JP2009088261A - 裏面照射型固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板1の表面部に複数の画素22が二次元アレイ状に形成され半導体基板1の裏面側から入射する被写界光の入射光量に応じて発生する信号電荷を画素22が蓄積する裏面照射型固体撮像素子100において、半導体基板1の裏面側に反射防止膜27を積層する。反射防止膜27を設けることで、半導体基板1の光入射面における入射光の反射率を抑制でき、光利用効率を高めることが可能となる。
【選択図】 図1
Description
22 n領域(フォトダイオード)
23 カラーフィルタ
24 マイクロレンズ
27,27R,27G,27B 反射防止膜
28 遮光部材
51 平坦化膜
100 裏面照射型固体撮像素子
Claims (11)
- 半導体基板の表面部に複数の画素が二次元アレイ状に形成され該半導体基板の裏面側から入射する被写界光の入射光量に応じて発生する信号電荷を前記画素が蓄積する裏面照射型固体撮像素子の製造方法において、前記半導体基板の前記裏面側に反射防止膜を積層することを特徴とする裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
- 前記半導体基板の受光面の中央部分に設ける前記反射防止膜の膜厚を厚く周辺部分に設ける前記反射防止膜の膜厚を薄く形成したことを特徴とする請求項1に記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
- 前記膜厚は、該反射防止膜を透過する光の光路長が該光の波長をλとしたときλ/4またはその奇数倍となるように形成したことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
- 前記反射防止膜の上にカラーフィルタが前記画素対応に形成され、該画素毎の前記反射防止膜の膜厚が該画素毎の前記カラーフィルタの色別に形成されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
- 前記カラーフィルタを透過する光の波長が長いほど前記膜厚を厚くすることを特徴とする請求項4に記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
- 前記カラーフィルタの或る色の画素に対応して設けた前記反射防止膜の膜厚をn・λ/4(nは奇数、λは入射光の波長)としたとき、該色と異なる色の前記カラーフィルタが設けられた隣接画素に対応して設けた前記反射防止膜の膜厚を、m・λ/4(m≠nの奇数)としたことを特徴とする請求項4または請求項5に記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
- 前記半導体基板から見て最初に形成する平坦化膜であって、前記反射防止膜の段差を吸収する平坦化膜を、該平坦化膜の上層,下層に設けられる材料の屈折率と該平坦化膜の屈折率との差が最も小さくなる層間に該平坦化膜を設けたことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
- 前記半導体基板がシリコンであり、前記反射防止膜が窒化シリコンの単層膜であることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
- 前記反射防止膜が多層膜であることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
- 前記カラーフィルタの代わりに、該カラーフィルタが透過する光の波長のみ選択的に透過し他の波長域の光を反射する前記反射防止膜を設けたことを特徴とする請求項4に記載の裏面照射型固体撮像素子の製造方法。
- 半導体基板の表面部に複数の画素が二次元アレイ状に形成され該半導体基板の裏面側から入射する被写界光の入射光量に応じて発生する信号電荷を前記画素が蓄積する裏面照射型固体撮像素子において、請求項1乃至請求項10のいずれかに記載の製造方法で製造したことを特徴とする裏面照射型固体撮像素子。
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