JP7205490B2 - 発光モジュールの製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、発光モジュールの製造方法、発光モジュール及び装置に関する。

光造形装置（３次元プリンタ）、レーザプリンタ、レーザディスプレイ装置、計測装置等の各種の装置における光源ユニットでは、一方向に沿って複数の発光素子（例えば、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素子やレーザ素子）が所定の間隔で配列されている発光モジュールが広く用いられている。ところで、所定の間隔で発光素子を配列する方法としては、例えば、下記特許文献１に開示されているように、複数の発光素子が形成されたチップを千鳥状に配置する方法を挙げることができる。

特開平９－２８３８０８号公報

ところで、３次元（３Ｄ）プリンタ等で用いる発光モジュールの製造においては、狭い間隔で複数の発光素子を精度よく配列することが求められる。狭い間隔でより多くの発光素子を配列させることにより、例えば、３Ｄプリンタで造形される造形物の精細度をより向上させることができるためである。

そこで、本開示では、複数の発光素子を狭い間隔で精度よく配列させることが可能な、新規、且つ、改良された発光モジュールの製造方法、当該製造方法によって製造された発光モジュール、さらに、当該発光モジュールが搭載された装置を提案する。

本開示によれば、発光素子の共振器長と平行な面内において、前記共振器長の方向と垂直に交わる幅方向に沿って配列した複数の前記発光素子を有する複数の発光素子アレイと、前記複数の発光素子アレイが搭載される基板と、を備える発光モジュールの製造方法であって、前記幅方向に沿って互いに隣り合う前記各発光素子アレイの側面同士を接触させて、前記各発光素子アレイを前記基板に搭載することにより、前記発光モジュールにおいて前記複数の発光素子を前記幅方向に沿って所定の間隔で前記基板上に配列させることを含む、発光モジュールの製造方法が提供される。

また、本開示によれば、発光素子の共振器長と平行な面内において、前記共振器長の方向と垂直に交わる幅方向に沿って配列した複数の前記発光素子を有する複数の発光素子アレイと、前記複数の発光素子アレイが搭載される基板と、を備える発光モジュールの製造方法であって、前記各発光素子アレイの前記基板と向かい合う面に第１の位置決め部を形成し、前記基板の前記複数の発光素子アレイと向かい合う面に第２の位置決め部を形成し、前記第１の位置決め部と前記第２の位置決め部とを係合させて、前記各発光素子アレイを前記基板に搭載することにより、前記発光モジュールにおいて前記複数の発光素子を前記幅方向に沿って所定の間隔で前記基板上に配列させることを含む、発光モジュールの製造方法が提供される。

また、本開示によれば、発光素子の共振器長と平行な面内において、前記共振器長の方向と垂直に交わる幅方向に沿って配列した複数の前記発光素子を有する複数の発光素子アレイと、前記複数の発光素子アレイと電気的に接続されるコネクタと、を備える発光モジュールの製造方法であって、前記各発光素子アレイは、前記複数の発光素子が設けられた発光素子アレイチップと、前記コネクタと電気的に接続されるコネクタ端子が設けられ、前記発光素子アレイチップが搭載される回路基板と、を有し、前記各発光素子アレイの前記コネクタ端子を前記コネクタの開口部に挿入することにより、前記発光モジュールにおいて前記複数の発光素子を前記幅方向に沿って所定の間隔で配列させることを含む、発光モジュールの製造方法が提供される。

また、本開示によれば、発光素子の共振器長と平行な面内において、前記共振器長の方向と垂直に交わる幅方向に沿って配列した複数の前記発光素子を有する複数の発光素子アレイと、前記複数の発光素子アレイが搭載される基板と、を備え、前記幅方向に沿って互いに隣り合う前記各発光素子アレイの側面同士が接触し、前記複数の発光素子が前記幅方向に沿って所定の間隔で前記基板上に配列している、発光モジュールが提供される。

さらに、本開示によれば、前記発光モジュールが搭載された装置が提供される。

以上説明したように本開示によれば、複数の発光素子を狭い間隔で精度よく配列させることが可能となる。

なお、上記の効果は必ずしも限定的なものではなく、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書に示されたいずれかの効果、または本明細書から把握され得る他の効果が奏されてもよい。

本開示の光源ユニット２０の一例を示す分解斜視図である。 本開示の発光モジュール３０の一例を示す斜視図である。 図２の発光モジュール３０の一部を示す拡大斜視図である。 本開示のマルチレーザチップ５０の裏面図である。 本開示の第１の実施形態に係る発光モジュール３０の製造工程を説明するための説明図（その１）である。 本開示の第１の実施形態に係る発光モジュール３０の製造工程を説明するための説明図（その２）である。 本開示の第１の実施形態に係る発光モジュール３０の製造工程を説明するための説明図（その３）である。 本開示の第１の実施形態に係る発光モジュール３０の製造方法を説明するための説明図である。 本開示の第２の実施形態に係る発光モジュール３０の製造方法を説明するための説明図である。 本開示の第３の実施形態に係る発光モジュール３０ａの製造工程を説明するための説明図（その１）である。 本開示の第３の実施形態に係る発光モジュール３０ａの製造工程を説明するための説明図（その２）である。 本開示の第３の実施形態に係る発光モジュール３０ａの製造工程を説明するための説明図（その３）である。 本開示の第４の実施形態に係る発光モジュール３０ｂの製造方法を説明するための説明図である。 本開示の第４の実施形態の変形例１に係る発光モジュール３０ｂの製造方法を説明するための説明図である。 本開示の第４の実施形態の変形例２に係る発光モジュール３０ｂの製造方法を説明するための説明図である。 本開示の第４の実施形態の変形例３に係る発光モジュール３０ｂの製造方法を説明するための説明図である。 本開示の第４の実施形態の変形例４に係る発光モジュール３０ｂの製造方法を説明するための説明図である。 本開示の第４の実施形態の変形例５に係る発光モジュール３０ｂの製造方法を説明するための説明図である。 本開示の第５の実施形態に係る発光モジュール３０ｃの製造工程を説明するための説明図（その１）である。 本開示の第５の実施形態に係る発光モジュール３０ｃの製造工程を説明するための説明図（その２）である。 本開示の第５の実施形態に係る発光モジュール３０ｃの製造工程を説明するための説明図（その３）である。 本開示の第６の実施形態に係る光造形装置９００を示す機能ブロック図である。

以下に添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

また、本明細書および図面において、異なる実施形態の類似する構成要素については、同一の符号の後に異なるアルファベットを付して区別する場合がある。ただし、類似する構成要素の各々を特に区別する必要がない場合、同一符号のみを付する。

また、以下の説明で参照される図面は、本開示の一実施形態の説明とその理解を促すための図面であり、わかりやすくするために、図中に示される形状や寸法、比などは実際と異なる場合がある。さらに、以下の説明においては、基板等の積層構造の上下方向は、特段のことわりがない限りは、製造される発光モジュール３０及び光源ユニット２０における上下方向に対応する。すなわち、基板等の積層構造の上下方向は、光源ユニット２０において冷却機構８０が下方に位置する場合の上下方向に対応し、実際の重力加速度に従った上下方向とは異なる場合がある。

以下の説明においては、間隔や長さ等の寸法に関する数値は、数学的に定義される数と同一の数値だけを意味するものではなく、発光モジュールの製造工程及び使用において工業的、技術的に許容される程度の違いがある場合も含む。

さらに、以下の説明においては、特段のことわりがない限りは、「接続」とは、複数の要素の間を電気的に接続することを意味する。さらに、以下の説明における「接続」には、複数の要素を直接的に、且つ、電気的に接続する場合だけでなく、他の要素を介して間接的に、且つ、電気的に接続する場合も含む。

なお、説明は以下の順序で行うものとする。
１．光源ユニット２０の概略構成
２．発光モジュール３０の概略構成
３．本発明者らが本開示に係る実施形態を創作するに至る背景
４．第１の実施形態
４．１ 発光モジュール３０の製造方法
４．２ 発光モジュール３０
４．３ 光源ユニット２０の製造方法
５．第２の実施形態
６．第３の実施形態
７．第４の実施形態
７．１ 発光モジュール３０ｂの製造方法
７．２ 変形例
８．第５の実施形態
９．第６の実施形態
１０．まとめ
１１．補足

＜＜光源ユニット２０の概略構成＞＞
まずは、本開示の実施形態を説明する前に、３Ｄプリンタ（光造形装置）、レーザプリンタ、レーザディスプレイ装置、計測装置等の各種の装置において使用される光源ユニット２０の概略構成を、図１を参照して説明する。図１は、本開示の光源ユニット２０の一例を示す分解斜視図である。

例えば、図１に示される光源ユニット２０は、その幅（Ｘ軸方向）は約４２０ｍｍであり、その奥行き（Ｚ軸方向）は約３０ｍｍであり、その高さ（Ｙ軸方向）は約５０ｍｍである。なお、当該光源ユニット２０は、上述した寸法を持つことに限定されるものではなく、適宜変更することが可能である。従って、図１においては、図示が省略されているが、実際には、光源ユニット２０はＸ軸方向に沿ってさらに延伸していることとなる。

図１に示すように、光源ユニット２０は、光源ユニット２０の各部を収容する筐体２１と、当該筐体２１に収容された発光モジュール３０と、発光モジュール３０の光出射側に配置された収束性ロッドレンズ２２とを有する。さらに、当該光源ユニット２０は、筐体２１に収容されたコネクタ２３と、コネクタ２３と係合するガラスエポキシ基板２４と、発光モジュール３０及びガラスエポキシ基板２４が搭載される伝熱板（ヒートシンク基板）２５とを有する。以下に、光源ユニット２０の各部について説明する。

（筐体２１）
筐体２１は、Ｘ軸方向に長軸を持つ直方体形状を有しており、図１中の上側に位置する第１の基体２６と、図１中の下側に位置する第２の基体２７とからなる。筐体２１は、各種の金属材料（例えば、ステンレス鋼）によって形成される。なお、筐体２１に用いられる材料は、一定以上の強度及び熱伝導率を有する材料であれば、特に限定されるものではない。第１の基体２６と、第２の基体２７とは、螺子止め等によって固定されており、一体化されて筐体２１を構成する。また、図１に示すように、第１の基体２６は、収束性ロッドレンズ２２を嵌めこむための溝部２６ａや、コネクタ２３を嵌めこむための溝部（図示省略）等を有する。また、第２の基体２７は、収束性ロッドレンズ２２を嵌め込むための溝部２７ａや、発光モジュール３０及び収束性ロッドレンズ２２の間に形成された溝部２７ｂ等を有する。さらに、図１に示すように、第２の基体２７の、伝熱板２５が配置された面と反対側に位置する面には、Ｏリング８３を介して冷却機構８０が固定されている。

（収束性ロッドレンズ２２）
収束性ロッドレンズ２２は、発光モジュール３０の各レーザ素子から発射された光をそれぞれ集光させて、所望の表面に結像させる。当該収束性ロッドレンズ２２は、第１の基体２６の溝部２６ａ及び第２の基体２７の溝部２７ａによって形成される筐体２１の開口部に対して嵌め込まれて固定される。詳細には、図１に示すように、収束性ロッドレンズ２２においては、Ｚ軸方向に延びる円柱状の複数のロッドレンズ２２ａがＸ軸方向及びＹ軸方向の２軸方向に沿って並べられている。例えば、当該収束性ロッドレンズ２２は、約２ｍｍ程度の焦点距離を持っている。

（伝熱板２５）
伝熱板２５は、各種の金属材料（例えば、銅）によって形成される。なお、伝熱板２５に用いられる材料は、一定以上の強度及び熱伝導率を有する材料であれば、特に限定されるものではない。伝熱板２５上には、発光モジュール３０と、ガラスエポキシ基板２４とが搭載され、これらを搭載した伝熱板２５が、熱伝導率が高い接着剤（例えば、紫外線硬化型の銀ペースト）を介して第２の基体２７上に固定されている。なお、伝熱板２５と、第２の基体２７との間の固定は、第２の基体２７側から螺子が螺子止めされることによって行われる。

（コネクタ２３）
コネクタ２３は、ガラスエポキシ基板２４と電気的に接続されており、当該コネクタ２３には、光源ユニット２０を駆動するための電力や、各種の信号が入力される。ガラスエポキシ基板２４と、発光モジュール３０とは、例えばワイヤを介して電気的に接続されている。

なお、第１の基体２６と第２の基体２７との間の隙間、筐体２１と収束性ロッドレンズ２２との間の隙間、並びに、筐体２１とコネクタ２３との間の隙間については、光源ユニット２０の外部からの異物の侵入を防ぐために、接着剤によって密閉されている。

＜＜２．発光モジュール３０の概略構成＞＞
次に、本開示の発光モジュール３０の概略構成を図２及び図３を参照して説明する。図２は、本開示の発光モジュール３０の一例を示す斜視図であり、図３は、図２の発光モジュール３０の一部を示す拡大斜視図である。

図２に示すように、発光モジュール３０は、伝熱板２５に搭載される複数のドライバＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）３１と、ドライバＩＣ３１上に実装された複数のサブマウント４０と、サブマウント４０上に実装されたマルチレーザチップ５０とを有している。なお、本開示においては、サブマウント４０は、ドライバＩＣ３１を介さず直接的に伝熱板２５に搭載されてもよい。さらに、本開示においては、マルチレーザチップ５０は、サブマウント４０を介さず直接的にドライバＩＣ３１に搭載されてもよく、もしくは、サブマント４０及びドライバＩＣを介さずに直接的に伝熱板２５に搭載されてもよい。すなわち、本開示の発光モジュール３０においては、少なくとも、複数のマルチレーザチップ５０が搭載される。以下に、発光モジュール３０の各部について説明する。

（ドライバＩＣ３１）
図２に示すように、ドライバＩＣ３１は、伝熱板２５上にＸ軸方向に沿って１つ又は複数個並べられている。本開示においては、伝熱板２５に並べられるドライバＩＣ３１の数は、特に限定されるものではない。また、ドライバＩＣ３１のサイズは、特に限定されるものではないが、例えば、幅（Ｘ軸方向）については２０ｍｍ程度、奥行き（Ｚ軸方向）については数ｍｍ程度、高さ（厚み）（Ｙ軸方向）については１００μｍ～５００μｍとすることができる。さらに、ドライバＩＣ３１は、例えばシリコン基板により形成することができる。また、ドライバＩＣ３１は、表面上に複数の入力用電極パッド３２と、複数の出力用電極パッド３３とを有する。入力用電極パッド３２は、ワイヤを介してガラスエポキシ基板２４に電気的に接続される。一方、出力用電極パッド３３は、ワイヤを介してサブマウント４０に設けられた入力用電極パッド４２に電気的に接続される。さらに、ドライバＩＣ３１には、搭載された複数のサブマウント４０上のマルチレーザチップ５０が有する各レーザ素子５１を駆動するための駆動回路（図示省略）等の電子回路が設けられている。

（サブマウント４０）
サブマウント４０は、１つのドライバＩＣ３１に対して、Ｘ軸方向に沿って並ぶように数１０個程度が実装される。なお、本開示においては、実装されるサブマウント４０の数は特に限定されるものではなく、適宜選択することができる。また、サブマウント４０は、例えば、熱伝導率が高く、熱によって軟化する熱可塑性のペーストを介してドライバＩＣ３１上に固定される。サブマウント４０のサイズは、特に限定されるものではないが、例えば、幅（Ｘ軸方向）については１００μｍ～２００００μｍ程度、奥行き（Ｚ軸方向）については１０００μｍ程度、高さ（厚み）（Ｙ軸方向）については数１０μｍ程度とすることができる。

サブマウント４０は、例えばシリコン基板により形成される。サブマウント４０の表面には、図３に示すように、複数の入力用電極パッド４２と、１つの共通電極用パッド４３と、複数のアライメントマーク４４とが設けられている。複数の入力用電極パッド４２は、ドライバＩＣ３１における出力用電極パッド３３とワイヤを介して電気的に接続される。図３においては、サブマウント４０の表面に４つの入力用電極パッド４２が形成されているが、本開示においてはこれに限定されるものではない。また、共通電極用パッド４３は、マルチレーザチップ５０の共通電極５２にワイヤを介して電気的に接続される。なお、入力用電極パッド４２及び共通電極用パッド４３のサイズは、特に限定されるものではないが、例えば、９０μｍ×９０μｍ程度とすることができる。

さらに詳細には、サブマウント４０には、搭載されたマルチレーザチップ５０が有する各レーザ素子５１を個別に切り替えて発光させるためのスイッチング回路（図示省略）等の電子回路が設けられている。また、アライメントマーク４４は、マルチレーザチップ５０がサブマウント４０に搭載される際の位置合わせに使用される。

（マルチレーザチップ５０）
マルチレーザチップ５０は、図３に示すように、１つのサブマウント４０に対して１つ搭載される。なお、本開示においては、１つのサブマウント４０に対して搭載されるマルチレーザチップ５０の数は、図３に示すような１つに限定されるものではなく、複数であってもよい。マルチレーザチップ５０のサイズは、特に限定されるものでないが、例えば、幅（Ｘ軸方向）については１００μｍ～２００００μｍ程度、奥行き（Ｚ軸方向）については数１００μｍ程度、高さ（厚さ）（Ｙ軸方向）については１０μｍ～１００μｍ程度とすることができる。

マルチレーザチップ５０は、Ｚ軸方向に沿って共振器を配する、長い形状を有する複数のレーザ素子５１を有している（図４ 参照）。複数のレーザ素子５１は、Ｘ軸方向（幅方向）に所定の間隔ａ（例えば、１０μｍ～５０μｍ程度）を開けて並べて配置されており、Ｚ軸方向に沿って光を照射する。例えば、上記レーザ素子５１は、レーザ素子５１の積層構造の端面（出射端面）から光を発射する端面発光型半導体発光素子（端面発光型発光素子）であることができる。なお、以下の説明においては、レーザ素子５１の出射端面は、図３中においてＸ軸方向に沿って延びる、すなわち、Ｚ軸方向に沿って延びる法線を有する２つの面のうち、右側の面を意味している。また、本開示におけるマルチレーザチップ５０に設けられるレーザ素子５１の数は、レーザ素子５１の歩留まり等に応じて設定することができ、設定されたレーザ素子５１の数に応じてマルチレーザチップ５０のサイズを適宜選択することができる。さらに、以下の説明において、幅方向（Ｘ軸方向）とは、レーザ素子５１の共振器長方向と平行な面内において、当該共振器長方向と垂直に交わる方向をいう。

詳細には、マルチレーザチップ５０は、例えばＧａＮ等のＩＩＩ－Ｖ族窒化物半導体基板により形成することができる。ここで、ＩＩＩ－Ｖ族窒化物半導体は、周期表における１３属元素群（旧ＩＵＰＡＣ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｕｎｉｏｎ ｏｆ Ｐｕｒｅ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）命名法においてはＩＩＩ－Ｂ族群）のうち少なくとも１種と、周期表における１５属元素群（旧ＩＵＰＡＣ命名法においてはＶＢ族群）のうち少なくともＮとを含んで構成される。すなわち、マルチレーザチップ５０に設けられるレーザ素子５１は、例えばＩＩＩ－Ｖ族窒化物半導体から形成することができる。ＩＩＩ－Ｖ族窒化物半導体としては、例えば、Ｇａ及びＮを含む窒化ガリウム系化合物が挙げられる。窒化ガリウム系化合物には、例えば、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ等が含まれる。ＩＩＩ－Ｖ族窒化物半導体には、必要に応じてＳｉ、Ｇｅ、Ｏ、Ｓｅ等のＩＶ族又はＶＩ族元素のｎ型不純物、又は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃ等のＩＩ族又はＩＶ族元素のｐ型不純物がドープされてもよい。この場合、レーザ素子５１は、例えば４００ｎｍ程度の波長を持つ紫外光を照射することができる。

また、マルチレーザチップ５０は、図３に示すように、複数のレーザ素子５１で共通で用いられる共通電極５２と、複数のアライメントマーク５３とを有している。共通電極５２は、マルチレーザチップ５０の表面においてほぼ全体に亘って形成されており、ワイヤを介してサブマウント４０における共通電極用パッド４３に電気的に接続される。共通電極５２は、例えば、Ａｕ及びＧｅの合金、Ｎｉ、Ａｕ等が積層されて形成されている。また、アライメントマーク５３は、マルチレーザチップ５０がサブマウント４０に搭載される際の位置合わせに使用される。

さらに、マルチレーザチップ５０の裏面の概要を、図４を参照して説明する。図４は、本開示のマルチレーザチップ５０の裏面図であり、図３とは図中の上下方向が逆となっている。図４に示すように、マルチレーザチップ５０の裏面は、複数のレーザ素子５１と、互いに隣接するレーザ素子５１に挟まれるようにして設けられた、それぞれのレーザ素子５１に電気的に接続された個別電極５４とを有する。さらに、マルチレーザチップ５０の裏面においては、レーザ素子５１は、先に説明したように、Ｘ軸方向（幅方向）に所定の間隔（例えば、１０μｍ～５０μｍ程度）を開けて並べて配置されている。

＜＜３． 本発明者らが本開示に係る実施形態を創作するに至る背景＞＞
以上、本開示に係る光源ユニット２０及び発光モジュール３０の概要構成について説明した。続いて、本開示に係る実施形態の詳細を説明する前に、本発明者らが本開示に係る実施形態を創作するに至る背景について説明する。

先に説明したように、３Ｄプリンタ（光造形装置）、レーザプリンタ、レーザディスプレイ装置、計測装置等の各種の装置で利用される光源ユニット２０では、一方向に沿って複数の発光素子が所定の間隔で配列されている発光モジュール３０が広く用いられている。本発明者らは、３Ｄプリンタで使用する発光モジュール３０の光源として、素子の積層構造の端面（出射端面）から光を発射する端面発光型レーザ素子を用いることについて、検討を重ねていた。

３Ｄプリンタとは、例えば、光硬化樹脂に紫外光等を照射して硬化させることにより、立体的な造形物を形成することができる装置である。レーザ素子５１は、ＬＥＤ素子と比べて、発射する光の広がり（照射角）が小さく、精度よく配置することができれば、発射した光を無駄なく収束性ロッドレンズに入射させることができる。さらに、レーザ素子５１は、小型でありながら出力が高い。

加えて、レーザ素子５１は、光を出射する際に高い熱を発生させるが、端面発光型レーザ素子であれば、積層構造の上下からレーザ素子５１を挟み込むようにして排熱機構を設けることができることから、排熱機構を小型化しつつ、排熱を効率良く行うことができる。従って、本発明者らは、端面発光型レーザ素子５１を使用することで、光硬化樹脂に効率よく光を照射することができることから、３Ｄプリンタに端面発光型レーザ素子５１を適用することについて、鋭意検討を進めていた。

ところで、先に説明したように、３Ｄプリンタで造形される造形物の精細度をより向上させるためには、３Ｄプリンタで用いる発光モジュール３０においては、多数のレーザ素子５１を狭い間隔で精度よく配列させることが求められる。より具体的には、３Ｄプリンタで数ｃｍから数１０ｃｍ程度の寸法を持つ造形物を形成しようとする場合には、発光モジュール３０において、数１０００個程度のレーザ素子５１を数１０μｍ間隔で一列に精度よく配置することが求められる。

そこで、このような発光モジュール３０を製造する場合、例えば、１個１個のレーザ素子５１を所定の間隔で基板上に搭載することが考えられる。しかしながら、このような製造方法は、作業効率が非常に悪く、レーザ素子５１の位置ずれ等による歩留まりの低下が予想されることから、好ましい方法であるとは言えない。

また、レーザ素子５１自体を製造する際に、予め所定の間隔で配列された複数のレーザ素子５１からなるマルチレーザチップ５０を製造することが考えられる。しかしながら、このような製造方法においては、半導体製造プロセスで製造できるチップのサイズには限界があり、１つのマルチレーザチップ５０上に一列に並べることができるレーザ素子５１の数に限界がある。

また、発光モジュール３０に１個でも不良のレーザ素子５１が含まれていた場合には、発光モジュール３０自体が不良品となってしまうため、発光モジュール３０に搭載する前に、あらかじめ各レーザ素子５１の検査を行い、良品のレーザ素子５１だけを発光モジュール３０に搭載する。従って、発光モジュール３０の製造方法においては、数個から数１０個程度のレーザ素子５１を有するマルチレーザチップ５０を製造し、個々のマルチレーザチップ５０においてレーザ素子５１の検査を行う。さらに、当該製造方法においては、良品のレーザ素子５１のみからなるマルチレーザチップ５０を発光モジュール３０に搭載する。このようにすることで、良品であるにも関わらず発光モジュール３０に搭載されない無駄となるレーザ素子５１の数を少なくしつつ、作業効率を向上させ、発光モジュール３０の製造における歩留まりを良好に維持することができる。

さらに、上述のような数個から数１０個程度のレーザ素子５１を有するマルチレーザチップ５０であれば、製造時においてレーザ素子５１に不良が生じたり、発光モジュール３０使用による経時劣化によってレーザ素子５１に不良が発生したりした場合であっても、不良のレーザ素子５１を有するマルチレーザチップ５０のみを取り換えることにより対応することができる。

しかしながら、本発明者らが検討を進めたところ、光が発射されるレーザ素子５１の端面を面一に揃えつつ、多数のレーザ素子５１を狭い間隔で一列に精度よく配置するように、複数のマルチレーザチップ５０を基板に搭載することは難しいことがわかった。詳細には、本発明者らは、先に説明した上記特許文献１のように、千鳥状にマルチレーザチップ５０を配列したり、基板にあらかじめ段差が設け、各段に各マルチレーザチップ５０を設けたりすることを検討したが、多数のレーザ素子５１を狭い間隔で一列に精度よく配置することには限界があった。

具体的には、本発明者らの検討によれば、上記特許文献１においては、千鳥状に狭い間隔で発光素子アレイを配列しているが、このような方法では高い精度で配列することに限界があった。これは、上記特許文献１においては、発光素子がＬＥＤ素子であることが前提であり、ＬＥＤ素子はレーザ素子５１に比べて発射する光の広がり（照射角）が大きいことから、ＬＥＤ素子の位置が多少ずれた場合であっても、発光モジュールの使用に影響を与えることはない。従って、上記特許文献１に開示の技術は、精度が多少悪くてもそれを許容することができるＬＥＤ素子を用いた発光モジュールの製造に適用することができても、本発明者らが検討しているレーザ素子５１を用いた発光モジュール３０の製造に適用することには限界があると考えられる。

そこで、本発明者らは、上述のような検討を踏まえて、複数の発光素子（レーザ素子５１）を狭い間隔で精度よく配列させることが可能な、本開示の実施形態に係る発光モジュール３０の製造方法を創作するに至った。以下に、本発明者らが創作した本開示の実施形態に係る発光モジュール３０の製造方法の詳細を順次説明する。

なお、以下の説明においては、本開示の実施形態を、端面発光型レーザ素子５１を３Ｄプリンタ用の発光モジュール３０に適用することとして説明するが、本開示の実施形態はこのような適用に限定されるものではない。例えば、本開示の実施形態においては、発光素子は、面内発光型レーザ素子であってもＬＥＤ素子であってもよい。さらに、本開示の実施形態においては、製造される発光モジュール３０が搭載される装置は、３Ｄプリンタに限定されるものではなく、紙に印刷するためのレーザプリンタや、レーザディスプレイ装置、計測装置等の各種の装置であってもよい。

＜＜４．第１の実施形態＞＞
＜４．１ 発光モジュール３０の製造方法＞
まずは、本開示の第１の実施形態を図５から図８を参照して説明する。図５から図７は、本実施形態に係る発光モジュールの製造工程を説明するための説明図である。詳細には、図５から図７の上段には、サブマウント４０又はドライバＩＣ３１の表面図が示され、これら図の下段には、サブマウント４０又はドライバＩＣ３１を、各レーザ素子５１から光が出射される端面側から見た正面図が示されている。図８は、本実施形態に係る発光モジュールの製造方法を説明するための説明図であって、詳細には、積層体１０４をドライバＩＣ３１に搭載する際の動作を説明するための説明図である。

まず、本実施形態においては、図５に示すように、複数のレーザ素子５１（図５では、図示省略）が形成されているマルチレーザチップ（発光素子アレイチップ）５０を、個別電極５４側をサブマウント（第１の回路基板）４０と向かい合うようにして、サブマウント４０に搭載する。従って、サブマウント４０の上方からみると、マルチレーザチップ５０上の共通電極５２が見えることとなる。詳細には、本実施形態においては、マルチレーザチップ５０の各個別電極５４は、導電性のバンプ１００によりサブマウント４０に電気的に接続される。さらに、マルチレーザチップ５０の共通電極５２は、導電性のワイヤ１０２によってサブマンウント４０と電気的に接続される。図５に示すように、マルチレーザチップ５０とサブマウント４０とは、互いに異なる幅（Ｘ軸方向における幅）を持っており、詳細には、これらの幅は、マルチレーザチップ５０とサブマウント４０とからなる、後述する積層体１０４の最終的なできあがり幅とは異なる。さらに、マルチレーザチップ５０とサブマウント４０とは、互いに異なる奥行き（Ｚ軸方向における長さ）を持っており、マルチレーザチップ５０の奥行きは、サブマウント４０の奥行きに比べて短い。従って、マルチレーザチップ５０が搭載されたサブマウント４０においては、サブマウント４０の表面の一部が、マルチレーザチップ５０から露出されている。

次に、図６に示すように、マルチレーザチップ５０とサブマウント４０とを最終的なできあがりの幅（Ｘ軸方向における幅）となるようにダイシングを行い、高い精度の外形寸法を持つ積層体（発光素子アレイ）１０４を形成する。本実施形態においては、１～２μｍ程度以内のずれを許容する精度でダイシングを行うことが好ましい。

具体的には、本実施形態においては、ブレードによるブレードダイシングやレーザを用いたレーザダイシングを用いることができるが、プラズマダイシングを用いることが好ましい。プラズマダイシングは、Ｆ系ガスを用いた化学的エッチングによるダイシングであり、高い精度でダイシングが行えるだけでなく、チッピングやクラックの発生を避けることができるため、本実施形態においては、プラズマダイシングを用いることがより好ましい。

また、ダイシング後に、積層体１０４の切断面を研磨し、より高い精度の外形寸法を持つ積層体１０４を形成してもよい。例えば、本実施形態においては、研磨としてＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ)を用いることができる。ＣＭＰは、研磨剤自体が有する表面化学作用又は研磨液に含まれる化学成分の作用によって、当該研磨剤と研磨対象物の相対運動による機械的研磨の効果を増大させ、高速且つ平滑な研磨面を得ることができる。なお、本実施形態においては、ダイシングの代わりに研磨を用いて、積層体１０４を形成してもよい。

次に、本実施形態においては、図７に示すように、上述のダイシングによって高い精度で同一の所定の幅を持つ複数の積層体１０４のＸ軸方向を向く側面同士を接触させるようにして、複数の積層体１０４をドライバＩＣ（第２の回路基板）３１に搭載する。詳細には、各積層体１０４におけるレーザ素子５１の光を発射する端面（出射端面）が手前側にくるように配置し、且つ、１つの積層体１０４の側面に他の積層体１０４の側面を突き当てるようにして、複数の積層体１０４をドライバＩＣ３１に搭載する。このようにすることにより、各積層体１０４の幅（Ｘ軸方向の幅）が精度よく所望の寸法を持っていることから、複数の積層体１０４に亘って、隣り合うレーザ素子５１の間隔（Ｘ軸方向の間隔）を、各積層体１０４内におけるレーザ素子５１の間隔（Ｘ軸方向の間隔）と等しくすることができる。言い換えると、このようにすることにより、発光モジュール３０において、複数のレーザ素子５１をＸ軸方向（幅方向）に沿って所定の間隔（例えば、１０μｍ～５０μｍ程度）で一列に精度よくドライバＩＣ３１上に配置することができる。なお、以下の説明において、特にことわりがない場合には、積層体１０４の側面とは、積層体１０４の有する面のうち、Ｚ軸方向に沿って延びる２つの面、すなわち、Ｘ方向に沿って延びる法線を有する２つの側面のいずれか、又は両者のことを意味する。

なお、積層体１０４のドライバＩＣ３１への固定は、積層体１０４とドライバＩＣ３１との間の熱可塑性のペースト（熱可塑性ペースト）１０６によって行うことができる。詳細には、当該ペースト１０６は、熱によって軟化し、冷却されると固化するペーストであって、レーザ素子５１等で発生する熱をサブマウント４０及びドライバＩＣ３１を介して伝熱板２５へ逃がすために、熱伝導性が高いペーストを用いることが好ましい。例えば、当該ペースト１０６としては、シリコングリース、銀ペースト、スズ等を含む半田等を挙げることができる。このようなペースト１０６は熱を印加することにより軟化する特性を持つことから、一度ドライバＩＣ３１に固定した積層体１０４を、熱を印加して取り外すことができる。従って、本実施形態においては、リワークの観点からも、このようなペースト１０６を用いることが好ましい。なお、本実施形態においては、当該ペースト１０６が固化する際の表面吸着によって積層体１０４を所定の位置に移動させるようなセルフアライメント効果を利用して、積層体１０４を所定の位置に固定してもよい。

さらに、本実施形態においては、図８に示すような手順を踏むことで、複数の積層体１０４を、ドライバＩＣ３１に精度よく搭載することができる。詳細には、図８に示すように、積層体１０４が搭載されるドライバＩＣ３１には凹部３１ａが設けられており、積層体１０４は当該凹部３１ａに配置される。この際、積層体１０４のレーザ素子５１の光を発射する端面が、収束性ロッドレンズ２２側に位置する凹部３１ａの内側面に接するように、積層体１０４を配置することにより、積層体１０４のＺ軸方向における位置を合わせることができる。このようにすることにより、複数の積層体１０４の光が発射される出射端面を面一に揃えつつ、複数の積層体１０４をドライバＩＣ３１上に搭載することができる。

具体的には、本実施形態においては、積層体１０４をドライバＩＣに搭載し、図８の矢印Ａに示されるように、上方から（Ｙ軸方向に沿って）弱い力で積層体１０４を押す。このようにすることで、積層体１０４のドライバＩＣ３１からの浮き上がりを防止する。

次に、図８の矢印Ｂに示されるように、積層体１０４の上記出射端面が凹部３１ａの収束性ロッドレンズ２２側の内側面に接するように、積層体１０４をＺ軸方向に沿って収束性ロッドレンズ２２側に向かって弱い力で押す。このようにすることで、積層体１０４の光が発射される上記出射端面が所定の位置に揃うようになる。

そして、本実施形態においては、図８の矢印Ｃに示されるように、積層体１０４のＸ軸方向に向いた側面を既に搭載されている他の積層体１０４のＸ軸方向に向いた側面と接触させるように、積層体１０４をＸ軸方向の沿って強い力で押す。このようにすることで、積層体１０４をＸ軸方向に沿って精度よくドライバＩＣ３１上に配列させることができる。

さらに、本実施形態においては、図８の矢印Ｄに示されるように、積層体１０４を上方から、且つ、Ｚ軸方向に沿って収束性ロッドレンズ２２側に向かって、強い力で押す。このようにすることで、複数の積層体１０４の上記出射端面を面一に揃えつつ、複数の積層体１０４を所定の位置に精度よく搭載することができる。

なお、本実施形態においては、上述のような手順で搭載することに限定されるものではなく、他の順序で積層体１０４に力をかけてもよく、もしくは、力の強さを入れ替えてもよい。また、上述の手順においては、積層体１０４にＹ軸方向及びＺ軸方向に沿って印加される力は、力の強さを変化させて２段階で印加されているが、本実施形態においてはこれに限定されるものではなく、１段階で印加されてもよい。

以上のようにして、本実施形態において、発光モジュール３０が製造される。本実施形態によれば、複数のレーザ素子５１を狭い間隔で精度よく配列させることができる。

なお、上述の説明においては、複数の積層体１０４の幅（Ｘ軸方向の幅）を同一のものであるとして説明したが、本実施形態においては、これに限定されるものではない。例えば、本実施形態においては、複数の積層体１０４の側面同士を接触させるようにして、複数の積層体１０４をドライバＩＣ３１に搭載することで、複数のレーザ素子５１をＸ軸方向（幅方向）に沿って所定の間隔で一列に精度よく配置することができれば、複数の積層体１０４の幅（Ｘ軸方向の幅）は互いに異なっていてもよい。

また、本実施形態においては、先に説明したように、積層体１０４は、ドライバＩＣ３１を介さず直接的に伝熱板２５に搭載してもよい。この場合、上述の発光モジュール３０の製造方法においては、ドライバＩＣ３１が伝熱板２５に入れ替わることとなる。さらに、本開示においては、積層体１０４は、マルチレーザチップ５０だけから構成されていてもよく、この場合、積層体１０４は、直接的にドライバＩＣ３１に搭載されてもよく、もしくは、直接的に伝熱板２５に搭載されてもよい。

＜４．２ 発光モジュール３０＞
上述した製造方法によって製造された発光モジュール３０は、Ｘ軸方向（幅方向）に沿って配列した複数のレーザ素子５１を有するマルチレーザチップ５０とサブマウント４０とからなる、複数の積層体（発光素子アレイ）１０４と、複数の積層体１０４が搭載されたドライバＩＣ（基板）３１とを有する。さらに、当該発光モジュール３０においては、Ｘ軸方向に沿って互いに隣り合う積層体１０４の側面同士が接触するように、複数の積層体１０４がドライバＩＣ３１上に搭載されることにより、複数のレーザ素子５はＸ軸方向に沿って所定に間隔で精度よく配列している。

＜４．３ 光源ユニット２０の製造方法＞
続いて、本実施形態に係る光源ユニット２０の製造方法について簡単に説明する。

まずは、上述のように製造された発光モジュール３０と、コネクタ２３が設けられたガラスエポキシ基板２４とが伝熱板２５上に実装される。さらに、発光モジュール３０（ドライバＩＣ３１）と、ガラスエポキシ基板２４とがワイヤボンディングにより結線される。

次に、発光モジュール３０と、ガラスエポキシ基板２４とが実装された伝熱板２５を、熱伝導率が高い接着剤を介して第２の基体２７上に固定される。この固定は、螺子止めによって行われるが、当該螺子止めは、発光モジュール３０側でなく、ガラスエポキシ基板２４側において行われる。

続いて、第１の基体２６と、第２の基体２７とが螺子止めにより固定される。そして、第１の基体２６の溝部２６ａ及び第２の基体２７の溝部２７ａによって形成される筐体２１の開口部に、収束性ロッドレンズ２２が固定される。当該固定の際には、収束性ロッドレンズ２２による結像位置の精度を向上させるため、収束性ロッドレンズ２２の発光モジュール３０に対する位置が調整された上で、収束性ロッドレンズ２２が筐体２１に対して紫外線硬化接着剤等によって仮止め固定される。

さらに、第１の基体２６と第２の基体２７との間の隙間、筐体２１と収束性ロッドレンズ２２との間の隙間、並びに、筐体２１とコネクタ２３との間の隙間が、接着剤等によって密閉される。最後に、筐体２１（第２の基体２７）に対して、冷却機構８０が螺子止めされる。以上のようにして、本実施形態に係る光源ユニット２０が製造される。

＜＜５．第２の実施形態＞＞
ところで、先に説明したように、発光モジュール３０の製造工程においてレーザ素子５１に不良が生じたり、発光モジュール３０の使用による経時劣化によってレーザ素子５１に不良が生じたりすることがある。このような場合に対応するためには、発光モジュール３０や光源ユニット２０を組み立てた後であっても、不良のレーザ素子５１を有する積層体１０４のみを容易に取り換えられるようにすることが好ましい。そこで、本開示の第２の実施形態として、上述した第１の実施形態と比べて容易に積層体１０４を取り換えることができる実施形態について図９を参照して説明する。図９は、本実施形態に係る発光モジュール３０の製造方法を説明するための説明図であり、詳細には、積層体１０４が搭載されるドライバＩＣ３１の斜視図である。

本実施形態においては、第１の実施形態と異なり、上述の積層体１０４をペースト１０６によってドライバＩＣ３１に固定することはなく、例えば、光源ユニット２０の筐体２１の基体２６と基体２７とによって、ドライバＩＣ３１の所望の位置に搭載された複数の積層体１０４を挟む込むことで固定を行う。本実施形態においては、このようにすることで、ペースト１０６によって固定されていないことから、所望の積層体１０４を容易に取り換えることができる。

しかしながら、先に説明したように、積層体１０４に設けられたレーザ素子５１は高熱を発することから、排熱のためには積層体１０４とドライバＩＣ３１との接触を確保することが求められる。そこで、本実施形態においては、所望の積層体１０４を容易に取り換えることができ、且つ、積層体１０４とドライバＩＣ３１との接触を確保することができる実施形態を提案する。

詳細には、本実施形態に係るドライバＩＣ３１の積層体１０４が搭載される面には、複数の付勢部材２００が設けられている。付勢部材２００は、銅等の熱伝導性の高い金属等の熱伝導材料からなる板バネであり、その付勢力を利用して積層体１０４の側面や底面と接触する。従って、本実施形態においては、付勢部材２００を介して積層体１０４とドライバＩＣ３１とのの接触を確保し、積層体１０４のレーザ素子５１で発生した熱を、ドライバＩＣ３１を介して伝熱板２５へ排熱することができる。なお、上記付勢部材２００と接触する積層体１０４の側面は、積層体１０４の有する面のうち、Ｚ軸方向に沿って延びる２つの面、すなわち、Ｘ方向に沿って延びる法線を有する２つの側面のいずれか、又は両者のことを意味する。さらに、上述の上記付勢部材２００と接触する積層体１０４の側面は、上記出射端面と対向する面であってもよい。

具体的には、図９に示すように、付勢部材２００は、一部が半円状に湾曲した板バネであり、湾曲していない部分においてドライバＩＣ３１と接続している。一方、付勢部材２００の湾曲した部分の頂点が、付勢力を利用して積層体１０４を押圧することにより、積層体１０４とドライバＩＣ３１との接触を確保することができる。このような付勢部材２００は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）部品の１種として形成され、半導体装置の製造で用いられる各種の成膜技術やエッチング技術を利用して形成することができる。

より具体的には、付勢部材２００は、幅５～１０μｍ程度の板バネであり、湾曲した部分により構成される半円の半径が５～１０μｍ程度となっている。なお、図９においては、湾曲した部分は空洞であるとして図示されているが、本実施形態においては、柔らかい樹脂等が充てんされていてもよい。さらに、本実施形態においては、図９に示すように、ドライバＩＣ３１の積層体１０４が搭載される面には、上方に向かって突出した凸部３１ｂが設けられてもよく、当該凸部３１ｂの側面に上記付勢部材２００が設けられていてもよい。

なお、本実施形態においては、付勢部材２００は、図９に示されるような形態に限定されるものではなく、他の形態や大きさであってもよく、もしくは樹脂等から形成されてもよい。

以上のように、本実施形態によれば、ドライバＩＣ３１の積層体１０４が搭載される面に付勢部材２００を設けることにより、積層体１０４とドライバＩＣ３１との接触を確保しつつ、必要に応じて、所望の積層体１０４を容易に取り換えることができる。

＜＜６．第３の実施形態＞＞
本開示においては、上述の第１の実施形態に係る積層体１０４を樹脂又はガラス等で被覆してもよい。そこで、本開示の第３の実施形態として、樹脂又はガラス等で積層体１０４を被覆した実施形態を、図１０から図１２を参照して説明する。図１０から図１２は、本実施形態に係る発光モジュール３０ａの製造工程を説明するための説明図である。詳細には、図１０から図１２の上段には、サブマウント４０又はドライバＩＣ３１の表面図が示され、これら図の下段には、サブマウント４０又はドライバＩＣ３１を、各レーザ素子５１から光が出射される端面側から見た正面図が示されている。なお、これら図においては、透明な樹脂３００で積層体１０４ａが被覆されているものとする。

まず、本実施形態においても、上述した第１の実施形態の図５のように、複数のレーザ素子５１（図１０では、図示省略）が形成されているマルチレーザチップ５０を、個別電極５４側をサブマウント４０と向かい合うようにして、サブマウント４０に搭載する。次に、本実施形態においては、図１０に示すように、マルチレーザチップ５０とサブマウント４０との表面は樹脂３００で被覆される。この際、マルチレーザチップ５０のレーザ素子５１からの光の出射を妨げることがないように、樹脂３００は、光が出射される端面を覆うことのないように、マルチレーザチップ５０及びサブマウント４０の表面のみを被覆するようにする。なお、本実施形態においては、樹脂３００は、ガラスであってもよく、特に限定されるものではない。また、樹脂３００は、透明な材料であることに限定されるものではない。

このように樹脂３００で、マルチレーザチップ５０及びサブマウント４０の表面を被覆することにより、リワークとして積層体１０４ａを取り換える際にマルチレーザチップ５０及びサブマウント４０の表面が樹脂３００によって保護されることから、積層体１０４ａの取扱が容易となる。

なお、マルチレーザチップ５０、サブマウント４０及び樹脂３００のＸ軸方向の幅は、積層体１０４ａの最終的なできあがり幅とは異なっている。

次に、図１１に示すように、マルチレーザチップ５０、サブマウント４０及び樹脂３００を最終的なできあがりの幅（Ｘ軸方向）となるように側面を研磨して、高い精度の幅寸法を持つ積層体１０４ａを形成する。例えば、研磨の方法としては、上述したＣＭＰを挙げることができる。さらに、本実施形態においては、積層体１０４ａが所望の幅に達したときに、その旨を知らせるマーカパターン（図示省略）を積層体１０４ａに設けてもよい。このようにすることで、研磨を行い、当該マーカパターンが現れた際に研磨を停止するようにすることで、高い精度の幅寸法を持つ積層体１０４ａを得ることができる。

もしくは、本実施形態においては、研磨の停止位置を示す難研磨材料を研磨のストッパー膜（図示省略）（ストッパー層）として積層体１０４ａに設けてもよい。難研磨材料は、例えば、シリコン基板からなるマルチレーザチップ５０及びサブマウント４０や樹脂３００よりも研磨することが難しい材料であり、具体的には、タングステン等を挙げることができる。本実施形態においては、このような材料からなるストッパー膜を、研磨の停止位置（終点）を定めるように積層体１０４ａに設ける。本実施形態によれば、このようなストッパー膜が研磨を進めるにつれ表面に現れ、研磨のスピードが変化するようになることから、研磨の停止位置を容易に検出することができる。その結果、本実施形態によれば、高い精度の幅寸法を持つ積層体１０４ａを得ることができる。

次に、本実施形態においては、図１２に示すように、第１の実施形態と同様に、上述の研磨によって高い精度の幅寸法を持つ複数の積層体１０４ａの側面同士を接触させるようにして、複数の積層体１０４をドライバＩＣ３１に搭載する。このようにすることで、複数の積層体１０４ａに亘って、隣り合うレーザ素子５１の間隔を、各積層体１０４ａ内におけるレーザ素子５１の間隔と等しくすることができる。以上のようにして、本実施形態に係る発光モジュール３０ａを製造することができる。

また、本実施形態においては、以上のように、樹脂３００で、マルチレーザチップ５０及びサブマウント４０の表面を被覆することで、これら表面が樹脂３００によって保護されることから、リワークの際に積層体１０４ａの取扱が容易となる。

＜＜７．第４の実施形態＞＞
＜７．１ 発光モジュール３０の製造方法＞
また、本開示においては、サブマウント４０ａの裏面に位置決めを行う位置決め用の要素を形成し、ドライバＩＣ３１の表面に設けた別の位置決め用の要素と係合させることにより、複数の積層体１０４ｂをドライバＩＣ３１の所定の位置に搭載してもよい。以下に、このような実施形態を、本開示の第４の実施形態として、図１３を参照して説明する。図１３は、本実施形態に係る発光モジュール３０の製造方法を説明するための説明図であって、本実施形態に係るサブマウント４０ａの裏面を説明するための説明図である。詳細には、図１３の上段には、サブマウント４０ａの裏面図が示され、図１３の下段には、サブマウント４０ａを、各レーザ素子５１から光が出射される端面側から見た正面図が示されている。なお、図１３では、図２及び図３とは、図中の上下関係が逆になっている。

本実施形態においては、サブマウント４０のドライバＩＣ３１と向かい合う面に第１の位置決め部４００を設け、ドライバＩＣ３１のサブマウント４０（積層体１０４ｂ）と向かい合う面に第２の位置決め部（図示省略）を設ける。そして、本実施形態においては、第１の位置決め部４００と第２の位置決め部とを係合させることにより、サブマウント４０、すなわち、積層体１０４ｂをドライバＩＣ３１上の所望の位置に搭載することができる。その結果、本実施形態によれば、発光モジュール３０において、複数のレーザ素子５１をＸ軸方向（幅方向）に沿って所定の間隔で精度よく配列させることができる。なお、本実施形態の積層体１０４ｂは、上述した第１及び第３の実施形態に係る積層体１０４と同様の構成を持つが、これら実施形態に比べて、Ｘ軸方向の幅については多少のずれがあっても許容される。

詳細には、本実施形態においては、図１３に示すように、サブマウント４０ａの裏面に、第１の位置決め部として、Ｖ字型の溝４００を形成する。図１３に示すように、溝４００は、Ｚ軸方向に沿ってサブマウント４０ａのＺ軸方向の端から端に亘って延伸する溝であり、サブマウント４０ａの裏面に２本設けられている。さらに、溝４００は、サブマウント４０ａを、各レーザ素子５１から光が出射される端面側から見た場合、Ｖ字の形状を持っている。

具体的には、サブマウント４０が、シリコン基板から形成されていた場合には、ウェットエッチングの異方性を利用することにより、Ｖ字形状の溝４００を容易に形成することができる。詳細には、本実施形態においては、サブマウント４０の裏面をシリコンの００１面とし、当該裏面の、溝４００を形成しない領域には、マスクとして酸化シリコン膜等を形成する。さらに、本実施形態においては、上記裏面に対してウェットエッチングを行うことにより、シリコンの１１１面が露出し、下側に頂点を持つＶ字形状の溝４００を容易に形成することができる。なお、溝４００の作成方法は、上述の方法に限定されるものではなく、フォトリソグラフィーとエッチング等を組み合わせて各種方向によって形成されてもよい。

さらに、ドライバＩＣ３１の所定の位置には、第２の位置決め部として、上記溝４００と係合することが可能な、例えば、上側に頂点を持つＶ字形状の突起（図示省略）を形成する。さらに、当該突起と上記溝４００とを係合するように、積層体１０４をドライバＩＣ３１上に搭載することにより、複数の積層体１０４ｂをドライバＩＣ３１上の所望の位置に搭載することができる。その結果、本実施形態においては、発光モジュール３０に亘って、各積層体１０４ｂが有する複数のレーザ素子５１を所望の間隔でＸ軸方向（幅方向）に沿って精度よく配列することができる。

なお、本実施形態においては、溝４００及び突起の断面は、Ｖ字形状であることに限定されず、他の形態であってもよい。

また、本実施形態においては、先に説明したように、積層体１０４ｂは、ドライバＩＣ３１を介さず直接的に伝熱板２５に搭載してもよい。この場合、上述の発光モジュール３０の製造方法においては、ドライバＩＣ３１が伝熱板２５に入れ替わることとなる。さらに、本開示においては、積層体１０４ｂは、マルチレーザチップ５０だけから構成されていてもよく、この場合、マルチレーザチップ５０の裏面に上述のような溝４００が形成されることとなる。

＜７．２ 変形例＞
なお、本実施形態においては、溝４００の形態は特に限定されるものではなく、様々に変形することができる。以下に、本実施形態に係る溝４００の変形例を図１４から図１８を参照して説明する。図１４から図１８は、本実施形態の変形例１から５に係る発光モジュール３０の製造方法を説明するための説明図であって、詳細には、サブマウント４０ａの裏面図が示されている。なお、以下の変形例の説明においては、サブマウント４０ａの裏面に形成される溝４００についてのみ説明するが、実際には、各変形例においては、変形例に係る溝４００と係合することができる突起が、ドライバＩＣ３１の表面の対応する位置に設けられているものとする。

（変形例１）
本変形例１においては、図１４に示すように、上述した本実施形態と同様に、サブマウント４０ａの裏面には、Ｚ軸方向に沿って延びる２本の溝４００が設けられている。しかしながら、本変形例１に係る溝４００は、本実施形態と異なり、サブマンウント４０ａの裏面の端から端に亘って延びるのではなく、サブマウント４０ａの端にかからないように、裏面の中央領域のみに亘って延びるように設けられている。本変形例によれば、このような２本の溝４００を設けることにより、複数の積層体１０４ｂの、Ｘ軸方向の位置合わせだけでなく、Ｙ軸方向の位置ずれを防止することができる。

（変形例２）
本変形例２においては、図１５に示すように、サブマウント４０ａの裏面には、上述した変形例１と異なり、溝４００が４本設けられている。詳細には、本変形例２においては、変形例１と同様に、Ｚ軸方向に沿って延びる２本の溝４００が設けられており、さらに、Ｘ軸方向に沿って延びる２本の溝４００が設けられている。本変形例によれば、このような４本の溝４００を設けることにより、複数の積層体１０４ｂの、Ｘ軸方向だけでなく、Ｙ軸方向の位置についても制御することができる。

（変形例３）
ところで、先に説明したように、積層体１０４ｂに設けられたレーザ素子５１は熱を発生することから、レーザ素子５１で発生した熱は、サブマウント４０ａ及びドライバＩＣ３１を介して伝熱板２５へ効率的に排熱されることが好ましい。そこで、効率的な排熱のためには、積層体１０４ｂのサブマウント４０ａの裏面とドライバＩＣ３１の表面とが接触している面積を広くすることが好ましく、且つ、接触している箇所がサブマウント４０ａの裏面の全体に亘って均一に存在することが好ましい。

そこで、本変形例３では、上述した本実施形態に係る溝４００と比べて長さが短い溝４００ａを、サブマウント４０ａの裏面全体に亘って複数個設けることにより、サブマウント４０ａの裏面とドライバＩＣ３１の表面とが接触する面積を広く維持しつつ、複数の積層体１０４ｂをドライバＩＣ３１上の所望の位置に搭載することができる。詳細には、本変形例３においては、図１６に示すように、上述した本実施形態に係る溝４００と比べて長さが短く、且つ、Ｚ軸方向に沿って延びる溝４００ａを、サブマウント４０ａの裏面の四隅近傍や、中央部に設ける。

（変形例４）
また、排熱の観点からは、特に、熱を発生させるレーザ素子５１の下方において、積層体１０４ｂのサブマウント４０ａの裏面とドライバＩＣ３１の表面との接触が確保されていることが好ましい。そこで、本変形例４においては、図１７に示すように、サブマウント４０ａの裏面に、上述した本実施形態に係る溝４００と比べて長さが短く、且つ、Ｚ軸方向に沿って延びる溝４００ｂを２本設ける。詳細には、当該溝４００ｂは、サブマウント４０ａのＺ軸方向のコネクタ２３側に位置する端部から、裏面の中央領域にまで延びている。すなわち、当該溝４００ｂは、サブマウント４０ａの、レーザ素子５１から光が出射される端面側の端部にまでは延びていない。本変形例によれば、このような溝４００ｂを設けることにより、レーザ素子５１の下方においてのサブマウント４０ａの裏面とドライバＩＣ３１の表面との接触が確保される。その結果、本変形例によれば、効率的な排熱を可能にしつつ、複数の積層体１０４ｂをドライバＩＣ３１上の所望の位置に搭載することができる。

（変形例５）
また、上述した本実施形態及び変形例１～４においては、主にＺ軸方向に沿って延びる溝４００を設けることについて言及したが、本実施形態においてはこのような溝４００に限定されるものではない。例えば、本実施形態においては、積層体１０４ｂのサブマウント４０ａの裏面に、Ｘ軸方向に沿って延びる溝４００ｃのみを設けてもよい。そこで、このような形態を、本実施形態の変形例５として、図１８を参照して説明する。なお、本変形例の積層体１０４ｂは、上述した第１及び第３の実施形態に係る積層体１０４と同様に、高い精度で所定の幅を持っているものとする。

詳細には、本変形例においては、図１８に示すように、各積層体１０４ｂのサブマウント４０ａの裏面には、Ｘ軸方向に沿ってサブマウント４０ａのＸ軸方向の端から端に亘って延伸する２本の溝４００ｃが設けられている。本変形例においては、複数の積層体１０４ｂをドライバＩＣ３１に搭載する際には、第１の実施形態と同様に、複数の積層体１０４ｂのＸ軸方向を向く側面同士を接触させるようにして、複数の積層体１０４をドライバＩＣ３１に搭載する。すなわち、本変形例においては、第１の実施形態と同様にして、Ｘ軸方向の積層体１０４ｂの位置決めを行う。さらに、本変形例においては、各積層体１０４ｂのサブマウント４０ａの裏面の溝４００ｃと、ドライバＩＣ３１の表面上に設けられた上記突起（図示省略）と係合させることにより、Ｚ軸方向の積層体１０４ｂの位置決めを行うことができる。

＜＜８．第５の実施形態＞＞
ところで、第２の実施形態において説明したように、発光モジュール３０は、不良のレーザ素子５１を有する積層体１０４ｃのみを容易に取り換えられるような形態であることが好ましい。そこで、所望の積層体１０４ｃを容易に取り換えることができる本開示の第５の実施形態を図１９から図２１を参照して説明する。図１９から図２１は、本実施形態に係る発光モジュール３０ｃの製造工程を説明するための説明図である。詳細には、図１９の上段には、積層体１０４ｃを上方から見た上面図が示され、図１９の下段には、積層体１０４ｃを光が出射される正面側から見た正面図が示されている。図２０は、積層体１０４ｃが複数個並べられた状態を示す斜視図であり、図２１は、複数の積層体１０４ｃがコネクタ２３に挿入された状態を示す斜視図である。

本実施形態においては、第１の実施形態と異なり、上述の積層体１０４ｃをペースト１０６によって固定することはなく、コネクタ２３に挿入されることで固定することができる。すなわち、本実施形態においては、ペースト１０６によって固定されていないことから、所望の積層体１０４ｃを容易に取り換えることができる。

本実施形態においては、上述した第３の実施形態と同様に、積層体１０４ｃは、樹脂３００に被覆されたマルチレーザチップ５０及びサブマウント４０を有するが、さらに、ドライバＩＣ３１やガラスエポキシ基板２４も積層される点で異なる。

詳細には、図１９に示すように、積層体１０４ｃにおいては、ドライバＩＣ３１上には、サブマウント４０とマルチレーザチップ５０とが積層されている。さらに、ドライバＩＣ３１は、ガラスエポキシ基板２４上に積層されている。これらマルチレーザチップ５０、サブマウント４０、ドライバＩＣ３１及びガラスエポキシ基板２４は、光が出射される端面側については、それぞれの端面が面一になるように揃えて積層されている。さらに、マルチレーザチップ５０及びサブマウント４０の表面は樹脂３００で覆われている。また、マルチレーザチップ５０、サブマウント４０、ドライバＩＣ３１及びガラスエポキシ基板２４は、上述したダイシングや研磨によって加工され、同一の幅（Ｘ軸方向の幅）を有している。

また、ドライバＩＣ３１は、サブマウント４０に比べて長い奥行き（Ｚ軸方向における長さ）を持っている。加えて、ガラスエポキシ基板２４は、ドライバＩＣ３１に比べて長い奥行きを持っている（図２０参照）。従って、サブマウント４０が搭載されたドライバＩＣ３１においては、コネクタ２３側のドライバＩＣ３１の表面の一部がサブマウント４０から露出している。さらに、ドライバＩＣ３１が搭載されたガラスエポキシ基板２４においては、コネクタ２３側のガラスエポキシ基板２４の表面の一部がドライバＩＣ３１から露出している。そして、図１９の上段に示されるように、ドライバＩＣ３１から露出したガラスエポキシ基板２４の表面の一部には、コネクタ２３と接続されるコネクタ端子（回路）５００が形成されている。なお、積層体１０４ｃにおいては、マルチレーザチップ５０、サブマウント４０、ドライバＩＣ３１及びガラスエポキシ基板２４は、互いにペースト１０６により固定されているものとする。

そして、本実施形態においては、図２０に示すように、上述のような積層体１０４ｃを第１の実施形態と同様に、各積層体１０４ｃの側面同士を接触させて、複数の積層体１０４ｃを一列に配列する。さらに、このように配列した複数の積層体１０４ｃのガラスエポキシ基板２４のコネクタ端子５００を一括してコネクタ２３の開口部５０２に挿入することにより、複数の積層体１０４ｃを配列した状態を維持して固定することができる。なお、コネクタ２３の開口部５０２は、ガラスエポキシ基板２４の厚み及び幅に対応するような大きさを持っており、コネクタ端子５００と係合するようになっている。

すなわち、本実施形態においては、コネクタ２３は、積層体１０４ｃを抜き刺し可能な状態で固定することができる。従って、本実施形態によれば、所望の積層体１０４ｃを取り換えが容易である。なお、ドライバＩＣ３１等に設けられた電子回路によって信号をパラレルからシリアルに変換することができるため、本実施形態に係る各積層体１０４ｃにおいては、コネクタ端子５００の数は、搭載されたレーザ素子５１の数よりも少ない。従って、コネクタ２３とコネクタ端子５００との位置関係において多少のずれが存在しても、発光モジュール３０ｃの使用に影響を与えることはない。なお、本実施形態においては、ペースト１０６等により、挿入した積層体１０４ｃをコネクタ２３に固定してもよい。

また、本実施形態においては、積層体１０４ｃの取り換えをより容易にするために、隣り合う積層体１０４ｃの間に所定の大きさの隙間を設けてもよい。このような場合、積層体１０４ｃのＸ軸方向の位置合わせは、各積層体１０４ｃの側面同士を接触させて行うことができないため、例えば、上述した第４の実施形態のような溝４００を利用して行ってもよい。

以上のように、本実施形態によれば、複数のレーザ素子５１を狭い間隔で精度よく配列させることができ、且つ、必要に応じて、所望の積層体１０４ｃを容易に取り換えることができる。

＜＜９．第６の実施形態＞＞
本実施形態に係る製造方法によって製造された発光モジュール３０を含む光源ユニット２０は、例えば、光造形装置（３Ｄプリンタ）９００に搭載することができる。図２２を参照して、本開示の第６の実施形態に係る光造形装置９００の詳細を説明する。図２２は、本実施形態に係る光造形装置９００を示す機能ブロック図である。

光造形装置９００は、光硬化樹脂に紫外光等を照射して硬化させることにより、立体的な造形物を形成することができる装置である。光硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ系、ウレタン系などの紫外線硬化性樹脂を用いることができる。しかしながら、本実施形態においては、このような紫外線硬化性樹脂に限定されるものではなく、可視光等の他の波長領域の光によって硬化される樹脂であってもよい。

図２２に示すように、光造形装置９００は、制御部９０２と、ステージ昇降機構９０４と、上述した各実施形態によって製造された光源ユニット２０と、光源移動機構９０６と、冷却機構８０と、光検出部９１０と、記憶部９１２とを主に有する。以下に、光造形装置９００の各機能部の詳細について説明する。

（制御部９０２）
制御部９０２は、演算処理装置であるＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等で構成される。当該制御部９０２により、光造形装置９００の各部を統括的に制御することができる。

（ステージ昇降機構９０４）
ステージ昇降機構９０４は、造形物を指示するステージ（図示省略）を上下方向に移動せるための機構である。例えば、ステージ昇降機構９０４は、造形物を形成する際、光硬化樹脂からなる層が形成される毎に、上記ステージを所定の距離ずつ移動させる。

（光源ユニット２０）
光源ユニット２０は、上述した本開示の各実施形態に係る製造方法によって製造された発光モジュール３０を含む。光源ユニット２０は、後述する光源移動機構９０６により走査方向に沿って移動されながら、光硬化性樹脂の表面に対して光を照射することによって、光硬化性樹脂を１層ずつ露光（硬化）させる。光源ユニット２０は、複数のレーザ素子５１を有しており、これらのレーザ素子５１から出射された各光によって、光硬化性樹脂をドット状に露光（硬化）させることができる。

（光源移動機構９０６）
光源移動機構９０６は、光源ユニット２０をＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸方向の３軸方向に移動させることができる機構である。例えば、光源移動機構９０６は、造形物が形成される際、光源ユニット２０を走査方向へ移動させる。

（冷却機構８０）
冷却機構８０は、先に説明したように光源ユニット２０の側面に取り付けられており、光源ユニット２０で発生した熱を受け取ることによって光源ユニット２０を冷却する。冷却機構８０は、内部に水を循環させることにより、光源ユニット２０を冷却する。

（光検出部９１０）
光検出部９１０は、例えば、所定の光量以上の光を受光することにより電気信号を発生させることができるフォトダイオードを有し、光源ユニット２０から出射される光を検出する。

（記憶部９１２）
記憶部９１２は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、及びＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等から実現され、上述の制御部９０２の処理に必要な各種のプログラムやデータを格納する。

上述した本開示の実施形態に係る製造方法によって製造された発光モジュール３０を含む光源ユニット２０は、以上のような光造形装置９００に搭載され、立体的な造形物を形成する際に利用されることができる。

なお、本開示の実施形態によって製造された発光モジュール３０は、先に説明したように、３Ｄプリンタに限定されるものではなく、紙に印刷するためのレーザプリンタや、レーザディスプレイ装置、計測装置等の各種の装置に搭載することができる。

＜＜１０．まとめ＞＞
以上のように、本開示の実施形態によれば、複数のレーザ素子５１を狭い間隔で精度よく配列させることが可能な発光モジュール３０の製造方法を提供することができる。

なお、繰り返しになるが、本開示の実施形態においては、発光素子は、端面発光型レーザ素子であることに限定されるものではなく、面内発光型レーザ素子であってもＬＥＤ素子であってもよい。

＜＜１１．補足＞＞
以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。

また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。

なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）
発光素子の共振器長と平行な面内において、前記共振器長の方向と垂直に交わる幅方向に沿って配列した複数の前記発光素子を有する複数の発光素子アレイと、前記複数の発光素子アレイが搭載される基板と、を備える発光モジュールの製造方法であって、
前記幅方向に沿って互いに隣り合う前記各発光素子アレイの側面同士を接触させて、前記各発光素子アレイを前記基板に搭載することにより、前記発光モジュールにおいて前記複数の発光素子を前記幅方向に沿って所定の間隔で前記基板上に配列させることを含む、
発光モジュールの製造方法。
（２）
前記各発光素子アレイは、
前記複数の発光素子が設けられた発光素子アレイチップと、
前記複数の発光素子と電気的に接続される電子回路が設けられ、前記発光素子アレイチップが搭載される第１の回路基板と、
を有する、
上記（１）に記載の発光モジュールの製造方法。
（３）
ダイシングによって、所定の幅を持つ前記発光素子アレイを形成することをさらに含む、上記（１）又は（２）に記載の発光モジュールの製造方法。
（４）
研磨によって、所定の幅を持つ前記発光素子アレイを形成することをさらに含む、上記（１）又は（２）に記載の発光モジュールの製造方法。
（５）
前記研磨の終点を定めるストッパー層を前記発光素子アレイに形成することをさらに含む、上記（４）に記載の発光モジュールの製造方法。
（６）
前記発光素子アレイを樹脂又はガラスによって被覆することをさらに含む、上記（１）～（５）のいずれか１つに記載の発光モジュールの製造方法。
（７）
前記発光素子アレイを、熱可塑性ペーストにより前記基板に固定することをさらに含む、上記（１）～（６）のいずれか１つに記載の発光モジュールの製造方法。
（８）
前記発光素子アレイと接触する付勢部材を、前記基板の、前記発光素子アレイが搭載される面に形成することをさらに含む、上記（１）～（６）のいずれか１つに記載の発光モジュールの製造方法。
（９）
前記付勢部材は熱伝導材料から形成される、上記（８）に記載の発光モジュールの製造方法。
（１０）
前記所定の間隔は５０μｍ以下である、上記（１）～（９）のいずれか１つに記載の発光モジュールの製造方法。
（１１）
前記発光素子は、積層構造の出射端面から光を発射する端面発光型発光素子である、上記（１）～（１０）のいずれか１つに記載の発光モジュールの製造方法。
（１２）
前記発光素子はレーザ素子である、上記（１）～（１１）のいずれか１つに記載の発光モジュールの製造方法。
（１３）
前記基板は、電子回路が設けられた第２の回路基板である、
上記（１）～（１２）のいずれか１つに記載の発光モジュールの製造方法。
（１４）
前記基板は伝熱板である、上記（１）～（１２）のいずれか１つに記載の発光モジュールの製造方法。
（１５）
発光素子の共振器長と平行な面内において、前記共振器長の方向と垂直に交わる幅方向に沿って配列した複数の前記発光素子を有する複数の発光素子アレイと、前記複数の発光素子アレイが搭載される基板と、を備える発光モジュールの製造方法であって、
前記各発光素子アレイの前記基板と向かい合う面に第１の位置決め部を形成し、
前記基板の前記複数の発光素子アレイと向かい合う面に第２の位置決め部を形成し、
前記第１の位置決め部と前記第２の位置決め部とを係合させて、前記各発光素子アレイを前記基板に搭載することにより、前記発光モジュールにおいて前記複数の発光素子を前記幅方向に沿って所定の間隔で前記基板上に配列させることを含む、
発光モジュールの製造方法。
（１６）
前記各発光素子アレイの前記基板と向かい合う面に、ウェットエッチングによってＶ字形状の溝を形成することにより、前記第１の位置決め部を形成する、上記（１５）に記載の発光モジュールの製造方法。
（１７）
前記各発光素子アレイの前記基板と向かい合う面は、シリコン基板の００１面からなる、上記（１６）に記載の発光モジュールの製造方法。
（１８）
発光素子の共振器長と平行な面内において、前記共振器長の方向と垂直に交わる幅方向に沿って配列した複数の前記発光素子を有する複数の発光素子アレイと、前記複数の発光素子アレイと電気的に接続されるコネクタと、を備える発光モジュールの製造方法であって、
前記各発光素子アレイは、
前記複数の発光素子が設けられた発光素子アレイチップと、
前記コネクタと電気的に接続されるコネクタ端子が設けられ、前記発光素子アレイチップが搭載される回路基板と、
を有し、
前記各発光素子アレイの前記コネクタ端子を前記コネクタの開口部に挿入することにより、前記発光モジュールにおいて前記複数の発光素子を前記幅方向に沿って所定の間隔で配列させることを含む、
発光モジュールの製造方法。
（１９）
発光素子の共振器長と平行な面内において、前記共振器長の方向と垂直に交わる幅方向に沿って配列した複数の前記発光素子を有する複数の発光素子アレイと、
前記複数の発光素子アレイが搭載される基板と、
を備え、
前記幅方向に沿って互いに隣り合う前記各発光素子アレイの側面同士が接触し、前記複数の発光素子が前記幅方向に沿って所定の間隔で前記基板上に配列している、
発光モジュール。
（２０）
上記（１９）に記載の発光モジュールが搭載された装置。

２０ 光源ユニット
２１ 筐体
２２ 収束性ロッドレンズ
２２ａ ロッドレンズ
２３ コネクタ
２４ ガラスエポキシ基板
２５ 伝熱板
２６、２７ 基体
２６ａ、２７ａ 溝部
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ 発光モジュール
３１ ドライバＩＣ
３１ａ 凹部
３１ｂ 凸部
３２、３３、４２、４３ 電極パッド
４０、４０ａ サブマウント
４４、５３ アライメントマーク
５０ マルチレーザチップ
５１ レーザ素子
５２ 共通電極
５４ 個別電極
８０ 冷却機構
８３ Ｏリング
１００ バンプ
１０２ ワイヤ
１０４、１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ 積層体
１０６ ペースト
２００ 付勢部材
３００ 樹脂
４００、４００ａ、４００ｂ、４００ｃ 溝
５００ コネクタ端子
５０２ 開口部
９００ 光造形装置
９０２ 制御部
９０４ ステージ昇降機構
９０６ 光源移動機構
９１０ 光検出部
９１２ 記憶部
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ 矢印

Claims (11)

1. 発光素子の共振器長と平行な面内において、前記共振器長の方向と垂直に交わる幅方向に沿って配列した複数の前記発光素子を有する複数の発光素子アレイと、前記複数の発光素子アレイが搭載される基板と、を備える発光モジュールの製造方法であって、
   研磨の終点を定めるストッパー層を前記発光素子アレイに形成することと、
   前記研磨によって、所定の幅を持つ前記発光素子アレイを形成することと、
   前記幅方向に沿って互いに隣り合う前記各発光素子アレイの側面同士を接触させて、前記各発光素子アレイを前記基板に搭載することにより、前記発光モジュールにおいて前記複数の発光素子を前記幅方向に沿って所定の間隔で前記基板上に配列させることと、
   を含む、
   発光モジュールの製造方法。
2. 前記各発光素子アレイは、
   前記複数の発光素子が設けられた発光素子アレイチップと、
   前記複数の発光素子と電気的に接続される電子回路が設けられ、前記発光素子アレイチップが搭載される第１の回路基板と、
   を有する、
   請求項１に記載の発光モジュールの製造方法。
3. 前記発光素子アレイを樹脂又はガラスによって被覆することをさらに含む、請求項１又は２に記載の発光モジュールの製造方法。
4. 前記発光素子アレイを、熱可塑性ペーストにより前記基板に固定することをさらに含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の発光モジュールの製造方法。
5. 発光素子の共振器長と平行な面内において、前記共振器長の方向と垂直に交わる幅方向に沿って配列した複数の前記発光素子を有する複数の発光素子アレイと、前記複数の発光素子アレイが搭載される基板と、を備える発光モジュールの製造方法であって、
   前記発光素子アレイと接触する付勢部材を、前記基板の、前記発光素子アレイが搭載される面に形成することと、
   前記幅方向に沿って互いに隣り合う前記各発光素子アレイの側面同士を接触させて、前記各発光素子アレイを前記基板に搭載することにより、前記発光モジュールにおいて前記複数の発光素子を前記幅方向に沿って所定の間隔で前記基板上に配列させることと、
   を含み、
   前記各発光素子アレイは、
   前記複数の発光素子が設けられた発光素子アレイチップと、
   前記複数の発光素子と電気的に接続される第１の電子回路が設けられ、前記発光素子アレイチップが搭載される第１の回路基板と、
   を有し、
   前記基板は、第２の電子回路が設けられており、
   前記付勢部材は、熱伝導材料から形成された、一部が半円状に湾曲した板ばねであり、且つ、前記第２の電子回路と電気的に接続し、
   前記発光素子アレイを前記基板に搭載した際、前記発光素子アレイと前記第２の電子回路は、前記付勢部材の湾曲部分の頂点を介して電気的に接続する、
   発光モジュールの製造方法。
6. 前記所定の間隔は５０μｍ以下である、請求項１～５のいずれか１項に記載の発光モジュールの製造方法。
7. 前記発光素子は、積層構造の出射端面から光を発射する端面発光型発光素子である、請求項１～６のいずれか１項に記載の発光モジュールの製造方法。
8. 前記発光素子はレーザ素子である、請求項１～７のいずれか１項に記載の発光モジュールの製造方法。
9. 前記基板は、電子回路が設けられた第２の回路基板である、
   請求項１に記載の発光モジュールの製造方法。
10. 前記基板は伝熱板である、請求項１に記載の発光モジュールの製造方法。
11. 発光素子の共振器長と平行な面内において、前記共振器長の方向と垂直に交わる幅方向に沿って配列した複数の前記発光素子を有する複数の発光素子アレイと、前記複数の発光素子アレイが搭載される基板と、を備える発光モジュールの製造方法であって、
    シリコン基板の００１面からなる、前記各発光素子アレイの前記基板と向かい合う面に、ウェットエッチングの異方性を利用して、当該シリコン基板の１１１面を露出させて、Ｖ字形状の溝を形成することにより、第１の位置決め部を形成し、
    前記基板の前記複数の発光素子アレイと向かい合う面に第２の位置決め部を形成し、
    前記第１の位置決め部と前記第２の位置決め部とを係合させて、前記各発光素子アレイを前記基板に搭載することにより、前記発光モジュールにおいて前記複数の発光素子を前記幅方向に沿って所定の間隔で前記基板上に配列させることを含む、
    発光モジュールの製造方法。

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