JPH0685325A - Ｌｅｄの製造方法 - Google Patents
Ｌｅｄの製造方法Info
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- JPH0685325A JPH0685325A JP4252018A JP25201892A JPH0685325A JP H0685325 A JPH0685325 A JP H0685325A JP 4252018 A JP4252018 A JP 4252018A JP 25201892 A JP25201892 A JP 25201892A JP H0685325 A JPH0685325 A JP H0685325A
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- led chip
- lead frames
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
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- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 反射面を有するベース部を樹脂成形する際
に、リードフレームの上端面に薄膜状のバリが付着しな
いようにする。 【構成】 二本のリードフレーム１１，１２の一方の上
端面に固定され且つその上面が他方のリードフレームの
上端に対してワイヤボンディングされているＬＥＤ１３
チップと、リードフレーム１１，１２の上端領域でＬＥ
Ｄチップ１３から出射する光を上方に向かって反射させ
る反射面１４ａを有するように樹脂にて一体成形された
ベース部１４と、ＬＥＤチップ１３及び反射面１４ａの
上方を覆うように樹脂モールドにて成形されたレンズ１
５とを含んでいるＬＥＤにおいて、ベース部１４を成形
する際に、リードフレーム１１，１２の上端面に載置さ
れるような樹脂ブロック１６を一体成形した後、樹脂ブ
ロック１６をリードフレーム１１，１２の上端面から除
去するようにする。
に、リードフレームの上端面に薄膜状のバリが付着しな
いようにする。 【構成】 二本のリードフレーム１１，１２の一方の上
端面に固定され且つその上面が他方のリードフレームの
上端に対してワイヤボンディングされているＬＥＤ１３
チップと、リードフレーム１１，１２の上端領域でＬＥ
Ｄチップ１３から出射する光を上方に向かって反射させ
る反射面１４ａを有するように樹脂にて一体成形された
ベース部１４と、ＬＥＤチップ１３及び反射面１４ａの
上方を覆うように樹脂モールドにて成形されたレンズ１
５とを含んでいるＬＥＤにおいて、ベース部１４を成形
する際に、リードフレーム１１，１２の上端面に載置さ
れるような樹脂ブロック１６を一体成形した後、樹脂ブ
ロック１６をリードフレーム１１，１２の上端面から除
去するようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＬＥＤチップから出
射する光を該ＬＥＤチップの周辺に設けられた凹状の反
射面により反射させることにより発光効率を高めた、Ｌ
ＥＤの製造方法に関するものである。
射する光を該ＬＥＤチップの周辺に設けられた凹状の反
射面により反射させることにより発光効率を高めた、Ｌ
ＥＤの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このようなＬＥＤは、例えば図３
に示すように構成されている。即ち、図３において、Ｌ
ＥＤ１は、実質的に上下に平行に延びる二本のリードフ
レーム２，３と、該リードフレームのうち一方のリード
フレーム２の拡大された上端面２ａに固定され且つ電気
的に接続されると共に、上面が後述の如く他方のリード
フレーム３の上端面３ａと電気的に接続されるＬＥＤチ
ップ４と、該リードフレーム２，３の上端領域で該リー
ドフレーム２，３に対して樹脂、例えば反射率の高い白
色の樹脂により一体成形され且つ該リードフレーム２の
上端面２ａに固定されるＬＥＤチップ４からの光を反射
させて上方に導くような凹状の反射面５ａを有するベー
ス部５と、該ＬＥＤチップ４及びリードフレーム２，３
の上端領域を覆うように上記反射面５ａの上方に透明樹
脂の樹脂モールドにより成形されたレンズ６とから構成
されている。
に示すように構成されている。即ち、図３において、Ｌ
ＥＤ１は、実質的に上下に平行に延びる二本のリードフ
レーム２，３と、該リードフレームのうち一方のリード
フレーム２の拡大された上端面２ａに固定され且つ電気
的に接続されると共に、上面が後述の如く他方のリード
フレーム３の上端面３ａと電気的に接続されるＬＥＤチ
ップ４と、該リードフレーム２，３の上端領域で該リー
ドフレーム２，３に対して樹脂、例えば反射率の高い白
色の樹脂により一体成形され且つ該リードフレーム２の
上端面２ａに固定されるＬＥＤチップ４からの光を反射
させて上方に導くような凹状の反射面５ａを有するベー
ス部５と、該ＬＥＤチップ４及びリードフレーム２，３
の上端領域を覆うように上記反射面５ａの上方に透明樹
脂の樹脂モールドにより成形されたレンズ６とから構成
されている。
【０００３】この場合、リードフレーム２の上端面２ａ
は、図示のように、単に平面として形成されており、こ
の上端面２ａ上に上記ＬＥＤチップ４がダイボンディン
グ等により固定され且つ該リードフレーム２と電気的に
接続されていると共に、他方のリードフレーム３の上端
面３ａに対して金線４ａ等を用いてワイヤボンディング
により電気的に接続されている。
は、図示のように、単に平面として形成されており、こ
の上端面２ａ上に上記ＬＥＤチップ４がダイボンディン
グ等により固定され且つ該リードフレーム２と電気的に
接続されていると共に、他方のリードフレーム３の上端
面３ａに対して金線４ａ等を用いてワイヤボンディング
により電気的に接続されている。
【０００４】このような構成のＬＥＤ１によれば、二つ
のリードフレーム２，３の下端を介して該ＬＥＤチップ
４に給電を行うと、該ＬＥＤチップ４が発光せしめられ
る。これにより、ＬＥＤチップ４から出射した光は、そ
の一部が直接に上方へ出射すると共に、他の一部がベー
ス部５の反射面５ａに入射し、その反射面５ａにより反
射されて図３に矢印で示すようにほぼ上方に向かって進
行することになり、発光効率が高められるようになって
いる。
のリードフレーム２，３の下端を介して該ＬＥＤチップ
４に給電を行うと、該ＬＥＤチップ４が発光せしめられ
る。これにより、ＬＥＤチップ４から出射した光は、そ
の一部が直接に上方へ出射すると共に、他の一部がベー
ス部５の反射面５ａに入射し、その反射面５ａにより反
射されて図３に矢印で示すようにほぼ上方に向かって進
行することになり、発光効率が高められるようになって
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＬＥＤ１においては、反射面５ａを有するベース部
５は、図４に示すようにリードフレーム２，３の上端面
の位置合わせをしつつ、該リードフレーム２，３に対し
てインサート成形することにより、一体成形されるよう
になっている。その際、リードフレーム２，３の上端面
２ａ，３ａには、ベース部５の成形用金型の、例えば上
型が当接せしめられることになるが、該リードフレーム
２，３の上端面２ａ，３ａとその上型との間には、僅か
な間隙が生じてしまい、この間隙に形成時の液状の樹脂
が流れ込んでしまうことになる。このため、該リードフ
レーム２，３の上端面２ａ，３ａには、薄膜状のバリ７
が付着することになる。そして、ＬＥＤチップ４のダイ
ボンディング及びワイヤボンディングをする場合に、こ
のバリ７の存在により、該リードフレーム２，３に対す
る電気的接続が行なわれ難くなってしまい、導通不良の
原因となってしまうという問題があった。また、このバ
リ７は、非常に薄いことから、除去することが大変困難
であった。
うなＬＥＤ１においては、反射面５ａを有するベース部
５は、図４に示すようにリードフレーム２，３の上端面
の位置合わせをしつつ、該リードフレーム２，３に対し
てインサート成形することにより、一体成形されるよう
になっている。その際、リードフレーム２，３の上端面
２ａ，３ａには、ベース部５の成形用金型の、例えば上
型が当接せしめられることになるが、該リードフレーム
２，３の上端面２ａ，３ａとその上型との間には、僅か
な間隙が生じてしまい、この間隙に形成時の液状の樹脂
が流れ込んでしまうことになる。このため、該リードフ
レーム２，３の上端面２ａ，３ａには、薄膜状のバリ７
が付着することになる。そして、ＬＥＤチップ４のダイ
ボンディング及びワイヤボンディングをする場合に、こ
のバリ７の存在により、該リードフレーム２，３に対す
る電気的接続が行なわれ難くなってしまい、導通不良の
原因となってしまうという問題があった。また、このバ
リ７は、非常に薄いことから、除去することが大変困難
であった。
【０００６】この発明は、以上の点に鑑み、反射面を有
するベース部を樹脂成形する際に、リードフレームの上
端面に薄膜状のバリが付着しないようにした、ＬＥＤの
製造方法を提供することを目的としている。
するベース部を樹脂成形する際に、リードフレームの上
端面に薄膜状のバリが付着しないようにした、ＬＥＤの
製造方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明によるＬＥＤの製造方法は、上下に平行に
延びる二本のリードフレームと、該リードフレームの一
方の上端面に固定され且つその上面が他方のリードフレ
ームの上端に対してワイヤボンディングされているＬＥ
Ｄチップと、両リードフレームの上端領域で該ＬＥＤチ
ップから出射する光を上方に向かって反射させる反射面
を有するように該リードフレームに対して樹脂により一
体成形されたベース部と、該ＬＥＤチップ及び反射面の
上方を覆うように樹脂モールドにより成形されたレンズ
とを含んでいるＬＥＤにおいて、上記ベース部を成形す
る際に、各リードフレームの上端面に載置されるような
樹脂ブロックを一体成形した後、この樹脂ブロックを各
リードフレーム上端面から除去するように構成されてい
る。
め、この発明によるＬＥＤの製造方法は、上下に平行に
延びる二本のリードフレームと、該リードフレームの一
方の上端面に固定され且つその上面が他方のリードフレ
ームの上端に対してワイヤボンディングされているＬＥ
Ｄチップと、両リードフレームの上端領域で該ＬＥＤチ
ップから出射する光を上方に向かって反射させる反射面
を有するように該リードフレームに対して樹脂により一
体成形されたベース部と、該ＬＥＤチップ及び反射面の
上方を覆うように樹脂モールドにより成形されたレンズ
とを含んでいるＬＥＤにおいて、上記ベース部を成形す
る際に、各リードフレームの上端面に載置されるような
樹脂ブロックを一体成形した後、この樹脂ブロックを各
リードフレーム上端面から除去するように構成されてい
る。
【０００８】
【作用】上記構成によれば、リードフレームに対して反
射面を有するベース部をインサート成形等により一体成
形する際に、該リードフレームの上端面に、大きなバリ
となる樹脂ブロックを同時に成形して、成形後に該樹脂
ブロックを折ることによりリードフレームの上端面から
除去するようにしたから、該樹脂ブロックはリードフレ
ームの上端面から容易に且つ完全に除去され得ることに
なる。従って、ＬＥＤチップは、ダイボンディング及び
ワイヤボンディングによって、各リードフレームの上端
面に対して確実に電気的に接続されるようになり、その
結果、導通不良が発生するようなことはなく、生産歩留
まりが向上せしめられる。
射面を有するベース部をインサート成形等により一体成
形する際に、該リードフレームの上端面に、大きなバリ
となる樹脂ブロックを同時に成形して、成形後に該樹脂
ブロックを折ることによりリードフレームの上端面から
除去するようにしたから、該樹脂ブロックはリードフレ
ームの上端面から容易に且つ完全に除去され得ることに
なる。従って、ＬＥＤチップは、ダイボンディング及び
ワイヤボンディングによって、各リードフレームの上端
面に対して確実に電気的に接続されるようになり、その
結果、導通不良が発生するようなことはなく、生産歩留
まりが向上せしめられる。
【０００９】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて、この
発明を詳細に説明する。図１はこの発明方法の一実施例
により製造されたＬＥＤ１０を示しており、ＬＥＤ１０
は、実質的に上下に平行に延びる二本のリードフレーム
１１，１２と、該リードフレームのうち一方のリードフ
レーム１１の拡大された上端面１１ａに固定され且つ電
気的に接続されるＬＥＤチップ１３と、該リードフレー
ム１１，１２の上端領域で該リードフレーム１１，１２
に対して樹脂、例えば反射率の高い白色の樹脂により一
体成形され且つ該リードフレーム１１の上端面１１ａに
固定されるＬＥＤチップ１３からの光を反射させて上方
に導くような凹状の反射面１４ａを有するベース部１４
と、該ＬＥＤチップ１３及びリードフレーム１１，１２
の上端領域を覆うように上記ベース部１４の上方に透明
樹脂の樹脂モールドにより成形されたレンズ１５とから
構成されている。
発明を詳細に説明する。図１はこの発明方法の一実施例
により製造されたＬＥＤ１０を示しており、ＬＥＤ１０
は、実質的に上下に平行に延びる二本のリードフレーム
１１，１２と、該リードフレームのうち一方のリードフ
レーム１１の拡大された上端面１１ａに固定され且つ電
気的に接続されるＬＥＤチップ１３と、該リードフレー
ム１１，１２の上端領域で該リードフレーム１１，１２
に対して樹脂、例えば反射率の高い白色の樹脂により一
体成形され且つ該リードフレーム１１の上端面１１ａに
固定されるＬＥＤチップ１３からの光を反射させて上方
に導くような凹状の反射面１４ａを有するベース部１４
と、該ＬＥＤチップ１３及びリードフレーム１１，１２
の上端領域を覆うように上記ベース部１４の上方に透明
樹脂の樹脂モールドにより成形されたレンズ１５とから
構成されている。
【００１０】この場合、リードフレーム１１の上端面１
１ａは、図示のように、単に平面として形成されてお
り、上記ＬＥＤチップ１３は、該上端面１１ａ上にダイ
ボンディング等により固定され且つ該リードフレーム１
１と電気的に接続されていると共に、他方のリードフレ
ーム１２の上端面１２ａに対して金線１７ａ等を用いて
ワイヤボンディングにより電気的に接続されている。
１ａは、図示のように、単に平面として形成されてお
り、上記ＬＥＤチップ１３は、該上端面１１ａ上にダイ
ボンディング等により固定され且つ該リードフレーム１
１と電気的に接続されていると共に、他方のリードフレ
ーム１２の上端面１２ａに対して金線１７ａ等を用いて
ワイヤボンディングにより電気的に接続されている。
【００１１】以上の構成は、図３に示した従来のＬＥＤ
１と同様の構成であるが、この発明による方法で製造さ
れるＬＥＤ１０においては、ベース部１４を樹脂成形す
る際に、各リードフレーム１１，１２の上端面１１ａ，
１２ａに対向する金型の例えば上型（図示せず）の部分
に凹陥部をそれぞれ設けておくことにより、図２に示す
ように、ベース部１４と共に、該リードフレーム１１，
１２の上端面１１ａ，１２ａにそれぞれ載置されるよう
な樹脂ブロック１６ａ，１６ｂが、同時に成形される。
１と同様の構成であるが、この発明による方法で製造さ
れるＬＥＤ１０においては、ベース部１４を樹脂成形す
る際に、各リードフレーム１１，１２の上端面１１ａ，
１２ａに対向する金型の例えば上型（図示せず）の部分
に凹陥部をそれぞれ設けておくことにより、図２に示す
ように、ベース部１４と共に、該リードフレーム１１，
１２の上端面１１ａ，１２ａにそれぞれ載置されるよう
な樹脂ブロック１６ａ，１６ｂが、同時に成形される。
【００１２】次に、上記樹脂ブロック１６ａ，１６ｂ
は、図２にて矢印で示すように、リードフレーム１１，
１２の上端面から容易に折り取られることになり、その
際、リードフレーム１１，１２の上端面から剥離するこ
とにより、完全に除去され得ることになる。従って、最
初樹脂ブロック１６ａ，１６ｂが存在していたことによ
り、ベース部１４の成形の際に、リードフレーム１１，
１２の上端面１１ａ，１２ａと金型の間には、薄膜状の
バリが付着するようなことはなくなる。
は、図２にて矢印で示すように、リードフレーム１１，
１２の上端面から容易に折り取られることになり、その
際、リードフレーム１１，１２の上端面から剥離するこ
とにより、完全に除去され得ることになる。従って、最
初樹脂ブロック１６ａ，１６ｂが存在していたことによ
り、ベース部１４の成形の際に、リードフレーム１１，
１２の上端面１１ａ，１２ａと金型の間には、薄膜状の
バリが付着するようなことはなくなる。
【００１３】次に、リードフレーム１１の上端面１１ａ
にＬＥＤチップ１３を載置しダイボンディング等により
取付固定することにより、リードフレーム１１に電気的
に接続すると共に、該ＬＥＤチップ１３の上面を他方の
リードフレーム１２の上端に対して金線１７ａ等を用い
てワイヤボンディングすることにより、リードフレーム
１２に電気的に接続する。その後、該ＬＥＤチップ１３
及びベース部１４の上面を覆うように透明樹脂により樹
脂モールドしてレンズ１５を形成し、かくしてＬＥＤ１
０が完成する。従って、ＬＥＤチップ１３は、ダイボン
ディング及びワイヤボンディングによって、リードフレ
ーム１１，１２の上端面１１ａ及び１２ａに対して確実
に電気的に接続され得ることから、導通不良が発生する
ようなことはなく、生産歩留まりが向上せしめられるこ
とになる。
にＬＥＤチップ１３を載置しダイボンディング等により
取付固定することにより、リードフレーム１１に電気的
に接続すると共に、該ＬＥＤチップ１３の上面を他方の
リードフレーム１２の上端に対して金線１７ａ等を用い
てワイヤボンディングすることにより、リードフレーム
１２に電気的に接続する。その後、該ＬＥＤチップ１３
及びベース部１４の上面を覆うように透明樹脂により樹
脂モールドしてレンズ１５を形成し、かくしてＬＥＤ１
０が完成する。従って、ＬＥＤチップ１３は、ダイボン
ディング及びワイヤボンディングによって、リードフレ
ーム１１，１２の上端面１１ａ及び１２ａに対して確実
に電気的に接続され得ることから、導通不良が発生する
ようなことはなく、生産歩留まりが向上せしめられるこ
とになる。
【００１４】このように構成されたＬＥＤ１０は、二つ
のリードフレーム１１，１２の下端を介して該ＬＥＤチ
ップ１３に給電を行うと、このＬＥＤチップ１３が発光
し、このときＬＥＤチップ１３から出射した光は、その
一部が直接に上方へ出射すると共に、他の一部がベース
部１４の反射面１４ａに入射し、この反射面１４ａにて
反射されて第１図に矢印で示すようにほぼ上方に向かっ
て進行することから、従来の反射面を備えたＬＥＤと同
様に発光効率が高められる。
のリードフレーム１１，１２の下端を介して該ＬＥＤチ
ップ１３に給電を行うと、このＬＥＤチップ１３が発光
し、このときＬＥＤチップ１３から出射した光は、その
一部が直接に上方へ出射すると共に、他の一部がベース
部１４の反射面１４ａに入射し、この反射面１４ａにて
反射されて第１図に矢印で示すようにほぼ上方に向かっ
て進行することから、従来の反射面を備えたＬＥＤと同
様に発光効率が高められる。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
反射面を有するベース部を樹脂成形する際に、リードフ
レームの上端面に薄膜状のバリが付着しないようにでき
るという極めて優れたＬＥＤの製造方法が提供される。
反射面を有するベース部を樹脂成形する際に、リードフ
レームの上端面に薄膜状のバリが付着しないようにでき
るという極めて優れたＬＥＤの製造方法が提供される。
【図１】この発明の方法の一実施例により製造されたＬ
ＥＤを示す断面図である。
ＥＤを示す断面図である。
【図２】図１のＬＥＤの製造途中の状態を示す側面図で
ある。
ある。
【図３】従来のＬＥＤの一例を示す断面図である。
【図４】図２のＬＥＤの製造途中の状態を示す側面図で
ある。
ある。
１０ ＬＥＤ １１ リードフレーム １２ リードフレーム １３ ＬＥＤチップ １４ ベース部 １５ レンズ １６ 樹脂ブロック １７ａ 金線
Claims (1)
- 【請求項１】 上下に平行に延びる二本のリードフレー
ムと、該リードフレームの一方の上端面に固定され且つ
その上面が他方のリードフレームの上端に対してワイヤ
ボンディングされているＬＥＤチップと、両リードフレ
ームの上端領域で該ＬＥＤチップから出射する光を上方
に向かって反射させる反射面を有するように該リードフ
レームに対して樹脂により一体成形されたベース部と、
該ＬＥＤチップ及び反射面の上方を覆うように樹脂モー
ルドにより成形されたレンズとを含んでいるＬＥＤにお
いて、 上記ベース部を成形する際に、各リードフレームの上端
面に載置されるような樹脂ブロックを一体成形した後、
該樹脂ブロックを各リードフレーム上端面から除去する
ようにしたことを特徴とする、ＬＥＤの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4252018A JPH0685325A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | Ｌｅｄの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4252018A JPH0685325A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | Ｌｅｄの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685325A true JPH0685325A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17231443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4252018A Pending JPH0685325A (ja) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | Ｌｅｄの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685325A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7696526B2 (en) * | 2004-01-29 | 2010-04-13 | Dominant Opto Tech Sdn Bhd | Surface mount optoelectronic component |
| EP2448022A3 (en) * | 2004-11-15 | 2013-08-21 | Philips Lumileds Lighting Company, LLC. | Molding a lens over a LED die |
| JP2017005260A (ja) * | 2006-11-15 | 2017-01-05 | 日立化成株式会社 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法 |
| US10381533B2 (en) | 2006-11-15 | 2019-08-13 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using thermosetting resin composition for light reflection |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP4252018A patent/JPH0685325A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7696526B2 (en) * | 2004-01-29 | 2010-04-13 | Dominant Opto Tech Sdn Bhd | Surface mount optoelectronic component |
| EP2448022A3 (en) * | 2004-11-15 | 2013-08-21 | Philips Lumileds Lighting Company, LLC. | Molding a lens over a LED die |
| JP2017005260A (ja) * | 2006-11-15 | 2017-01-05 | 日立化成株式会社 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法 |
| JP2017020036A (ja) * | 2006-11-15 | 2017-01-26 | 日立化成株式会社 | 熱硬化性光反射用樹脂組成物およびその製造方法 |
| US10381533B2 (en) | 2006-11-15 | 2019-08-13 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using thermosetting resin composition for light reflection |
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