JP2004233617A - 合波レーザ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】高出力の合波レーザビームを得ることが可能で、また作製も容易な合波レーザ装置を得る。
【解決手段】各々が一列に並んだN個(2≦N)の発光点を有し、互いに発光点の並び方向に並設されたM個(2≦M)の半導体レーザ11〜14と、コアの入射端面41a〜44aが一列に並ぶように配されたN本の光ファイバ41〜44と、M個の半導体レーザ11〜14の各々から発せられたN本のレーザビームを、それぞれN本の光ファイバ41〜44のコアの入射端面41a〜44a上で収束させる集光光学系(例えばコリメーターレンズ21〜24および集光レンズ30から構成される)とによって合波レーザ装置を構成する。
【選択図】 図1
【解決手段】各々が一列に並んだN個(2≦N)の発光点を有し、互いに発光点の並び方向に並設されたM個(2≦M)の半導体レーザ11〜14と、コアの入射端面41a〜44aが一列に並ぶように配されたN本の光ファイバ41〜44と、M個の半導体レーザ11〜14の各々から発せられたN本のレーザビームを、それぞれN本の光ファイバ41〜44のコアの入射端面41a〜44a上で収束させる集光光学系(例えばコリメーターレンズ21〜24および集光レンズ30から構成される)とによって合波レーザ装置を構成する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の半導体レーザから発せられた複数本のレーザビームを合波して高強度化する合波レーザ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、複数あるいは1個の半導体レーザの複数の発光点から発せられた複数本のレーザビームを合波して、高強度のレーザビームを得るようにした合波レーザ装置が種々提案されている。
【0003】
例えば特許文献1には、各々が1つの発光点を有する複数の半導体レーザから発せられたレーザビームを各々コリメーターレンズで平行光化した後に集光レンズで集光して、1本の光ファイバに入射させる構造の合波レーザ装置が開示されている。また非特許文献1には、複数の発光点を有する1個の半導体レーザ素子が開示されている。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−202442号公報
【0005】
【非特許文献1】
2002年(平成14年)秋期応用物理学会学術講演会
講演予稿集第1分冊 講演番号:27a−YH−11
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献1に示された合波レーザ装置は、複数の半導体レーザから発せられたレーザビームを1本の光ファイバのNA(開口数)内に集光する必要があることから、半導体レーザの数が自ずと制限されるので、合波ビームの高出力化に改善の余地が残されている。
【0007】
一方、非特許文献1に示された合波レーザ装置は、レーザビームと光ファイバとの結合効率が50%程度であって、光利用効率が低いという問題が認められている。
【0008】
そこで、非特許文献1に示された複数の発光点を有する1個の半導体レーザに対して、特許文献1に示された集光光学系を適用して光利用効率を上げることも考えられる。その場合は、1個の半導体レーザの各発光点毎に1個ずつマイクロコリメーターレンズを設けることになるが、発光点の間隔が通常のように100μm程度とすると、厚さが200μm以下程度のマイクロコリメーターレンズが必要になる。しかし、そのように薄いマイクロコリメーターレンズを高い寸法精度を保って安定に作製することは困難であり、またそのようなレンズを半導体レーザに対して高精度に位置決め調整することも極めて困難である。
【0009】
本発明は上記の事情に鑑みて、高出力の合波レーザビームを得ることが可能で、また作製も容易な合波レーザ装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明による合波レーザ装置は、複数の発光点を有する半導体レーザを複数用いて、それらから発せられたレーザビームを複数の光ファイバに集光合波するようにしたものであり、具体的には、
各々が一列に並んだN個(2≦N)の発光点を有し、互いに前記発光点の並び方向に並設されたM個(2≦M)の半導体レーザと、
コアの入射端面が一列に並ぶように配されたN本の光ファイバと、
前記M個の半導体レーザの各々から発せられたN本のレーザビームを、それぞれ前記N本の光ファイバのコアの入射端面上で収束させる集光光学系とからなることを特徴とするものである。
【0011】
なお上記の集光光学系は、例えば、前記M個の半導体レーザの各々に対して1個ずつ設けられて、該半導体レーザから発散光状態で発せられたN本のレーザビームを平行光化するM個のコリメーターレンズと、これらのコリメーターレンズを経たレーザビームを集光する1個の集光レンズとから構成することができる。
【0012】
【発明の効果】
本発明による合波レーザ装置は、上述の通り、M個の半導体レーザの各々から発せられたN本のレーザビームを集光して、それぞれN本の光ファイバのコアの入射端面上で収束させるように構成されているので、1本の光ファイバにはM本のレーザビームが入射して合波されるようになる。したがって、N本の光ファイバ全体ではM×N本のレーザビームが合波されることになり、1個の発光点を有するM個の半導体レーザから発せられたレーザビームを合波するようにした特許文献1に記載の従来装置と比較すると、各発光点からのレーザビームの出力が共通ならば、N倍の高出力化が達成される。
【0013】
また、レーザビームを上述のように集光する集光光学系は、前述した通り、例えばM個の半導体レーザの各々に対して1個ずつ設けられたM個のコリメーターレンズと、これらのコリメーターレンズを経たレーザビームを集光する1個の集光レンズとから構成することができるので、本発明の合波レーザ装置は、1個の半導体レーザの複数の発光点毎に1個ずつマイクロコリメーターレンズを設ける構造と比較すると、集光光学系の作製や調整も容易で、安価に形成できるものとなる。
【0014】
また、上記構成を有する本発明の合波レーザ装置は、各発光点からのレーザビームの出力が共通であるとすると、1個の発光点を有するM個の半導体レーザからのレーザビームを1本の光ファイバに集光、合波する系をN個設けてなる合波レーザ装置と全体の出力は同じとなるが、比較例では半導体レーザがM×N個必要となるのに対し、本発明の合波レーザ装置では半導体レーザがM個で済むので、装置全体をコンパクト化できるという利点がある。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【0016】
図1は、本発明の一実施形態による合波レーザ装置の要部の平面形状を示すものである。図示される通りこの合波レーザ装置は、共通のヒートシンクの上に固定された一例としてM=4個のマルチキャビティ半導体レーザ11、12、13および14と、これらのマルチキャビティ半導体レーザ11、12、13および14の各々に1個ずつ設けられた4個のコリメーターレンズ21、22、23および24と、これらのコリメーターレンズ21、22、23および24を通過した光ビームの光路に配置された1個の集光レンズ30と、この集光レンズ30によって集光された光ビームの収束位置に各々コアの入射端面41a、42a、43aおよび44aが位置するように配されたN=4本の光ファイバ41、42、43および44とから構成されている。
【0017】
マルチキャビティ半導体レーザ11は、一例として幅4μmでピッチが100μmに形成された4個のストライブ11a、11b、11cおよび11dを有するものである。なお図2に、その概略斜視形状を示す。つまりこのマルチキャビティ半導体レーザ11は、N=4個の発光点Ea、Eb、EcおよびEdを有している。その他のマルチキャビティ半導体レーザ12も同様の4個のストライブ12a、12b、12cおよび12dを有し、マルチキャビティ半導体レーザ13も同様の4個のストライブ13a、13b、13cおよび13dを有し、マルチキャビティ半導体レーザ14も同様の4個のストライブ14a、14b、14cおよび14dを有している。
【0018】
上述のようなマルチキャビティ半導体レーザ11、12、13および14は、例えば特開2001−111175号公報に記載されている基板製造方法および半導体素子製造方法を適用して形成することができる。なお本実施の形態において、各マルチキャビティ半導体レーザ11、12、13および14の素子幅は一例として500μm、素子長(共振器長)は400μmである。
【0019】
マルチキャビティ半導体レーザ11から発散光状態で発せられた4本のレーザビーム51a、51b、51cおよび51dは、それぞれコリメーターレンズ21によって平行光化される。平行光となったレーザビーム51a、51b、51cおよび51dは集光レンズ30に入射して集光され、各々光ファイバ41、42、43および44の一列に並んだコアの入射端面41a、42a、43aおよび44a上で収束して、該光ファイバ41、42、43および44内に入射する。
【0020】
なお図1では、上記レーザビーム51a、51b、51cおよび51dの光路を、そのビーム中心で示してある。その他のレーザビームについても同様である。
【0021】
また、マルチキャビティ半導体レーザ12から発散光状態で発せられた4本のレーザビーム52a、52b、52cおよび52dは、それぞれコリメーターレンズ22によって平行光化される。平行光となったレーザビーム52a、52b、52cおよび52dは集光レンズ30に入射して集光され、各々光ファイバ41、42、43および44の一列に並んだコアの入射端面41a、42a、43aおよび44a上で収束して、該光ファイバ41、42、43および44内に入射する。
【0022】
また、マルチキャビティ半導体レーザ13から発散光状態で発せられた4本のレーザビーム53a、53b、53cおよび53dは、それぞれコリメーターレンズ23によって平行光化される。平行光となったレーザビーム53a、53b、53cおよび53dは集光レンズ30に入射して集光され、各々光ファイバ41、42、43および44の一列に並んだコアの入射端面41a、42a、43aおよび44a上で収束して、該光ファイバ41、42、43および44内に入射する。
【0023】
また、マルチキャビティ半導体レーザ14から発散光状態で発せられた4本のレーザビーム54a、54b、54cおよび54dは、それぞれコリメーターレンズ24によって平行光化される。平行光となったレーザビーム54a、54b、54cおよび54dは集光レンズ30に入射して集光され、各々光ファイバ41、42、43および44の一列に並んだコアの入射端面41a、42a、43aおよび44a上で収束して、該光ファイバ41、42、43および44内に入射する。
【0024】
以上から明らかなように、光ファイバ41には4本のレーザビーム51a、52a、53aおよび54aが入射して合波され、光ファイバ42には4本のレーザビーム51b、52b、53bおよび54bが入射して合波され、光ファイバ43には4本のレーザビーム51c、52c、53cおよび54cが入射して合波され、光ファイバ44には4本のレーザビーム51d、52d、53dおよび54dが入射して合波される。つまり、4本の光ファイバ41、42、43および44全体ではN×M=16本のレーザビームが合波される。
【0025】
なお4本の光ファイバ41〜44の配置ピッチは、コリメーターレンズ21〜24の焦点距離をf1、集光レンズ30の焦点距離をf2とすると、各マルチキャビティ半導体レーザ11〜14の発光点間隔のf2/f1倍に設定すればよい。つまり本実施形態の場合は発光点間隔が100μmであるから、例えばf2/f1=8であれば、光ファイバ41〜44を800μmのピッチで配置すればよい。
【0026】
図1に示した構成は、一般には図3に示すような密閉容器60内に配設され、光ファイバ41〜44の出射端側が密閉容器60から引き出された状態で実用に供される。光ファイバ41〜44から出射する合計4本の合波レーザビームは、4本のまま使用したり、あるいは集光光学系に通してさらに1本に合波して使用することができる。
【0027】
前者のようにして使用する形態としては、例えば前記特許文献1に示されるように、各半導体レーザを画像信号に基づいて直接変調し、一列あるいは複数列に配置したファイババンドルから出射させた複数本のレーザビームで感光材料を走査して、該感光材料に画像を書き込む装置等が挙げられる。また後者のようにして使用する形態としては、例えば1本に合波した光ビームを空間光変調器に入射させて空間変調し、その変調された光ビームで感光材料を走査して、該感光材料に画像を書き込む装置等が挙げられる。
【0028】
以上説明した通り本実施形態の合波レーザ装置は、4本の光ファイバ41〜44全体では4×4=16本のレーザビームが合波されることになり、1個の発光点を有する4個の半導体レーザから発せられたレーザビームを合波する場合と比較すると、各発光点からのレーザビームの出力が共通ならば、4倍の高出力化が達成される。
【0029】
また本実施形態の合波レーザ装置は、集光光学系が、4個のコリメーターレンズ21〜24と1個の集光レンズ30とからなる簡単な構成のものとされているので、前述したように1個の半導体レーザの複数の発光点毎に1個ずつマイクロコリメーターレンズを設けるような構造と比較すると、集光光学系の作製や調整も容易で、安価に形成できるものとなる。
【0030】
また、1個の発光点を有する4個の半導体レーザを用いて1本の光ファイバに集光、合波する構成により、本実施形態と同等の合計出力を得ようとすると、そのような系が4系、つまり半導体レーザは合計で16個必要となる。それに対して本実施形態では半導体レーザが4個で済むので、装置全体をコンパクトに形成することができる。
【0031】
なお、本発明におけるNとMの数は、上記実施形態におけるものに限らず、その他の数が適用されてもよいことは勿論である。例えば、各々4個の発光点を有する7個の半導体レーザを用いて4本の光ファイバに集光、合波する場合、1つの発光点の出力が100mW、レーザビームと光ファイバの結合効率が0.9であるとすると、1本の光ファイバ当たりの出力は100×7×0.9=630mWで、4本の光ファイバ全体での出力は2520mWとなる。
【0032】
それに対して、1個の発光点を有する7個の半導体レーザを用いて1本の光ファイバに集光、合波する場合は、条件が同じであるならば、出力は全体で100×7×0.9=630mWに留まり、本発明による高出力化が明らかである。なおこれら2つの場合、光ファイバのコア径が25μmであるとすると、光密度は共に128kW/cm2となる。また、前記非特許文献1に開示されている構成は、1個の半導体レーザが7個の発光点を有し、1つの発光点の出力が100mWのものであり、これら7個の発光点が400μmの素子幅内に形成される場合、汎用のボールレンズ等を用いてレーザビームをコア径が400μmの光ファイバに容易に結合可能である。その場合の光出力は、上記結合効率が0.5程度と低いため100×7×0.5=350mWに留まり、また光密度は0.278kW/cm2となる。
【0033】
なお、前述したようにマルチキャビティ半導体レーザ11〜14の素子幅が500μmの場合、発光点の間隔は最小で25μm程度まで小さくすることができる。この発光点間隔の下限は、発光点間の相互の熱干渉による特性劣化を避けられる最小の値となる。この点から考慮すると、1つのマルチキャビティ半導体レーザに20個程度の発光点を設けることができ、したがって、20本の光ファイバから合波レーザビームを出射させることも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態による合波レーザ装置の要部を示す平面図
【図2】図1の装置に用いられた半導体レーザを示す概略斜視図
【図3】図1の装置の全体形状を示す斜視図
【符号の説明】
11〜14 マルチキャビティ半導体レーザ
21〜24 コリメーターレンズ
30 集光レンズ
41〜44 光ファイバ
41a〜44a 光ファイバのコアの入射端面
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の半導体レーザから発せられた複数本のレーザビームを合波して高強度化する合波レーザ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、複数あるいは1個の半導体レーザの複数の発光点から発せられた複数本のレーザビームを合波して、高強度のレーザビームを得るようにした合波レーザ装置が種々提案されている。
【0003】
例えば特許文献1には、各々が1つの発光点を有する複数の半導体レーザから発せられたレーザビームを各々コリメーターレンズで平行光化した後に集光レンズで集光して、1本の光ファイバに入射させる構造の合波レーザ装置が開示されている。また非特許文献1には、複数の発光点を有する1個の半導体レーザ素子が開示されている。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−202442号公報
【0005】
【非特許文献1】
2002年(平成14年)秋期応用物理学会学術講演会
講演予稿集第1分冊 講演番号:27a−YH−11
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献1に示された合波レーザ装置は、複数の半導体レーザから発せられたレーザビームを1本の光ファイバのNA(開口数)内に集光する必要があることから、半導体レーザの数が自ずと制限されるので、合波ビームの高出力化に改善の余地が残されている。
【0007】
一方、非特許文献1に示された合波レーザ装置は、レーザビームと光ファイバとの結合効率が50%程度であって、光利用効率が低いという問題が認められている。
【0008】
そこで、非特許文献1に示された複数の発光点を有する1個の半導体レーザに対して、特許文献1に示された集光光学系を適用して光利用効率を上げることも考えられる。その場合は、1個の半導体レーザの各発光点毎に1個ずつマイクロコリメーターレンズを設けることになるが、発光点の間隔が通常のように100μm程度とすると、厚さが200μm以下程度のマイクロコリメーターレンズが必要になる。しかし、そのように薄いマイクロコリメーターレンズを高い寸法精度を保って安定に作製することは困難であり、またそのようなレンズを半導体レーザに対して高精度に位置決め調整することも極めて困難である。
【0009】
本発明は上記の事情に鑑みて、高出力の合波レーザビームを得ることが可能で、また作製も容易な合波レーザ装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明による合波レーザ装置は、複数の発光点を有する半導体レーザを複数用いて、それらから発せられたレーザビームを複数の光ファイバに集光合波するようにしたものであり、具体的には、
各々が一列に並んだN個(2≦N)の発光点を有し、互いに前記発光点の並び方向に並設されたM個(2≦M)の半導体レーザと、
コアの入射端面が一列に並ぶように配されたN本の光ファイバと、
前記M個の半導体レーザの各々から発せられたN本のレーザビームを、それぞれ前記N本の光ファイバのコアの入射端面上で収束させる集光光学系とからなることを特徴とするものである。
【0011】
なお上記の集光光学系は、例えば、前記M個の半導体レーザの各々に対して1個ずつ設けられて、該半導体レーザから発散光状態で発せられたN本のレーザビームを平行光化するM個のコリメーターレンズと、これらのコリメーターレンズを経たレーザビームを集光する1個の集光レンズとから構成することができる。
【0012】
【発明の効果】
本発明による合波レーザ装置は、上述の通り、M個の半導体レーザの各々から発せられたN本のレーザビームを集光して、それぞれN本の光ファイバのコアの入射端面上で収束させるように構成されているので、1本の光ファイバにはM本のレーザビームが入射して合波されるようになる。したがって、N本の光ファイバ全体ではM×N本のレーザビームが合波されることになり、1個の発光点を有するM個の半導体レーザから発せられたレーザビームを合波するようにした特許文献1に記載の従来装置と比較すると、各発光点からのレーザビームの出力が共通ならば、N倍の高出力化が達成される。
【0013】
また、レーザビームを上述のように集光する集光光学系は、前述した通り、例えばM個の半導体レーザの各々に対して1個ずつ設けられたM個のコリメーターレンズと、これらのコリメーターレンズを経たレーザビームを集光する1個の集光レンズとから構成することができるので、本発明の合波レーザ装置は、1個の半導体レーザの複数の発光点毎に1個ずつマイクロコリメーターレンズを設ける構造と比較すると、集光光学系の作製や調整も容易で、安価に形成できるものとなる。
【0014】
また、上記構成を有する本発明の合波レーザ装置は、各発光点からのレーザビームの出力が共通であるとすると、1個の発光点を有するM個の半導体レーザからのレーザビームを1本の光ファイバに集光、合波する系をN個設けてなる合波レーザ装置と全体の出力は同じとなるが、比較例では半導体レーザがM×N個必要となるのに対し、本発明の合波レーザ装置では半導体レーザがM個で済むので、装置全体をコンパクト化できるという利点がある。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【0016】
図1は、本発明の一実施形態による合波レーザ装置の要部の平面形状を示すものである。図示される通りこの合波レーザ装置は、共通のヒートシンクの上に固定された一例としてM=4個のマルチキャビティ半導体レーザ11、12、13および14と、これらのマルチキャビティ半導体レーザ11、12、13および14の各々に1個ずつ設けられた4個のコリメーターレンズ21、22、23および24と、これらのコリメーターレンズ21、22、23および24を通過した光ビームの光路に配置された1個の集光レンズ30と、この集光レンズ30によって集光された光ビームの収束位置に各々コアの入射端面41a、42a、43aおよび44aが位置するように配されたN=4本の光ファイバ41、42、43および44とから構成されている。
【0017】
マルチキャビティ半導体レーザ11は、一例として幅4μmでピッチが100μmに形成された4個のストライブ11a、11b、11cおよび11dを有するものである。なお図2に、その概略斜視形状を示す。つまりこのマルチキャビティ半導体レーザ11は、N=4個の発光点Ea、Eb、EcおよびEdを有している。その他のマルチキャビティ半導体レーザ12も同様の4個のストライブ12a、12b、12cおよび12dを有し、マルチキャビティ半導体レーザ13も同様の4個のストライブ13a、13b、13cおよび13dを有し、マルチキャビティ半導体レーザ14も同様の4個のストライブ14a、14b、14cおよび14dを有している。
【0018】
上述のようなマルチキャビティ半導体レーザ11、12、13および14は、例えば特開2001−111175号公報に記載されている基板製造方法および半導体素子製造方法を適用して形成することができる。なお本実施の形態において、各マルチキャビティ半導体レーザ11、12、13および14の素子幅は一例として500μm、素子長(共振器長)は400μmである。
【0019】
マルチキャビティ半導体レーザ11から発散光状態で発せられた4本のレーザビーム51a、51b、51cおよび51dは、それぞれコリメーターレンズ21によって平行光化される。平行光となったレーザビーム51a、51b、51cおよび51dは集光レンズ30に入射して集光され、各々光ファイバ41、42、43および44の一列に並んだコアの入射端面41a、42a、43aおよび44a上で収束して、該光ファイバ41、42、43および44内に入射する。
【0020】
なお図1では、上記レーザビーム51a、51b、51cおよび51dの光路を、そのビーム中心で示してある。その他のレーザビームについても同様である。
【0021】
また、マルチキャビティ半導体レーザ12から発散光状態で発せられた4本のレーザビーム52a、52b、52cおよび52dは、それぞれコリメーターレンズ22によって平行光化される。平行光となったレーザビーム52a、52b、52cおよび52dは集光レンズ30に入射して集光され、各々光ファイバ41、42、43および44の一列に並んだコアの入射端面41a、42a、43aおよび44a上で収束して、該光ファイバ41、42、43および44内に入射する。
【0022】
また、マルチキャビティ半導体レーザ13から発散光状態で発せられた4本のレーザビーム53a、53b、53cおよび53dは、それぞれコリメーターレンズ23によって平行光化される。平行光となったレーザビーム53a、53b、53cおよび53dは集光レンズ30に入射して集光され、各々光ファイバ41、42、43および44の一列に並んだコアの入射端面41a、42a、43aおよび44a上で収束して、該光ファイバ41、42、43および44内に入射する。
【0023】
また、マルチキャビティ半導体レーザ14から発散光状態で発せられた4本のレーザビーム54a、54b、54cおよび54dは、それぞれコリメーターレンズ24によって平行光化される。平行光となったレーザビーム54a、54b、54cおよび54dは集光レンズ30に入射して集光され、各々光ファイバ41、42、43および44の一列に並んだコアの入射端面41a、42a、43aおよび44a上で収束して、該光ファイバ41、42、43および44内に入射する。
【0024】
以上から明らかなように、光ファイバ41には4本のレーザビーム51a、52a、53aおよび54aが入射して合波され、光ファイバ42には4本のレーザビーム51b、52b、53bおよび54bが入射して合波され、光ファイバ43には4本のレーザビーム51c、52c、53cおよび54cが入射して合波され、光ファイバ44には4本のレーザビーム51d、52d、53dおよび54dが入射して合波される。つまり、4本の光ファイバ41、42、43および44全体ではN×M=16本のレーザビームが合波される。
【0025】
なお4本の光ファイバ41〜44の配置ピッチは、コリメーターレンズ21〜24の焦点距離をf1、集光レンズ30の焦点距離をf2とすると、各マルチキャビティ半導体レーザ11〜14の発光点間隔のf2/f1倍に設定すればよい。つまり本実施形態の場合は発光点間隔が100μmであるから、例えばf2/f1=8であれば、光ファイバ41〜44を800μmのピッチで配置すればよい。
【0026】
図1に示した構成は、一般には図3に示すような密閉容器60内に配設され、光ファイバ41〜44の出射端側が密閉容器60から引き出された状態で実用に供される。光ファイバ41〜44から出射する合計4本の合波レーザビームは、4本のまま使用したり、あるいは集光光学系に通してさらに1本に合波して使用することができる。
【0027】
前者のようにして使用する形態としては、例えば前記特許文献1に示されるように、各半導体レーザを画像信号に基づいて直接変調し、一列あるいは複数列に配置したファイババンドルから出射させた複数本のレーザビームで感光材料を走査して、該感光材料に画像を書き込む装置等が挙げられる。また後者のようにして使用する形態としては、例えば1本に合波した光ビームを空間光変調器に入射させて空間変調し、その変調された光ビームで感光材料を走査して、該感光材料に画像を書き込む装置等が挙げられる。
【0028】
以上説明した通り本実施形態の合波レーザ装置は、4本の光ファイバ41〜44全体では4×4=16本のレーザビームが合波されることになり、1個の発光点を有する4個の半導体レーザから発せられたレーザビームを合波する場合と比較すると、各発光点からのレーザビームの出力が共通ならば、4倍の高出力化が達成される。
【0029】
また本実施形態の合波レーザ装置は、集光光学系が、4個のコリメーターレンズ21〜24と1個の集光レンズ30とからなる簡単な構成のものとされているので、前述したように1個の半導体レーザの複数の発光点毎に1個ずつマイクロコリメーターレンズを設けるような構造と比較すると、集光光学系の作製や調整も容易で、安価に形成できるものとなる。
【0030】
また、1個の発光点を有する4個の半導体レーザを用いて1本の光ファイバに集光、合波する構成により、本実施形態と同等の合計出力を得ようとすると、そのような系が4系、つまり半導体レーザは合計で16個必要となる。それに対して本実施形態では半導体レーザが4個で済むので、装置全体をコンパクトに形成することができる。
【0031】
なお、本発明におけるNとMの数は、上記実施形態におけるものに限らず、その他の数が適用されてもよいことは勿論である。例えば、各々4個の発光点を有する7個の半導体レーザを用いて4本の光ファイバに集光、合波する場合、1つの発光点の出力が100mW、レーザビームと光ファイバの結合効率が0.9であるとすると、1本の光ファイバ当たりの出力は100×7×0.9=630mWで、4本の光ファイバ全体での出力は2520mWとなる。
【0032】
それに対して、1個の発光点を有する7個の半導体レーザを用いて1本の光ファイバに集光、合波する場合は、条件が同じであるならば、出力は全体で100×7×0.9=630mWに留まり、本発明による高出力化が明らかである。なおこれら2つの場合、光ファイバのコア径が25μmであるとすると、光密度は共に128kW/cm2となる。また、前記非特許文献1に開示されている構成は、1個の半導体レーザが7個の発光点を有し、1つの発光点の出力が100mWのものであり、これら7個の発光点が400μmの素子幅内に形成される場合、汎用のボールレンズ等を用いてレーザビームをコア径が400μmの光ファイバに容易に結合可能である。その場合の光出力は、上記結合効率が0.5程度と低いため100×7×0.5=350mWに留まり、また光密度は0.278kW/cm2となる。
【0033】
なお、前述したようにマルチキャビティ半導体レーザ11〜14の素子幅が500μmの場合、発光点の間隔は最小で25μm程度まで小さくすることができる。この発光点間隔の下限は、発光点間の相互の熱干渉による特性劣化を避けられる最小の値となる。この点から考慮すると、1つのマルチキャビティ半導体レーザに20個程度の発光点を設けることができ、したがって、20本の光ファイバから合波レーザビームを出射させることも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態による合波レーザ装置の要部を示す平面図
【図2】図1の装置に用いられた半導体レーザを示す概略斜視図
【図3】図1の装置の全体形状を示す斜視図
【符号の説明】
11〜14 マルチキャビティ半導体レーザ
21〜24 コリメーターレンズ
30 集光レンズ
41〜44 光ファイバ
41a〜44a 光ファイバのコアの入射端面
Claims (2)
- 各々が一列に並んだN個(2≦N)の発光点を有し、互いに前記発光点の並び方向に並設されたM個(2≦M)の半導体レーザと、
コアの入射端面が一列に並ぶように配されたN本の光ファイバと、
前記M個の半導体レーザの各々から発せられたN本のレーザビームを、それぞれ前記N本の光ファイバのコアの入射端面上で収束させる集光光学系とからなる合波レーザ装置。 - 前記集光光学系が、前記M個の半導体レーザの各々に対して1個ずつ設けられて該半導体レーザから発散光状態で発せられたN本のレーザビームを平行光化するM個のコリメーターレンズと、これらのコリメーターレンズを経たレーザビームを集光する1個の集光レンズとからなることを特徴とする請求項1記載の合波レーザ装置。
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JP2003021620A JP2004233617A (ja) | 2003-01-30 | 2003-01-30 | 合波レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2003021620A Withdrawn JP2004233617A (ja) | 2003-01-30 | 2003-01-30 | 合波レーザ装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015035553A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 三菱電機株式会社 | 波長モニタおよび光モジュール |
WO2019116654A1 (ja) * | 2017-12-13 | 2019-06-20 | ソニー株式会社 | 発光モジュールの製造方法、発光モジュール及び装置 |
-
2003
- 2003-01-30 JP JP2003021620A patent/JP2004233617A/ja not_active Withdrawn
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