JPH10300990A - 光結合半導体装置 - Google Patents
光結合半導体装置Info
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- JPH10300990A JPH10300990A JP10486997A JP10486997A JPH10300990A JP H10300990 A JPH10300990 A JP H10300990A JP 10486997 A JP10486997 A JP 10486997A JP 10486997 A JP10486997 A JP 10486997A JP H10300990 A JPH10300990 A JP H10300990A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光素子と受光素子間に生じる浮遊容量を低
減させ、安定した光伝達効率を保持できる光結合半導体
装置を提供する。 【解決手段】 第１のリードフレーム１の第１ヘッダー
部１ａに搭載された発光素子３と、第２のリードフレー
ム２の第２ヘッダー部２ａに搭載された受光素子４とを
光学的に光路を形成するインナーパッケージ１０でモー
ルドし、このインナーパッケージ１０の外側にアウタパ
ッケージ１１を形成し、第１および第２ヘッダー部１
ａ、２ａの各々の素子搭載面を対面しない状態に配置
し、かつ、インナーパッケージ１０の表面に、発光素子
３の表面発光光Ｌ１および側面発光光Ｌ２を反射して受
光素子３に導く反射面１３、１４を形成してなる。
減させ、安定した光伝達効率を保持できる光結合半導体
装置を提供する。 【解決手段】 第１のリードフレーム１の第１ヘッダー
部１ａに搭載された発光素子３と、第２のリードフレー
ム２の第２ヘッダー部２ａに搭載された受光素子４とを
光学的に光路を形成するインナーパッケージ１０でモー
ルドし、このインナーパッケージ１０の外側にアウタパ
ッケージ１１を形成し、第１および第２ヘッダー部１
ａ、２ａの各々の素子搭載面を対面しない状態に配置
し、かつ、インナーパッケージ１０の表面に、発光素子
３の表面発光光Ｌ１および側面発光光Ｌ２を反射して受
光素子３に導く反射面１３、１４を形成してなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光結合半導体装置
に関し、詳しくは、リードフレームに搭載された発光素
子と受光素子が樹脂モールドされた光結合半導体装置に
関する。
に関し、詳しくは、リードフレームに搭載された発光素
子と受光素子が樹脂モールドされた光結合半導体装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図６（ａ）および（ｂ）に、従来の２層
モールドタイプの光結合半導体装置の例を示している。
あらかじめ折り曲げ成形された金属製の第１のリードフ
レーム１および第２のリードフレーム２の各々の第１ヘ
ッダー部１ａおよび第２ヘッダー部２ａに発光素子３お
よび受光素子４を各々個別にダイボンドし、各素子３、
４と各リードフレーム１、２とを金線１２等でワイヤボ
ンドを施す。これにより、各素子３、４は第１ヘッダー
部１ａおよび第２ヘッダー部２ａに搭載される。発光素
子３には応力緩和用としてシリコーン樹脂９のプリコー
トを施す。
モールドタイプの光結合半導体装置の例を示している。
あらかじめ折り曲げ成形された金属製の第１のリードフ
レーム１および第２のリードフレーム２の各々の第１ヘ
ッダー部１ａおよび第２ヘッダー部２ａに発光素子３お
よび受光素子４を各々個別にダイボンドし、各素子３、
４と各リードフレーム１、２とを金線１２等でワイヤボ
ンドを施す。これにより、各素子３、４は第１ヘッダー
部１ａおよび第２ヘッダー部２ａに搭載される。発光素
子３には応力緩和用としてシリコーン樹脂９のプリコー
トを施す。
【０００３】発光素子３および受光素子４がダイボンド
されたリードフレーム１、２をスポット溶接またはロー
ディングフレームセットすることにより、発光素子３お
よび受光素子４が相対向するように位置決めする。これ
により、第１ヘッダー部１ａおよび第２ヘッダー部２ａ
の素子搭載面は平行状態で対面している（以下、この状
態を平行対面と称す）。
されたリードフレーム１、２をスポット溶接またはロー
ディングフレームセットすることにより、発光素子３お
よび受光素子４が相対向するように位置決めする。これ
により、第１ヘッダー部１ａおよび第２ヘッダー部２ａ
の素子搭載面は平行状態で対面している（以下、この状
態を平行対面と称す）。
【０００４】そして、発光素子３から受光素子４への光
路を形成するように透光性エポキシ樹脂により一次トラ
ンスファーモールドを行うことにより、インナーパッケ
ージ１０を形成し、バリ取り処理を施したあと、外乱光
入光防止、および光漏れがなく光信号伝達ができるよう
に遮光性エポキシ樹脂で二次トランスファーモールドを
行い、アウタパッケージ１１を形成する。
路を形成するように透光性エポキシ樹脂により一次トラ
ンスファーモールドを行うことにより、インナーパッケ
ージ１０を形成し、バリ取り処理を施したあと、外乱光
入光防止、および光漏れがなく光信号伝達ができるよう
に遮光性エポキシ樹脂で二次トランスファーモールドを
行い、アウタパッケージ１１を形成する。
【０００５】さらに、各リードフレーム１、２の外装メ
ッキ、タイバーカットして光結合半導体装置Ａが製造さ
れる。図６（ｂ）において、発光素子３から出射する表
面発光光Ｌ１は受光素子４に直接入射するようになって
いる。図７（ａ）および（ｂ）に、従来の１層モールド
タイプの光結合半導体装置の例を示している。
ッキ、タイバーカットして光結合半導体装置Ａが製造さ
れる。図６（ｂ）において、発光素子３から出射する表
面発光光Ｌ１は受光素子４に直接入射するようになって
いる。図７（ａ）および（ｂ）に、従来の１層モールド
タイプの光結合半導体装置の例を示している。
【０００６】１層モールドタイプにおいては、図６のイ
ンナーパッケージ１０の代わりにシリコーン樹脂６にて
発光素子３と受光素子４の間に光路を形成（ドッキン
グ）したあと、遮光性エポキシ樹脂でトランスファーモ
ールドを行い、アウタパッケージ１１を形成する。その
後リードフレーム１，２の外装メッキ、以下前記２層モ
ールドタイプと同様の工程で光結合半導体装置Ａが製造
される。
ンナーパッケージ１０の代わりにシリコーン樹脂６にて
発光素子３と受光素子４の間に光路を形成（ドッキン
グ）したあと、遮光性エポキシ樹脂でトランスファーモ
ールドを行い、アウタパッケージ１１を形成する。その
後リードフレーム１，２の外装メッキ、以下前記２層モ
ールドタイプと同様の工程で光結合半導体装置Ａが製造
される。
【０００７】図７（ｂ）において、発光素子３から出射
する表面発光光Ｌ１は受光素子４に直接入射すると共
に、発光素子３側面から出る側面発光光Ｌ２はシリコー
ン樹脂６の表面７（アウタパッケージ１１との境界）に
達し、ここで反射されて受光素子４に入射する。
する表面発光光Ｌ１は受光素子４に直接入射すると共
に、発光素子３側面から出る側面発光光Ｌ２はシリコー
ン樹脂６の表面７（アウタパッケージ１１との境界）に
達し、ここで反射されて受光素子４に入射する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の光結
合半導体装置は、上述のように発光素子３と受光素子４
とが対向するように配置されるため、必然的に第１ヘッ
ダー部１ａおよび第２ヘッダー部２ａの素子搭載面も平
行対面配置となる。このようにヘッダー部１ａおよび２
ａを平行対面配置して遮光性エポキシ樹脂によるアウタ
パッケージ１１で封止すると、必然的にヘッダー部１ａ
と２ａ間に浮遊容量（静電容量）が生じる。このような
浮遊容量があると、発光素子３と受光素子４間の動作電
位が急激に変化した場合、発光素子３に入力信号がなく
光信号が発せられないにもかかわらず受光素子４側に変
位電流が流れ、誤動作するという問題がある。
合半導体装置は、上述のように発光素子３と受光素子４
とが対向するように配置されるため、必然的に第１ヘッ
ダー部１ａおよび第２ヘッダー部２ａの素子搭載面も平
行対面配置となる。このようにヘッダー部１ａおよび２
ａを平行対面配置して遮光性エポキシ樹脂によるアウタ
パッケージ１１で封止すると、必然的にヘッダー部１ａ
と２ａ間に浮遊容量（静電容量）が生じる。このような
浮遊容量があると、発光素子３と受光素子４間の動作電
位が急激に変化した場合、発光素子３に入力信号がなく
光信号が発せられないにもかかわらず受光素子４側に変
位電流が流れ、誤動作するという問題がある。
【０００９】また、図７の１層モールドタイプの光結合
半導体装置では、発光素子３から発せられた光はシリコ
ーン樹脂６の表面で乱反射されながら受光素子４へ届く
が、光路となるシリコーン樹脂６が硬化時や封止材成形
時に不安定な形状に成形されるため、光信号伝達効率が
低減またはばらつくという問題がある。
半導体装置では、発光素子３から発せられた光はシリコ
ーン樹脂６の表面で乱反射されながら受光素子４へ届く
が、光路となるシリコーン樹脂６が硬化時や封止材成形
時に不安定な形状に成形されるため、光信号伝達効率が
低減またはばらつくという問題がある。
【００１０】一般に図６のインナーパッケージ１０の表
面は、金型加工費用や離型性の上から梨地加工されてお
り、このようにインナーパッケージ１０の表面が梨地の
場合、光信号は梨地の部分で減衰するため、光信号伝達
効率が低減またはばらつくという現象はさらに顕著にな
る。
面は、金型加工費用や離型性の上から梨地加工されてお
り、このようにインナーパッケージ１０の表面が梨地の
場合、光信号は梨地の部分で減衰するため、光信号伝達
効率が低減またはばらつくという現象はさらに顕著にな
る。
【００１１】さらにまた、図７のシリコーン樹脂６とア
ウタパッケージ１１を構成する遮光性エポキシ樹脂との
境界で界面剥離８が生じやすく、この界面剥離８の箇所
で光が減衰するという問題もある。本発明は、このよう
な問題に鑑みてなされたものであって、その目的とする
ところは、特に、発光素子と受光素子間に生じる浮遊容
量を低減させ、安定した光伝達効率を保持できる光結合
半導体装置を提供することである。
ウタパッケージ１１を構成する遮光性エポキシ樹脂との
境界で界面剥離８が生じやすく、この界面剥離８の箇所
で光が減衰するという問題もある。本発明は、このよう
な問題に鑑みてなされたものであって、その目的とする
ところは、特に、発光素子と受光素子間に生じる浮遊容
量を低減させ、安定した光伝達効率を保持できる光結合
半導体装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するべ
く、本発明は、第１リードフレームの第１ヘッダー部に
搭載された発光素子と、第２リードフレームの第２ヘッ
ダー部に搭載された受光素子とが光学的に光路を形成す
るインナーパッケージでモールドされ、該インナーパッ
ケージの外側にアウタパッケージが形成されている光結
合半導体装置において、前記第１ヘッダー部および第２
ヘッダー部の各々の素子搭載面が対面しない状態に配置
され、かつ、前記インナーパッケージの表面に前記発光
素子の表面発光光および／または側面発光光を反射して
前記受光素子に導く反射面が形成されていることを特徴
としている。
く、本発明は、第１リードフレームの第１ヘッダー部に
搭載された発光素子と、第２リードフレームの第２ヘッ
ダー部に搭載された受光素子とが光学的に光路を形成す
るインナーパッケージでモールドされ、該インナーパッ
ケージの外側にアウタパッケージが形成されている光結
合半導体装置において、前記第１ヘッダー部および第２
ヘッダー部の各々の素子搭載面が対面しない状態に配置
され、かつ、前記インナーパッケージの表面に前記発光
素子の表面発光光および／または側面発光光を反射して
前記受光素子に導く反射面が形成されていることを特徴
としている。
【００１３】そして、光結合半導体装置の具体的な態様
としては、前記第１ヘッダー部および第２ヘッダー部
は、互いに平行であり、かつ高さが異なるように配置さ
れており、あるいは、前記第１ヘッダー部および第２ヘ
ッダー部は、互いに平行であり、かつ同一平面に配置さ
れており、あるいはまた、前記第１ヘッダー部および第
２ヘッダー部は、互いに不平行に配置されていることを
特徴としている。さらに、前記反射面は、鏡面加工され
ていることを特徴としている。
としては、前記第１ヘッダー部および第２ヘッダー部
は、互いに平行であり、かつ高さが異なるように配置さ
れており、あるいは、前記第１ヘッダー部および第２ヘ
ッダー部は、互いに平行であり、かつ同一平面に配置さ
れており、あるいはまた、前記第１ヘッダー部および第
２ヘッダー部は、互いに不平行に配置されていることを
特徴としている。さらに、前記反射面は、鏡面加工され
ていることを特徴としている。
【００１４】前述の如く構成された本発明に係る光結合
半導体装置においては、発光素子から出る表面発光光お
よび側面発光光は、光路であるインナーパッケージを経
由して直接受光素子に向かい、あるいはインナーパッケ
ージ表面の反射面で反射されて受光素子に向かう。第１
および第２ヘッダー部の各々の素子搭載面が対面しない
状態に配置されているため、発光素子と受光素子間に生
じる浮遊容量を低減させ、安定した光伝達が可能とな
る。
半導体装置においては、発光素子から出る表面発光光お
よび側面発光光は、光路であるインナーパッケージを経
由して直接受光素子に向かい、あるいはインナーパッケ
ージ表面の反射面で反射されて受光素子に向かう。第１
および第２ヘッダー部の各々の素子搭載面が対面しない
状態に配置されているため、発光素子と受光素子間に生
じる浮遊容量を低減させ、安定した光伝達が可能とな
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。なお、図６および図７と同一部材
または同一機能のものは同一符号で示している。図１
は、本発明の第１実施の形態に係わる光結合半導体装置
を示している。図１（ａ）において、光結合半導体装置
Ａは、第１のリードフレーム１の第１ヘッダー部１ａに
ダイボンドされた発光素子３と、第２のリードフレーム
２の第２ヘッダー部２ａにダイボンドされた受光素子４
とを備えている。
に基づいて説明する。なお、図６および図７と同一部材
または同一機能のものは同一符号で示している。図１
は、本発明の第１実施の形態に係わる光結合半導体装置
を示している。図１（ａ）において、光結合半導体装置
Ａは、第１のリードフレーム１の第１ヘッダー部１ａに
ダイボンドされた発光素子３と、第２のリードフレーム
２の第２ヘッダー部２ａにダイボンドされた受光素子４
とを備えている。
【００１６】第１ヘッダー部１ａは第１リードフレーム
１の導出部１ｃから上方に折曲された折曲部１ｂを介し
て導出部１ｃと平行に折曲され、この第１ヘッダー部１
ａの上面に発光素子３がダイボンドされている。第２ヘ
ッダー部２ａは第２リードフレーム２の導出部２ｃから
下方に折曲された折曲部２ｂを介して導出部２ｃと平行
に折曲され、この第２ヘッダー部２ａの上面に受光素子
４がダイボンドされている。
１の導出部１ｃから上方に折曲された折曲部１ｂを介し
て導出部１ｃと平行に折曲され、この第１ヘッダー部１
ａの上面に発光素子３がダイボンドされている。第２ヘ
ッダー部２ａは第２リードフレーム２の導出部２ｃから
下方に折曲された折曲部２ｂを介して導出部２ｃと平行
に折曲され、この第２ヘッダー部２ａの上面に受光素子
４がダイボンドされている。
【００１７】第１ヘッダー部１ａおよび第２ヘッダー部
２ａは、互いに平行で、かつ、高さが異なる位置に配置
され、かつ各々の素子搭載面は上向きであって幅方向に
ずれた状態で配置されている。発光素子３にはシリコー
ン樹脂９がプリコートされ、透光性エポキシ樹脂により
インナーパッケージ１０が形成されている。透光性エポ
キシ樹脂としては、白色エポキシ樹脂または透明エポキ
シ樹脂が使用される。
２ａは、互いに平行で、かつ、高さが異なる位置に配置
され、かつ各々の素子搭載面は上向きであって幅方向に
ずれた状態で配置されている。発光素子３にはシリコー
ン樹脂９がプリコートされ、透光性エポキシ樹脂により
インナーパッケージ１０が形成されている。透光性エポ
キシ樹脂としては、白色エポキシ樹脂または透明エポキ
シ樹脂が使用される。
【００１８】インナーパッケージ１０の外側にアウタパ
ッケージ１１が形成されている。アウタパッケージ１１
としては、カーボンが含有されている黒色エポキシ樹
脂、あるいは酸化チタンが含有されている白色エポキシ
樹脂が使用される。但し、後述のようにインナーパッケ
ージ１０の反射面で光信号を反射させるため、この反射
を助長する上では酸化チタン含有の白色エポキシ樹脂が
好ましい。
ッケージ１１が形成されている。アウタパッケージ１１
としては、カーボンが含有されている黒色エポキシ樹
脂、あるいは酸化チタンが含有されている白色エポキシ
樹脂が使用される。但し、後述のようにインナーパッケ
ージ１０の反射面で光信号を反射させるため、この反射
を助長する上では酸化チタン含有の白色エポキシ樹脂が
好ましい。
【００１９】上記第１実施の形態の光結合半導体装置Ａ
は、以下のようにして製造される。あらかじめ折り曲げ
成形された第１のリードフレーム１の第１ヘッダー部１
ａおよび第２のリードフレーム２の第２ヘッダー部２ａ
に各々発光素子３および受光素子４を個別にダイボンド
し、各素子３、４とリードフレーム１、２とを金線１２
等によりワイヤボンドを施す。発光素子３にはシリコー
ン樹脂９によりプリコートを施す。
は、以下のようにして製造される。あらかじめ折り曲げ
成形された第１のリードフレーム１の第１ヘッダー部１
ａおよび第２のリードフレーム２の第２ヘッダー部２ａ
に各々発光素子３および受光素子４を個別にダイボンド
し、各素子３、４とリードフレーム１、２とを金線１２
等によりワイヤボンドを施す。発光素子３にはシリコー
ン樹脂９によりプリコートを施す。
【００２０】発光素子３および受光素子４がダイボンド
されたリードフレーム１、２を図１（ａ）の状態に重ね
合わせてフレーム組とし、このフレーム組を金型に準備
し、型締め後、透光性エポキシ樹脂を注入封止し、一次
トランスファーモールドを行うことにより、インナーパ
ッケージ１０を形成する。バリ取り処理を施したあと、
アウタパッケージ用の金型に準備し、型締め後、遮光性
エポキシ樹脂を注入封止してアウタパッケージ１１を形
成する。このアウタパッケージ１１により、外乱光入光
を阻止すると共に、光漏れがなく光信号伝達ができるよ
うになる。
されたリードフレーム１、２を図１（ａ）の状態に重ね
合わせてフレーム組とし、このフレーム組を金型に準備
し、型締め後、透光性エポキシ樹脂を注入封止し、一次
トランスファーモールドを行うことにより、インナーパ
ッケージ１０を形成する。バリ取り処理を施したあと、
アウタパッケージ用の金型に準備し、型締め後、遮光性
エポキシ樹脂を注入封止してアウタパッケージ１１を形
成する。このアウタパッケージ１１により、外乱光入光
を阻止すると共に、光漏れがなく光信号伝達ができるよ
うになる。
【００２１】その後、リードフレーム１、２の外装メッ
キ、タイバーカットして光結合半導体装置Ａが製造され
る。前記インナーパッケージ１０は不規則な多角形状を
なし、表面を鏡面加工することにより、発光素子３の光
を表面で反射させて受光素子４に導くようにしている。
第１実施の形態では、図１に示すように、第１反射面１
３と第２反射面１４とが上面に所定の傾斜角度をもって
形成されている。鏡面加工する部分はこの第１反射面１
３と第２反射面１４の部分だけでもよい（以下同じ）。
キ、タイバーカットして光結合半導体装置Ａが製造され
る。前記インナーパッケージ１０は不規則な多角形状を
なし、表面を鏡面加工することにより、発光素子３の光
を表面で反射させて受光素子４に導くようにしている。
第１実施の形態では、図１に示すように、第１反射面１
３と第２反射面１４とが上面に所定の傾斜角度をもって
形成されている。鏡面加工する部分はこの第１反射面１
３と第２反射面１４の部分だけでもよい（以下同じ）。
【００２２】図１（ｂ）は、発光素子３から受光素子４
に至る光路を示す図で、発光素子３から出る表面発光光
Ｌ１は第１反射面１３と第２反射面１４で反射されて受
光素子４に向かい、側面発光光Ｌ２は第２反射面１４で
反射されて受光素子４に向かうようになっている。
に至る光路を示す図で、発光素子３から出る表面発光光
Ｌ１は第１反射面１３と第２反射面１４で反射されて受
光素子４に向かい、側面発光光Ｌ２は第２反射面１４で
反射されて受光素子４に向かうようになっている。
【００２３】図２（ａ）は、本発明の第２実施の形態に
係わる光結合半導体装置を示している。第１ヘッダー部
１ａは第１リードフレーム１の導出部１ｃから下方に折
曲された折曲部１ｂを介して導出部１ｃと平行に折曲さ
れ、この第１ヘッダー部１ａの上面に発光素子３がダイ
ボンドされている。第２ヘッダー部２ａおよび受光素子
４の取り付けは図１の第１実施の形態と同一の構成であ
る。
係わる光結合半導体装置を示している。第１ヘッダー部
１ａは第１リードフレーム１の導出部１ｃから下方に折
曲された折曲部１ｂを介して導出部１ｃと平行に折曲さ
れ、この第１ヘッダー部１ａの上面に発光素子３がダイ
ボンドされている。第２ヘッダー部２ａおよび受光素子
４の取り付けは図１の第１実施の形態と同一の構成であ
る。
【００２４】第１ヘッダー部１ａおよび第２ヘッダー部
２ａは、互いに平行で同一高さで並行状態で配置され、
かつ各々の素子搭載面は上向きであって幅方向にずれた
状態で配置されている。
２ａは、互いに平行で同一高さで並行状態で配置され、
かつ各々の素子搭載面は上向きであって幅方向にずれた
状態で配置されている。
【００２５】インナーパッケージ１０の表面は、第１反
射面１３と第２反射面１４とが上面に所定の傾斜角度を
もって対称的に形成されている。図２（ｂ）において、
発光素子３から出る表面発光光Ｌ１は第１反射面１３と
第２反射面１４で反射されて受光素子４に向かい、側面
発光光Ｌ２は受光素子４に直接向かうようになってい
る。
射面１３と第２反射面１４とが上面に所定の傾斜角度を
もって対称的に形成されている。図２（ｂ）において、
発光素子３から出る表面発光光Ｌ１は第１反射面１３と
第２反射面１４で反射されて受光素子４に向かい、側面
発光光Ｌ２は受光素子４に直接向かうようになってい
る。
【００２６】図３（ａ）は、本発明の第３実施の形態に
係わる光結合半導体装置を示している。第１ヘッダー部
１ａは第１リードフレーム１の導出部１ｃから上方に折
曲された比較的長い折曲部１ｂを介して導出部１ｃと平
行に折曲され、この第１ヘッダー部１ａの下面に発光素
子３がダイボンドされている。第２ヘッダー部２ａおよ
び受光素子４の取り付けは図１の第１実施の形態と同一
の構成である。
係わる光結合半導体装置を示している。第１ヘッダー部
１ａは第１リードフレーム１の導出部１ｃから上方に折
曲された比較的長い折曲部１ｂを介して導出部１ｃと平
行に折曲され、この第１ヘッダー部１ａの下面に発光素
子３がダイボンドされている。第２ヘッダー部２ａおよ
び受光素子４の取り付けは図１の第１実施の形態と同一
の構成である。
【００２７】第１ヘッダー部１ａおよび第２ヘッダー部
２ａは、互いに平行で高さが異なる位置に配置され、か
つ各々の素子搭載面は反対方向であって幅方向にずれた
状態で配置されている。
２ａは、互いに平行で高さが異なる位置に配置され、か
つ各々の素子搭載面は反対方向であって幅方向にずれた
状態で配置されている。
【００２８】インナーパッケージ１０の表面は、第１反
射面１３と第２反射面１４とが上面と下面に所定の傾斜
角度をもって略平行に形成されている。図３（ｂ）にお
いて、発光素子３から出る表面発光光Ｌ１は下面の第１
反射面１３と上面の第２反射面１４で反射されて受光素
子４に向かい、側面発光光Ｌ２は第２反射面１４で反射
されて受光素子４に向かうと共に、側面発光光Ｌ２の直
接光も受光素子４に向かうようになっている。
射面１３と第２反射面１４とが上面と下面に所定の傾斜
角度をもって略平行に形成されている。図３（ｂ）にお
いて、発光素子３から出る表面発光光Ｌ１は下面の第１
反射面１３と上面の第２反射面１４で反射されて受光素
子４に向かい、側面発光光Ｌ２は第２反射面１４で反射
されて受光素子４に向かうと共に、側面発光光Ｌ２の直
接光も受光素子４に向かうようになっている。
【００２９】図４（ａ）は、本発明の第４実施の形態に
係わる光結合半導体装置を示している。第１ヘッダー部
１ａは第１のリードフレーム１の導出部１ｃから上方に
折曲された折曲部１ｂを介して導出部１ｃと平行に折曲
され、この第１ヘッダー部１ａの下面に発光素子３がダ
イボンドされている。
係わる光結合半導体装置を示している。第１ヘッダー部
１ａは第１のリードフレーム１の導出部１ｃから上方に
折曲された折曲部１ｂを介して導出部１ｃと平行に折曲
され、この第１ヘッダー部１ａの下面に発光素子３がダ
イボンドされている。
【００３０】第２ヘッダー部２ａは第２のリードフレー
ム２の導出部２ｃから上方に折曲された折曲部２ｂを介
して導出部２ｃと平行に折曲され、この第２ヘッダー部
２ａの下面に受光素子４がダイボンドされている。第１
ヘッダー部１ａおよび第２ヘッダー部２ａは、互いに平
行で同一高さで並行状態で配置され、かつ各々の素子搭
載面は下向きであって幅方向にずれた状態で配置されて
いる。
ム２の導出部２ｃから上方に折曲された折曲部２ｂを介
して導出部２ｃと平行に折曲され、この第２ヘッダー部
２ａの下面に受光素子４がダイボンドされている。第１
ヘッダー部１ａおよび第２ヘッダー部２ａは、互いに平
行で同一高さで並行状態で配置され、かつ各々の素子搭
載面は下向きであって幅方向にずれた状態で配置されて
いる。
【００３１】インナーパッケージ１０の表面は、発光素
子３の表面発光光Ｌ１を反射する第１反射面１３と第２
反射面１４とが下面に所定の傾斜角度をもって対称的に
形成されている。図４（ｂ）において、発光素子３から
出る表面発光光Ｌ１は下面の第１反射面１３と第２反射
面１４で反射されて受光素子４に向かい、側面発光光Ｌ
２の直接光が受光素子４に向かうようになっている。図
５（ａ）は、本発明の第５実施の形態に係わる光結合半
導体装置を示している。
子３の表面発光光Ｌ１を反射する第１反射面１３と第２
反射面１４とが下面に所定の傾斜角度をもって対称的に
形成されている。図４（ｂ）において、発光素子３から
出る表面発光光Ｌ１は下面の第１反射面１３と第２反射
面１４で反射されて受光素子４に向かい、側面発光光Ｌ
２の直接光が受光素子４に向かうようになっている。図
５（ａ）は、本発明の第５実施の形態に係わる光結合半
導体装置を示している。
【００３２】第１ヘッダー部１ａは、第１リードフレー
ム１の導出部１ｃから下方に折曲された折曲部１ｂを介
して導出部１ｃと平行に折曲され、この第１ヘッダー部
１ａの上面に発光素子３がダイボンドされている。第２
ヘッダー部２ａは、第２リードフレーム２の導出部２ｃ
から所定の角度をもって下方に折曲され、この第２ヘッ
ダー部２ａの上面に受光素子４がダイボンドされてい
る。
ム１の導出部１ｃから下方に折曲された折曲部１ｂを介
して導出部１ｃと平行に折曲され、この第１ヘッダー部
１ａの上面に発光素子３がダイボンドされている。第２
ヘッダー部２ａは、第２リードフレーム２の導出部２ｃ
から所定の角度をもって下方に折曲され、この第２ヘッ
ダー部２ａの上面に受光素子４がダイボンドされてい
る。
【００３３】第２ヘッダー部２ａは第１ヘッダー部１ａ
に対して所定角度をもって幅方向に対向しており、かつ
各々の素子搭載面は上向きであって所定の角度をもって
配置されている。インナーパッケージ１０の表面は、第
１反射面１３と第２反射面１４とが上面に非対称の傾斜
角度をもって形成されている。
に対して所定角度をもって幅方向に対向しており、かつ
各々の素子搭載面は上向きであって所定の角度をもって
配置されている。インナーパッケージ１０の表面は、第
１反射面１３と第２反射面１４とが上面に非対称の傾斜
角度をもって形成されている。
【００３４】図５（ｂ）において、発光素子３から出る
表面発光光Ｌ１は上部の第１反射面１３と第２反射面１
４で反射されて受光素子４に向かい、側面発光光Ｌ２は
受光素子４に直接向かうようになっている。以上、本発
明の五つの実施の形態について詳述したが、本発明は、
前記実施の形態に限定されるものではなく、設計におい
て、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱す
ることなしに種々の変更を行うことができる。
表面発光光Ｌ１は上部の第１反射面１３と第２反射面１
４で反射されて受光素子４に向かい、側面発光光Ｌ２は
受光素子４に直接向かうようになっている。以上、本発
明の五つの実施の形態について詳述したが、本発明は、
前記実施の形態に限定されるものではなく、設計におい
て、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱す
ることなしに種々の変更を行うことができる。
【００３５】例えば、第１ヘッダー部１ａおよび第２ヘ
ッダー部２ａは、水平である必要はなく、任意に角度に
傾斜していてもよく、また、第１ヘッダー部１ａと第２
ヘッダー部２ａとの相互間の角度も例えば垂直等任意に
設定でき、さらに素子搭載面の向きや素子搭載位置も限
定されない。インナーパッケージ１０の反射面１３、１
４の形状は、素子搭載位置により決定され、あるいはそ
の逆に、素子搭載位置を反射面１３、１４の形状に合わ
せて決定してもよい。
ッダー部２ａは、水平である必要はなく、任意に角度に
傾斜していてもよく、また、第１ヘッダー部１ａと第２
ヘッダー部２ａとの相互間の角度も例えば垂直等任意に
設定でき、さらに素子搭載面の向きや素子搭載位置も限
定されない。インナーパッケージ１０の反射面１３、１
４の形状は、素子搭載位置により決定され、あるいはそ
の逆に、素子搭載位置を反射面１３、１４の形状に合わ
せて決定してもよい。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明から理解できるように、本発
明の光結合半導体装置は、第１および第２ヘッダー部の
各々の素子搭載面が平行対面しない状態に配置されてい
るため、発光素子と受光素子間に生じる浮遊容量がほと
んどなくなり、安定した光伝達が可能となり、高精度、
高信頼性の光結合半導体装置が得られると共に、発光素
子の表面発光光だけでなく側面発光光も有効に利用でき
るため、光伝達効率が向上する。
明の光結合半導体装置は、第１および第２ヘッダー部の
各々の素子搭載面が平行対面しない状態に配置されてい
るため、発光素子と受光素子間に生じる浮遊容量がほと
んどなくなり、安定した光伝達が可能となり、高精度、
高信頼性の光結合半導体装置が得られると共に、発光素
子の表面発光光だけでなく側面発光光も有効に利用でき
るため、光伝達効率が向上する。
【図１】本発明に係る光結合半導体装置の第１実施の形
態を示すもので、（ａ）は縦断側面図、（ｂ）は光路説
明図である。
態を示すもので、（ａ）は縦断側面図、（ｂ）は光路説
明図である。
【図２】本発明に係る光結合半導体装置の第２実施の形
態を示すもので、（ａ）は縦断側面図、（ｂ）は光路説
明図である。
態を示すもので、（ａ）は縦断側面図、（ｂ）は光路説
明図である。
【図３】本発明に係る光結合半導体装置の第３実施の形
態を示すもので、（ａ）は縦断側面図、（ｂ）は光路説
明図である。
態を示すもので、（ａ）は縦断側面図、（ｂ）は光路説
明図である。
【図４】本発明に係る光結合半導体装置の第４実施の形
態を示すもので、（ａ）は縦断側面図、（ｂ）は光路説
明図である。
態を示すもので、（ａ）は縦断側面図、（ｂ）は光路説
明図である。
【図５】本発明に係る光結合半導体装置の第５実施の形
態を示すもので、（ａ）は縦断側面図、（ｂ）は光路説
明図である。
態を示すもので、（ａ）は縦断側面図、（ｂ）は光路説
明図である。
【図６】従来の２層モールドタイプの光結合半導体装置
を示すもので、（ａ）は縦断側面図、（ｂ）は光路説明
図である。
を示すもので、（ａ）は縦断側面図、（ｂ）は光路説明
図である。
【図７】従来の１層モールドタイプの光結合半導体装置
を示すもので、（ａ）は縦断側面図、（ｂ）は光路説明
図である。
を示すもので、（ａ）は縦断側面図、（ｂ）は光路説明
図である。
１…第１のリードフレーム、１ａ…第１ヘッダー部、２
…第２のリードフレーム、２ａ…第２ヘッダー部、３…
発光素子、４…受光素子、１０…インナーパッケージ、
１１…アウタパッケージ、１３、１４…反射面、Ａ…光
結合半導体装置、Ｌ１…表面発光光、Ｌ２…側面発光光
…第２のリードフレーム、２ａ…第２ヘッダー部、３…
発光素子、４…受光素子、１０…インナーパッケージ、
１１…アウタパッケージ、１３、１４…反射面、Ａ…光
結合半導体装置、Ｌ１…表面発光光、Ｌ２…側面発光光
Claims (5)
- 【請求項１】 第１のリードフレームの第１ヘッダー部
に搭載された発光素子と、第２のリードフレームの第２
ヘッダー部に搭載された受光素子とが光学的に光路を形
成するインナーパッケージでモールドされ、該インナー
パッケージの外側にアウタパッケージが形成されている
光結合半導体装置において、 前記第１ヘッダー部および第２ヘッダー部の各々の素子
搭載面が対面しない状態に配置され、かつ、前記インナ
ーパッケージの表面に前記発光素子の表面発光光および
／または側面発光光を反射して前記受光素子に導く反射
面が形成されていることを特徴とする光結合半導体装
置。 - 【請求項２】 前記第１ヘッダー部および第２ヘッダー
部は、互いに平行であり、かつ高さが異なるように配置
されていることを特徴とする請求項１記載の光結合半導
体装置。 - 【請求項３】 前記第１ヘッダー部および第２ヘッダー
部は、互いに平行であり、かつ同一平面に配置されてい
ることを特徴とする請求項１記載の光結合半導体装置。 - 【請求項４】 前記第１ヘッダー部および第２ヘッダー
部は、互いに不平行に配置されていることを特徴とする
請求項１記載の光結合半導体装置。 - 【請求項５】 前記反射面は、鏡面加工されていること
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の光結
合半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10486997A JP3601931B2 (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 光結合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10486997A JP3601931B2 (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 光結合半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10300990A true JPH10300990A (ja) | 1998-11-13 |
| JP3601931B2 JP3601931B2 (ja) | 2004-12-15 |
Family
ID=14392241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10486997A Expired - Fee Related JP3601931B2 (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 光結合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3601931B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008150437A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Momentive Performance Materials Japan Kk | 光半導体封止用シリコーンゴム組成物および光半導体装置 |
| CN107731805A (zh) * | 2016-11-15 | 2018-02-23 | 启点科技有限公司 | 光耦合器及其封装方法 |
| WO2022176987A1 (ja) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
| WO2022176992A1 (ja) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
-
1997
- 1997-04-22 JP JP10486997A patent/JP3601931B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008150437A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Momentive Performance Materials Japan Kk | 光半導体封止用シリコーンゴム組成物および光半導体装置 |
| CN107731805A (zh) * | 2016-11-15 | 2018-02-23 | 启点科技有限公司 | 光耦合器及其封装方法 |
| WO2022176987A1 (ja) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
| WO2022176992A1 (ja) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3601931B2 (ja) | 2004-12-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040127 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040324 |
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