JPH0521833A - 光結合装置 - Google Patents
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- JPH0521833A JPH0521833A JP3171012A JP17101291A JPH0521833A JP H0521833 A JPH0521833 A JP H0521833A JP 3171012 A JP3171012 A JP 3171012A JP 17101291 A JP17101291 A JP 17101291A JP H0521833 A JPH0521833 A JP H0521833A
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フオトカプラのボンデイングワイヤや透光樹
脂体を省いて薄くする。 【構成】 裏面に反射膜を形成した透光性の絶縁フイル
ム１１の上面に受発光素子１４，１６を直接面ボンデイ
ングし、かつ光路を絶縁フイルム１１内にとることによ
り、従来用いていたボンデイングワイヤおよび透光性の
モールド樹脂を省く。絶縁フイルム１１の各デバイス端
面を遮光壁３２にて覆うことにより、絶縁フイルム１１
の端部からの外乱光の侵入をなくす。遮光樹脂体１８を
上面膜３３を介して薄く平坦化することにより、光結合
装置を薄型化するとともに、外部治具の引き離し時に遮
光樹脂体１８の形状の乱れを防止する。
脂体を省いて薄くする。 【構成】 裏面に反射膜を形成した透光性の絶縁フイル
ム１１の上面に受発光素子１４，１６を直接面ボンデイ
ングし、かつ光路を絶縁フイルム１１内にとることによ
り、従来用いていたボンデイングワイヤおよび透光性の
モールド樹脂を省く。絶縁フイルム１１の各デバイス端
面を遮光壁３２にて覆うことにより、絶縁フイルム１１
の端部からの外乱光の侵入をなくす。遮光樹脂体１８を
上面膜３３を介して薄く平坦化することにより、光結合
装置を薄型化するとともに、外部治具の引き離し時に遮
光樹脂体１８の形状の乱れを防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、入出力を光で伝達する
光結合装置（フオトカプラ）に関する。
光結合装置（フオトカプラ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フオトカプラの構造は、第１５図
に示すように、発光素子１と受光素子２を、４２アロ
イ，Ｃｕなどのリードフレーム３，４上にＡｇペースト
等でダイボンドし、金線５などでワイヤボンドを施し、
フレーム溶接後、シリコーンなどの透光樹脂体６で覆い
（１次モールド）、バリ取り後、エポキシ樹脂などを主
流とした遮光樹脂体７で２次モールドするタイプが主流
である。この場合、発光素子１から出た光は透光樹脂体
６内を伝わつて受光素子２に伝わることになる。なお、
図１６は、上記製造手順を示すフローチヤートである。
に示すように、発光素子１と受光素子２を、４２アロ
イ，Ｃｕなどのリードフレーム３，４上にＡｇペースト
等でダイボンドし、金線５などでワイヤボンドを施し、
フレーム溶接後、シリコーンなどの透光樹脂体６で覆い
（１次モールド）、バリ取り後、エポキシ樹脂などを主
流とした遮光樹脂体７で２次モールドするタイプが主流
である。この場合、発光素子１から出た光は透光樹脂体
６内を伝わつて受光素子２に伝わることになる。なお、
図１６は、上記製造手順を示すフローチヤートである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光結合
装置では、その外装を透光樹脂体６と遮光樹脂体７との
二層構造としているため、その分厚み寸法が増えてい
た。
装置では、その外装を透光樹脂体６と遮光樹脂体７との
二層構造としているため、その分厚み寸法が増えてい
た。
【０００４】また、ボンデイングワイヤ５のループ径の
縮小化も物理的強度の面で限界に達しており、その高さ
寸法等を考えると、現在の構造をさらに薄型化すること
は困難な状況にあつた。
縮小化も物理的強度の面で限界に達しており、その高さ
寸法等を考えると、現在の構造をさらに薄型化すること
は困難な状況にあつた。
【０００５】本発明は、上記課題に鑑み、ボンデイング
ワイヤおよび透光樹脂体を省略し、薄型化を図り得る光
結合装置の提供を目的とする。
ワイヤおよび透光樹脂体を省略し、薄型化を図り得る光
結合装置の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明請求項１による課
題解決手段は、図１〜９の如く、発光素子１４と受光素
子１６とが光学的に結合するよう配置された光結合装置
であつて、絶縁フイルム１１の上面に発光側導体パター
ン１２および受光側導体パターン１３が形成され、前記
発光素子１４の発光面１４ａにその全電極１５が形成さ
れ、前記受光素子１６の受光面１６ａにその全電極１７
が形成され、前記発光側導体パターン１２に発光素子１
４がその全電極１５を直接接続するよう密着して搭載さ
れ、前記受光側導体パターン１３に受光素子１６がその
全電極１７を直接接続するよう密着して搭載され、これ
らが遮光樹脂体１８にて被覆され、前記絶縁フイルム１
１は透光性とされ、該絶縁フイルム１１の下面に、発光
素子１４の絶縁フイルム１１からの下方への光を受光素
子１６の受光面１６ａに反射させる反射膜１１ａが形成
されたものである。
題解決手段は、図１〜９の如く、発光素子１４と受光素
子１６とが光学的に結合するよう配置された光結合装置
であつて、絶縁フイルム１１の上面に発光側導体パター
ン１２および受光側導体パターン１３が形成され、前記
発光素子１４の発光面１４ａにその全電極１５が形成さ
れ、前記受光素子１６の受光面１６ａにその全電極１７
が形成され、前記発光側導体パターン１２に発光素子１
４がその全電極１５を直接接続するよう密着して搭載さ
れ、前記受光側導体パターン１３に受光素子１６がその
全電極１７を直接接続するよう密着して搭載され、これ
らが遮光樹脂体１８にて被覆され、前記絶縁フイルム１
１は透光性とされ、該絶縁フイルム１１の下面に、発光
素子１４の絶縁フイルム１１からの下方への光を受光素
子１６の受光面１６ａに反射させる反射膜１１ａが形成
されたものである。
【０００７】本発明請求項２による課題解決手段は、図
１０〜１１の如く、請求項１記載の絶縁フイルム１１
に、遮光樹脂体１８の外周部で外乱光の侵入を防止する
ための切欠３１を形成し、該切欠３１に遮光樹脂体１８
と連続する遮光壁３２を充填形成したものである。
１０〜１１の如く、請求項１記載の絶縁フイルム１１
に、遮光樹脂体１８の外周部で外乱光の侵入を防止する
ための切欠３１を形成し、該切欠３１に遮光樹脂体１８
と連続する遮光壁３２を充填形成したものである。
【０００８】本発明請求項３による課題解決手段は、図
１２〜１４の如く、請求項１記載の遮光樹脂体１８の上
面は、発光素子１４および受光素子１６に可及的に接近
して平坦とされ、遮光樹脂体１８の上面に、該遮光樹脂
体１８の成形時に使用する平坦化用治具と遮光樹脂体１
８との粘着防止用上面膜３３が形成されたものである。
１２〜１４の如く、請求項１記載の遮光樹脂体１８の上
面は、発光素子１４および受光素子１６に可及的に接近
して平坦とされ、遮光樹脂体１８の上面に、該遮光樹脂
体１８の成形時に使用する平坦化用治具と遮光樹脂体１
８との粘着防止用上面膜３３が形成されたものである。
【０００９】
【作用】上記請求項１による課題解決手段において、下
面に反射膜１１ａを形成した透光性の絶縁フイルム１１
の上面に発光側導体パターン１２および受光側導体パタ
ーン１３を夫々形成する。次に、該両導体パターン１
２，１３に発光素子１４および受光素子１６を搭載す
る。このとき、受発光素子１４，１６の全ての電極１
５，１７を各導体パターン１２，１３に直接面ボンデイ
ングし、かつ光路を絶縁フイルム１１内にとることによ
り、従来用いていたボンデイングワイヤおよび透光性の
モールド樹脂が不必要となり、光結合装置が薄型化可能
となる。
面に反射膜１１ａを形成した透光性の絶縁フイルム１１
の上面に発光側導体パターン１２および受光側導体パタ
ーン１３を夫々形成する。次に、該両導体パターン１
２，１３に発光素子１４および受光素子１６を搭載す
る。このとき、受発光素子１４，１６の全ての電極１
５，１７を各導体パターン１２，１３に直接面ボンデイ
ングし、かつ光路を絶縁フイルム１１内にとることによ
り、従来用いていたボンデイングワイヤおよび透光性の
モールド樹脂が不必要となり、光結合装置が薄型化可能
となる。
【００１０】請求項２による課題解決手段において、成
形時に、絶縁フイルム１１の各デバイス端面を遮光壁３
２にて覆う。そうすると、絶縁フイルム１１の端部から
の外乱光の侵入を防ぐ。
形時に、絶縁フイルム１１の各デバイス端面を遮光壁３
２にて覆う。そうすると、絶縁フイルム１１の端部から
の外乱光の侵入を防ぐ。
【００１１】請求項３による課題解決手段において、成
形時に遮光樹脂体１８を熔融するのと同時に上面膜３３
の上から治具にて圧力を加えて遮光樹脂体１８の形状を
薄く平坦化する。そうすると、光結合装置が薄型化す
る。この際、治具は上面膜３３によつて遮光樹脂体１８
に直接接触しないため、治具の引き離し時に遮光樹脂体
１８の形状が乱れなくなる。
形時に遮光樹脂体１８を熔融するのと同時に上面膜３３
の上から治具にて圧力を加えて遮光樹脂体１８の形状を
薄く平坦化する。そうすると、光結合装置が薄型化す
る。この際、治具は上面膜３３によつて遮光樹脂体１８
に直接接触しないため、治具の引き離し時に遮光樹脂体
１８の形状が乱れなくなる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００１３】（第一実施例）図１は本発明の一実施例を
示す光結合装置の断面図、図２は同じくその絶縁フイル
ムを示す平面図、図３は同じく受発光素子を示す斜視
図、図４は同じくその電極を示す断面図、図５は同じく
受発光素子が絶縁フイルムに搭載された状態を示す平面
図、図６は同じく光結合装置が取付け基板に実装された
状態を示す断面図、図７は同じくその斜視図、図８は同
じく受発光素子を搭載した後遮光樹脂体にて被覆する直
前の状態を示す図、図９は同じく光結合装置の製造手順
を示すフローチャートである。
示す光結合装置の断面図、図２は同じくその絶縁フイル
ムを示す平面図、図３は同じく受発光素子を示す斜視
図、図４は同じくその電極を示す断面図、図５は同じく
受発光素子が絶縁フイルムに搭載された状態を示す平面
図、図６は同じく光結合装置が取付け基板に実装された
状態を示す断面図、図７は同じくその斜視図、図８は同
じく受発光素子を搭載した後遮光樹脂体にて被覆する直
前の状態を示す図、図９は同じく光結合装置の製造手順
を示すフローチャートである。
【００１４】図示の如く、本実施例の光結合装置（フオ
トカプラ）は、発光素子１４と受光素子１６とが光学的
に結合するよう配置された光結合装置であつて、絶縁フ
イルム１１の上面に発光側導体パターン１２および受光
側導体パターン１３が形成され、前記発光素子１４の発
光面１４ａにその全電極１５が形成され、前記受光素子
１６の受光面１６ａにその全電極１７が形成され、前記
発光側導体パターン１２に発光素子１４がその全電極１
５を直接接続するよう密着して搭載され、前記受光側導
体パターン１３に受光素子１６がその全電極１７を直接
接続するよう密着して搭載され、これらが遮光樹脂体１
８にて被覆されたものである。
トカプラ）は、発光素子１４と受光素子１６とが光学的
に結合するよう配置された光結合装置であつて、絶縁フ
イルム１１の上面に発光側導体パターン１２および受光
側導体パターン１３が形成され、前記発光素子１４の発
光面１４ａにその全電極１５が形成され、前記受光素子
１６の受光面１６ａにその全電極１７が形成され、前記
発光側導体パターン１２に発光素子１４がその全電極１
５を直接接続するよう密着して搭載され、前記受光側導
体パターン１３に受光素子１６がその全電極１７を直接
接続するよう密着して搭載され、これらが遮光樹脂体１
８にて被覆されたものである。
【００１５】前記絶縁フイルム１１は、図２の如く、透
光性でかつ耐熱性に優れたポリイミド樹脂が使用され、
複数のデバイス用のものが帯状に連なつて設けられてい
る。図２中、２１は搬送時の送り孔（スプロケツト）で
ある。該絶縁フイルム１１の下面には、図１の如く、発
光素子１４の発光面１４ａからの下方への光を受光素子
１６の受光面１６ａに反射させる反射膜１１ａが形成さ
れている。
光性でかつ耐熱性に優れたポリイミド樹脂が使用され、
複数のデバイス用のものが帯状に連なつて設けられてい
る。図２中、２１は搬送時の送り孔（スプロケツト）で
ある。該絶縁フイルム１１の下面には、図１の如く、発
光素子１４の発光面１４ａからの下方への光を受光素子
１６の受光面１６ａに反射させる反射膜１１ａが形成さ
れている。
【００１６】前記発光側導体パターン１２および受光側
導体パターン１３は、図２の如く、夫々銅箔等の導電性
材料を用いて、前記絶縁フイルム１１の上面にのみ所望
の回路設計に基づき形成されている。該両導体パターン
１２，１３の先端部には、各素子１４，１６の電極１
５，１７に接続するヘツダ部２２ａ，２２ｂが、発光素
子１４の発光面１４ａおよび受光素子１６の受光面１６
ａを遮らないよう形成されている。
導体パターン１３は、図２の如く、夫々銅箔等の導電性
材料を用いて、前記絶縁フイルム１１の上面にのみ所望
の回路設計に基づき形成されている。該両導体パターン
１２，１３の先端部には、各素子１４，１６の電極１
５，１７に接続するヘツダ部２２ａ，２２ｂが、発光素
子１４の発光面１４ａおよび受光素子１６の受光面１６
ａを遮らないよう形成されている。
【００１７】前記発光素子１４は、発光ダイオードチツ
プ等が使用され、前記受光素子１６は、フオトトランジ
スタチツプ等が使用されている。該受発光素子１４，１
６の電極１５，１７は、図３，４の如く、夫々の受発光
面１４ａ，１６ａのうち一面にのみ形成されており、該
電極１５，１７には、各導体パターン１２，１３に接続
される金または半田等のバンプ状半田接続部２４，２５
が突出形成されている。これらは、絶縁フイルム１１の
上面にのみ搭載される。
プ等が使用され、前記受光素子１６は、フオトトランジ
スタチツプ等が使用されている。該受発光素子１４，１
６の電極１５，１７は、図３，４の如く、夫々の受発光
面１４ａ，１６ａのうち一面にのみ形成されており、該
電極１５，１７には、各導体パターン１２，１３に接続
される金または半田等のバンプ状半田接続部２４，２５
が突出形成されている。これらは、絶縁フイルム１１の
上面にのみ搭載される。
【００１８】前記遮光樹脂体１８は、一般的な黒色エポ
キシ樹脂等が用いられ、図８のような樹脂塊１８ａ（コ
レツト）を熔融して形成される。
キシ樹脂等が用いられ、図８のような樹脂塊１８ａ（コ
レツト）を熔融して形成される。
【００１９】図２中、２８はデバイスエリア、２９は遮
光樹脂体１８の形成領域を示している。また、図４中、
３０はＳｉＯ2やチツ化シリコン等が使用されたパツシ
ベーション（保護膜）である。
光樹脂体１８の形成領域を示している。また、図４中、
３０はＳｉＯ2やチツ化シリコン等が使用されたパツシ
ベーション（保護膜）である。
【００２０】上記構成における光結合装置の製造方法を
図９のフローチャートに基づいて説明する。まず、図２
の如く、絶縁フイルム１１の上面に発光側導体パターン
１２および受光側導体パターン１３を互いに隣接して形
成するとともに、絶縁フイルム１１の下面全部に反射膜
１１ａを形成する。
図９のフローチャートに基づいて説明する。まず、図２
の如く、絶縁フイルム１１の上面に発光側導体パターン
１２および受光側導体パターン１３を互いに隣接して形
成するとともに、絶縁フイルム１１の下面全部に反射膜
１１ａを形成する。
【００２１】また、図３，４の如く、発光素子１４およ
び受光素子１６の各電極１５，１７に半田接続部２４，
２５を突出形成しておく。
び受光素子１６の各電極１５，１７に半田接続部２４，
２５を突出形成しておく。
【００２２】そして、発光素子１４および受光素子１６
の各電極１５，１７に形成された半田接続部２４，２５
を各導体パターン１２，１３に接触させ、図５の如く、
各半田接続部２４，２５を熱圧着や熔融接続して、面ボ
ンデイング（ギヤングボンド）する。
の各電極１５，１７に形成された半田接続部２４，２５
を各導体パターン１２，１３に接触させ、図５の如く、
各半田接続部２４，２５を熱圧着や熔融接続して、面ボ
ンデイング（ギヤングボンド）する。
【００２３】その後、図８の如く、黒色エポキシ樹脂の
コレツト１８ａを領域２９（図２参照）に当て、これを
熔融して受発光素子１４，１６を被覆する。しかる後、
絶縁フイルム１１を各デバイス領域２８ごとに切断して
各種電気テスト等を行い、光結合装置は完成する。な
お、これらの量産化技術は、既存の半導体（ＩＣ）にか
かるいわゆるテープキヤリア（ＴＡＢ）技術をもつてす
れば可能である。
コレツト１８ａを領域２９（図２参照）に当て、これを
熔融して受発光素子１４，１６を被覆する。しかる後、
絶縁フイルム１１を各デバイス領域２８ごとに切断して
各種電気テスト等を行い、光結合装置は完成する。な
お、これらの量産化技術は、既存の半導体（ＩＣ）にか
かるいわゆるテープキヤリア（ＴＡＢ）技術をもつてす
れば可能である。
【００２４】なお、本実施例のような透光性の絶縁フイ
ルム１１を用いれば、この絶縁フイルム１１の両面に受
発光素子１４，１６を対向配置させる構造も考えられる
が、本実施例では、あえて受発光素子１４，１６を片面
搭載し、その分薄型化を達成している。
ルム１１を用いれば、この絶縁フイルム１１の両面に受
発光素子１４，１６を対向配置させる構造も考えられる
が、本実施例では、あえて受発光素子１４，１６を片面
搭載し、その分薄型化を達成している。
【００２５】このように、発光素子１４および受光素子
１６の全ての電極１５，１７を各導体パターン１２，１
３に直接接続し、発光素子１４からの光の光路を絶縁フ
イルム１１内にとることにより、従来用いられていた遮
光性のモールド樹脂およびボンデイングワイヤを省略で
き、その分薄型化が可能となる。
１６の全ての電極１５，１７を各導体パターン１２，１
３に直接接続し、発光素子１４からの光の光路を絶縁フ
イルム１１内にとることにより、従来用いられていた遮
光性のモールド樹脂およびボンデイングワイヤを省略で
き、その分薄型化が可能となる。
【００２６】また、製造時にプリコート工程およびワイ
ヤボンド工程を省略でき、不良発生率の高いボンデイン
グワイヤについての故障原因を消滅させることができる
と同時に、組立てプロセスを簡素化できる。
ヤボンド工程を省略でき、不良発生率の高いボンデイン
グワイヤについての故障原因を消滅させることができる
と同時に、組立てプロセスを簡素化できる。
【００２７】さらに、発光素子１４からの光を絶縁フイ
ルム１１を介して受光素子１６に入射させるので、透光
性のモールド樹脂体内を光路とする従来に比べて受発光
間の距離を大幅に短縮でき、受光感度が向上する。
ルム１１を介して受光素子１６に入射させるので、透光
性のモールド樹脂体内を光路とする従来に比べて受発光
間の距離を大幅に短縮でき、受光感度が向上する。
【００２８】加えて、従来においては、金型内にリード
フレームを挿入するが故に生じる空隙にモールド樹脂が
流れ込み、樹脂ばりが発生することが多かったが、本実
施例では、リードフレーム同士の間の空隙を省略するこ
とができ、薄膜の絶縁フイルム１１の両面に樹脂２７に
て樹脂封止すればよいので、リードフレームの周辺の樹
脂バリをなくすことができ、バリ取り工程をも省略でき
る。したがつて、製造工程を簡略化できる。
フレームを挿入するが故に生じる空隙にモールド樹脂が
流れ込み、樹脂ばりが発生することが多かったが、本実
施例では、リードフレーム同士の間の空隙を省略するこ
とができ、薄膜の絶縁フイルム１１の両面に樹脂２７に
て樹脂封止すればよいので、リードフレームの周辺の樹
脂バリをなくすことができ、バリ取り工程をも省略でき
る。したがつて、製造工程を簡略化できる。
【００２９】（第二実施例）図１０は本発明の第二実施
例を示す光結合装置の断面図、図１１は同じく受発光素
子を搭載した後遮光樹脂体にて被覆する直前の状態を示
す図である。
例を示す光結合装置の断面図、図１１は同じく受発光素
子を搭載した後遮光樹脂体にて被覆する直前の状態を示
す図である。
【００３０】前述の第一実施例のようにポリイミドフイ
ルム内を光路とする場合、ホリイミドフイルムの端部か
ら外乱光が侵入して誤動作をおこすことが考えられる。
本実施例の光結合装置はこれを防止するものであり、図
１０，１１の如く、絶縁フイルム１１に、遮光樹脂体１
８の外周部で外乱光の侵入を防止するための切欠３１が
形成されている。前記切欠３１は、絶縁フイルム１１の
デバイスエリア２８（図２参照）内に、各導体パターン
１２，１３を形成した後、発光素子１４および受光素子
１６を搭載する前に、その周囲に絶縁フイルム１１の厚
み分が切削されたものである。
ルム内を光路とする場合、ホリイミドフイルムの端部か
ら外乱光が侵入して誤動作をおこすことが考えられる。
本実施例の光結合装置はこれを防止するものであり、図
１０，１１の如く、絶縁フイルム１１に、遮光樹脂体１
８の外周部で外乱光の侵入を防止するための切欠３１が
形成されている。前記切欠３１は、絶縁フイルム１１の
デバイスエリア２８（図２参照）内に、各導体パターン
１２，１３を形成した後、発光素子１４および受光素子
１６を搭載する前に、その周囲に絶縁フイルム１１の厚
み分が切削されたものである。
【００３１】そして、受発光素子１４，１６を被覆する
遮光樹脂体１８のコレツト１８ａを熔融する際、該樹脂
が前記切欠３１を含むデバイスエリア２８全域にわたつ
て流し込まれることにより、切欠３１内に遮光壁３２が
形成される。これにより、遮光壁３２と遮光樹脂体１８
とは互いに寸断なく連続形成される。その他の構成は第
一実施例と同様である。
遮光樹脂体１８のコレツト１８ａを熔融する際、該樹脂
が前記切欠３１を含むデバイスエリア２８全域にわたつ
て流し込まれることにより、切欠３１内に遮光壁３２が
形成される。これにより、遮光壁３２と遮光樹脂体１８
とは互いに寸断なく連続形成される。その他の構成は第
一実施例と同様である。
【００３２】本実施例においては、絶縁フイルム１１の
各デバイス端面を遮光壁３２にて覆うことができ、外乱
光の侵入を防止できる。したがつて、光結合装置の誤動
作を防止できる。
各デバイス端面を遮光壁３２にて覆うことができ、外乱
光の侵入を防止できる。したがつて、光結合装置の誤動
作を防止できる。
【００３３】（第三実施例）図１２は本発明の第三実施
例を示す光結合装置の断面図、図１３は同じく受発光素
子を搭載した後遮光樹脂体にて被覆する直前の状態を示
す図、図１４は、遮光樹脂体の上面を平板状の治具にて
平坦化する動作を示す図である。
例を示す光結合装置の断面図、図１３は同じく受発光素
子を搭載した後遮光樹脂体にて被覆する直前の状態を示
す図、図１４は、遮光樹脂体の上面を平板状の治具にて
平坦化する動作を示す図である。
【００３４】第一実施例，第二実施例による構造では、
遮光樹脂体の成形について、トランスフアーモールド用
金型等を用いずコレツト１８ａを熔融しているだけなの
で、被覆後の形が不定形の山形になり、その高さ寸法は
一定しない。本実施例の光結合装置は、これをさらに薄
型化するためのものである。
遮光樹脂体の成形について、トランスフアーモールド用
金型等を用いずコレツト１８ａを熔融しているだけなの
で、被覆後の形が不定形の山形になり、その高さ寸法は
一定しない。本実施例の光結合装置は、これをさらに薄
型化するためのものである。
【００３５】本実施例の光結合装置は、図１２〜１４の
如く、遮光樹脂体１８の上面が、平板条の平坦化用外部
治具３４を用いて、発光素子１４および受光素子１６に
可及的に接近して平坦とされている。
如く、遮光樹脂体１８の上面が、平板条の平坦化用外部
治具３４を用いて、発光素子１４および受光素子１６に
可及的に接近して平坦とされている。
【００３６】そして、遮光樹脂体１８の上面には、これ
が平坦化用外部治具に粘着するのを防止する上面膜３３
が形成されている。該上面膜３３は、遮光樹脂体１８よ
り熔融温度の高いガラス繊維等のクロスからなり、図１
３の如く、熔融前の遮光樹脂体１８のコレツト１８ａの
上面に予め形成しておく。その他の構成は第二実施例と
同様である。
が平坦化用外部治具に粘着するのを防止する上面膜３３
が形成されている。該上面膜３３は、遮光樹脂体１８よ
り熔融温度の高いガラス繊維等のクロスからなり、図１
３の如く、熔融前の遮光樹脂体１８のコレツト１８ａの
上面に予め形成しておく。その他の構成は第二実施例と
同様である。
【００３７】上記構成において、発光素子１４および受
光素子１６の被覆時には、図１３，１４の如く、遮光樹
脂体１８を熔融するのと同時に上面膜３３の上から外部
治具３４にて圧力を加えて遮光樹脂体１８の形状を薄く
平坦化する。その後、外部治具３４を上方へ引き離す。
光素子１６の被覆時には、図１３，１４の如く、遮光樹
脂体１８を熔融するのと同時に上面膜３３の上から外部
治具３４にて圧力を加えて遮光樹脂体１８の形状を薄く
平坦化する。その後、外部治具３４を上方へ引き離す。
【００３８】このとき、遮光樹脂体１８は熔融されてい
るので、その粘着性により外部治具３４に粘着し、せつ
かくの平坦化した形状が乱れる可能性があるが、遮光樹
脂体１８の上面に上面膜３３が形成されているので、遮
光樹脂体１８が外部治具３４に粘着するのを防止でき、
外部治具３４の引き離し時に遮光樹脂体１８の形状を保
持することができる。
るので、その粘着性により外部治具３４に粘着し、せつ
かくの平坦化した形状が乱れる可能性があるが、遮光樹
脂体１８の上面に上面膜３３が形成されているので、遮
光樹脂体１８が外部治具３４に粘着するのを防止でき、
外部治具３４の引き離し時に遮光樹脂体１８の形状を保
持することができる。
【００３９】これにより、光結合装置の厚さ寸法が約１
ｍｍ程度にまで薄型化可能となる。
ｍｍ程度にまで薄型化可能となる。
【００４０】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
【００４１】例えば、第一実施例ないし第三実施例にお
いて、遮光樹脂体１８はコレツト１８ａを熔融して形成
していたが、ポツテイング等により形成してもよい。
いて、遮光樹脂体１８はコレツト１８ａを熔融して形成
していたが、ポツテイング等により形成してもよい。
【００４２】また、第二実施例において、切欠３１はパ
ターン形成後、受発光素子搭載前に形成していたが、受
発光素子搭載後に形成してもよい。
ターン形成後、受発光素子搭載前に形成していたが、受
発光素子搭載後に形成してもよい。
【００４３】さらに、第三実施例では、上面膜３３とし
てガラス製のクロスを使用していたが、遮光樹脂体１８
より熔融温度の高いものであればどのようなものを使用
してもよい。
てガラス製のクロスを使用していたが、遮光樹脂体１８
より熔融温度の高いものであればどのようなものを使用
してもよい。
【００４４】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明請
求項１によると、透光性の絶縁フイルムの上面に受発光
素子を直接面ボンデイングし、下面に反射膜を形成して
いるので、受発光間の光路を絶縁フイルム内にとること
ができ、従来用いていたボンデイングワイヤおよび透光
性のモールド樹脂を省略でき、光結合装置を薄型化でき
る。
求項１によると、透光性の絶縁フイルムの上面に受発光
素子を直接面ボンデイングし、下面に反射膜を形成して
いるので、受発光間の光路を絶縁フイルム内にとること
ができ、従来用いていたボンデイングワイヤおよび透光
性のモールド樹脂を省略でき、光結合装置を薄型化でき
る。
【００４５】本発明請求項２によると、絶縁フイルムの
各デバイス端面に切欠を形成し、該切欠に遮光壁を形成
しているので、絶縁フイルムの端部からの外乱光の侵入
を防止でき、光結合装置の誤動作を防止できる。
各デバイス端面に切欠を形成し、該切欠に遮光壁を形成
しているので、絶縁フイルムの端部からの外乱光の侵入
を防止でき、光結合装置の誤動作を防止できる。
【００４６】本発明請求項３によると、遮光樹脂体の上
面に上面膜を設けているので、外部治具にて遮光樹脂体
を薄く平坦化する際、外部治具が遮光樹脂体に直接接触
するのを防止でき、外部治具の引き離し時に遮光樹脂体
の薄型形状を保持し得るといつた優れた効果がある。
面に上面膜を設けているので、外部治具にて遮光樹脂体
を薄く平坦化する際、外部治具が遮光樹脂体に直接接触
するのを防止でき、外部治具の引き離し時に遮光樹脂体
の薄型形状を保持し得るといつた優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の一実施例を示す光結合装置の断
面図である。
面図である。
【図２】図２は同じくその絶縁フイルムを示す平面図で
ある。
ある。
【図３】図３は同じく受発光素子を示す斜視図である。
【図４】図４は同じくその電極を示す断面図である。
【図５】図５は同じく受発光素子が絶縁フイルムに搭載
された状態を示す平面図である。
された状態を示す平面図である。
【図６】図６は同じく光結合装置が取付け基板に実装さ
れた状態を示す断面図である。
れた状態を示す断面図である。
【図７】図７は同じくその斜視図である。
【図８】図８は同じく受発光素子を搭載した後遮光樹脂
体にて被覆する直前の状態を示す図である。
体にて被覆する直前の状態を示す図である。
【図９】図９は同じく光結合装置の製造手順を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図１０】図１０は本発明の第二実施例を示す光結合装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図１１】図１１は同じく受発光素子を搭載した後遮光
樹脂体にて被覆する直前の状態を示す図である。
樹脂体にて被覆する直前の状態を示す図である。
【図１２】図１２は本発明の第三実施例を示す光結合装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図１３】図１３は同じく受発光素子を搭載した後遮光
樹脂体にて被覆する直前の状態を示す図である。
樹脂体にて被覆する直前の状態を示す図である。
【図１４】図１４は遮光樹脂体の上面を平板状の治具に
て平坦化する動作を示す図である。
て平坦化する動作を示す図である。
【図１５】図１５は従来の光結合装置を示す断面であ
る。
る。
【図１６】図１６は同じく光結合装置の製造手順を示す
フローチヤートである。
フローチヤートである。
１１ 絶縁フイルム
１２，１３ 導体パターン
１４ 発光素子
１４ａ 発光面
１５，１７ 電極
１６ 受光素子
１６ａ 受光面
１８ 遮光樹脂体
３１ 切欠
３２ 遮光壁
３３ 上面膜
Claims (3)
- 【請求項１】 発光素子と受光素子とが光学的に結合す
るよう配置された光結合装置であつて、絶縁フイルムの
上面に発光側導体パターンおよび受光側導体パターンが
形成され、前記発光素子の発光面にその全電極が形成さ
れ、前記受光素子の受光面にその全電極が形成され、前
記発光側導体パターンに発光素子がその全電極を直接接
続するよう密着して搭載され、前記受光側導体パターン
に受光素子がその全電極を直接接続するよう密着して搭
載され、これらが遮光樹脂体にて被覆され、前記絶縁フ
イルムは透光性とされ、該絶縁フイルムの下面に、発光
素子の絶縁フイルムからの下方への光を受光素子の受光
面に反射させる反射膜が形成されたことを特徴とする光
結合装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の絶縁フイルムに、遮光樹
脂体の外周部で外乱光の侵入を防止するための切欠を形
成し、該切欠に遮光樹脂体と連続する遮光壁を充填形成
したことを特徴とする光結合装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の遮光樹脂体の上面は、発
光素子および受光素子に可及的に接近して平坦とされ、
遮光樹脂体の上面に、該遮光樹脂体の成形時に使用する
平坦化用外部治具と遮光樹脂体との粘着防止用上面膜が
形成されたことを特徴とする光結合装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17101291A JP3068667B2 (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 光結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17101291A JP3068667B2 (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 光結合装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521833A true JPH0521833A (ja) | 1993-01-29 |
| JP3068667B2 JP3068667B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=15915464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17101291A Expired - Fee Related JP3068667B2 (ja) | 1991-07-11 | 1991-07-11 | 光結合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3068667B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006179586A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Sharp Corp | 光結合素子及びこれを用いた電子機器 |
| US7384805B2 (en) * | 2001-04-05 | 2008-06-10 | Micron Technology, Inc. | Transfer mold semiconductor packaging processes |
| JP2015216231A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 受発光装置 |
| US10939855B2 (en) | 2015-09-11 | 2021-03-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Photoelectric sensor module |
-
1991
- 1991-07-11 JP JP17101291A patent/JP3068667B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7384805B2 (en) * | 2001-04-05 | 2008-06-10 | Micron Technology, Inc. | Transfer mold semiconductor packaging processes |
| JP2006179586A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Sharp Corp | 光結合素子及びこれを用いた電子機器 |
| JP2015216231A (ja) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 受発光装置 |
| US10939855B2 (en) | 2015-09-11 | 2021-03-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Photoelectric sensor module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3068667B2 (ja) | 2000-07-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |