JPH11345786A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH11345786A JPH11345786A JP14944798A JP14944798A JPH11345786A JP H11345786 A JPH11345786 A JP H11345786A JP 14944798 A JP14944798 A JP 14944798A JP 14944798 A JP14944798 A JP 14944798A JP H11345786 A JPH11345786 A JP H11345786A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- electrode
- substrate layer
- marking line
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 歩留まりの良い半導体発光素子の製造方法を
提供すること。 【解決手段】 裏面側に発光波長に対して不透明な基板
層１１を有する半導体ウエハ１の裏面から基板層１１に
分割用のケガキ線Ｓを形成し、ケガキ線Ｓが形成された
基板層１１の裏面全体に裏面電極１７を形成し、成長層
の表面に所定パターンの表面電極１６を形成し、裏面電
極１７の上から加圧して素子に分割する。
提供すること。 【解決手段】 裏面側に発光波長に対して不透明な基板
層１１を有する半導体ウエハ１の裏面から基板層１１に
分割用のケガキ線Ｓを形成し、ケガキ線Ｓが形成された
基板層１１の裏面全体に裏面電極１７を形成し、成長層
の表面に所定パターンの表面電極１６を形成し、裏面電
極１７の上から加圧して素子に分割する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ基板層の上にＧａＡｌＡｓやＧ
ａＡｓＰなどの成長層を有する発光素子のように、基板
層が発光波長に対して不透明な場合は、裏面電極による
遮光の問題が生じないので、裏面電極を基板層の裏側全
面に形成している（例えば、特公平７−１６０２６号公
報など）。
ａＡｓＰなどの成長層を有する発光素子のように、基板
層が発光波長に対して不透明な場合は、裏面電極による
遮光の問題が生じないので、裏面電極を基板層の裏側全
面に形成している（例えば、特公平７−１６０２６号公
報など）。
【０００３】このような素子は、半導体ウエハの表面に
所定パターンの表面電極、裏面にその全面を覆うように
裏面電極を形成した後、ダイシング法やスクライブ法を
用いてチップ状の素子に分割される。ダイシング法によ
る分割は、ダイシングブレ−ドの厚さ分だけロスが生じ
るので、ロスが少ないスクライブ法を用いた分割が行わ
れることも多い。
所定パターンの表面電極、裏面にその全面を覆うように
裏面電極を形成した後、ダイシング法やスクライブ法を
用いてチップ状の素子に分割される。ダイシング法によ
る分割は、ダイシングブレ−ドの厚さ分だけロスが生じ
るので、ロスが少ないスクライブ法を用いた分割が行わ
れることも多い。
【０００４】しかしながら、スクライブ法を用いて分割
する場合、ウエハの厚さが薄い場合はケガキ線に沿って
分割できるが、ウエハの厚さが厚くなるにしたがってケ
ガキ線を外れた方向に沿って分割される場合がある。特
に、ウエハの裏面からスクライブする場合は、上記のよ
うに裏面全体に電極が形成されていると、電極の存在に
よってウエハに十分なケガキ線が形成されない場合があ
り、予定外の方向に分割され易くなる。
する場合、ウエハの厚さが薄い場合はケガキ線に沿って
分割できるが、ウエハの厚さが厚くなるにしたがってケ
ガキ線を外れた方向に沿って分割される場合がある。特
に、ウエハの裏面からスクライブする場合は、上記のよ
うに裏面全体に電極が形成されていると、電極の存在に
よってウエハに十分なケガキ線が形成されない場合があ
り、予定外の方向に分割され易くなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の点を
考慮して成されたもので、製造歩留まりの向上を図るこ
とを課題の１つとする。特に、ウエハ分割を確実に行う
ことができる製造方法を提供することを課題の１つとす
る。
考慮して成されたもので、製造歩留まりの向上を図るこ
とを課題の１つとする。特に、ウエハ分割を確実に行う
ことができる製造方法を提供することを課題の１つとす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、表
側に成長層、裏面側に発光波長に対して不透明な基板層
を有する半導体ウエハの裏面から前記基板層に分割用の
ケガキ線を形成する工程と、ケガキ線が形成された前記
基板層の裏面全体に裏面電極を形成する工程と、前記成
長層の表面に所定パターンの表面電極を形成する工程
と、前記裏面電極の上から加圧して素子に分割する工程
を備えることを特徴とする。
側に成長層、裏面側に発光波長に対して不透明な基板層
を有する半導体ウエハの裏面から前記基板層に分割用の
ケガキ線を形成する工程と、ケガキ線が形成された前記
基板層の裏面全体に裏面電極を形成する工程と、前記成
長層の表面に所定パターンの表面電極を形成する工程
と、前記裏面電極の上から加圧して素子に分割する工程
を備えることを特徴とする。
【０００７】また、本発明の製造方法は、表側に成長
層、裏面側に発光波長に対して不透明な基板層を有する
半導体ウエハの裏面から前記基板層に分割用のケガキ線
を形成する工程と、ケガキ線が形成された前記基板層の
裏面全体に裏面電極を形成する工程と、前記成長層の表
面に所定パターンの表面電極を形成する工程と、前記半
導体ウエハの表側から所定深さの素子分離溝を前記ケガ
キ線に対応して形成する工程と、前記分離溝によって電
気的に分離された素子の特性を検査する工程と、前記裏
面電極の上から加圧して素子に分割する工程を備えるこ
とを特徴とする。
層、裏面側に発光波長に対して不透明な基板層を有する
半導体ウエハの裏面から前記基板層に分割用のケガキ線
を形成する工程と、ケガキ線が形成された前記基板層の
裏面全体に裏面電極を形成する工程と、前記成長層の表
面に所定パターンの表面電極を形成する工程と、前記半
導体ウエハの表側から所定深さの素子分離溝を前記ケガ
キ線に対応して形成する工程と、前記分離溝によって電
気的に分離された素子の特性を検査する工程と、前記裏
面電極の上から加圧して素子に分割する工程を備えるこ
とを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例を、図３に示
すような電流狭窄構造を備えるダブルヘテロ型ＧａＡｌ
Ａｓ／ＧａＡｓ発光素子２を製造する場合を例にとり、
図１，図２を参照して説明する。
すような電流狭窄構造を備えるダブルヘテロ型ＧａＡｌ
Ａｓ／ＧａＡｓ発光素子２を製造する場合を例にとり、
図１，図２を参照して説明する。
【０００９】まず初めに図１（ａ）にその一部を示すよ
うな構造の半導体ウエハ１を用意する。このウエハ１
は、ｐ型ＧａＡｓ基板層（厚さ２３０μｍ前後）１１の
上に、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層（厚さ０．５μｍ前
後）１２、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層（厚さ２０μｍ
前後）１３、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層（厚さ１μｍ前
後）１４、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層（厚さ１５μｍ
前後）１５を積層して構成している。ここで、基板層１
１の上に位置する層が気相成長や液相成長によって形成
した成長層で、特に、ＧａＡｌＡｓダブルヘテロ構造部
分（１３，１４，１５）が発光寄与層として機能する。
また、基板層１１は、ＧａＡｌＡｓダブルヘテロ構造部
分から放出される発光波長に対して不透明となってい
る。そしてまた、電流ブロック層１２には、電流狭窄用
の直径１００〜２００μｍ程度の穴１２ａを素子２の形
状に応じて配置している。
うな構造の半導体ウエハ１を用意する。このウエハ１
は、ｐ型ＧａＡｓ基板層（厚さ２３０μｍ前後）１１の
上に、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層（厚さ０．５μｍ前
後）１２、ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層（厚さ２０μｍ
前後）１３、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層（厚さ１μｍ前
後）１４、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層（厚さ１５μｍ
前後）１５を積層して構成している。ここで、基板層１
１の上に位置する層が気相成長や液相成長によって形成
した成長層で、特に、ＧａＡｌＡｓダブルヘテロ構造部
分（１３，１４，１５）が発光寄与層として機能する。
また、基板層１１は、ＧａＡｌＡｓダブルヘテロ構造部
分から放出される発光波長に対して不透明となってい
る。そしてまた、電流ブロック層１２には、電流狭窄用
の直径１００〜２００μｍ程度の穴１２ａを素子２の形
状に応じて配置している。
【００１０】次に、このウエハ１の表面全体に、Ａｕ，
Ｔｉなどの電極（厚さ２μｍ前後）を蒸着等によって形
成し、これを所定の形状にパタ−ニングして同図（ｂ）
に示すような表面（ｎ型）電極１６を形成する工程を行
う。表面電極１６には、電流ブロック層１２に形成した
電流狭窄用の穴１２ａと同等の形状の光取出用の窓１６
ａを形成している。
Ｔｉなどの電極（厚さ２μｍ前後）を蒸着等によって形
成し、これを所定の形状にパタ−ニングして同図（ｂ）
に示すような表面（ｎ型）電極１６を形成する工程を行
う。表面電極１６には、電流ブロック層１２に形成した
電流狭窄用の穴１２ａと同等の形状の光取出用の窓１６
ａを形成している。
【００１１】次に、スクライブ装置を用いて、ウエハ１
（基板層１１）の裏面にケガキ線をダイヤモンドポイン
ト等によって形成する工程を行う。この工程によって、
同図（ｃ）に示すように、ケガキ線Ｓが形成されるが、
このケガキ線Ｓは、素子２の外形に対応して縦横方向に
碁盤の目のように形成される。
（基板層１１）の裏面にケガキ線をダイヤモンドポイン
ト等によって形成する工程を行う。この工程によって、
同図（ｃ）に示すように、ケガキ線Ｓが形成されるが、
このケガキ線Ｓは、素子２の外形に対応して縦横方向に
碁盤の目のように形成される。
【００１２】尚、前記表面電極１６の形成は、このケガ
キ線Ｓの形成工程の後に行うこともできるが、ケガキ線
が形成されたウエハは、取扱を誤ると容易に割れてしま
うので、ウエハ１の割れを防ぐことができる点で、表面
電極１６の形成工程をこのケガキ線の形成工程よりも前
に行うのが良い。
キ線Ｓの形成工程の後に行うこともできるが、ケガキ線
が形成されたウエハは、取扱を誤ると容易に割れてしま
うので、ウエハ１の割れを防ぐことができる点で、表面
電極１６の形成工程をこのケガキ線の形成工程よりも前
に行うのが良い。
【００１３】次に、このウエハ１の裏面全体に、Ａｕ，
Ｔｉなどの電極（厚さ０．５μｍ前後）を蒸着等によっ
て形成して図２（ｄ）に示すような裏面（ｐ型）電極１
７を形成する工程を行う。裏面電極１７は、基板層１１
が発光波長に対する光吸収層となり、遮光等の問題が生
じないので、いわゆるベタ電極のまま用いられる。ここ
で、裏面電極１７で覆われた基板層１１にケガキ線Ｓが
形成されているので、ケガキ線形成用に基板層１１を露
出させるためのパターンを裏面電極１７に形成する工程
は不要となる。
Ｔｉなどの電極（厚さ０．５μｍ前後）を蒸着等によっ
て形成して図２（ｄ）に示すような裏面（ｐ型）電極１
７を形成する工程を行う。裏面電極１７は、基板層１１
が発光波長に対する光吸収層となり、遮光等の問題が生
じないので、いわゆるベタ電極のまま用いられる。ここ
で、裏面電極１７で覆われた基板層１１にケガキ線Ｓが
形成されているので、ケガキ線形成用に基板層１１を露
出させるためのパターンを裏面電極１７に形成する工程
は不要となる。
【００１４】次に、このウエハ１の表面側から、ダイシ
ング装置を用いて溝を形成する工程を行い、同図（ｅ）
に示すような素子分離用の溝１８を形成する。この溝１
８は、前記ケガキ線Ｓの直上に位置するように形成さ
れ、素子を電気的に分離してその特性検査をウエハ分割
前に可能とするために、少なくとも活性層１４に至る深
さを有している。ここで、ウエハ１の厚さは２７０μｍ
前後であり、スクライブ法による分割が可能な厚さ（２
００μｍ前後）よりも厚いので、溝１８の深さは、ウエ
ハ１の厚さをスクライブ法による分割が可能な厚さ以下
とするために、７０μｍ前後に設定するのが好ましい。
尚、素子分離用の溝１８は、ウエハの厚みが十分に薄い
場合や、素子の特性検査をウエハ分割後に行う場合など
においては、形成しなくてよい場合がある。
ング装置を用いて溝を形成する工程を行い、同図（ｅ）
に示すような素子分離用の溝１８を形成する。この溝１
８は、前記ケガキ線Ｓの直上に位置するように形成さ
れ、素子を電気的に分離してその特性検査をウエハ分割
前に可能とするために、少なくとも活性層１４に至る深
さを有している。ここで、ウエハ１の厚さは２７０μｍ
前後であり、スクライブ法による分割が可能な厚さ（２
００μｍ前後）よりも厚いので、溝１８の深さは、ウエ
ハ１の厚さをスクライブ法による分割が可能な厚さ以下
とするために、７０μｍ前後に設定するのが好ましい。
尚、素子分離用の溝１８は、ウエハの厚みが十分に薄い
場合や、素子の特性検査をウエハ分割後に行う場合など
においては、形成しなくてよい場合がある。
【００１５】次に、裏面電極１７を共通電極として表面
電極１６に検査装置のプロ−バを順次接触させて素子の
特性検査を順次行う検査工程を行う（図示せず）。
電極１６に検査装置のプロ−バを順次接触させて素子の
特性検査を順次行う検査工程を行う（図示せず）。
【００１６】次に、ウエハ１を上下反転させた状態と
し、同図（ｆ）に示すように、スクライブ刃などの加圧
治具Ｋを用いて裏面電極１７の上から直接あるいは保護
シートなどを介して間接的に前記ケガキ線Ｓに沿って加
圧してウエハ分割する工程を行う。これによって、図３
に示すような発光素子２が得られる。
し、同図（ｆ）に示すように、スクライブ刃などの加圧
治具Ｋを用いて裏面電極１７の上から直接あるいは保護
シートなどを介して間接的に前記ケガキ線Ｓに沿って加
圧してウエハ分割する工程を行う。これによって、図３
に示すような発光素子２が得られる。
【００１７】このように、ケガキ線Ｓを基板層１１の裏
面に形成した後、裏面電極１７を形成するので、裏面電
極１７を形成した後にケガキ線を形成する場合に比べ
て、裏面電極１７による影響を受けないでケガキ線を形
成することができ、ウエハ分割を確実に行うことができ
る。特に、厚みが厚くなりやすいダブルヘテロ構造や電
流狭窄構造を備える素子を製造する場合においても、ケ
ガキ線を確実に形成することができるので、ウエハ分割
を確実に行うことができる。その結果、１つのウエハか
ら得られる素子数を増加して歩留まりを向上させること
ができる。また、ケガキ線と対応してウエハ１の表面側
から所定深さの素子分離溝を形成し、裏面電極を共通電
極として分割前に素子の特性検査を行うことができるの
で、分割後に特性検査をする場合に比べて、製造効率を
高めることができる。また、ケガキ線Ｓを覆うように裏
面電極が形成されていても、裏面電極側から加圧するこ
とによって、確実にウエハ分割を行うことができる。
面に形成した後、裏面電極１７を形成するので、裏面電
極１７を形成した後にケガキ線を形成する場合に比べ
て、裏面電極１７による影響を受けないでケガキ線を形
成することができ、ウエハ分割を確実に行うことができ
る。特に、厚みが厚くなりやすいダブルヘテロ構造や電
流狭窄構造を備える素子を製造する場合においても、ケ
ガキ線を確実に形成することができるので、ウエハ分割
を確実に行うことができる。その結果、１つのウエハか
ら得られる素子数を増加して歩留まりを向上させること
ができる。また、ケガキ線と対応してウエハ１の表面側
から所定深さの素子分離溝を形成し、裏面電極を共通電
極として分割前に素子の特性検査を行うことができるの
で、分割後に特性検査をする場合に比べて、製造効率を
高めることができる。また、ケガキ線Ｓを覆うように裏
面電極が形成されていても、裏面電極側から加圧するこ
とによって、確実にウエハ分割を行うことができる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ケガキ線
を形成した後、その上に電極を形成するので、ウエハ分
割を確実に行うことができ、製造歩留まりの向上を図る
ことができる。
を形成した後、その上に電極を形成するので、ウエハ分
割を確実に行うことができ、製造歩留まりの向上を図る
ことができる。
【図１】本発明の実施例を説明するためのウエハの要部
断面図で、（ａ）〜（ｃ）は、製造工程の途中の状態を
示す断面図である。
断面図で、（ａ）〜（ｃ）は、製造工程の途中の状態を
示す断面図である。
【図２】本発明の実施例を説明するためのウエハの要部
断面図で、（ｄ）〜（ｆ）は、製造工程の途中の状態を
示す断面図である。
断面図で、（ｄ）〜（ｆ）は、製造工程の途中の状態を
示す断面図である。
【図３】本発明の実施例に係る発光素子の断面図であ
る。
る。
１ 半導体ウエハ ２ 発光素子 １１ 基板層 １４ 活性層 １６ 表面電極 １７ 裏面電極 １８ 素子分離溝 Ｓ ケガキ線
Claims (2)
- 【請求項１】 表側に成長層、裏面側に発光波長に対し
て不透明な基板層を有する半導体ウエハの裏面から前記
基板層に分割用のケガキ線を形成する工程と、ケガキ線
が形成された前記基板層の裏面全体に裏面電極を形成す
る工程と、前記成長層の表面に所定パターンの表面電極
を形成する工程と、前記裏面電極の上から加圧して素子
に分割する工程を備えることを特徴とする半導体発光素
子の製造方法。 - 【請求項２】 表側に成長層、裏面側に発光波長に対し
て不透明な基板層を有する半導体ウエハの裏面から前記
基板層に分割用のケガキ線を形成する工程と、ケガキ線
が形成された前記基板層の裏面全体に裏面電極を形成す
る工程と、前記成長層の表面に所定パターンの表面電極
を形成する工程と、前記半導体ウエハの表側から所定深
さの素子分離溝を前記ケガキ線に対応して形成する工程
と、前記分離溝によって電気的に分離された素子の特性
を検査する工程と、前記裏面電極の上から加圧して素子
に分割する工程を備えることを特徴とする半導体発光素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14944798A JPH11345786A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14944798A JPH11345786A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11345786A true JPH11345786A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15475330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14944798A Pending JPH11345786A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11345786A (ja) |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP14944798A patent/JPH11345786A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100867541B1 (ko) | 수직형 발광 소자의 제조 방법 | |
| US7276742B2 (en) | Compound semiconductor light emitting device and its manufacturing method | |
| JP2000091636A (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
| JP2006086516A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2006073619A (ja) | 窒化物系化合物半導体発光素子 | |
| JP5658604B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2007158128A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体光素子 | |
| US4849982A (en) | Semiconductor laser chip having a layer structure to reduce the probability of an ungrown region | |
| JP3723347B2 (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
| KR20050000836A (ko) | 질화 갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법 | |
| JPH10335699A (ja) | 化合物半導体発光素子とその製造方法 | |
| GB2156585A (en) | Light-emitting device electrode | |
| JP2008252030A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPH11345786A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP5023229B1 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP4542508B2 (ja) | 垂直型発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JPH10209506A (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
| JP2000133837A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPH0983081A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH07153993A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP2016039242A (ja) | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子 | |
| JP2000150958A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2007158130A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体光素子及びその製造方法 | |
| JP2006278357A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP4013664B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 |