JP2000001337A - 光半導体用窓ガラス - Google Patents
光半導体用窓ガラスInfo
- Publication number
- JP2000001337A JP2000001337A JP10176726A JP17672698A JP2000001337A JP 2000001337 A JP2000001337 A JP 2000001337A JP 10176726 A JP10176726 A JP 10176726A JP 17672698 A JP17672698 A JP 17672698A JP 2000001337 A JP2000001337 A JP 2000001337A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- light
- window glass
- film
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 広い入射角に対して反射防止が可能な光半導
体用窓ガラスを提供する。 【解決手段】 本発明の光半導体用窓ガラス１は、表面
に反射防止膜２を備え、入射角θが０°〜６０°で入射
した光に対して９０％以上の光透過率を有し、光半導体
用パッケージ３の窓孔部３ａをカバーする。
体用窓ガラスを提供する。 【解決手段】 本発明の光半導体用窓ガラス１は、表面
に反射防止膜２を備え、入射角θが０°〜６０°で入射
した光に対して９０％以上の光透過率を有し、光半導体
用パッケージ３の窓孔部３ａをカバーする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体を収納す
るパッケージに使用される光半導体用窓ガラスに関する
ものである。
るパッケージに使用される光半導体用窓ガラスに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光半導体装置は、例えば発光装置
の場合、図３（Ａ）に示すように、光半導体の発光素子
として半導体レーザー１０が、光半導体パッケージ３内
でスぺーサ１１及びベース１３を介してステムと呼ばれ
る底部３ｄに固着され、且つ気密固着されたリード１
５、１６と接続された構造になっている。この発光装置
に使用されている光半導体用窓ガラス１は、略円形の板
状体１ａの表面に反射防止膜２を形成したものであり、
光半導体パッケージ３の円筒形のキャップ３ｃの頂頭部
に設けられた窓孔部３ａの当接面３ｂに有機系あるいは
無機系の接着剤や金属製のロウや半田等の封着材４を用
いて気密固着されている。このような発光装置におい
て、半導体レーザー１０から出射された光ビームは、光
半導体用窓ガラス１の透光部１ｂを透過し外部に向けて
出射される。
の場合、図３（Ａ）に示すように、光半導体の発光素子
として半導体レーザー１０が、光半導体パッケージ３内
でスぺーサ１１及びベース１３を介してステムと呼ばれ
る底部３ｄに固着され、且つ気密固着されたリード１
５、１６と接続された構造になっている。この発光装置
に使用されている光半導体用窓ガラス１は、略円形の板
状体１ａの表面に反射防止膜２を形成したものであり、
光半導体パッケージ３の円筒形のキャップ３ｃの頂頭部
に設けられた窓孔部３ａの当接面３ｂに有機系あるいは
無機系の接着剤や金属製のロウや半田等の封着材４を用
いて気密固着されている。このような発光装置におい
て、半導体レーザー１０から出射された光ビームは、光
半導体用窓ガラス１の透光部１ｂを透過し外部に向けて
出射される。
【０００３】また、受光装置の場合、光半導体の受光素
子としてセンサー用ＣＣＤやフォトダイオード等が、図
３（Ａ）と同様な光半導体パッケージ３内に固着され、
気密固着されたリード１５、１６と接続された構造にな
っており、前記の半導体レーザー１０等から出射された
光は、光学系を経由した後、光半導体用窓ガラス１の透
光部１ｂを透過して入射する。
子としてセンサー用ＣＣＤやフォトダイオード等が、図
３（Ａ）と同様な光半導体パッケージ３内に固着され、
気密固着されたリード１５、１６と接続された構造にな
っており、前記の半導体レーザー１０等から出射された
光は、光学系を経由した後、光半導体用窓ガラス１の透
光部１ｂを透過して入射する。
【０００４】このように、半導体レーザー１０を単独の
発光素子として、あるいはＣＣＤやフォトダイオードを
単独の受光素子として使用する場合には、光半導体用窓
ガラス１への入射角は０°であり、光半導体装置に接続
される光ファイバ等の表面からの反射光を防止するよう
な場合でも１０°程度までであって、反射防止膜２に入
射する光が反射するという問題は生じない。
発光素子として、あるいはＣＣＤやフォトダイオードを
単独の受光素子として使用する場合には、光半導体用窓
ガラス１への入射角は０°であり、光半導体装置に接続
される光ファイバ等の表面からの反射光を防止するよう
な場合でも１０°程度までであって、反射防止膜２に入
射する光が反射するという問題は生じない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
光半導体装置に関して小型化、複合化の要求が高まって
きており、例えば、光ディスク再生装置の光ピックアッ
プやトランシーバと呼ばれる受発光一体型光半導体装置
がある。これは、図３（Ｂ）に示すような半導体レーザ
ー１０やフォトダイオード１７等の複数の光半導体を一
つの光半導体パッケージ３内に実装してビームスプリッ
タ１８やプリズム１９等の光学部品により光を分岐させ
る構造になっている。しかしながら、この光半導体装置
にあっては、半導体レーザー１０からの発光パターンが
楕円形の断面形状を有する略円錐状に広がることによ
り、光半導体用窓ガラス１に対する光の入射角θが３０
°〜６０°になってしまうことがある。入射角θが０°
〜１０°の範囲を想定して形成された反射防止膜２を備
えた光半導体用窓ガラス１に、３０°を超える入射角θ
で光が入射すると、光透過率が９０％を下回り、反射光
Ｌがパッケージ３内で更に反射を繰り返して迷光とな
り、半導体レーザー１０に迷光が入射した場合、その発
振を不安定にしたり、フォトダイオード１７の受光素子
に迷光が入射した場合、ノイズとなりＳ／Ｎ比が悪化
し、検出する光の信号の誤り率が高くなる問題が生じ
る。
光半導体装置に関して小型化、複合化の要求が高まって
きており、例えば、光ディスク再生装置の光ピックアッ
プやトランシーバと呼ばれる受発光一体型光半導体装置
がある。これは、図３（Ｂ）に示すような半導体レーザ
ー１０やフォトダイオード１７等の複数の光半導体を一
つの光半導体パッケージ３内に実装してビームスプリッ
タ１８やプリズム１９等の光学部品により光を分岐させ
る構造になっている。しかしながら、この光半導体装置
にあっては、半導体レーザー１０からの発光パターンが
楕円形の断面形状を有する略円錐状に広がることによ
り、光半導体用窓ガラス１に対する光の入射角θが３０
°〜６０°になってしまうことがある。入射角θが０°
〜１０°の範囲を想定して形成された反射防止膜２を備
えた光半導体用窓ガラス１に、３０°を超える入射角θ
で光が入射すると、光透過率が９０％を下回り、反射光
Ｌがパッケージ３内で更に反射を繰り返して迷光とな
り、半導体レーザー１０に迷光が入射した場合、その発
振を不安定にしたり、フォトダイオード１７の受光素子
に迷光が入射した場合、ノイズとなりＳ／Ｎ比が悪化
し、検出する光の信号の誤り率が高くなる問題が生じ
る。
【０００６】本発明は、以上のような従来の光半導体用
窓ガラスの問題点を解決するもので、広い入射角に対し
て反射防止が可能で高い光透過率を有する光半導体用窓
ガラスを提供することを目的とする。
窓ガラスの問題点を解決するもので、広い入射角に対し
て反射防止が可能で高い光透過率を有する光半導体用窓
ガラスを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光半導体用
窓ガラスは、光半導体パッケージの窓孔部をカバーする
光半導体用窓ガラスにおいて、表面に多層の反射防止膜
を備え、入射角が０°〜６０°で入射した光に対して９
０％以上の光透過率を有することを特徴とする。
窓ガラスは、光半導体パッケージの窓孔部をカバーする
光半導体用窓ガラスにおいて、表面に多層の反射防止膜
を備え、入射角が０°〜６０°で入射した光に対して９
０％以上の光透過率を有することを特徴とする。
【０００８】本発明の光半導体用窓ガラスでは、６０°
以下の入射角で入射した光を９０％以上透過させる多層
の反射防止膜を備えていることが特徴である。入射角が
６０°で入射した光の光透過率が９０％以上の場合に
は、光半導体用窓ガラスの表面での反射光は受光素子が
検出する光の信号に対してＳ／Ｎ比を悪化させるものと
はならないが、入射角が６０°で入射した光の光透過率
が９０％未満の場合には、反射光がノイズとなってＳ／
Ｎ比が悪化し、受光素子が検出する光の信号の誤り率が
高くなる。
以下の入射角で入射した光を９０％以上透過させる多層
の反射防止膜を備えていることが特徴である。入射角が
６０°で入射した光の光透過率が９０％以上の場合に
は、光半導体用窓ガラスの表面での反射光は受光素子が
検出する光の信号に対してＳ／Ｎ比を悪化させるものと
はならないが、入射角が６０°で入射した光の光透過率
が９０％未満の場合には、反射光がノイズとなってＳ／
Ｎ比が悪化し、受光素子が検出する光の信号の誤り率が
高くなる。
【０００９】本発明の光半導体用窓ガラスに使用する反
射防止膜としては、光ディスク等の記録用では波長が６
５０ｎｍまたは７８０ｎｍ、光通信用では７８０ｎｍ、
１．３ｎｍ、１．４８ｎｍ、１．５５ｎｍ等の光を透過
する膜であり、その膜材料として、高屈折率材料にＴｉ
Ｏ2 （酸化チタン）、ＭｇＦ2 （フッ化マグネシウム)
、Ａｌ2 Ｏ3 （酸化アルミニウム）、ＺｒＯ2 （酸化
ジルコニウム）、Ｔａ2Ｏ5 （酸化タンタル）等が、ま
た、低屈折率材料にＳｉＯ2 （二酸化珪素）、ＴｉＯ2
等がそれぞれ使用可能であり、これらの材料の組み合わ
せ例としてＴｉＯ2 とＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 とＳｉＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 とＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ
5 とＳｉＯ2 等が可能である。これらの高屈折率材料と
低屈折率材料とを交互に積層して多層膜を形成し、この
多層膜を光半導体用窓ガラスの両面に設けて反射防止膜
を形成する。この多層膜として、入射角が０°〜６０°
で入射した光に対して９０％以上の光透過率を達成する
ためには、少なくとも片面４層両面８層以上の層数のも
のが必要である。層数が片面２層両面４層の多層膜では
光透過率の波長に対する依存性が強くなり、入射角が大
きくなった場合に生じる光の波長シフトに対して透過す
る波長の幅が狭くなって光透過率が低下するので問題が
ある。また、層数が片面１０層以上の多層膜では、多層
膜が剥がれ易くなり耐久性の点で好ましくない。反射防
止膜の入射角に対する反射防止性能の依存性を緩和する
ため、Ｓ波に偏光した光に対して、反射防止膜を構成す
る一部の膜の膜厚を設計上の理論膜厚よりも例えば１．
１〜１．８倍厚めに設定し、さらに、Ｐ波に偏光した光
に対して、反射防止膜の一部の膜の膜厚を理論膜厚より
も幾分薄めに設定すると、入射角の増大に伴う反射防止
性能の低下をより一層防止することができるので好まし
い。
射防止膜としては、光ディスク等の記録用では波長が６
５０ｎｍまたは７８０ｎｍ、光通信用では７８０ｎｍ、
１．３ｎｍ、１．４８ｎｍ、１．５５ｎｍ等の光を透過
する膜であり、その膜材料として、高屈折率材料にＴｉ
Ｏ2 （酸化チタン）、ＭｇＦ2 （フッ化マグネシウム)
、Ａｌ2 Ｏ3 （酸化アルミニウム）、ＺｒＯ2 （酸化
ジルコニウム）、Ｔａ2Ｏ5 （酸化タンタル）等が、ま
た、低屈折率材料にＳｉＯ2 （二酸化珪素）、ＴｉＯ2
等がそれぞれ使用可能であり、これらの材料の組み合わ
せ例としてＴｉＯ2 とＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 とＳｉＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 とＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ
5 とＳｉＯ2 等が可能である。これらの高屈折率材料と
低屈折率材料とを交互に積層して多層膜を形成し、この
多層膜を光半導体用窓ガラスの両面に設けて反射防止膜
を形成する。この多層膜として、入射角が０°〜６０°
で入射した光に対して９０％以上の光透過率を達成する
ためには、少なくとも片面４層両面８層以上の層数のも
のが必要である。層数が片面２層両面４層の多層膜では
光透過率の波長に対する依存性が強くなり、入射角が大
きくなった場合に生じる光の波長シフトに対して透過す
る波長の幅が狭くなって光透過率が低下するので問題が
ある。また、層数が片面１０層以上の多層膜では、多層
膜が剥がれ易くなり耐久性の点で好ましくない。反射防
止膜の入射角に対する反射防止性能の依存性を緩和する
ため、Ｓ波に偏光した光に対して、反射防止膜を構成す
る一部の膜の膜厚を設計上の理論膜厚よりも例えば１．
１〜１．８倍厚めに設定し、さらに、Ｐ波に偏光した光
に対して、反射防止膜の一部の膜の膜厚を理論膜厚より
も幾分薄めに設定すると、入射角の増大に伴う反射防止
性能の低下をより一層防止することができるので好まし
い。
【００１０】本発明の光半導体用窓ガラスに使用する板
状体としては、光半導体から出射する光または光半導体
に入射する光を透過する光学ガラス、硼珪酸ガラス、石
英ガラス、透明ガラスセラミックス等の材料が使用可能
であり、気密性に優れ、また膜付け時及びその後長期に
亙ってアルカリなどの含有成分の溶出を起こさない材料
が適しており、更に成形性に優れ、切断、研磨などの加
工性の良い材料が好ましい。板状体としては、光半導体
パッケージの窓孔部の形状に対応して角形、丸形、多角
形などがある。光半導体パッケージの窓孔部の形状が丸
形である場合、製造コスト及び反射防止膜の品質管理の
点からマルチブレードマシンやダイシングマシン等で容
易に切り出しが可能な六角形の板状体であることが好ま
しい。また、光半導体用窓ガラスに使用する板状体は、
表面粗さのＲａ値が０．５ｎｍ以下であり、かつこの板
状体の直径１．５ｍｍの範囲を波長６３２．８ｎｍのレ
ーザー光が透過する際に生じる波面収差のＲＭＳ値（自
乗平均値と同じ意味）が６４ｎｍ以下である表面精度を
有するものであれば使用可能であり、波面収差のＲＭＳ
値が３２ｎｍ以下であることが好ましい。
状体としては、光半導体から出射する光または光半導体
に入射する光を透過する光学ガラス、硼珪酸ガラス、石
英ガラス、透明ガラスセラミックス等の材料が使用可能
であり、気密性に優れ、また膜付け時及びその後長期に
亙ってアルカリなどの含有成分の溶出を起こさない材料
が適しており、更に成形性に優れ、切断、研磨などの加
工性の良い材料が好ましい。板状体としては、光半導体
パッケージの窓孔部の形状に対応して角形、丸形、多角
形などがある。光半導体パッケージの窓孔部の形状が丸
形である場合、製造コスト及び反射防止膜の品質管理の
点からマルチブレードマシンやダイシングマシン等で容
易に切り出しが可能な六角形の板状体であることが好ま
しい。また、光半導体用窓ガラスに使用する板状体は、
表面粗さのＲａ値が０．５ｎｍ以下であり、かつこの板
状体の直径１．５ｍｍの範囲を波長６３２．８ｎｍのレ
ーザー光が透過する際に生じる波面収差のＲＭＳ値（自
乗平均値と同じ意味）が６４ｎｍ以下である表面精度を
有するものであれば使用可能であり、波面収差のＲＭＳ
値が３２ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１１】
【作用】本発明の光半導体用窓ガラスによれば、表面に
多層の反射防止膜を備え、入射角が０°〜６０°で入射
した光に対して９０％以上の光透過率を有するので、従
来よりも約５０°大きい入射角の光に対して反射防止が
可能となる。
多層の反射防止膜を備え、入射角が０°〜６０°で入射
した光に対して９０％以上の光透過率を有するので、従
来よりも約５０°大きい入射角の光に対して反射防止が
可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る光半導体用
窓ガラス１の説明図であって、図１（Ａ）は平面図、図
１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ−Ｘ切片の断面図である。図
１（Ａ）において、１ａは板状体を、２は片面４層両面
８層構造の多層膜からなる反射防止膜を示しており、前
出の図３と同一部分には同一符号を付してそれぞれ示し
ている。
窓ガラス１の説明図であって、図１（Ａ）は平面図、図
１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ−Ｘ切片の断面図である。図
１（Ａ）において、１ａは板状体を、２は片面４層両面
８層構造の多層膜からなる反射防止膜を示しており、前
出の図３と同一部分には同一符号を付してそれぞれ示し
ている。
【００１３】本発明の光半導体用窓ガラス１は、光半導
体から出射または光半導体に入射する波長が７８０ｎｍ
のレーザー光を透過するものであり、厚さ０．３ｍｍ、
一辺の長さが５．３ｍｍの四角形をした屈折率が１．４
９の硼珪酸ガラス製の板状体１ａからなり、その中央部
に、一辺の長さが４．５ｍｍの四角形の透光部１ｂを有
し、光半導体パッケージ３の窓孔部３ａをカバーする透
光部１ｂの表面１ｃ、１ｄに片面４層構造の多層膜を備
えている。この光半導体用窓ガラス１は、波長が７８０
±１０ｎｍで入射角θが０°のＳ波に偏光したレーザー
光に対して光透過率が９９％以上であり、かつ入射角θ
が５５°〜６０°のレーザー光に対しても光透過率が９
９％以上となる反射防止膜２を備えている。
体から出射または光半導体に入射する波長が７８０ｎｍ
のレーザー光を透過するものであり、厚さ０．３ｍｍ、
一辺の長さが５．３ｍｍの四角形をした屈折率が１．４
９の硼珪酸ガラス製の板状体１ａからなり、その中央部
に、一辺の長さが４．５ｍｍの四角形の透光部１ｂを有
し、光半導体パッケージ３の窓孔部３ａをカバーする透
光部１ｂの表面１ｃ、１ｄに片面４層構造の多層膜を備
えている。この光半導体用窓ガラス１は、波長が７８０
±１０ｎｍで入射角θが０°のＳ波に偏光したレーザー
光に対して光透過率が９９％以上であり、かつ入射角θ
が５５°〜６０°のレーザー光に対しても光透過率が９
９％以上となる反射防止膜２を備えている。
【００１４】上記の反射防止膜２は、光半導体用窓ガラ
ス１の表面１ｃ上から第１層として膜厚が設計上の理論
膜厚である９３ｎｍの１．６４倍の１５２ｎｍで屈折率
が２．１０のＴａ2 Ｏ5 膜２ａ、第２層として膜厚が理
論膜厚１３３ｎｍの１．５５倍の２０６ｎｍで屈折率が
１．４６のＳｉＯ2 膜２ｂ、第３層として膜厚が理論膜
厚の１．２２倍の１１３ｎｍのＴａ2 Ｏ5 膜２ｃ、第４
層として膜厚が理論膜厚の０．８８倍の１１８ｎｍのＳ
ｉＯ2 膜２ｄからなり、この４層膜は板状体１ａの表面
１ｃ、１ｄの各々に形成されている。
ス１の表面１ｃ上から第１層として膜厚が設計上の理論
膜厚である９３ｎｍの１．６４倍の１５２ｎｍで屈折率
が２．１０のＴａ2 Ｏ5 膜２ａ、第２層として膜厚が理
論膜厚１３３ｎｍの１．５５倍の２０６ｎｍで屈折率が
１．４６のＳｉＯ2 膜２ｂ、第３層として膜厚が理論膜
厚の１．２２倍の１１３ｎｍのＴａ2 Ｏ5 膜２ｃ、第４
層として膜厚が理論膜厚の０．８８倍の１１８ｎｍのＳ
ｉＯ2 膜２ｄからなり、この４層膜は板状体１ａの表面
１ｃ、１ｄの各々に形成されている。
【００１５】また、透光部１ｂの周囲には透光部１ｂを
取り囲む環状の封着部１ｅが設けてあり、封着部１ｅは
光半導体用窓ガラス１が光半導体パッケージ３に封着さ
れる際、窓孔部３ａの周囲の当接面３ｂに封着材４を介
して当接する部分である。
取り囲む環状の封着部１ｅが設けてあり、封着部１ｅは
光半導体用窓ガラス１が光半導体パッケージ３に封着さ
れる際、窓孔部３ａの周囲の当接面３ｂに封着材４を介
して当接する部分である。
【００１６】光半導体用窓ガラス１は、透光部１ｂの周
囲に光半導体パッケージ３の窓孔部３ａの周囲の当接面
３ｂに当接させるための環状の封着部１ｅを有してお
り、光半導体パッケージ３の当接面３ｂに半田や接着剤
等の封着材４を使用して気密固着されて窓孔部３ａを塞
いでいる。封着材４として金属製のロウや半田を使用す
る場合、封着部１ｅの表面に半田との濡れ性が良好な金
属膜を形成しておく。
囲に光半導体パッケージ３の窓孔部３ａの周囲の当接面
３ｂに当接させるための環状の封着部１ｅを有してお
り、光半導体パッケージ３の当接面３ｂに半田や接着剤
等の封着材４を使用して気密固着されて窓孔部３ａを塞
いでいる。封着材４として金属製のロウや半田を使用す
る場合、封着部１ｅの表面に半田との濡れ性が良好な金
属膜を形成しておく。
【００１７】本発明の光半導体用窓ガラス１は、一辺１
５２ｍｍの正方形で０．２５ｍｍの厚さを有し、表面粗
さがＲａ値で０．２〜０．３ｎｍで、６３２．８ｎｍの
波長のレーザー光が透過する際に生じる波面収差が、３
０点測定の場合、光路長差のＲＭＳ値で最大値が１８．
４ｎｍである薄板ガラスの両面に真空蒸着法やスパッタ
リング法等の既存の膜付け方法により片面４層両面８層
の多層膜を形成し、これを一辺の長さが５．３ｍｍの四
角形に切り出すことによって得られる。
５２ｍｍの正方形で０．２５ｍｍの厚さを有し、表面粗
さがＲａ値で０．２〜０．３ｎｍで、６３２．８ｎｍの
波長のレーザー光が透過する際に生じる波面収差が、３
０点測定の場合、光路長差のＲＭＳ値で最大値が１８．
４ｎｍである薄板ガラスの両面に真空蒸着法やスパッタ
リング法等の既存の膜付け方法により片面４層両面８層
の多層膜を形成し、これを一辺の長さが５．３ｍｍの四
角形に切り出すことによって得られる。
【００１８】図２に示すように、発光素子として半導体
レーザー１０、受光素子としてフォトダイオード１７を
一個の光半導体パッケージ３内に実装した受発光一体型
光半導体装置の光半導体パッケージ３に光半導体用窓ガ
ラス１を装着する場合、先ず、光半導体用窓ガラス１の
封着部１ｅまたは光半導体パッケージ３の窓孔部３ａの
当接面３ｂに、エポキシ系接着剤、半田あるいは低融点
ガラスからなる封着材４を環状に塗布し、当接面３ｂに
光半導体用窓ガラス１を封着材４を介して当接させる。
次いで、これを加熱炉（図示省略）に入れて加熱昇温
し、その後冷却して封着材４を固化させ、光半導体用窓
ガラス１を光半導体パッケージ３の窓孔部３ａを塞いだ
状態で気密固着させる。尚、紫外線硬化性の接着剤を封
着材４に用いた場合には、加熱する代わりに紫外線を照
射することにより封着材４を固化させ、光半導体用窓ガ
ラス１を光半導体パッケージ３に気密固着させる。
レーザー１０、受光素子としてフォトダイオード１７を
一個の光半導体パッケージ３内に実装した受発光一体型
光半導体装置の光半導体パッケージ３に光半導体用窓ガ
ラス１を装着する場合、先ず、光半導体用窓ガラス１の
封着部１ｅまたは光半導体パッケージ３の窓孔部３ａの
当接面３ｂに、エポキシ系接着剤、半田あるいは低融点
ガラスからなる封着材４を環状に塗布し、当接面３ｂに
光半導体用窓ガラス１を封着材４を介して当接させる。
次いで、これを加熱炉（図示省略）に入れて加熱昇温
し、その後冷却して封着材４を固化させ、光半導体用窓
ガラス１を光半導体パッケージ３の窓孔部３ａを塞いだ
状態で気密固着させる。尚、紫外線硬化性の接着剤を封
着材４に用いた場合には、加熱する代わりに紫外線を照
射することにより封着材４を固化させ、光半導体用窓ガ
ラス１を光半導体パッケージ３に気密固着させる。
【００１９】本発明の光半導体用窓ガラス１は、波長が
７８０ｎｍでＳ波に偏光した入射角θが０°〜６０°の
レーザー光を９９％以上透過する反射防止膜２を備えて
おり、この光半導体用窓ガラス１を封着した光半導体パ
ッケージ３を用いて製造された受発光一体型光半導体装
置は、図２に示すように、半導体レーザー１０から出射
されたレーザー光が光半導体用窓ガラス１の表面で実質
上反射されないので迷光が発生せず、フォトダイオード
１７が受光した光信号の誤り率を実用に全く支障の生じ
ないレベルにまで低く抑えることができるものであっ
た。
７８０ｎｍでＳ波に偏光した入射角θが０°〜６０°の
レーザー光を９９％以上透過する反射防止膜２を備えて
おり、この光半導体用窓ガラス１を封着した光半導体パ
ッケージ３を用いて製造された受発光一体型光半導体装
置は、図２に示すように、半導体レーザー１０から出射
されたレーザー光が光半導体用窓ガラス１の表面で実質
上反射されないので迷光が発生せず、フォトダイオード
１７が受光した光信号の誤り率を実用に全く支障の生じ
ないレベルにまで低く抑えることができるものであっ
た。
【００２０】
【発明の効果】本発明の光半導体用窓ガラスによれば、
０°〜６０°の広い入射角で入射した光の反射を防止し
て高い光透過率を有するので、本発明の光半導体用窓ガ
ラスを使用することにより光半導体装置の受光のＳ／Ｎ
比が向上し検出する光の信号の誤り率を低下させること
が可能となる実用上優れた効果を奏するものである。
０°〜６０°の広い入射角で入射した光の反射を防止し
て高い光透過率を有するので、本発明の光半導体用窓ガ
ラスを使用することにより光半導体装置の受光のＳ／Ｎ
比が向上し検出する光の信号の誤り率を低下させること
が可能となる実用上優れた効果を奏するものである。
【図１】本発明の光半導体用窓ガラスを示す図であっ
て、（Ａ）は平面図を、（Ｂ）は（Ａ）のＸ−Ｘ切片の
断面図
て、（Ａ）は平面図を、（Ｂ）は（Ａ）のＸ−Ｘ切片の
断面図
【図２】本発明の光半導体用窓ガラスが装着された光半
導体装置の断面図
導体装置の断面図
【図３】従来の光半導体用窓ガラスが装着された光半導
体装置の説明図であって、（Ａ）は半導体レーザーを備
えた発光装置の断面図を、（Ｂ）は受発光一体型光半導
体装置の断面図
体装置の説明図であって、（Ａ）は半導体レーザーを備
えた発光装置の断面図を、（Ｂ）は受発光一体型光半導
体装置の断面図
１ 光半導体用窓ガラス １ａ 板状体 １ｂ 透光部 ２ 反射防止膜 ２ａ、２ｃ ＳｉＯ2 膜 ２ｂ、２ｄ Ｔａ2 Ｏ5 膜 ３ 光半導体パッケージ ３ａ 窓孔部 ３ｂ 当接面 ３ｄ 底部 ４ 封着材 １０ レーザーダイオード １７ フォトダイオード １８ ビームスプリッタ １９ プリズム Ｌ 反射光 θ 入射角
Claims (1)
- 【請求項１】 光半導体パッケージの窓孔部をカバーす
る光半導体用窓ガラスにおいて、表面に多層の反射防止
膜を備え、入射角が０°〜６０°で入射した光に対して
９０％以上の光透過率を有することを特徴とする光半導
体用窓ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10176726A JP2000001337A (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | 光半導体用窓ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10176726A JP2000001337A (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | 光半導体用窓ガラス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000001337A true JP2000001337A (ja) | 2000-01-07 |
Family
ID=16018715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10176726A Pending JP2000001337A (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | 光半導体用窓ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000001337A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005332947A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 光素子用窓部品 |
| JP2009088261A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法 |
| US9360204B2 (en) | 2011-10-27 | 2016-06-07 | Panasonic Corporation | Light-emitting device |
| WO2021187420A1 (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| WO2023249025A1 (ja) * | 2022-06-24 | 2023-12-28 | Ａｇｃ株式会社 | 側面窓キャップ及び半導体発光装置 |
-
1998
- 1998-06-08 JP JP10176726A patent/JP2000001337A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005332947A (ja) * | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 光素子用窓部品 |
| JP2009088261A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP4696104B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2011-06-08 | 富士フイルム株式会社 | 裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法 |
| US9360204B2 (en) | 2011-10-27 | 2016-06-07 | Panasonic Corporation | Light-emitting device |
| WO2021187420A1 (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| JP7463149B2 (ja) | 2020-03-18 | 2024-04-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| WO2023249025A1 (ja) * | 2022-06-24 | 2023-12-28 | Ａｇｃ株式会社 | 側面窓キャップ及び半導体発光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7404367B2 (ja) | 光学フィルタ | |
| US20090207495A1 (en) | Wavelength separation film and filter for optical communication using the same | |
| JP2009116218A (ja) | 反射防止膜、反射防止膜の形成方法、及び透光部材 | |
| US11598909B2 (en) | LiDAR window integrated optical filter | |
| JP2009116220A (ja) | 反射防止膜、反射防止膜の形成方法、及び透光部材 | |
| JP2009204577A (ja) | 透光性部材およびこれを備えた時計 | |
| JP2013156619A (ja) | Ｉｒカット機能付きｎｄフィルタ | |
| JP2000001337A (ja) | 光半導体用窓ガラス | |
| JP2006259124A (ja) | コールドミラー | |
| JP2012037610A (ja) | Ｉｒカット機能付きｎｄフィルタ | |
| JP2005031298A (ja) | 反射防止膜付き透明基板 | |
| JP2009031406A (ja) | 非偏光ビームスプリッター及びそれを利用した光学計測機器 | |
| JP2002055207A (ja) | 光学部品および光学装置 | |
| US8445299B2 (en) | Performance optically coated semiconductor devices and related methods of manufacture | |
| JP2010185916A (ja) | ビームスプリット膜及びそれを用いたビームスプリッタ | |
| US8928102B2 (en) | Performance optically coated semiconductor devices and related methods of manufacture | |
| JP2000193810A (ja) | 反射ミラ― | |
| JP2007003936A (ja) | 赤外域反射鏡及びその製造方法 | |
| JP5936910B2 (ja) | エタロンフィルタ及びエタロンの製造方法 | |
| JP7452354B2 (ja) | 光学部材及びその製造方法 | |
| JPS6315562B2 (ja) | ||
| JP2008009125A (ja) | 波長分離膜及びそれを用いた光通信用フィルタ | |
| JP2001013308A (ja) | プリズム式ビームスプリッタ | |
| JPH11142623A (ja) | プリズム式ビームスプリッタ | |
| JPH06138317A (ja) | 干渉フィルター及び干渉フィルター付受光素子 |