールド体が形成され、さらに遮光性樹脂により封
止されて二次モールド体が形成された光結合装置におい
て、前記発光素子の発光面と受光素子の受光面とが同方
向に向けて配置され、該発光素子の発光面および受光素
子の受光面に対向する一次モールド体と二次モールド体
の境界面に発光素子からの光を受光素子に反射させる反
射面が形成され、該反射面は断面楕円形に形成され、前
記発光素子の発光面は一側の反射面の楕円焦点に配置さ
れ、前記受光素子の受光面は他側の反射面の楕円焦点に
配置されたことを特徴とする光結合装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の発光素子および受光素子
は、配線パターンが形成された基板の同一面上に搭載さ
れたことを特徴とする光結合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1900992A JPH05218491A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 光結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1900992A JPH05218491A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 光結合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218491A true JPH05218491A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11987510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1900992A Pending JPH05218491A (ja) | 1992-02-04 | 1992-02-04 | 光結合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05218491A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002176184A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-21 | Rohm Co Ltd | 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法 |
| JP2007059658A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトインタラプタ |
| JP2007109851A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトインタラプタ |
| EP2244396A2 (en) | 2009-04-23 | 2010-10-27 | Omron Corporation | Optocoupler |
| EP2365648A2 (en) | 2010-03-01 | 2011-09-14 | Omron Co., Ltd. | Optical coupler and producing method thereof |
| CN104465640A (zh) * | 2013-09-24 | 2015-03-25 | 兆龙国际股份有限公司 | 光耦合器 |
-
1992
- 1992-02-04 JP JP1900992A patent/JPH05218491A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002176184A (ja) * | 2000-12-11 | 2002-06-21 | Rohm Co Ltd | 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法 |
| JP2007059658A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトインタラプタ |
| JP2007109851A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトインタラプタ |
| EP2244396A2 (en) | 2009-04-23 | 2010-10-27 | Omron Corporation | Optocoupler |
| US8410464B2 (en) | 2009-04-23 | 2013-04-02 | Omron Corporation | Optical coupler having first and second terminal boards and first and second conversion elements |
| EP2365648A2 (en) | 2010-03-01 | 2011-09-14 | Omron Co., Ltd. | Optical coupler and producing method thereof |
| CN102194813A (zh) * | 2010-03-01 | 2011-09-21 | 欧姆龙株式会社 | 光耦合装置及其制造方法 |
| US8346033B2 (en) | 2010-03-01 | 2013-01-01 | Omron Corporation | Optical coupler and producing method thereof |
| CN104465640A (zh) * | 2013-09-24 | 2015-03-25 | 兆龙国际股份有限公司 | 光耦合器 |
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