JP5148045B2 - オプトカプラおよびオプトカプラ製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、底面積の小さなオプトカプラ及びその製造方法に関する。
従来技術のオプトカプラには、種々の構成のものがある。この種の各オプトカプラには、光信号を送信する発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光送信器と、光信号を受信するフォトダイオード等の光受信器が含まれる。これらのオプトカプラの一部は通常、リードフレーム上に形成したリード線を含み、光送信器と光受信器はワイヤボンディング工程でボンディングワイヤを用いてリード線に電気的に接続してある。これらのボンディングワイヤは、製造期間中、特にオプトカプラのリード線を手荒く扱った場合に切断されやすい。
様々な構成のオプトカプラとその製造方法が、公知である。一例を挙げれば、これらのうち幾つかが米国特許公報に記載されている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４参照）。
米国特許第５，０４９，５２７号明細書
米国特許第５，３２９，１３１号明細書
米国特許第４，８５１，６９５号明細書
米国特許第５，６５４，５５９号明細書
容易かつ経済的に製造できるオプトカプラに対する必要性が、残されたままである。
本発明の一態様によれば、光送信器と光受信器と、さらに、光送信器と光受信器を取りつけて結合して積層体を形成する光送信器と光受信器の間の少なくとも３層の材料と、光送信器の少なくとも一部と光受信器の少なくとも一部を覆い、光送信器からの光信号を光受信器へ案内する透光性導光体と、を含むオプトカプラが提供される。
本発明の別の態様によれば、上記のオプトカプラの製造方法が提供される。本方法は、第１のダイ上に絶縁層を配置するステップと、絶縁層上に遮断層を配置するステップを含む。本方法はさらに、遮断層上に固定層を配置するステップと、固定層上に第２のダイを配置するステップと、第１のダイの少なくとも一部及び第２のダイの少なくとも一部を覆って、第１のダイと第２のダイの間で光信号を案内する透光性導光体を形成するステップとを含む。
本発明は、図面を参照してより良く理解されよう。一般に、本発明になるオプトカプラは光送信器と光受信器を含む。光送信器と光受信器の間の少なくとも３層の材料が、光送信器と光受信器を固定的に取り付け光学的に結合して積層体を形成している。光送信器は、光受信器が受信する光信号を送信するよう起動可能である。一部実施形態では、３層の材料は全て透光性であって、光送信器が発した光信号を材料を介して伝搬させ、光受信器へ到達させる。オプトカプラには、積層体を支持する単一の基板が含まれよう。基板は、光送信器と光受信器に電気的に接続され相互に電気的に絶縁した幾つかの導体を有する。オプトカプラはまた、光送信器と光受信器を囲繞或いは被包する被包体を含む。オプトカプラの製造方法は、後述する。
図１乃至図３Ａを参照するに、本発明の一実施形態になるオプトカプラ２は、第１のダイ８を含み、これが第２のダイ１０に固定的に取り付けられて光学的に結合し、ダイ８、１０の一体化積層体１２を形成している。第１のダイ８は、少なくとも不動態化層すなわち電気的絶縁層１１と、第１の接続層すなわち固定層６２と、絶縁層１１と第１の固定層６２の間の遮断層１３とにより第２のダイ１０から電気的に絶縁してある。これらの３層１１、１３、６２は、一部実施形態では個別の透光性材料で製作する。例えば、絶縁層１１は二酸化ケイ素か窒化ケイ素かベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）か他の任意の適当な絶縁材料の層とすることができる。遮断層１３は、ガラスかポリイミドか同類材料の層とすることができる。第１の固定層６２は、ダイ取り付け用途に適したエポキシ層とすることができる。この種のエポキシには、これに限定はされないが、米国マサチューセッツ州のトラ−コン（Ｔｒａ−ｃｏｎ）社が販売するエポキシが含まれる。
不動態化層すなわち電気的絶縁層１１と遮断層１３は、第１のダイ８と一体形成して第１のダイ８の一部とすることができる。これらの絶縁層１１と遮断層１３は第１のダイ８のウェーハ上に形成し、例えば公知のスピンコート工程を用いて第１のダイ８を同時に被覆することができる。ウェーハは適切にマスク処理してあり、これにより形成時に絶縁層１１と遮断層１３は第１のダイ８の表面を横切って延び、導体６４は図３Ａに示す如く表面に露出したままとされる。こうして遮断層１３を約３ミル（０．０７６ｍｍ）の肉厚に形成することが、実施可能である。第２のダイ１０は、第１の固定層６２を用いて遮断層１３に取り付ける。或いは、絶縁層１１だけを上記の如く第１のダイ８に一体形成することもできる。遮断層１３は、そこで図３Ｂに示す如く第２の固定層１７を用い絶縁層１１に続けて取り付けることができる。遮断層１３の肉厚は、二つのダイ８、１０間に存在するであろう電位差に依存する。
本実施形態では、第１のダイ８は光送信器ダイ又は光受信器ダイのいずれかとすることができる。第１のダイ８を光送信器ダイとした場合、第２のダイ１０は光受信器ダイとなる。しかしながら、第１のダイ８を光受信器ダイとした場合、そのときは第２のダイ１０は光送信器ダイとなる。光送信器ダイは、光受信器により受信可能な光信号の送信用に駆動可能であり、それによって光受信器ダイを対応駆動する。光送信器ダイは発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイとし、光受信器ダイはフォトダイオード・ダイかフォトトランジスタ・ダイ等とすることができる。
積層体１２は、単一基板により、その上の一つの面上で支持される。この基板は、印刷回路材料、例えば印刷回路基板（ＰＣＢ）１４として図１乃至図４Ｄに示したともので製作してある。ＰＣＢ１４は、積層体１２を支持するＰＣＢ１４の単一面１５上に形成した相互に電気的に絶縁した幾つかの導体１６を含む。一部実施形態では、これらの導体１６は図１に示した二つの対向端２０等のＰＣＢ１４の端部２０の少なくとも一つの凹部１８を覆って延びている。第１のダイ８と第２のダイ１０は、ボンディングワイヤ４等の接続具を用いてＰＣＢ１４上の対応導体１６に電気的に接続してある。
積層体１２と関連するボンディングワイヤ４は不透明被包体６内に被包してあり、図２に示す完成したオプトカプラ２を形成している。ＰＣＢ１４の端部２０上の導体部分は露出させたままであり、オプトカプラ２用の外部接点として役立つ。使用期間中、オプトカプラ２はオプトカプラ２の外部接点が第２のＰＣＢ（図示せず）上の対応導体に接触した状態で第２のＰＣＢ上に表面実装する。接点と対応導体は、例えば従来技術（図示せず）に公知であるように、その上にオプトカプラ２を装着した第２のＰＣＢを半田リフロー工程に通し、半田により電気的に接続される。
図４Ａを参照するに、第１のオプトカプラ２Ａ内の第１のダイ８は光受信器ダイ８Ｒであり、その一側はＰＣＢ１４に直接取り付けてＰＣＢ１４に積層体１２を支持させている。その結果、第２のダイ１０は光送信器ダイ１０Ｔとなり、透光性材料の３層１１、１３、６２を両者間に挟持した状態で光受信器ダイ８Ｒの他側に取り付ける。この第１のオプトカプラ２Ａの光送信器ダイ１０は、背面発光ＬＥＤダイ１０Ｔである。光発光面上に接続パッドを有する典型的な前面発光ＬＥＤと異なり、この種の背面発光ＬＥＤダイ１０Ｔは図４Ａに示したＬＥＤダイ１０Ｔの発光面２２の反対側にある面２４上に接続パッド２６を有する。光受信器ダイ８Ｒは典型的な前面受光型光受信器ダイであり、光受信器ダイ８Ｒの感光面２８上に接続パッド６４を有する。背面発光ＬＥＤダイ１０Ｔが発する光信号は光送信層１１、１３、６２を介して伝搬し、光受信器ダイ８Ｒの感光面２８に達する。
図４Ｂを参照するに、第２のオプトカプラ２Ｂ内の第１のダイ８もまた第１のオプトカプラ２Ａのそれに類似の光受信器ダイ８Ｒである。しかしながら、第２のダイ１０は前面発光ＬＥＤ型の光送信器ダイ１０Ｔである。この型のＬＥＤダイは、接続パッド２６もまた形成する発光面３０を有する。この第２のオプトカプラ２Ｂはさらに透光性導光体３２を含み、これが光送信器ダイ１０Ｔの少なくとも一部と光受信器ダイ８Ｒの少なくとも一部を覆い、光送信器第１０Ｔから送信された光信号（矢印Ｙで示す）を光受信器ダイへ案内する。透光性導光体３２は、反射により光信号を案内する。第２のオプトカプラ２Ｂでは、３層１１、１３、６２を透光性とする必要はない。
図４Ｃを参照するに、第３のオプトカプラ２Ｃの第１のダイ８は光送信器ダイ８Ｔであり、その一側はＰＣＢ１４に直接取り付けてあり、かくしてＰＣＢ１４を積層体１２に支持させてある。第２のダイ１０は、光送信器ダイの反対側に取り付けた典型的な前面受光型光受信器ダイ１０Ｒである。この第３のオプトカプラ２Ｃは透光性導光体３２も含み、これが光送信器ダイから送信された光信号（矢印Ｙで示す）を光受信器ダイ１０Ｒへ案内する。透光性導光体３２は、反射により光信号を案内する。本実施形態でもまた、光送信器ダイ８Ｔと光受信器ダイ１０Ｒの間の３層の材料１１、１３、６２を透光性とする必要はない。
図４Ｄを参照するに、第４のオプトカプラ２Ｄ内の第１のダイ８は光送信器ダイ８Ｔであり、その一側は第３のカプラ２Ｃのそれと同様、ＰＣＢ１４に直接取り付けてある。しかしながら、第２のダイ１０は接続パッド２６を形成した面３６とは反対側の感光面３４を有する背面受光型の光受信器ダイである。第２のダイ１０Ｒは、感光面３４を光送信器ダイ８Ｔに直接対向させた状態で光送信器ダイ８Ｔに取り付けてある。光送信器ダイ８Ｔは、３層の透光性材料１１、１３、６２を介して光受信器ダイ１０Ｒの感光面３４へ矢印Ｙで示す光信号を直接送信する。
図５を参照するに、図４Ａ乃至図４Ｄのオプトカプラ２Ａ〜２Ｄの製造方法４０は、開始ステップ４１にて始まり、その後に基板配設ステップ４２へ進み、そこでＰＣＢ１４（その表面部分を図６に図示）等の基板がそこに複数のオプトカプラ２Ａ〜２Ｄを形成すべく配設される。ＰＣＢ１４は、図６の切断線４６により示したそれらの境界に沿って相接する複数のＰＣＢ装置４４を含む。各ＰＣＢ装置４４は、単一のオプトカプラ２Ａ〜２Ｄの組み立てに用いる。本方法４０は次に導体形成ステップ４８へ進み、そこで各オプトカプラ２Ａ〜２Ｄ用の相互に電気的に絶縁された導体をフォトリソグラフィやエッチング等の任意の従来技法によりＰＣＢ１４の表面１５に形成する。各オプトカプラ２Ａ〜２Ｄの用の導体１６は、例えば図１と図６に示したパターンに従って形成することができる。
本方法４０は次にビア形成ステップ５０へ進み、そこで切断線４６で示したＰＣＢ装置４４の境界沿いにビア５２を形成する。これらのビア５２は、ＰＣＢ１４の一側の導体１６からＰＣＢ１４下敷き材料を介してＰＣＢ１４の他側へかけて形成する。ビア５２は、打ち抜き加工や穿孔や直接レーザ刻設等の従来の任意の技法を用いて形成することができる。ビア５２の開口部は円形形状とし、ＰＣＢ１４を切断しＰＣＢ装置４４に分離する次に用いる鋸（図示せず）の幅よりも広い直径とすることができる。ビア５２を形成した後、ビア５２はビアの金属メッキステップ５４にて従来の任意の技法を用い導電金属でもってメッキする。各ビア５２内の金属メッキはその関連する導体１６へ電気的に接続され、それによって導体１６をＰＣＢ装置４４の端部２０へ電気的に振り分ける。
本方法４０は次に第１ダイの取り付けステップ５６へ進み、ここでは第１のダイ８は、任意の従来のダイ取り付け技術を用いて各ＰＣＢ装置に取り付け或いは装着される。この第１のダイ８は、前述のオプトカプラ２Ａ〜２Ｄの実施形態をいずれの上に組み立てるかに応じて光送信器ダイ又は光受信器ダイのいずれかとすることができる。第１のダイ８には、随意選択的に第１のダイ８の第１の側の接地面を含めることができる。第１のダイ８は、この接地面を対応ＰＣＢ装置４４の導体１６の一つの面に直接取り付けた状態で導電性銀エポキシ層を用いてその対応するＰＣＢ装置４４に装着し、それによって接地面を導体１６に電気的に接続することができる。第１のダイ８をこのように対応ＰＣＢ装置４４に装着することで、オプトカプラ２Ａ〜２Ｄの使用期間中に第１のダイ８に発生する熱は接地面とそこに接続した導体１６を介して放散される。
第１のダイ８は、第１の側とは反対側の第１のダイ８の第２の側に配置した透光性不動態化層すなわち電気的絶縁層１１を含む。この絶縁層１１は通常、複数の第１のダイ８を有する適当にマスク処理したウェーハ上に予製作或いは予形成されて第１のダイ８を同時被覆する。絶縁層は通常、酸化プロセスを用いてウェーハ上に形成する。ウェーハは単一親子集合化させて個別の第１のダイ８を生成する。この絶縁層１１は、二酸化ケイ素か窒化ケイ素かベンゾシクロブテン（ＢＯＢ）か他の任意の絶縁材料とすることができる。前述の第１及び第４のオプトカプラ２Ａ、２Ｄを製作するため、この不動態化層すなわち絶縁層１１は透光性として光がそこを透過するようにしてある。第１のダイ８は、不動態化層１１上に配置して遮断層１３として機能させる一体形成した最外部遮断層１３を随意選択的に含む。この遮断層は例えば第１のダイ８のウェーハ上の遮断層１１上にスピンコートし、第１のダイ８を単一親子集合化させる前に第１のダイ８のそれぞれの上に絶縁層１１を同時被覆することができる。こうして一体形成した後、この最外部遮断層１３は第１のオプトカプラ２Ａや第４のオプトカプラ２Ｄ用に透光性ポリイミドで製作することができる。
或いは、遮断層１３は、本方法４０の随意選択的な遮断層取り付けステップ５８において第１のダイ８に取り付けるガラスかポリイミドか所定の肉厚の他の適当な任意の透光性材料の個別層とすることができる。この種のステップ５８は、例えば先ず第１のダイ８の絶縁層１１上に第２の固定層１７を配置し、続いて第２の固定層１７上に個別遮断層１３を配置するダイ取り付け作業を用いて遂行することができる。第２の固定層１７は、ダイ取り付け作業中に１００〜１７５℃の温度に設定した炉内で約０．５〜２時間加熱硬化させ、遮断層１３がダイ２の固定層１７に堅固に取り付くようにする。
本方法４０は次に例えばもう一度ダイ取り付け作業を用いる第２のダイ取り付けステップ６０へ進み、この作業は先ず遮断層１３上への第１の固定層６２の配置と、これに続く第１の固定層６２上への第２のダイ１０の配置を含む。同様に、第１の固定層６２を加熱硬化させ、これにより第２のダイ１０を遮断層１３へ堅固に取り付ける。こうして、第２のダイ１０は各ＰＣＢ装置４４上に固定的に取り付け或いは装着され、二つのダイ８、１０の積層体１２を形成する。固定層１７、６２は、第１と第４のオプトカプラ２Ａ、２Ｄに対し透光性である。第１のダイ８を光送信器ダイとした場合、第２のダイ１０は光受信器ダイとなる。しかしながら、第１のダイ８を光受信器ダイとした場合、そのときは第２のダイ１０は光送信器ダイとなる。第２のダイ１０は第１のダイ８よりも小さく、このため第２のダイ１０を第１のダイ８に取り付けたときに、第１のダイ８上の接続パッド６４はダイ２のダイ１０によって被覆されず、少なくとも一部が露出したままとなる。第１のダイ８と第２のダイ１０は、光学的に結合される。
ダイ８、１０を装着した後、本方法４０は導体へのダイ接続ステップ６６へ進む。このステップ６６において、各ＰＣＢ装置４４上の第１のダイ８と第２のダイ１０の接続パッド２６、６４は、接続具を用いて対応ＰＣＢ装置４４のそれらの対応する導体１６へ電気的に接続する。これらの接続具は、例えばボンディングワイヤ４でよい。
その後、オプトカプラを前述した第２及び第３のオプトカプラ２Ｂ、２Ｃ型で組み立てるとするならば、本方法４０は別の随意選択的な導光体形成ステップ６８へ進む。このステップ６８では、透光性導光体３２を設け各ＰＣＢ装置４４上のダイ８、１０の少なくとも一部を被覆し、これにより光送信器ダイから発光すなわち送信された光を透光性導光体３２により光受信器ダイの感光面へ反射させるようにする。この透光性導光体３２は一滴の透光性シリコンゴムを用いて形成することができ、このシリコンゴムはその形成後の導光体露出面に白色反射層（図示せず）、例えば当業者には公知の二酸化チタンを混合したシリコンゴムを用いて被覆することができる。この透光性導光体３２は、第１及び第４のオプトカプラ２Ａ、２Ｄの場合に該当する如く、光送信器ダイが光受信器ダイの感光面に直接対向する場合は不要である。
本方法４０は次に被包ステップ７０に進み、そこで関連するボンディングワイヤ４と透光性導光体３２が各ＰＣＢ装置４４上に存在する場合は、従来の任意のトランスファー成形技術を用いトランスファー成形化合物を使用して積層体１２を被包する。本方法４０は次に、ＰＣＢ装置分離ステップ７２へ進み、そこでＰＣＢ１４はビア５２を通る切断線４６沿いに切断し、図２にその一つを示す個別オプトカプラ２Ａ〜２Ｄを形成する。切断によりビア５６内に金属メッキが露出し、各ＰＣＢ装置４４の少なくとも一端部２０の凹部１８に導体が形成される。本方法４０は、最後に終了ステップ７４で終わる。
本発明になるオプトカプラは、頑丈である。それらは、強度と信頼性をもたらす剛性基板を含む。それらは、高い歩留りを有する工程におけるごく僅かなステップでもって簡単かつ経済的に製造することができる。それらは、非常に小さな底面積を有する。
本発明は上記の実施形態に実装したものとして説明したが、本発明は斯く限定するものと解釈してはならない。例えば、光送信器ダイと光受信器ダイは、光送信器ダイの発光面が所定の角度、例えば光受信器ダイの感光面に対し直角に配置されるよう配設することができる。なお、本発明の広汎な実施に鑑み、本発明の実施態様の幾つかを下記して参考に供する。
（実施態様１）： 光送信器と、光受信器と、前記光送信器と前記光受信器の間にあって、該光送信器と該光受信器を取り付けて光学的に結合し積層体を形成する少なくとも３層の材料とを備えることを特徴とするオプトカプラ。
（実施態様２）： 前記少なくとも３層の材料は、透光性であって、絶縁層と、固定層と、前記絶縁層と前記固定層の間の遮断層とを備えることを特徴とする実施態様１記載のオプトカプラ。
（実施態様３）： 前記絶縁層は、二酸化ケイ素と窒化ケイ素とベンゾシクロブテン層のうちの一つを備え、前記固定層はエポキシ層を備え、前記遮断層はガラス層とポリイミド層のうちの一つを備えることを特徴とする実施態様２記載のオプトカプラ。
（実施態様４）： 前記絶縁層は前記光受信器に一体的に形成してあり、前記固定層が前記光送信器を前記遮断層に取り付けていることを特徴とする実施態様２記載のオプトカプラ。
（実施態様５）： 前記固定層は前記光受信器の一体形成部分であることを特徴とする実施態様４記載のオプトカプラ。
（実施態様６）： 前記絶縁層と前記遮断層の間に別の透光性固定層をさらに備え、前記別の固定層が前記遮断層を前記絶縁層に取り付けることを特徴とする実施態様２記載のオプトカプラ。
（実施態様７）： 前記光送信器の少なくとも一部と前記光受信器の少なくとも一部を覆い、前記光送信器からの光信号を前記光受信器へ案内する透光性導光体をさらに備えることを特徴とする実施態様１記載のオプトカプラ。
（実施態様８）： 前記光送信器は前面発光ダイオードを備え、前記透光性導光体は前記前面発光ダイオードにより前記光受信器へ送信された光信号を反射する反射面を備えることを特徴とする実施態様７記載のオプトカプラ。
（実施態様９）： 前記積層体を支持する基板をさらに備え、該基板が前記光送信器と前記光受信器とに電気的に接続した複数の互いに電気的に絶縁した導体を有することを特徴とする実施態様１記載のオプトカプラ。
（実施態様１０）： 前記光送信器と前記光受信器を被包する被包体をさらに備える、
ことを特徴とする実施態様９記載のオプトカプラ。
ことを特徴とする実施態様９記載のオプトカプラ。
（実施態様１１）： 第１のダイ上に絶縁層を配置するステップと、前記絶縁層上に遮断層を配置するステップと、前記遮断層上に固定層を配置するステップと、前記固定層上に第２のダイを配置するステップとを有することを特徴とするオプトカプラ製造方法。
（実施態様１２）： 前記絶縁層と前記遮断層と前記固定層は透光性であることを特徴とする実施態様１１記載のオプトカプラ製造方法。
（実施態様１３）： 前記透光性絶縁層は二酸化ケイ素と窒化ケイ素とベンゾシクロブテン層の一つを備え、前記透光性遮断層はエポキシ層を備え、前記透光性固定層はガラス層とポリイミド層のうちの一方を有することを特徴とする実施態様１１記載のオプトカプラ製造方法。
（実施態様１４）： 第１のダイ上に絶縁層を配置する前記ステップは、前記第１のダイを得る該第１のダイのウェーハ上に絶縁層を形成するステップを有することを特徴とすね実施態様１１記載のオプトカプラ製造方法。
（実施態様１５）： 前記絶縁層上に遮断層を配置する前記ステップは、前記ウェーハ上に前記絶縁層を形成した後に前記絶縁層上に遮断層をスピンコートするステップを有することを特徴とする実施態様１４記載のオプトカプラ製造方法。
（実施態様１６）： 前記絶縁層上に遮断層を配置する前記ステップは、前記遮断層を配置する前に前記遮断層を配置するためのもう１つの固定層を前記絶縁層上に配置するステップを有する実施態様１１記載のオプトカプラ製造方法。
（実施態様１７）： 前記第１のダイの少なくとも一部及び前記第２のダイの少なくとも一部を覆って、前記第１のダイと前記第２のダイの間で光信号を案内する透光性導光体を形成するステップをさらに有する実施態様１１記載のオプトカプラ製造方法。
（実施態様１８）： 基板上に複数の互いに電気的に絶縁した導体を有する該基板上に第１のダイを搭載するステップと、前記第１のダイと前記第２のダイを対応する前記導体に電気的に接続するステップをさらに有する実施態様１１記載のオプトカプラ製造方法。
（実施態様１９）： 前記第１のダイと前記第２のダイを被包体内に被包するステップをさらに有する実施態様１８記載のオプトカプラ製造方法。
（実施態様２０）： 該基板上に第１のダイを搭載する前記ステップが、前記第１のダイを複数の相接する基板装置のうちの一つに装着するステップを有するとともに、前記複数の相接する基板装置の一つを他の前記基板装置から切り離すステップをさらに有する実施態様１８記載のオプトカプラ製造方法。
２ オプトカプラ
８ ダイ
８Ｒ 光受信器ダイ
１０ 第２のダイ
１０Ｔ 光送信器ダイ
１１ 不動態化層すなわち電気的絶縁層
１２ 一体型積層体
１３ 遮断層
１４ 印刷回路基板（ＰＣＢ）
１５ 単一面
１６ 導体
１７ 第２の接続層すなわち固定層
１８ 凹部
２０ 端部
２６ 接続パッド
２８ 感光面
２Ａ 第１のオプトカプラ
２Ｂ 第２のオプトカプラ
２Ｃ 第３のオプトカプラ
２Ｄ 第４のオプトカプラ
３２ 透光性導光体
３４ 感光面
３６ 面
４４ ＰＣＢ装置
４６ 切断線
５２ ビア
６２ 第１の接続層すなわち固定層
８ ダイ
８Ｒ 光受信器ダイ
１０ 第２のダイ
１０Ｔ 光送信器ダイ
１１ 不動態化層すなわち電気的絶縁層
１２ 一体型積層体
１３ 遮断層
１４ 印刷回路基板（ＰＣＢ）
１５ 単一面
１６ 導体
１７ 第２の接続層すなわち固定層
１８ 凹部
２０ 端部
２６ 接続パッド
２８ 感光面
２Ａ 第１のオプトカプラ
２Ｂ 第２のオプトカプラ
２Ｃ 第３のオプトカプラ
２Ｄ 第４のオプトカプラ
３２ 透光性導光体
３４ 感光面
３６ 面
４４ ＰＣＢ装置
４６ 切断線
５２ ビア
６２ 第１の接続層すなわち固定層
Claims (17)
- 光送信器と、
光受信器と、
前記光送信器と前記光受信器の間にあって、該光送信器と該光受信器を取り付けて結合し積層体を形成する少なくとも３層の材料と、
前記光送信器の少なくとも一部と前記光受信器の少なくとも一部を覆い、前記光送信器からの光信号を前記光受信器へ案内する透光性導光体とを備え、
前記光送信器は前面発光ダイオードを備え、
前記透光性導光体は前記前面発光ダイオードにより送信された光信号を前記光受信器へ反射する反射面を備え、その反射面が白色反射層により被覆されていることを特徴とするオプトカプラ。 - 前記少なくとも３層の材料のいずれかは、不透光性であって、絶縁層と、固定層と、前記絶縁層と前記固定層の間の遮断層とを備えることを特徴とする請求項１記載のオプトカプラ。
- 前記絶縁層はベンゾシクロブテン層を備え、
前記固定層はエポキシ層を備え、
前記遮断層はガラス層を備える、
ことを特徴とする請求項１記載のオプトカプラ。 - 前記絶縁層は前記光受信器に一体的に形成してあり、
前記固定層が前記光送信器を前記遮断層に取り付けている、
ことを特徴とする請求項２記載のオプトカプラ。 - 前記固定層は前記光受信器の一体形成部分であることを特徴とする請求項４記載のオプトカプラ。
- 前記絶縁層と前記遮断層の間に別の固定層をさらに備え、
前記別の固定層が前記遮断層を前記絶縁層に取り付ける、
ことを特徴とする請求項２記載のオプトカプラ。 - 前記積層体を支持する基板をさらに備え、
該基板が、前記光送信器と前記光受信器とに電気的に接続した、複数の互いに電気的に絶縁した導体を有する、
ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のオプトカプラ。 - 前記光送信器と前記光受信器を被包する被包体をさらに備えることを特徴とする請求項７記載のオプトカプラ。
- 第１のダイ上に絶縁層を配置するステップと、
前記絶縁層上に遮断層を配置するステップと、
前記遮断層上に固定層を配置するステップと、
前記固定層上に第２のダイを配置するステップと、
前記第１のダイの少なくとも一部及び前記第２のダイの少なくとも一部を覆って、前記第１のダイと前記第２のダイの間で光信号を案内する透光性導光体を形成するステップとを有し、
前記透光性導光体を形成するステップの後に、形成後の前記透光性導光体の露出面に、前記前面発光ダイオードにより送信された光信号を前記光受信器へ反射する反射面を形成するステップを、さらに備え、
前記反射面を形成するステップが白色反射層により被覆されることを含むことを特徴とするオプトカプラ製造方法。 - 前記絶縁層と前記遮断層と前記固定層の少なくともいずれかは不透光性であることを特徴とする請求項９記載のオプトカプラ製造方法。
- 前記絶縁層はベンゾシクロブテン層を備え、
前記遮断層はエポキシ層を備え、
前記固定層はガラス層を備える、
ことを特徴とする請求項９記載のオプトカプラ製造方法。 - 第１のダイ上に絶縁層を配置する前記ステップは、前記第１のダイを得る該第１のダイのウェーハ上に絶縁層を形成するステップを有することを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載のオプトカプラ製造方法。
- 前記絶縁層上に遮断層を配置する前記ステップは、前記ウェーハ上に前記絶縁層を形成した後に前記絶縁層上に遮断層をスピンコートするステップを有することを特徴とする請求項１２記載のオプトカプラ製造方法。
- 前記絶縁層上に遮断層を配置する前記ステップは、前記遮断層を配置する前に前記遮断層を配置するためのもう１つの固定層を前記絶縁層上に配置するステップを有することを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載のオプトカプラ製造方法。
- 基板上に複数の互いに電気的に絶縁した導体を有する該基板上に第１のダイを搭載するステップと、
前記第１のダイと前記第２のダイを対応する前記導体に電気的に接続するステップと、
をさらに有することを特徴とする請求項９ないし１４のいずれかに記載のオプトカプラ製造方法。 - 前記第１のダイと前記第２のダイを被包体内に被包するステップをさらに有することを特徴とする請求項１５記載のオプトカプラ製造方法。
- 該基板上に第１のダイを搭載する前記ステップが、前記第１のダイを複数の相接する基板装置のうちの一つに装着するステップを有するとともに、前記複数の相接する基板装置の一つを他の前記基板装置から切り離すステップをさらに有することを特徴とする請求項１５記載のオプトカプラ製造方法。
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