JPS592164U - シヨツトキ−バリアダイオ−ド - Google Patents

シヨツトキ−バリアダイオ−ド

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Publication number
JPS592164U
JPS592164U JP9757582U JP9757582U JPS592164U JP S592164 U JPS592164 U JP S592164U JP 9757582 U JP9757582 U JP 9757582U JP 9757582 U JP9757582 U JP 9757582U JP S592164 U JPS592164 U JP S592164U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
barrier diode
metal layer
schottky barrier
key barrier
shot key
Prior art date
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Pending
Application number
JP9757582U
Other languages
English (en)
Inventor
敏夫 高木
Original Assignee
日本電気株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気株式会社 filed Critical 日本電気株式会社
Priority to JP9757582U priority Critical patent/JPS592164U/ja
Publication of JPS592164U publication Critical patent/JPS592164U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、従来技術によるショットキーバリアダイオー
ドを示す断面図である。第２図は、本考案の実施例を示
す断面図である。 尚、図において、１１・・・半導体基板、１２・・・酸
化膜、１３・・・ポリイミドに密着性の良い金属、１４
・・・ショットキーバリアを形成する金属、１５・・・
東面オーミックコンタクト層、１６・・・ポリイミド層
である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体基板の一主面上に第１の金属層を設けてショット
    キーバリアダイオードを形成し、該ショットキーバリア
    ダイオードの形成領域をとり囲む形で前記−主面上に設
    けられた酸化膜の前記第１の金属層から離間した部分に
    該ショットキーバリアダイオードの形成領域をとり囲む
    形で開孔部を設け、該開孔部に第２の金属層を被着し、
    前記第１の金属層の一部と前記第２の金属層とを、おお
    ったポリイミド膜層を設けたことを特徴とするショット
    キーバリアダイオード。
JP9757582U 1982-06-29 1982-06-29 シヨツトキ−バリアダイオ−ド Pending JPS592164U (ja)

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JP9757582U JPS592164U (ja) 1982-06-29 1982-06-29 シヨツトキ−バリアダイオ−ド

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9757582U JPS592164U (ja) 1982-06-29 1982-06-29 シヨツトキ−バリアダイオ−ド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS592164U true JPS592164U (ja) 1984-01-09

Family

ID=30232040

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9757582U Pending JPS592164U (ja) 1982-06-29 1982-06-29 シヨツトキ−バリアダイオ−ド

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JP (1) JPS592164U (ja)

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