JP2002118322A - 高反射率被膜を含む光デバイス - Google Patents
高反射率被膜を含む光デバイスInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高反射率被膜を含む光デバイスを提供する。
【解決手段】 本発明は高反射率材料（１５）で被覆さ
れた少くとも１つのファセット（１３）を有する光デバ
イス（１０）、デバイスを含むパッケージ及び光デバイ
スの作製方法に関する。高反射率材料はタンタル酸化物
の少くとも１つの層及び好ましくは少くとも１つのシリ
コン層を含む
れた少くとも１つのファセット（１３）を有する光デバ
イス（１０）、デバイスを含むパッケージ及び光デバイ
スの作製方法に関する。高反射率材料はタンタル酸化物
の少くとも１つの層及び好ましくは少くとも１つのシリ
コン層を含む
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は少くとも１つの面に
高反射被膜を含む半導体レーザのような光デバイスに関
する。
高反射被膜を含む半導体レーザのような光デバイスに関
する。
【０００２】
【従来の技術】光ネットワークの情報を扱える能力が著
しく増したため、光電子技術に対する関心が、最近爆発
的に拡大した。そのようなネットワークは典型的な場
合、信号光を発生するための半導体レーザ、光を伝送す
るための光ファイバ及び光を受け電気信号に変換するた
めの光検出器を含む。ネットワークはまた、典型的な場
合、フィルタ、レンズ及び波長分割マルチプレクサを含
む。
しく増したため、光電子技術に対する関心が、最近爆発
的に拡大した。そのようなネットワークは典型的な場
合、信号光を発生するための半導体レーザ、光を伝送す
るための光ファイバ及び光を受け電気信号に変換するた
めの光検出器を含む。ネットワークはまた、典型的な場
合、フィルタ、レンズ及び波長分割マルチプレクサを含
む。
【０００３】典型的な場合、用いられる半導体レーザ
は、ファブリーペロー（ＦＰ）、分布帰還（ＤＦＢ）又
は分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）レーザである。そのよう
なレーザは通常、反射防止（ＡＲ）被膜（ＤＦＢ及びＤ
ＢＲレーザに必要なのは典型的な場合、０．３％より小
さい反射率）で被覆された出力ファセット及び高反射
（ＨＲ）被膜（すなわち、少くとも６０％の反射率）で
被覆された裏面ファセットを含む。出力ファセット用に
提案された材料は、タンタル及びアルミニウムの酸化物
及びＹ２Ｏ２で安定化されたＺｒＯ２が含まれる。（た
とえば、チャクラバルティ（ｃｈａｋｒａｂａｒｔｉ）
らに承認された米国特許第４，７４９，２５５号及びチ
ャクラバルティ（ｃｈａｋｒａｂａｒｔｉ）らに承認さ
れた米国特許第５，８０２，０９１号を参照のこと）裏
面ファセット用の材料には、シリコンとＹ２Ｏ２で安定
化されたＺｒＯ２の交互の層が含まれる。
は、ファブリーペロー（ＦＰ）、分布帰還（ＤＦＢ）又
は分布ブラッグ反射（ＤＢＲ）レーザである。そのよう
なレーザは通常、反射防止（ＡＲ）被膜（ＤＦＢ及びＤ
ＢＲレーザに必要なのは典型的な場合、０．３％より小
さい反射率）で被覆された出力ファセット及び高反射
（ＨＲ）被膜（すなわち、少くとも６０％の反射率）で
被覆された裏面ファセットを含む。出力ファセット用に
提案された材料は、タンタル及びアルミニウムの酸化物
及びＹ２Ｏ２で安定化されたＺｒＯ２が含まれる。（た
とえば、チャクラバルティ（ｃｈａｋｒａｂａｒｔｉ）
らに承認された米国特許第４，７４９，２５５号及びチ
ャクラバルティ（ｃｈａｋｒａｂａｒｔｉ）らに承認さ
れた米国特許第５，８０２，０９１号を参照のこと）裏
面ファセット用の材料には、シリコンとＹ２Ｏ２で安定
化されたＺｒＯ２の交互の層が含まれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】遠距離通信に適した高
パワーレザーは、通常ハーメチックシールパッケージ内
に作製される。ハーメチックシールなしに作れれば、よ
り安定なレーザパッケージが作れるが、そのような場
合、レーザファセットは大気中の汚染による損傷を受け
やすい。従って、ファセットの反射率を変えず、しかし
不活性化機能をもつ被膜の形成が望ましい。そのような
出力ファセット上のＡＲ被膜は提案されてきた（上で引
用した米国特許第５，８０２，０９１号）が、あるもの
はタンタルとアルミニウムの酸化物の混合物を含む裏面
ファセット上のＨＲ被膜を形成することであった。裏面
ファセット上の被膜は通常、レーザの動作条件を満し、
機能をモニターするために、ある程度の光は裏面ファセ
ットから出るように、特定の反射率を持つ必要がある。
従ってある種のデバイスに対しては、タンタル及びアル
ミニウムの酸化物の混合物では、反射率が高すぎ、適切
な歩留りが得られない。
パワーレザーは、通常ハーメチックシールパッケージ内
に作製される。ハーメチックシールなしに作れれば、よ
り安定なレーザパッケージが作れるが、そのような場
合、レーザファセットは大気中の汚染による損傷を受け
やすい。従って、ファセットの反射率を変えず、しかし
不活性化機能をもつ被膜の形成が望ましい。そのような
出力ファセット上のＡＲ被膜は提案されてきた（上で引
用した米国特許第５，８０２，０９１号）が、あるもの
はタンタルとアルミニウムの酸化物の混合物を含む裏面
ファセット上のＨＲ被膜を形成することであった。裏面
ファセット上の被膜は通常、レーザの動作条件を満し、
機能をモニターするために、ある程度の光は裏面ファセ
ットから出るように、特定の反射率を持つ必要がある。
従ってある種のデバイスに対しては、タンタル及びアル
ミニウムの酸化物の混合物では、反射率が高すぎ、適切
な歩留りが得られない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は一側面におい
て、高反射率被膜を有する少くとも１つのファセットを
有する光デバイスである。高反射率被膜は本質的にタン
タル酸化物から成る少くとも１つの層を含む。
て、高反射率被膜を有する少くとも１つのファセットを
有する光デバイスである。高反射率被膜は本質的にタン
タル酸化物から成る少くとも１つの層を含む。
【０００６】別の側面に従うと、本発明は非ハーメチッ
クシールケースとその中にマウントされた光デバイスを
含む光デバイスパッケージである。
クシールケースとその中にマウントされた光デバイスを
含む光デバイスパッケージである。
【０００７】別の側面に従うと、本発明は少くとも１つ
のファセットを有する光デバイスの作製方法である。高
反射率被膜をファセット上に堆積させる。被膜は本質的
にタンタル酸化物から成る少くとも１つの層とシリコン
から成る少くとも１つの層を含む。
のファセットを有する光デバイスの作製方法である。高
反射率被膜をファセット上に堆積させる。被膜は本質的
にタンタル酸化物から成る少くとも１つの層とシリコン
から成る少くとも１つの層を含む。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１はデバイス（１０）を示し、
これは一実施例に従う本発明の原理を示す。説明のた
め、デバイスはＤＦＢ又はＤＢＲレーザのような標準的
な半導体レーザと仮定する。しかし、本発明はまた、高
反射率被膜を用いる光検出器のような他のデバイスにも
適用できる。
これは一実施例に従う本発明の原理を示す。説明のた
め、デバイスはＤＦＢ又はＤＢＲレーザのような標準的
な半導体レーザと仮定する。しかし、本発明はまた、高
反射率被膜を用いる光検出器のような他のデバイスにも
適用できる。
【０００９】レーザ（１０）は典型的な場合、ＩｎＰの
ような半導体基板（１７）上に形成された複数の半導体
層、たとえば（１１）及び（１２）を含む。層の１つは
活性層（１２）で、そこで光が発生する。この層は典型
的な場合、ＩｎＧａＡｓＰのような量子井戸材料と障壁
層材料の複数の交互の層である。具体的には示されてい
ない他の層には、別々の閉じ込め層、クラッド層及び電
流阻止層が含まれる。層は典型的な場合、有機金属化学
気相堆積（ＭＯＣＶＤ）により形成される。電極（図示
されていない）もレーザを駆動するため、最上部及び底
部表面上に堆積される。
ような半導体基板（１７）上に形成された複数の半導体
層、たとえば（１１）及び（１２）を含む。層の１つは
活性層（１２）で、そこで光が発生する。この層は典型
的な場合、ＩｎＧａＡｓＰのような量子井戸材料と障壁
層材料の複数の交互の層である。具体的には示されてい
ない他の層には、別々の閉じ込め層、クラッド層及び電
流阻止層が含まれる。層は典型的な場合、有機金属化学
気相堆積（ＭＯＣＶＤ）により形成される。電極（図示
されていない）もレーザを駆動するため、最上部及び底
部表面上に堆積される。
【００１０】デバイス（１０）はそれを通してデバイス
からレーザ光が出る前面ファセット（１４）とそれを通
して発生した光のわずかな割合が、光をモニターするた
め外に出る裏面ファセット（１３）を形成するため、半
導体ウエハから劈開される。この例では、前面ファセッ
トはＡｌ２Ｏ３及びＴａ２Ｏ５の混合物のような誘電体
材料を用いて、反射防止膜で被覆され、この膜は前面フ
ァセットの不治性化もするので好ましい。
からレーザ光が出る前面ファセット（１４）とそれを通
して発生した光のわずかな割合が、光をモニターするた
め外に出る裏面ファセット（１３）を形成するため、半
導体ウエハから劈開される。この例では、前面ファセッ
トはＡｌ２Ｏ３及びＴａ２Ｏ５の混合物のような誘電体
材料を用いて、反射防止膜で被覆され、この膜は前面フ
ァセットの不治性化もするので好ましい。
【００１１】裏面ファセット（１３）は高反射率被覆
（１５）で被覆される。被膜（１５）は高効率レーザ動
作を生じるような反射率を有し、一方光がモニターでき
るように、十分な光が裏面ファセットを通るようにする
のが望ましい。好ましいファセット反射率は、レーザと
それを中に入れるパッケージの設計及び特性の要件に依
存する。典型的な場合、反射率は少くとも６０％、６０
％ないし９５％の範囲内にある。与えられた製品に対
し、裏面ファセットの反射率は典型的な場合、たとえば
８５％±３％と狭い範囲にあることが要求される。異な
る半導体レーザ製品の要件にあうように、被膜反射率を
調整できる能力をもつのが望ましい。レーザ（１０）は
典型的な場合、ケース（１８）と概略的に示されたパッ
ケージ内にマウントされる。（光ファイバ、レンズ及び
パッケージの標準的な要素である駆動及びモニター回路
といった追加すべき要素は示されていない。）レーザを
ハーメチックシールする必要がないように、被膜（１
５）がファセットを雰囲気中の汚染から保護（すなわち
不活性化機能）すると、更に望ましい。従って、被膜は
高い化学的安定性をもつことが必要である。
（１５）で被覆される。被膜（１５）は高効率レーザ動
作を生じるような反射率を有し、一方光がモニターでき
るように、十分な光が裏面ファセットを通るようにする
のが望ましい。好ましいファセット反射率は、レーザと
それを中に入れるパッケージの設計及び特性の要件に依
存する。典型的な場合、反射率は少くとも６０％、６０
％ないし９５％の範囲内にある。与えられた製品に対
し、裏面ファセットの反射率は典型的な場合、たとえば
８５％±３％と狭い範囲にあることが要求される。異な
る半導体レーザ製品の要件にあうように、被膜反射率を
調整できる能力をもつのが望ましい。レーザ（１０）は
典型的な場合、ケース（１８）と概略的に示されたパッ
ケージ内にマウントされる。（光ファイバ、レンズ及び
パッケージの標準的な要素である駆動及びモニター回路
といった追加すべき要素は示されていない。）レーザを
ハーメチックシールする必要がないように、被膜（１
５）がファセットを雰囲気中の汚染から保護（すなわち
不活性化機能）すると、更に望ましい。従って、被膜は
高い化学的安定性をもつことが必要である。
【００１２】出願人は、すべてのこれらの目的は、被膜
（１５）が本質的にタンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）の少
くとも１つの層及び好ましくはシリコンの少くとも１つ
の層を含むと満たされることを発見した。誘電体材料で
高反射率被膜を形成するために、典型的な場合、高屈折
率材料と低屈折率材料の交互の層を用いる。反射率は層
の数を増すか、２つの材料の屈折率差を増すことによ
り、増すことができる。たとえば、４分の１波長厚の層
を用いるとき（すなわち、１．３μｍの波長で動作する
ＩｎＰを基本とするデバイスの例では、Ｔａ２Ｏ５及び
Ｓｉ層に対して、それぞれ１５８５Å及び９２９Å）、
２層被膜（レーザ／Ｔａ２Ｏ５／Ｓｉ）は約６５．３パ
ーセントの反射率を有する。Ｔａ２Ｏ５及びＳｉの交互
の層を用いた４層被膜は、約８６．４パーセントの反射
率をもち、同じ材料の組合せを用いた６層被膜は、９
５．１パーセントの反射率をもつ。高／低屈折率対を形
成するために、タンタル酸化物とともにＳｉＯ２及びＡ
ｌ２Ｏ３のような他の誘電体層を用いてもよく、タンタ
ル酸化物は高屈折率の方でも低屈折率の方でもよいが、
シリコンの屈折率とタンタル酸化物の屈折率差が大きい
ため、シリコンは好ましい材料である。従って、任意の
高反射率条件を有する被膜を形成するために、より少数
の層が必要である。これは製造の容易さ及びデバイスの
信頼性の両方にとって、有利である。たとえば、（１．
３μｍの波長における）６層４分の１波長厚被膜の場
合、レーザ／ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２／Ｔａ２
Ｏ５／ＳｉＯ ２／Ｔａ２Ｏ５は８５．１パーセントの反
射率をもち、全体の厚さは１．１４μｍである。それに
対し、４層レーザ／Ｔａ２Ｏ５／Ｓｉ／Ｔａ２Ｏ５／Ｓ
ｉ被膜の先の例は、８６．４パーセントの反射率を生
じ、全体の厚さはわずか０．５０μｍである。
（１５）が本質的にタンタル酸化物（Ｔａ２Ｏ５）の少
くとも１つの層及び好ましくはシリコンの少くとも１つ
の層を含むと満たされることを発見した。誘電体材料で
高反射率被膜を形成するために、典型的な場合、高屈折
率材料と低屈折率材料の交互の層を用いる。反射率は層
の数を増すか、２つの材料の屈折率差を増すことによ
り、増すことができる。たとえば、４分の１波長厚の層
を用いるとき（すなわち、１．３μｍの波長で動作する
ＩｎＰを基本とするデバイスの例では、Ｔａ２Ｏ５及び
Ｓｉ層に対して、それぞれ１５８５Å及び９２９Å）、
２層被膜（レーザ／Ｔａ２Ｏ５／Ｓｉ）は約６５．３パ
ーセントの反射率を有する。Ｔａ２Ｏ５及びＳｉの交互
の層を用いた４層被膜は、約８６．４パーセントの反射
率をもち、同じ材料の組合せを用いた６層被膜は、９
５．１パーセントの反射率をもつ。高／低屈折率対を形
成するために、タンタル酸化物とともにＳｉＯ２及びＡ
ｌ２Ｏ３のような他の誘電体層を用いてもよく、タンタ
ル酸化物は高屈折率の方でも低屈折率の方でもよいが、
シリコンの屈折率とタンタル酸化物の屈折率差が大きい
ため、シリコンは好ましい材料である。従って、任意の
高反射率条件を有する被膜を形成するために、より少数
の層が必要である。これは製造の容易さ及びデバイスの
信頼性の両方にとって、有利である。たとえば、（１．
３μｍの波長における）６層４分の１波長厚被膜の場
合、レーザ／ＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２／Ｔａ２
Ｏ５／ＳｉＯ ２／Ｔａ２Ｏ５は８５．１パーセントの反
射率をもち、全体の厚さは１．１４μｍである。それに
対し、４層レーザ／Ｔａ２Ｏ５／Ｓｉ／Ｔａ２Ｏ５／Ｓ
ｉ被膜の先の例は、８６．４パーセントの反射率を生
じ、全体の厚さはわずか０．５０μｍである。
【００１３】一般に、被膜（１５）の全体の厚さは、
０．２ないし１．０μｍの範囲内にある。酸化物層の屈
折率は典型的な場合、１．７ないし２．２５の範囲内に
あり、２．０ないし２．１が最も好ましく、一方シリコ
ン層の屈折率は典型的な場合、３．４ないし３．８５の
範囲内である。
０．２ないし１．０μｍの範囲内にある。酸化物層の屈
折率は典型的な場合、１．７ないし２．２５の範囲内に
あり、２．０ないし２．１が最も好ましく、一方シリコ
ン層の屈折率は典型的な場合、３．４ないし３．８５の
範囲内である。
【００１４】タンタル酸化物及びシリコンの層は、図２
に概略的に示されたような装置により、電子ビーム蒸着
によってファセット上に堆積させる。デバイス（２０）
は裏面ファセット（２１）が露出されるように、ホルダ
ー（２２）中にマウントされる。ホルダーは好ましくは
３×１０−６Ｔｏｒｒ以下の圧力に排気されたチャンバ
（２３）内に置かれる。堆積のため、ソース材料（２
４）が標準的なるつぼ（２５）中に入れられ、チャンバ
内に置かれる。フィラメントのような源（２７）から電
子ビーム（２６）が供給され、るつぼ（２５）内のソー
ス材料（２４）に入射する。電子ビームはソース材料を
蒸発させ、それは次にデバイスの露出された表面上に堆
積する。表面上への好ましくない堆積を防止するため、
裏面ファセット以外の表面上にマスク（図示されていな
い）が形成できる。
に概略的に示されたような装置により、電子ビーム蒸着
によってファセット上に堆積させる。デバイス（２０）
は裏面ファセット（２１）が露出されるように、ホルダ
ー（２２）中にマウントされる。ホルダーは好ましくは
３×１０−６Ｔｏｒｒ以下の圧力に排気されたチャンバ
（２３）内に置かれる。堆積のため、ソース材料（２
４）が標準的なるつぼ（２５）中に入れられ、チャンバ
内に置かれる。フィラメントのような源（２７）から電
子ビーム（２６）が供給され、るつぼ（２５）内のソー
ス材料（２４）に入射する。電子ビームはソース材料を
蒸発させ、それは次にデバイスの露出された表面上に堆
積する。表面上への好ましくない堆積を防止するため、
裏面ファセット以外の表面上にマスク（図示されていな
い）が形成できる。
【００１５】タンタル酸化物の堆積のため、るつぼをシ
ンターしたＴａ２Ｏ５片で満し、排気したチャンバが好
ましくは１×１０−５ないし９×１０−５Ｔｏｒｒの範
囲の圧力になるように、酸素を導入する。毎秒１−１０
オングストロームの堆積速度が有利である。シリコンの
堆積のために、シリコンで満した異なるるつぼを導入
し、酸素を導入することはしない。（典型的な場合、異
なるるつぼは、ｅ−ビームの経路内に回転して入れられ
る。）シリコンの堆積速度は、毎秒１−５オングストロ
ームが有利である。いずれの層の場合も、５０ないし１
５０℃が好ましい。
ンターしたＴａ２Ｏ５片で満し、排気したチャンバが好
ましくは１×１０−５ないし９×１０−５Ｔｏｒｒの範
囲の圧力になるように、酸素を導入する。毎秒１−１０
オングストロームの堆積速度が有利である。シリコンの
堆積のために、シリコンで満した異なるるつぼを導入
し、酸素を導入することはしない。（典型的な場合、異
なるるつぼは、ｅ−ビームの経路内に回転して入れられ
る。）シリコンの堆積速度は、毎秒１−５オングストロ
ームが有利である。いずれの層の場合も、５０ないし１
５０℃が好ましい。
【００１６】当業者には周知のように、高反射率層（１
５）の反射率は、温度、圧力又は堆積速度を変えること
によって、変更できる。これらのすべての条件が堆積す
る層の屈折率に影響を与え、従って、被膜全体の屈折率
に影響を与えうる。堆積を助けるため、ファセットに向
けるイオンビーム（図示されていない）を、反射率を変
えるために用いてもよい。（先に引用した米国特許第
５，８０２，０９１号を参照のこと）
５）の反射率は、温度、圧力又は堆積速度を変えること
によって、変更できる。これらのすべての条件が堆積す
る層の屈折率に影響を与え、従って、被膜全体の屈折率
に影響を与えうる。堆積を助けるため、ファセットに向
けるイオンビーム（図示されていない）を、反射率を変
えるために用いてもよい。（先に引用した米国特許第
５，８０２，０９１号を参照のこと）
【００１７】多層ＨＲ被膜の反射率を調整するために用
いてよい別の方法は、４分の１波長厚以外の厚さに、層
を堆積させることである。これによって一連の同じ層を
もつ４分の１波長厚被膜より、低い反射率をもつ被膜が
生じる。この方法は上述の屈折率調節より好ましくな
い。なぜなら、非４分の１波長被膜は、４分の１波長被
膜ほど広く、平坦なスペクトル応答を持たないからであ
る。加えて、非４分の１波長被膜には、プロセス全体で
より高い変更が伴う。
いてよい別の方法は、４分の１波長厚以外の厚さに、層
を堆積させることである。これによって一連の同じ層を
もつ４分の１波長厚被膜より、低い反射率をもつ被膜が
生じる。この方法は上述の屈折率調節より好ましくな
い。なぜなら、非４分の１波長被膜は、４分の１波長被
膜ほど広く、平坦なスペクトル応答を持たないからであ
る。加えて、非４分の１波長被膜には、プロセス全体で
より高い変更が伴う。
【図１】本発明の一実施例に従う半導体光デバイスの概
略図である。
略図である。
【図２】本発明の実施例に従い、被膜を堆積させるため
に用いるとよい装置の概略図である。
に用いるとよい装置の概略図である。
１０ デバイス、レーザ １１ 半導体層 １２ 半導体層、活性層 １３ 裏面ファセット １４ 前面ファセット １５ 高反射率被膜、被膜、高反射率層 １７ 半導体基板 １８ ケース ２０ デバイス ２１ 裏面ファセット ２２ ホルダー ２３ チャンバ ２４ ソース材料 ２５ るつぼ ２６ 電子ビーム ２７ 源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 クリストファー ゼイス アメリカ合衆国 18062 ペンシルヴァニ ア，マッカンジー，ブルックフィールド サークル 505 (72)発明者 ウトパル クマー チャクラバーティ アメリカ合衆国 18104 ペンシルヴァニ ア，アレンタウン，カート ドライヴ 5523 (72)発明者 ジー．ジャコブ フォックス フォース アメリカ合衆国 18103 ペンシルヴァニ ア，アレンタウン，アルトン ストリート 30202 (72)発明者 ケヴィン ジェー．サリヴァン アメリカ合衆国 18066 ペンシルヴァニ ア，ニュートリポリ，ジェファーソン コ ート 6634 Ｆターム(参考） 2H042 DA08 DA12 5F073 AA64 AA65 AA74 AA83 BA02 CA12 DA05 DA33 EA28 FA30
Claims (18)
- 【請求項１】 本質的にタンタル酸化物から成る少くと
も１つの層を含む高反射率被膜（１５）で被覆された少
くとも１つのファセット（１３）を有する光デバイス
（１０）。 - 【請求項２】 非ハーメチックシールケース（１８）及
びその中にマウントされた光デバイス（１０）を含み、
デバイスは本質的にタンタル酸化物から成る少くとも１
つの層を含む高反射率被膜（１５）で被覆された少くと
も１つのファセット（１３）を有する光デバイスパッケ
ージ。 - 【請求項３】 光デバイスは半導体レーザである請求項
１又は２記載のデバイス又はパッケージ。 - 【請求項４】 レーザはファブリーペローレーザ、分布
帰還レーザ及び分布ブラッグ反射レーザから選択される
請求項３記載のデバイス又はパッケージ。 - 【請求項５】 半導体はＩｎＰを含む請求項３記載のデ
バイス又はパッケージ。 - 【請求項６】 被膜は更にシリコンの層を含む請求項１
又は２記載のデバイス又はパッケージ。 - 【請求項７】 被膜の反射率は６０％ないし９５％の範
囲内にある請求項６記載のデバイス又はパッケージ。 - 【請求項８】 被膜の厚さは０．２μｍないし１．０μ
ｍの範囲にある請求項６記載のデバイス又はパッケー
ジ。 - 【請求項９】 タンタル酸化物の屈折率は１．７３ない
し２．２５の範囲内にあり、シリコンの屈折率は３．４
ないし３．８５の範囲内にある請求項６記載のデバイス
又はパッケージ。 - 【請求項１０】 材料はまた不活性化被膜として働く請
求項１又は２記載のデバイス又はパッケージ。 - 【請求項１１】 レーザは非ハーメチックシールケース
内にマウントされる請求項１又は２記載のデバイス又は
パッケージ。 - 【請求項１２】 被膜の反射率は８５±３パーセントの
範囲内にある請求項１又は２記載のデバイス又はパッケ
ージ。 - 【請求項１３】 本質的にタンタル酸化物から成る少く
とも１つの層を含む高反射率被膜（１５）をファセット
上に堆積させることを含む少くとも１つのファセットを
有する光デバイス（１０）の作製方法。 - 【請求項１４】 被膜は電子ビーム蒸着により堆積させ
る請求項１３記載の方法。 - 【請求項１５】 被膜は更にシリコンの層を含む請求項
１３記載の方法。 - 【請求項１６】 タンタル酸化物は毎秒１−１０オング
ストロームの速度で堆積させ、シリコンは毎秒１−５オ
ングストロームの速度で堆積させる請求項１５記載の方
法。 - 【請求項１７】 堆積は排気されたチャンバ内で行わ
れ、タンタル酸化物は１−９×１０−５Ｔｏｒｒまで酸
素を導入して堆積させ、シリコンは３×１０− ６Ｔｏｒ
ｒ以下の圧力で、酸素を導入することなく堆積させる請
求項１５記載の方法。 - 【請求項１８】 堆積は５０ないし１５０℃の温度で行
われる請求項１５記載の方法。
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|---|---|---|---|
| US67700700A | 2000-09-29 | 2000-09-29 | |
| US09/677007 | 2000-09-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002118322A true JP2002118322A (ja) | 2002-04-19 |
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ID=24716921
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001299082A Pending JP2002118322A (ja) | 2000-09-29 | 2001-09-28 | 高反射率被膜を含む光デバイス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1198040A1 (ja) |
| JP (1) | JP2002118322A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100653320B1 (ko) * | 2003-04-23 | 2006-12-04 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 레이저장치 |
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2001
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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