JPH0621265Y2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

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JPH0621265Y2
JPH0621265Y2 JP5563987U JP5563987U JPH0621265Y2 JP H0621265 Y2 JPH0621265 Y2 JP H0621265Y2 JP 5563987 U JP5563987 U JP 5563987U JP 5563987 U JP5563987 U JP 5563987U JP H0621265 Y2 JPH0621265 Y2 JP H0621265Y2
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JP
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semiconductor laser
laser device
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弘喜 浜田
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本考案は半導体レーザ装置に関する。
(ロ)従来の技術 現在、半導体レーザ素子の高出力化を目的として、レー
ザ素子の１対の光取出面の１方を高反射率とし、他方を
底反射率としてなる装置が提案されている（特開昭60-2
35482号公報）。
第１図はこの種装置の一例を示し、(1)は半導体レーザ
素子であり、該素子はGaAlAs系材料からなり、約830nm
のレーザ光を出力可能なVSIS型の素子である。(2a)(2b)
は第１、第２の光取出面であり、該取出面は上記レーザ
素子(1)の対向する１対の面にへき開により形成されて
いる。(3)は上記第１の光取出面(2a)上に積層された第
１コーティング膜であり、該膜はＡｌ２Ｏ３からなり、
その層厚は約1550Åである。(4)は上記第２の光取出面
(2b)上に積層された第２コーティング膜であり、該膜は
底屈折率の第１誘電体膜(5)と高屈折率の第２誘導体膜
(6)とを順次積層したものである。具体的には上記第１
誘電体膜(5)は層厚約1296ÅのＡｌ２Ｏ３からなり、第
２誘電体膜(6)は層厚約670Åの水素化アモルファスシリ
コン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと称す）からなる。尚、上記
Ａｌ２Ｏ３及びａ−Ｓｉ：Ｈの光屈折率は夫々1.65及び
3.1である。
斯る装置では、第１の光取出面(2a)側の光反射率は約７
％となり、第２の光取出面(2b)側の光反射率は約70％と
なるため、第１の光取出面(2a)側より高出力のレーザ光
を出力可能である。
(ハ)考案が解決しようとする問題点 然るに、上記コーティング膜(3)(4)を構成しているＡｌ
２Ｏ３は熱伝導率が低いため、特に発熱量の大きい高出
力タイプの半導体レーザ素子のコーティング材料として
は不適当である。
具体的には、上記従来装置を50℃の雰囲気温度中で第１
光取出面(2a)から常に50mwで出力させるための駆動電流
の変化を調べたところ、第２図に×印で示す如く急激な
変化が見られた。これは、半導体レーザ素子(1)の熱的
劣化によるものであると考えられる。
(ニ)問題点を解決するための手段 本考案は斯る点に鑑みてなされたもので、その構成的特
徴は、半導体レーザ素子の光取出面を被覆するコーティ
ング膜として少なくともＡｌＮ（窒素アルミニウム）膜
を用いることにある。
(ホ)作用 ＡｌＮ膜の熱伝導率は1.4Ｗ／cm・ＫとＡｌ２Ｏ３膜の
熱伝導率0.3Ｗ／cm・Ｋに比べて３倍以上大きい。従っ
て、従来に比して半導体レーザ素子の放熱特性が良好と
なる。
(ヘ)実施例 本考案の実施例としては第１図に示した従来装置におい
て、第１コーティング膜(3)と第２コーティング膜(4)の
第１誘電体膜(5)とをＡｌＮで構成したものが挙げられ
る。具体的には第１コーティング膜(3)は膜厚約1400Å
のＡｌＮ膜で構成され、これにより第１光取出面(2a)の
光反射率は約７％となる。また、第２コーティング膜
(4)の第１誘電体膜(5)は膜厚約1080ÅのＡｌＮ膜で構成
され、これにより第２光取出面(2b)の光反射率は約83％
となる。
尚、上記ＡｌＮ膜の形成は高周波スパッタリングを用い
て行なう。具体的には高熱伝導ＡｌＮセラミックスをタ
ーゲット材料として以下の条件のもとに行なう。
入力電圧 約1.3Ｗ／cm2 スパッタリングガス ＡｒもしくはＡｒ＋Ｎ２ スパッタリング圧力 １〜２×10-2Torr 基板温度 150〜200℃ ターゲット−基板間距離 4.0cm これにより80〜100Å／minの速度でＡｌＮ膜が成長す
る。
斯る装置を50℃の雰囲気温度中で、第１光取出面(2a)か
ら常に50mwで出力させるための駆動電流の変化を調べた
ところ、第２図に○印で示す如く1000時間以上の連続駆
動を行なっても駆動電流の変化はほとんど見られなかっ
た。
これは、本実施例では高熱伝導率のＡｌＮをコーティン
グ膜として用いているので従来に比して放熱特性が良好
となり、半導体レーザ素子(1)内での熱的劣化が生じな
いためであると考えられる。
(ト)考案の効果 本考案によれば、放熱特性が良好で長寿命の半導体レー
ザ装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は一般的な高出力型半導体レーザ装置を示す模式
図、第２図は半導体レーザの寿命試験結果を示す模式図
である。 (1)…半導体レーザ素子、(2a)(2b)…第１、第２光取出
面、(3)(4)…第１、第２コーティング膜

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体レーザ素子の光取出面を被覆するコ
    ーティング膜として少なくともＡｌＮ膜を用いることを
    特徴とする半導体レーザ装置。
JP5563987U 1987-04-13 1987-04-13 半導体レ−ザ装置 Expired - Lifetime JPH0621265Y2 (ja)

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JP2001068780A (ja) * 1999-08-30 2001-03-16 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP5285835B2 (ja) * 2005-07-13 2013-09-11 株式会社東芝 半導体素子およびその製造方法
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