JPS588963U - シヨツトキバリアダイオ−ド - Google Patents

シヨツトキバリアダイオ−ド

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Publication number
JPS588963U
JPS588963U JP10255181U JP10255181U JPS588963U JP S588963 U JPS588963 U JP S588963U JP 10255181 U JP10255181 U JP 10255181U JP 10255181 U JP10255181 U JP 10255181U JP S588963 U JPS588963 U JP S588963U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
schottky barrier
barrier diode
metal
oxide film
shotgun
Prior art date
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Pending
Application number
JP10255181U
Other languages
English (en)
Inventor
敏夫 高木
Original Assignee
日本電気株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気株式会社 filed Critical 日本電気株式会社
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Publication of JPS588963U publication Critical patent/JPS588963U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のモールド型ショットキバリアダイオード
の断面図、第２図は本考案の一実施例の断面図である。 １・・・・・・Ｎ型シリコン基板、２．　２ａ、　　２
ｂ・・・・・・酸化膜、３・・・・・・バリア形成金属
、４・・曲コンタクト層、５・・・・・・放熱板、６・
・・・・・モールド樹脂、７・・・・・・環状溝、８・
・・・・・ポリイミド層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板の６主面上に形成された酸化膜に窓をあけ、
    この窓を通してショットキバリアを形成する金属が被着
    されたショットキバリアダイオードにおいて、前記金属
    が被着されたショットキバリア領域をとり囲む酸化膜の
    一部に前記ショットキバリ、ア領域をとり囲み、かつ、
    前記金属とは離間して前記半導体基板に対する環状の溝
    を設け、前記金属の一部と前記環状の溝を含んで前記酸
    化膜を覆うポリイミド層を設けたことを特徴とするショ
    ットキバリアダイオード。
JP10255181U 1981-07-10 1981-07-10 シヨツトキバリアダイオ−ド Pending JPS588963U (ja)

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JP10255181U JPS588963U (ja) 1981-07-10 1981-07-10 シヨツトキバリアダイオ−ド

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JP10255181U JPS588963U (ja) 1981-07-10 1981-07-10 シヨツトキバリアダイオ−ド

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JPS588963U true JPS588963U (ja) 1983-01-20

Family

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Family Applications (1)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021093559A (ja) * 2021-03-18 2021-06-17 ローム株式会社 半導体装置
JP2022130747A (ja) * 2021-03-18 2022-09-06 ローム株式会社 半導体装置
JP2022130748A (ja) * 2021-03-18 2022-09-06 ローム株式会社 半導体装置の製造方法
US11862672B2 (en) 2012-03-12 2024-01-02 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

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JP2022130747A (ja) * 2021-03-18 2022-09-06 ローム株式会社 半導体装置
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