JP2011142330A - 固体撮像素子、カメラモジュール及び電子機器モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】固体撮像素子は、半導体基板32と、半導体基板32の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域33と、画素分離領域33で分離された各画素領域内に形成され、半導体基板32の表面側から裏面側に延在する光電変換部34と半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、半導体基板32の表面上に層間絶縁膜38を介して形成された複数層の配線39と、半導体基板32の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜41と、反射防止膜41上に積層されたカラーフィルタ42及びオンチップレンズ43、または反射防止膜41上に形成したオンチップレンズ43とを有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、併せて、シェーディング、隣接画素への光学的な混色を低減した固体撮像素子、小型のセンサとレンズモジュールの実現を可能にした固体撮像素、カメラモジュール及び電子機器モジュールを提供するものである。
固体撮像素子の反射防止膜上にオンチップレンズを形成し、光学レンズ側にカラーフィルタを配置するときは、オンチップレンズと半導体基板裏面がさらに近づけることができ、シェーディング、混色が更に低減する。
固体撮像素子の反射防止膜上にオンチップレンズを形成し、光学レンズ側にカラーフィルタを配置するときは、オンチップレンズと半導体基板裏面がさらに近づけることができ、シェーディング、混色が更に低減する。
図4Bでは、シリコン基板裏面の光照射面56上にシリコン酸化(SiO)膜66、シリコン酸化窒化(SiON)膜67を順次堆積させて2層膜の反射防止膜411を構成する。
図4Cでは、シリコン基板裏面の光照射面56上にシリコン酸化窒化(SiON)膜66、シリコン窒化(SiN)膜67を順次堆積させて2層膜の反射防止膜411を構成する。
シリコン酸化窒化膜は、窒素Nの組成比で屈折率が変わり、窒素Nの組成比が多くなるにつれて屈折率が大きくなる。膜66、67は、光照射面56から屈折率の小さい膜の順に堆積される。
2層膜による反射防止膜411の形成は、特に裏面照射型のCMOS固体撮像素子であるために、多層の配線層の制約を受けずに形成可能となる。
本実施の形態の固体撮像素子31では、基板裏面に臨むフォトダイオード34が画素領域全体に形成されるので、フォトダイオード34の開口が100%になり、光電変換効率の更なる向上が得られ、高感度の固体撮像素子が得られる。
また、シェーディングと光学的混色を従来の表面照射型のCMOS固体撮像素子と同等まで許容すれば、撮像領域周辺での入射角を大きくとることができ、いわゆる出射瞳距離を短くすることができ、固体撮像素子とレンズを一体化して1つのデバイスとして構成した小型モジュール(例えばカメラモジュール、電子モジュール等)の実現を可能にする。 さらに2層膜による反射防止膜411を有することで、製造工程の削減、及び工程削減によるコストダウンを図ることができる。
Claims (12)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域と、
前記画素分離領域で分離された各画素領域内に形成され、前記半導体基板の表面側から裏面側に延在する光電変換部と前記半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、
前記半導体基板の表面上に層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線と、
前記半導体基板の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜と、
前記反射防止膜上に積層されたカラーフィルタ及びオンチップレンズと
を有する固体撮像素子。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域と、
前記画素分離領域で分離された各画素領域内に形成され、前記半導体基板の表面側から裏面側に延在する光電変換部と前記半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、
前記半導体基板の表面上に層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線と、
前記半導体基板の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜と、
前記反射防止膜上に形成されたオンチップレンズと
を有する固体撮像素子。 - 前記反射防止膜は、前記半導体基板と屈折率を異にし、且つ光照射面から屈折率の小さい膜の順に堆積され、シリコン酸化膜、シリコン酸化窒化膜、シリコン窒化膜から選ばれた2層膜で形成されている
請求項1又は2記載の固体撮像素子。 - 前記反射防止膜は、前記光照射面からシリコン酸化膜、シリコン窒化膜を順に堆積させた2層膜で形成され、
前記シリコン酸化膜の膜厚を25nm以下(0を含まず)とし、前記シリコン窒化膜の膜厚を40nm〜60nmとした
請求項3記載の固体撮像素子。 - 固体撮像素子と、光学レンズ系と、信号処理装置とを備え、
前記固体撮像素子は、
半導体基板と、
前記半導体基板の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域と、
前記画素分離領域で分離された各画素領域内に形成され、前記半導体基板の表面側から裏面側に延在する光電変換部と前記半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、
前記半導体基板の表面上に層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線と、
前記半導体基板の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜と、
前記反射防止膜上に積層されたカラーフィルタ及びオンチップレンズと
を有する
カメラモジュール。 - 固体撮像素子と、光学レンズ系と、信号処理装置とを備え、
前記固体撮像素子は、
半導体基板と、
前記半導体基板の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域と、
前記画素分離領域で分離された各画素領域内に形成され、前記半導体基板の表面側から裏面側に延在する光電変換部と前記半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、
前記半導体基板の表面上に層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線と、
前記半導体基板の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜と、
前記反射防止膜上に形成されたオンチップレンズと
を有し、
前記光学レンズ系側にカラーフィルタを有する
カメラモジュール。 - 前記反射防止膜は、前記半導体基板と屈折率を異にし、且つ光照射面から屈折率の小さい膜の順に堆積され、シリコン酸化膜、シリコン酸化窒化膜、シリコン窒化膜から選ばれた2層膜で形成されている
請求項5又は6記載のカメラモジュール。 - 前記反射防止膜は、前記光照射面からシリコン酸化膜、シリコン窒化膜を順に堆積させた2層膜で形成され、
前記シリコン酸化膜の膜厚を25nm以下(0を含まず)とし、前記シリコン窒化膜の膜厚を40nm〜60nmとした
請求項7記載のカメラモジュール。 - 固体撮像素子と、光学レンズ系と、信号処理装置とを備え、
前記固体撮像素子は、
半導体基板と、
前記半導体基板の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域と、
前記画素分離領域で分離された各画素領域内に形成され、前記半導体基板の表面側から裏面側に延在する光電変換部と前記半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、
前記半導体基板の表面上に層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線と、
前記半導体基板の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜と、
前記反射防止膜上に積層されたカラーフィルタ及びオンチップレンズと
を有する
電子機器モジュール。 - 固体撮像素子と、光学レンズ系と、信号処理装置とを備え、
前記固体撮像素子は、
半導体基板と、
前記半導体基板の表面から裏面に至る半導体領域による画素分離領域と、
前記画素分離領域で分離された各画素領域内に形成され、前記半導体基板の表面側から裏面側に延在する光電変換部と前記半導体基板の表面側に存する複数のトランジスタとからなる画素と、
前記半導体基板の表面上に層間絶縁膜を介して形成された複数層の配線と、
前記半導体基板の光照射面となる裏面に形成された反射防止膜と、
前記反射防止膜上に形成されたオンチップレンズと
を有し、
前記光学レンズ系側にカラーフィルタを有する
電子機器モジュール。 - 前記反射防止膜は、前記半導体基板と屈折率を異にし、且つ光照射面から屈折率の小さい膜の順に堆積され、シリコン酸化膜、シリコン酸化窒化膜、シリコン窒化膜から選ばれた2層膜で形成されている
請求項9又は10記載の電子機器モジュール。 - 前記反射防止膜は、前記光照射面からシリコン酸化膜、シリコン窒化膜を順に堆積させた2層膜で形成され、
前記シリコン酸化膜の膜厚を25nm以下(0を含まず)とし、前記シリコン窒化膜の膜厚を40nm〜60nmとした
請求項11記載の電子機器モジュール。
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