JPS5889890A - レ−ザ−ダイオ−ド - Google Patents
レ−ザ−ダイオ−ドInfo
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- JPS5889890A JPS5889890A JP18703981A JP18703981A JPS5889890A JP S5889890 A JPS5889890 A JP S5889890A JP 18703981 A JP18703981 A JP 18703981A JP 18703981 A JP18703981 A JP 18703981A JP S5889890 A JPS5889890 A JP S5889890A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- protective film
- laser diode
- thickness
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0282—Passivation layers or treatments
- H01S5/0283—Optically inactive coating on the facet, e.g. half-wave coating
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザーダイオード、特にレーダー光の出射面
を保護膜で被ってなるレーザーダイオードに関する。
を保護膜で被ってなるレーザーダイオードに関する。
可視レーザー、赤外レーず−のようなり−ザーダイオー
ド（半導体レーず−）はＧａＡＪＡｓ＆の化合物半導体
で形成している。レーダーダイオードはその動作時多量
の熱を尭生するため、素子（チ；プ）は高温状態となる
。チップな形作る物質のうち％ＡＪは極めて酸化し易い
。このため、レーザーダイオードの動作時の温度によっ
て、レーず−光を出射する出射面では酸化が生じ、中射
珈を形作る活性層の端面は急激に劣化が進み、集用には
遣さなくなる。
ド（半導体レーず−）はＧａＡＪＡｓ＆の化合物半導体
で形成している。レーダーダイオードはその動作時多量
の熱を尭生するため、素子（チ；プ）は高温状態となる
。チップな形作る物質のうち％ＡＪは極めて酸化し易い
。このため、レーザーダイオードの動作時の温度によっ
て、レーず−光を出射する出射面では酸化が生じ、中射
珈を形作る活性層の端面は急激に劣化が進み、集用には
遣さなくなる。
そこで、従来はチップの出射面を有する端面（ｇＩ開面
）をＳ”ｔ ＊ ＊”ｊＬ４ｂＯｓ膜等の絶縁性違光保
論膜で被っている。この保護膜の膜厚ｔは下記の式を満
足する厚さとなっている。
）をＳ”ｔ ＊ ＊”ｊＬ４ｂＯｓ膜等の絶縁性違光保
論膜で被っている。この保護膜の膜厚ｔは下記の式を満
足する厚さとなっている。
１＝−
ここで、λはレーザー光の波長を示し、ｎは保−膜の屈
折率を示す。
折率を示す。
従来、可視レーザーの揚台ｔは０．２５〜０．３０μｍ
の厚さとしている。
の厚さとしている。
しかし、この厚さでは、出射面の保護効果が低く、寿命
が低くなることが実−的に明かとなった。
が低くなることが実−的に明かとなった。
一方、レーザー光の透光性カーらすると、保護膜の厚さ
ｔは前記式の整数倍であればよい。
ｔは前記式の整数倍であればよい。
他方、保護膜はチップを形作る化合物半導体と−は材料
なｌＩ４にする８ １０＠ ｔ −Ａ−４＊ Ｏｓ等で
あり、その、熱膨張係数も興なる。このため、保護膜を
厚くすると、保護膜とチップ素材との藺に発生する熱ス
トレスによりて、保護膜が剥離してしまう。
なｌＩ４にする８ １０＠ ｔ −Ａ−４＊ Ｏｓ等で
あり、その、熱膨張係数も興なる。このため、保護膜を
厚くすると、保護膜とチップ素材との藺に発生する熱ス
トレスによりて、保護膜が剥離してしまう。
したがって、本発明の目的は、レーず−ダイオードの長
寿命化、具捧的にはチップの出射面劣化防止を図ること
にある。
寿命化、具捧的にはチップの出射面劣化防止を図ること
にある。
このような目的を達成するために本発明は、レーザーダ
イオードのレーず一光を出射する出射面を有する端面な
絶縁性でかつ透光性の保護膜で被ってなるレーザーダイ
オードにおいて、前記保護膜の厚さはλ／２ｎ（λはレ
ーザー光の波長、ｎは保護膜の屈折率）の＆１惰の厚さ
となり、かつ１μｍ前後の厚さとなるものであって、以
下実施例により本発明を説−する。
イオードのレーず一光を出射する出射面を有する端面な
絶縁性でかつ透光性の保護膜で被ってなるレーザーダイ
オードにおいて、前記保護膜の厚さはλ／２ｎ（λはレ
ーザー光の波長、ｎは保護膜の屈折率）の＆１惰の厚さ
となり、かつ１μｍ前後の厚さとなるものであって、以
下実施例により本発明を説−する。
図面は本発明の一実施例によるｑｌすＡｓ系のレーザー
ダイオードの素子（チップ）を示す説明図的な斜視図で
ある。この実−例では、チップ１は塩込ヘテ四構造とな
っている。すなわち、チップ１は、ｎ導ｍ１ｌｌ（Ｗｈ
シてｎ＃Ｍ、またｐ導電−はｐａｌと以下称す。）のＧ
ａＡｍからなる基板２上に。
ダイオードの素子（チップ）を示す説明図的な斜視図で
ある。この実−例では、チップ１は塩込ヘテ四構造とな
っている。すなわち、チップ１は、ｎ導ｍ１ｌｌ（Ｗｈ
シてｎ＃Ｍ、またｐ導電−はｐａｌと以下称す。）のＧ
ａＡｍからなる基板２上に。
ｎ−クラツド層３％活性層４、ｐ＆クーラッド層５を順
次液相エピタキシャル成長によって形成した後、中央を
除く両髄のｐａｌクラッド層５．活性層４をエツチング
除去するとともに、エツチングなｎ［クラッド層３中に
まで及ぼし、メサ形とする。
次液相エピタキシャル成長によって形成した後、中央を
除く両髄のｐａｌクラッド層５．活性層４をエツチング
除去するとともに、エツチングなｎ［クラッド層３中に
まで及ぼし、メサ形とする。
その後、露出するｎｍクラッド層３上に順次ｐｍのブロ
ッキング層６ 、０ｍ１１１込層７を形成してエツチン
グによって堀り下げた部分を涯め、全体の表面をｐ＆の
キャップ層８で被うことによって形成される。また、活
性層４の真上のキャップ層８部分にはｐ回りラッド層５
にまで達するように４を拡散させて電極コンタクト用の
ｐａｌｉの拡散層９（図中のクロスハツチングを施した
Ｉｌｌ域）を形成しである。また、基板２の下面にカソ
ード電極１０を、キャップ層Ｂ上にアノード電極１１を
それぞれ全系の電極材（Ｃｒ−ムＵ）で形成している。
ッキング層６ 、０ｍ１１１込層７を形成してエツチン
グによって堀り下げた部分を涯め、全体の表面をｐ＆の
キャップ層８で被うことによって形成される。また、活
性層４の真上のキャップ層８部分にはｐ回りラッド層５
にまで達するように４を拡散させて電極コンタクト用の
ｐａｌｉの拡散層９（図中のクロスハツチングを施した
Ｉｌｌ域）を形成しである。また、基板２の下面にカソ
ード電極１０を、キャップ層Ｂ上にアノード電極１１を
それぞれ全系の電極材（Ｃｒ−ムＵ）で形成している。
なお、ｎｊｉｌクラッド層３．ｎｌｌ塩込層７ｉｔＧｉ
ＡＪＡｓからなり、ｐａｔプロ′ツキング層６およびｐ
ｍクラッド層５はＧａＡＡＡｓからなっている。また、
活性層４はＡＪをわずかに含むＧａＡｓ層からなり、キ
ャップ層８はＧａＡｓ層からなる。
ＡＪＡｓからなり、ｐａｔプロ′ツキング層６およびｐ
ｍクラッド層５はＧａＡＡＡｓからなっている。また、
活性層４はＡＪをわずかに含むＧａＡｓ層からなり、キ
ャップ層８はＧａＡｓ層からなる。
さらに、このチップ１０両端面、すなわち、活性層４の
端ＩＩ（レーザー光１２を発する出射面）を有する面（
ｇ＃開園）は保護膜１３で被われている。この保護膜１
３は８４０．膜あるいはナイトライド膜からなり、その
厚さく１）は下記の式を満足する１μｍＩＩＪ１１の厚
さとなっている。
端ＩＩ（レーザー光１２を発する出射面）を有する面（
ｇ＃開園）は保護膜１３で被われている。この保護膜１
３は８４０．膜あるいはナイトライド膜からなり、その
厚さく１）は下記の式を満足する１μｍＩＩＪ１１の厚
さとなっている。
どこで、λはレーザー光の波長でたとえば０．８３〜０
．９１μｍとなる。また、ｎは保護膜１３の屈折率であ
り、８ｉＱ、膜の場合では約１．４３となる。
．９１μｍとなる。また、ｎは保護膜１３の屈折率であ
り、８ｉＱ、膜の場合では約１．４３となる。
また、Ｎは整数であり、ここでは３または４を採用する
。
。
したがりて、たとえば、絶縁膜を８ｉＱ、膜とし。
Ｎを３または４とすると、絶縁膜の厚さは略１μｍ前後
の凧さとなる。
の凧さとなる。
また、この保護膜１３は低温下で形成可能なスパッタあ
るいは蒸着によって形成する。これは、アノードおよび
カソードを形作るＣｒ−Ａｕの電極が高温度に晒される
と、下層の牛導体層と反応してしまい、レーザー発ｔｊ
！に悪影響を及ぼすことな防止するためである。
るいは蒸着によって形成する。これは、アノードおよび
カソードを形作るＣｒ−Ａｕの電極が高温度に晒される
と、下層の牛導体層と反応してしまい、レーザー発ｔｊ
！に悪影響を及ぼすことな防止するためである。
このような実施例によれば、保護膜は１μｍ前後と厚い
ため、活性層４の端（２）である出射面は酸素と触れる
ことなく酸化は生じない。したがって、レーず−ダイオ
ードの長寿命化が図れる。ｉ′た、この実施例では、保
護膜は１μｍ前後と薄いため、レーザーダイオード動作
−の熱ストレスによってもチップから−１することはな
い。
ため、活性層４の端（２）である出射面は酸素と触れる
ことなく酸化は生じない。したがって、レーず−ダイオ
ードの長寿命化が図れる。ｉ′た、この実施例では、保
護膜は１μｍ前後と薄いため、レーザーダイオード動作
−の熱ストレスによってもチップから−１することはな
い。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。また、本発
明は赤外レーザー、長波長レーザーにも適用できる。
明は赤外レーザー、長波長レーザーにも適用できる。
以上のようＫ、本発明によれば、光出射面部分の劣化が
防止できるとｉから、レーザー発光の長寿命化か図れる
とともに、信頼度の向上が図れる。
防止できるとｉから、レーザー発光の長寿命化か図れる
とともに、信頼度の向上が図れる。
図面は本発明の一実施例によるレーザーダイオードの素
子を示す説明図的な斜視図である。 １・・・テップ、２・・・基板、３・・・ｎ型クラッド
層、４・・・活性層、５・・・ｐａｌり２ラド層、６・
・・ｐａｌブロッキング層、７・・・ｎｒｉｕｔｉｔ込
層、１Ｇ・・・カソード電極、１１・・・アノード電極
、１２川レーザー光。
子を示す説明図的な斜視図である。 １・・・テップ、２・・・基板、３・・・ｎ型クラッド
層、４・・・活性層、５・・・ｐａｌり２ラド層、６・
・・ｐａｌブロッキング層、７・・・ｎｒｉｕｔｉｔ込
層、１Ｇ・・・カソード電極、１１・・・アノード電極
、１２川レーザー光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、レーザーダイオードのレーザー光を出射する出射面
を有する端面な絶縁性でかろ透光性の保護。 朕で−ってなるレーザーダイ薯−ドにおいて、前記保護
膜の厚さはλ／２ｎ（λはレーザー光の波長。 ｎは保護膜の屈折率）の整数倍の厚さとなり、かつ１μ
ｍ前後の厚さとなることを特徴とするレーザーダイオー
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18703981A JPS5889890A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | レ−ザ−ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18703981A JPS5889890A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | レ−ザ−ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5889890A true JPS5889890A (ja) | 1983-05-28 |
Family
ID=16199100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18703981A Pending JPS5889890A (ja) | 1981-11-24 | 1981-11-24 | レ−ザ−ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5889890A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2598263A1 (fr) * | 1986-04-30 | 1987-11-06 | Thomson Csf | Laser semiconducteur a haut niveau de non-linearite et procede de passivation differentielle des faces clivees de ce laser. |
| US4840922A (en) * | 1986-07-29 | 1989-06-20 | Ricoh Company, Ltd. | Method of manufacturing masked semiconductor laser |
| US4855256A (en) * | 1987-02-13 | 1989-08-08 | Ricoh Company, Ltd. | Method of manufacturing masked semiconductor laser |
| EP0820131A1 (en) * | 1996-07-17 | 1998-01-21 | Motorola, Inc. | Passivated vertical cavity surface emitting laser |
| EP0949731A2 (en) * | 1998-04-06 | 1999-10-13 | Matsushita Electronics Corporation | Nitride semiconductor laser device |
| KR100813750B1 (ko) | 2005-07-13 | 2008-03-13 | 가부시끼가이샤 도시바 | 레이저 다이오드 및 그 제조 방법과 발광 다이오드 |
-
1981
- 1981-11-24 JP JP18703981A patent/JPS5889890A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2598263A1 (fr) * | 1986-04-30 | 1987-11-06 | Thomson Csf | Laser semiconducteur a haut niveau de non-linearite et procede de passivation differentielle des faces clivees de ce laser. |
| US4840922A (en) * | 1986-07-29 | 1989-06-20 | Ricoh Company, Ltd. | Method of manufacturing masked semiconductor laser |
| US4855256A (en) * | 1987-02-13 | 1989-08-08 | Ricoh Company, Ltd. | Method of manufacturing masked semiconductor laser |
| EP0820131A1 (en) * | 1996-07-17 | 1998-01-21 | Motorola, Inc. | Passivated vertical cavity surface emitting laser |
| EP0949731A2 (en) * | 1998-04-06 | 1999-10-13 | Matsushita Electronics Corporation | Nitride semiconductor laser device |
| EP0949731A3 (en) * | 1998-04-06 | 2000-01-26 | Matsushita Electronics Corporation | Nitride semiconductor laser device |
| KR100813750B1 (ko) | 2005-07-13 | 2008-03-13 | 가부시끼가이샤 도시바 | 레이저 다이오드 및 그 제조 방법과 발광 다이오드 |
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