JP2009259299A - 発光装置及び前記発光装置を用いたホログラム再生装置 - Google Patents

発光装置及び前記発光装置を用いたホログラム再生装置 Download PDF

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Abstract

【課題】 特に、複数の発光素子の各発光点の高さのばらつきを従来よりも適切且つ容易に小さくすることが可能な発光装置及び前記発光装置を用いたホログラム再生装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 複数の面発光レーザ12、13と、各面発光レーザ12、13を発光点12a1,13a1が現れる素子表面12b、13b側から支持する支持板50とを有し、前記支持板50の前記素子表面12b,13bと対向する対向面50aは、同一平面を有して形成され、複数の前記面発光レーザ12,13の各素子表面12b,13bが前記同一平面50a下で支持されている。これにより、前記面発光レーザ12、13の厚さが夫々異なる場合でも、複数の前記面発光レーザ12、13の各発光点12a1、13a1の高さのばらつきを従来よりも適切且つ容易に小さくすることが可能である。
【選択図】図2

Description

本発明は、例えばホログラム再生装置に使用される発光装置に関する。
下記の特許文献に記載されているように、ホログラムデータの再生では、再生参照光を、ホログラムデータが記録された記録媒体に入射させると、ブラッグ条件式により、前記再生参照光が前記データの干渉縞で回折され、再生光が発せられる。そして、前記再生光に含まれるホログラムデータの内容が、CCDやCMOSなどからなる撮像素子により読み出される。
ところで下記の特許文献に記載されているように、前記再生参照光を発光する発光装置には、例えば、複数の面発光レーザ(VCSEL)が配置された面発光レーザアレイが使用される。
このように複数の面発光レーザを用いる利点は、容易に且つ安価に、前記再生参照光の波長帯域を広くできるためである。すなわち再生参照光の波長帯域の異なる複数の面発光レーザを組み合わせることで、広範な波長帯域を得ることが可能である。このように広範な波長帯域を有する面発光レーザアレイであれば、複数のホログラムデータが波長多重にて広範な波長帯域で記録されている場合に、その波長帯域の全域をカバーすることが可能である。よって適切に各ホログラムデータを再生することが出来る。
また、波長αで記録されたホログラムデータが、例えば記録媒体の異方性熱膨張等により、前記ホログラムデータを波長αで再生できず前記波長αと異なる波長βで再生しなければならない場合、上記の面発光レーザアレイであれば、その波長を有する面発光レーザに切り替えることで、適切に前記ホログラムデータを再生することが可能である。
特開2005−331864号公報 特開2006−58726号公報 特開2003−233293号公報
しかしながら、面発光レーザの製造過程で、前記面発光レーザに厚さのばらつきが生じた。
前記面発光レーザに厚さのばらつきが生じると以下の問題点が生じた。その問題点を下記に説明する。
図15に示すように基板1上には例えば、2つの面発光レーザ2,3が設置されている。前記基板1と面発光レーザ2,3とを有して面発光レーザアレイ6が構成される。
図15に示すように、前記面発光レーザアレイ6と記録媒体5との間にはコリメータレンズ4が設けられている。前記コリメータレンズ4にて、前記面発光レーザ2,3から照射された再生参照光2a,3aが平行光に調整される。
ところで、図15に示すように、前記面発光レーザ2,3の厚さは違うため、前記面発光レーザ2,3の発光部の表面2b,3b(以下、発光点として定義する)の高さは異なる。よって、前記面発光レーザ2の発光点2bと前記コリメータレンズ4の主点4aとの距離H1と、前記面発光レーザ3の発光点3bと前記コリメータレンズ4の主点4aとの距離H2とは異なってしまう。
このため例えば、前記面発光レーザ3の前記発光点3bと前記レンズ4の主点4aとの距離H2を制御して、再生参照光3aを平行光に調整しても、もう一方の再生参照光2aは、前記発光点2bと主点4aとの距離H1が前記距離H2よりも短いため、図15に示すように拡散光になったり、あるいは前記距離H1が前記距離H2よりも長くなると集束光となってしまう。拡散光となった場合、再生参照光2aは前記記録媒体5に記録されたホログラムデータ7全体に照射されるものの、前記再生参照光2aの光強度が弱まることから前記ホログラムデータ7を適切に再生できないといった問題が生じる。また前記再生参照光2aが集束光となった場合、前記ホログラムデータ7全体に適切に再生参照光2aが照射されなくなり、前記ホログラムデータ7を再生できないといった問題が生じる。
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、複数の発光素子の各発光点の高さのばらつきを従来よりも適切且つ容易に小さくすることが可能な発光装置及び前記発光装置を用いたホログラム再生装置を提供することを目的としている。
本発明における発光装置は、
複数の発光素子と、各発光素子を発光点が現れる素子表面側から支持する支持板とを有し、
前記支持板の前記素子表面と対向する対向面は、同一平面を有して形成され、複数の前記発光素子の各素子表面が前記同一平面に支持されていることを特徴とするものである。
これにより、前記発光素子の厚さが夫々異なる場合でも、複数の前記発光素子の各発光点の高さのばらつきを従来よりも適切且つ容易に小さくすることが可能である。
本発明では、前記支持板は、高熱伝導性セラミック板で形成されることが好ましい。これにより、前記発光素子の放熱を適切に行うことが出来、高性能及び長寿命の発光装置を得ることが出来る。
また本発明では、前記支持板には前記支持板よりも熱伝導率が高い放熱板が設けられていることが好ましい。これにより、前記発光素子の放熱を適切に行うことが出来、高性能及び長寿命の発光装置を得ることが出来る。
また本発明では、前記支持板は絶縁性であり、前記放熱板は金属で形成されることが、より効果的に発光素子の放熱を行うことができ好ましい。かかる場合、前記支持板の前記対向面には、前記発光素子に設けられた素子側電極と電気的に接続される支持板側電極が設けられ、前記放熱板は、前記支持板側電極と接続されて電極として機能していることが好ましい。前記放熱板を電極兼用とすることで、前記支持板の限られた前記対向面の面積内に前記支持板側電極も含めた大きな面積の放熱板を適切に配置することが出来る。
また本発明では、前記支持板は、金属板で形成されてもよい。これにより、前記発光素子の放熱を適切に行うことが出来る。かかる場合、前記支持板は、各発光素子に対する共通電極として機能することが好ましい。
また本発明では、前記発光素子の前記素子表面には、前記支持板に対する位置決め部が設けられ、前記支持板には、発光点及び前記位置決め部と対向する位置に貫通孔が設けられ、前記発光点からの光は、前記貫通孔を通して照射され、また、前記発光素子は前記貫通孔から見える前記位置決め部を用いて前記支持板に対し位置決めされていることが好ましい。これにより、前記発光素子を前記支持板に高精度に位置決めできる。
また本発明では、前記支持板はレンズで形成されてもよい。後述するように本発明の発光装置は例えばホログラム再生装置に組み込まれるが、係る場合、前記ホログラム再生装置内にて使用されるレンズ(最も発光装置側に近い位置に配置されるレンズ)を前記支持板として用いられば、余分に前記発光素子を支持するための支持板を用いることが必要なくなり、部品点数を減らすことが出来る。また前記支持板をレンズで形成する場合、前記発光素子の前記素子表面には前記支持板に対する位置決め部が設けられ、前記発光素子は前記支持板を表面から透視して見える前記位置決め部を用いて前記支持板に対し位置決めされていることが好ましい。レンズであると上記のように前記位置決め部をレンズ表面から透視できるから、わざわざ前記位置決め部をレンズ表面から見るための貫通孔の形成は必要ない。
また本発明では、前記素子表面と反対側の素子裏面が、前記素子表面方向に、弾性部材によって押圧されている構成であってもよい。かかる場合、前記素子裏面には裏面電極が形成され、前記弾性部材は金属で形成されており、前記裏面電極と前記弾性部材とが電気的に接続されていることが好ましい。
また本発明のホログラム再生装置は、上記のいずれかに記載された発光装置と、記録媒体に記録されているデータを取得する撮像機構と、前記記録媒体を設置する設置部と、を有し、前記発光素子から再生参照光が前記記録媒体に照射されて前記データを前記撮像機構により取得することを特徴とするものである。各発光素子の厚さが異なる場合でも、各発光素子の発光点の高さのばらつきを従来に比べて小さくできるので、高精度に前記データを再生できる。
また本発明では、前記設置部と発光装置との間に前記再生参照光を平行光に調整するためのコリメータレンズが設けられ、各面発光レーザの発光点と前記コリメータレンズの主点間距離が各発光素子にて同一距離にされていることが好ましい。これにより、高精度な再生機能を有するホログラム再生装置を得ることが出来る。
本発明における発光装置は、複数の発光素子と、各発光素子を発光点が現れる素子表面側から支持する支持板とを有し、前記支持板の前記素子表面と対向する対向面は、同一平面を有して形成され、複数の前記発光素子の各素子表面が前記同一平面に支持されていることを特徴とするものである。
これにより、前記発光素子の厚さが夫々異なる場合でも、複数の前記発光素子の各発光点の高さのばらつきを従来よりも適切且つ容易に小さくすることが可能である。
よって本発明における発光装置をホログラム再生装置内に組み込むことで、高精度な再生機能を有するホログラム再生装置を得ることが出来る。
図1は、ホログラム再生装置によって記録媒体からホログラムデータを再生する概念図である。図2は、本実施形態における発光装置(面発光レーザアレイ)及びマイクロレンズアレイの部分断面図、図3は図2に示す発光装置の部分平面図、図4は、図2に示す発光装置の部分裏面図である。図5は図2とは別の実施形態における発光装置の部分断面図、図6は図5と一部異なる発光装置の部分断面図である。図7は図2、図5及び図6とは別の実施形態における発光装置の部分断面図、図8は図7に示す発光装置の部分平面図である。図9は、図2、図5、図6及び図8とは別の実施形態における発光装置の部分断面図である。図10は図2に示す一部分を拡大して示す部分拡大断面図、図11は、図10とは一部異なる部分拡大断面図である。図12、図13は図2と一部異なる発光装置の部分断面図である。図14は、本実施形態の発光装置をホログラム再生装置に組み込み、各面発光レーザから照射される再生参照光の照射状態を説明するための概念図である。なお「部分断面図」とは全ての図面において厚さ方向と平行な方向から切断して得られた切断面の一部を指す。
図1に示すホログラム再生装置10は、同一の支持板50上に複数の面発光レーザ(VCSEL)(発光素子)12,13が支持されてなる面発光レーザアレイ14と、マイクロレンズアレイ15と、コリメータレンズ16と、CCDやCMOSなどからなる撮像素子18と、ピンホールフィルタ19と、記録媒体20を設置するための設置部(図示しない)と、を有して構成される。
図1に示すように記録媒体20には、図示しないホログラム記録装置によってホログラムデータ21が記録されている。前記ホログラムデータ21は干渉縞として現れる。図1では前記ホログラムデータ21は一つだけ図示されているが、実際には多数の前記ホログラムデータ21が波長多重や角度多重にて記録されている。
今、図1に示すホログラム再生装置10の前記面発光レーザ12から再生参照光22を前記記録媒体20に向けて照射する。前記再生参照光22の光径は、前記マイクロレンズアレイ15にて広げられ、さらにコリメータレンズ16にて平行光にされる。
前記再生参照光22は前記記録媒体20に照射角度θ1で照射される。前記再生参照光22が前記ホログラムデータ21に照射されると、ブラッグ条件式を満たす干渉縞では光が回折して、再生光(回折光)23が前記記録媒体20から前記撮像素子18に向けて放出される。このとき前記再生光23は前記ピンホールフィルタ19に設けられたピンホール19aを通って前記撮像素子8に到達する。前記撮像素子8では、前記ホログラムデータ21の内容が再生される。前記ピンホールフィルタ19を設ける理由は、前記再生参照光22を前記記録媒体20に照射したときに、前記記録媒体20から複数のホログラムデータの再生光が放射されたとき、そのうちの一つの再生光23のみを適切に前記撮像素子18にて受光させるために設けられたものである。前記ピンホールフィルタ19を設けることで、複数の前記ホログラムデータ21を夫々適切に再生することが可能である。
図2に示すように前記面発光レーザ12,13の表面側には、発光部12a,13aが形成され、素子表面12b,13bに前記発光部12a,13aの表面が現れている。ここで発光部12a,13aの表面を「発光点12a1,13a1」として以下記載する。
図2に示す実施形態では、前記素子表面12b,13bに表面電極46,32が現れている。前記表面電極46,32の表面は、前記素子表面12b,13bと同一平面で形成されており、前記素子表面12b,13b全体が平坦化面となっている。なお前記表面電極46,32が前記素子表面12b,13b上に形成され前記表面電極46、32の表面と前記素子表面12b,13b間に段差が生じていてもよいが、かかる形態については後述することとする。
前記面発光レーザ12,13の前記素子表面12b,13bと反対側の面、すなわち裏面12c,13cには裏面電極33、34が現れている。
図2に示すように、前記面発光レーザ12の(最大)厚さ寸法はH3で、前記面発光レーザ13の(最大)厚さ寸法はH4であり、前記厚さ寸法H3,H4は異なっている。本実施形態において、前記面発光レーザ12,13の厚さ寸法H3,H4が異なることは必須要件ではない。すなわち前記厚さ寸法H3,H4は同じであってもよい。ただし前記厚さ寸法H3,H4が異なる場合に、本実施形態における面発光レーザアレイ14の構造とすることが本発明の効果が適切に発揮され好適である。
図2に示すように本実施形態では、前記支持板50は、前記面発光レーザ12,13を前記素子表面12b,13b側から支持している。前記支持板50の平面形態は例えば矩形状であるが、形態は限定されない。
図2に示すように前記支持板50の前記素子表面12b,13bとの対向面(裏面)50aは同一平面で形成されている。ここで「同一平面」とは、同じ高さの平面で形成されていることを意味する。なお以下では、対向面50aを同一平面50aと表記する場合がある。
図2に示すように、複数の面発光レーザ12,13の素子表面12b,13bは前記同一平面50a下に支持されている。これにより、前記面発光レーザ12,13の厚みが図2のように異なっていても、前記素子表面12b,13bを、ほぼ同じ高さ位置に合わせることができ、よって発光点12a1,13a1の高さのばらつきを従来より抑制できる。
したがって、図2に示すように、各面発光レーザ12,13の発光点12a1,13a1と、各面発光レーザ12,13と対向する位置に設けられた各マイクロレンズ30,31との主点(ここで主点は各マイクロレンズ30,31の中心部での膜厚中心と定義する)30a,31a間の距離H5,H6をほぼ同じにできる。
図2に示すように前記支持板50には前記面発光レーザ12、13の発光点12a1,13a1と対向する位置に貫通孔50b,50cが設けられている。前記支持板50は光透過率が低い、あるいは光透過率がゼロの絶縁材料で形成されており、前記面発光レーザ12,13からの光は前記貫通孔50b,50cを通して前記マイクロレンズアレイ15に照射される。前記光は前記マイクロレンズ30,31にて光径が広げられる。前記マイクロレンズ30,31は特に光径を広げられればどのような種類のレンズであってもよい。図2に示す凹レンズ以外に凸レンズや、メニスカスレンズ等であってもよい。そして上記したように、各面発光レーザ12,13の発光点12a1,13a1と、各面発光レーザ12,13と対向する位置に設けられた各マイクロレンズ30,31との主点30a,31a間の距離H5,H6はほぼ同じであるため、前記発光部12a,13aから照射された光は前記マイクロレンズ30,31にてほぼ同じ光径の光にされて、さらにその先にあるコリメータレンズ16に照射される。
図2に示すように前記支持板50の対向面50aには前記面発光レーザ12,13の裏面電極33,34と電気的に接続される第1の支持板側電極49,52と、前記表面電極46,32と電気的に接続される図示しない第2の支持板側電極とが設けられている。
図2に示すように、前記第1の支持板側電極49,52と前記面発光レーザ12,13の裏面電極33,34とはワイヤ35,36を介して電気的に接続される(ワイヤボンディング)。
前記第2の支持板側電極と前記表面電極46,32間は後述するように半田等の導電性接着剤を介して電気的に接続される。
前記支持板50には、表面50dから対向面(裏面)50aにかけて貫通孔50b,50cが形成されている。前記貫通孔50b,50cは少なくとも前記発光点12a1,13a1と対向する位置に形成される。前記貫通孔50b,50cの平面面積は、各面発光レーザ12,13の発光点12a1,13a1の大きさよりも大きく形成される。図3に示すように、前記貫通孔50b,50cは、例えば前記面発光レーザ12,13の短手方向の長さ寸法(図示X方向への寸法)よりも広い長さ寸法を有し、また幅方向と直交する長手方向(図示Y方向)にも発光点12a1、13a1の数倍〜数十倍程度の大きさで形成されている。前記貫通孔50b,50cの平面形状は図2では矩形状であるが、矩形状に限るものではない。
図3に示すように前記面発光レーザ12,13の素子表面12b,13bには、位置決め用のマーク部37〜40が設けられている。一方、前記支持板50の表面50dにもマーク部51〜58が設けられている。例えば、前記マーク部51、37、38、及び54(55、39、40、及び58)を図示X方向と平行な仮想線D上に、及び前記マーク部52、37、56、及び39(53、38、57、及び40)を図示Y方向と平行な仮想線E上に夫々一直線に並べて前記面発光レーザ12、13を前記支持板50に対し位置決めする。これにより、前記面発光レーザ12、13を前記支持板50に対し図示X方向及び図示Y方向の双方に正確に位置決めできる。前記マーク部は、着色、凹凸形状等、特に形態を限定するものではない。また前記マーク部の形成はレーザマーキングやエッチング、スパッタ等特に限定されない。また前記面発光レーザ12、13の支持板50に対する位置決め方法は上記のように複数のマーク部を一直線上に揃える以外の方法であってもよい。
前記支持板50は絶縁基板である。前記支持板50は無機絶縁基板、有機絶縁基板の別を問わない。例えば前記支持板50は、シリコン基板である。前記シリコン基板の対向面(裏面)50aや表面50dに薄い酸化膜(絶縁膜)が設けられていてもよい。前記シリコン基板は赤外線を透過し、前記支持板50と前記面発光レーザ12,13とを赤外線溶着することも可能である。
図4に示すように前記支持板50の前記対向面50aには前記支持板50よりも熱伝導率が高い放熱板60が設けられていることが好ましい。例えば前記放熱板60は金属で形成され、図4に示す形態では、前記面発光レーザ12の表面電極46と電気的に接続される第2の支持板側電極61に電気的に接続されている。すなわち前記放熱板60は前記第2の支持板側電極61と同様に電極として機能している。前記放熱板60は前記第2の支持板側電極61と同一材料で形成されても、異なる材料で形成されてもよい。同一材料で形成される場合には、前記第2の支持板側電極61と前記放熱板60とを別々に形成するよりも、前記第2の支持板側電極61と前記放熱板60とを一体型で形成することが好ましい。すなわち前記第2の支持板側電極61を従来(符号61の部分のみ)よりも大きい面積(符号60+61の面積)で形成し、前記第2の支持板側電極61による放熱効果を高めることが好ましい。前記放熱板60と前記支持板側電極61とをあわせた面積は前記面発光レーザ12の平面面積よりも大きい。また前記第2の支持板側電極61と放熱板60とを異なる材質で形成する場合には、前記放熱板60を前記第2の支持板側電極61よりも熱伝導率が高い材料で形成することが放熱効果を適切に高めることができ好ましい。前記放熱板60の形状は特に限定されるものでない。図4では前記放熱板60は略L字形状であるが、それ以外の形態であっても当然によい。また前記放熱板60を前記第2の支持板側電極61と電気的に接触させず、前記面発光レーザ12の素子表面12bに直接接触させる形態であってもよい。かかる場合、前記放熱板60は電極として機能しない。また前記放熱板60が電極として機能しない場合には前記放熱板60は金属で形成されず、AlN等の高熱伝導性セラミックス等で形成されてもよい。また、前記支持板50が、従来よりも高熱伝導性のセラミック板等で形成されるとより好ましいが、かかる場合においても前記放熱板60を設ける場合には、前記放熱板60を、前記支持板50よりも熱伝導率が高い材料で形成する。なお図4では面発光レーザ12を用いて説明したが、他の面発光レーザ13においても同様の形態であることが好ましい。
また図5に示すように、前記面発光レーザ12、13を支持するための支持板70を金属で形成してもよい(以下、支持板70を金属板と言う)。金属材料としては、銅、アルミニウム等を選択できるが、前記金属板70には平坦性の良好な硬い材質が好まれる。
前記金属板70は面発光レーザ12,13の各表面電極46,32と電気的に接続され、前記金属板70は、前記面発光レーザ12,13に対する共通電極として機能している。
図5に示す実施形態では、前記金属板70の例えば周囲に、補助板71が設けられている。前記補助板71は絶縁性基板であることが必要である。前記補助板71は、従来と同様、熱伝導電性の低い絶縁基板であってもよいが、例えばAlN等の高熱伝導性セラミックスで形成されることが放熱性を高める上で好ましい。前記補助板71には、前記面発光レーザ12、13の裏面電極33,34とワイヤ35,36を介して電気的に接続される第1の支持板側電極49,52が設けられている。
前記補助板71の上面71aにはスペーサ72を介して、マイクロレンズアレイ15が設けられている。前記マイクロレンズアレイ15と前記金属板70間には所定の間隔が開けられている。図5の形態では、前記マイクロレンズアレイ15も面発光レーザアレイ14の一部としてホログラム再生装置10内に組み込まれるが、図2のように、前記マイクロレンズアレイ15と面発光レーザアレイ14とが別々のものとして前記ホログラム再生装置10内に組み込まれてもよいことは言うまでもない。図5に示すように、前記マイクロレンズアレイ15を面発光レーザアレイ14の一部として組み込むと、前記面発光レーザアレイ14を構成した時点で、各発光点12a1,13a1と各マイクロレンズ30,31の主点間距離を高精度に合わせることができ好ましい。また図2に示す実施形態においても、前記マイクロレンズアレイ15をスペーサ72を用いて前記面発光レーザ13の一部として組み込んでもよい。
図5に示す実施形態でも図2と同様に金属板70の前記面発光レーザ12,13との対向面70aは同一平面で形成されている。以下では、前記対向面70aを同一平面と表記する場合がある。そして各面発光レーザ12,13の素子表面12b,13bが、前記同一平面70a下で支持されている。
したがって、前記面発光レーザ12,13の厚みが図5のように異なっていても、各面発光レーザ12,13の発光点12a1,13a1の高さ位置のばらつきを抑えることが可能である。図5に示すように、前記金属板70には前記発光点12a1、13a1と高さ方向にて対向する位置に貫通孔70b,70cが形成されており、図3で説明したと同様に、前記貫通孔70b,70cからは位置決め用のマーク部(図示しない)が現れ、前記面発光レーザ12,13を前記金属板70に対して高精度に位置決めできるようになっている。
図6に示す実施形態のように、前記マイクロレンズアレイ15と前記金属板70とを重ねてもよい。かかる場合、前記金属板70の表面(前記マイクロレンズアレイ15との対向面)70dは平坦化面で形成され、一方、前記マイクロレンズ30,31は凹レンズで形成され、前記レンズ31,32の裏面(前記金属板70との対向面)を除く前記マイクロレンズアレイ15の裏面15aが平坦化面で形成されている。上記したように前記マイクロレンズ30,31は凹レンズ以外であってもよいが、前記金属板70と前記マイクロレンズアレイ15とを重ねる場合には、前記マイクロレンズ30,31の裏面部分は平坦化面か凹部となっている(すなわち金属板70方向に凸形状となっていない)ことが、マイクロレンズアレイ15と金属板70とを適切に重ねることができ好ましい。図6の形態では、光の漏れ量を少なく出来、光強度を強く出来る。ここで「重ねる」とは、マイクロレンズアレイ15と金属板70とが接触している場合のみならず、前記マイクロレンズアレイ15と金属板70間に接着層(図示しない)が介在する状態も含む。
図2の実施形態でも同様に支持板50とマイクロレンズアレイ15とを重ねることが可能である。
図7に示す実施形態では、マイクロレンズアレイ15の裏面(前記面発光レーザ12,13との対向面)15aに面発光レーザ12,13の素子表面12b,13bが支持されている。図7に示す実施形態では、マイクロレンズアレイ15と面発光レーザ12,13とを有して面発光レーザアレイ80を構成している。
前記マイクロレンズ30、31は夫々凹レンズで形成され、前記マイクロレンズ30,31の裏面を除く前記マイクロレンズアレイ15の裏面15aは同一平面で形成されている。以下、前記裏面15aを同一平面と表記する場合がある。前記マイクロレンズ30,31は、上記したように凹レンズ以外であってもよいが、前記マイクロレンズ30,31の裏面は平坦化面か凹部となっている(すなわち前記面発光レーザ12,13の素子表面12b,13b方向に凸形状となっていない)。
そして図7に示すように前記面発光レーザ12,13の各素子表面12b,13bが前記マイクロレンズアレイ15の裏面(同一平面)15a下で支持されている。
図7に示すように前記マイクロレンズアレイ15の裏面15aには、前記面発光レーザ12,13の裏面電極33,34とワイヤ81,82を介して電気的に接続される第1の支持板側電極83,84と、前記面発光レーザ12,13の表面電極46,32と電気的に接続する第2の支持板側電極85とが夫々設けられている。
前記マイクロレンズアレイ15は透明なガラスあるいは樹脂で形成されている。したがって前記マイクロレンズアレイ15を真上から見たときに、前記面発光レーザ12、13の素子表面12b,13bを透視できる。
よって例えば図2の形態のようにマイクロレンズアレイ15に貫通孔を設けなくても、前記マイクロレンズアレイ15の前記表面15bあるいは前記裏面15aに、及び前記面発光レーザ12、13の素子表面12b,13bに夫々、位置決め用のマーク部37〜40及び86〜93を設けておき、前記マーク部を用いて前記面発光レーザ12,13を前記マイクロレンズアレイ15に対し正確に位置合わせすることが可能である。例えば、前記マーク部86、37、38、及び89(93、39、40、及び90)が図示X方向と平行な仮想線D上及び前記マーク部87、37、39、及び92(88、38、40、及び91)が図示Y方向と平行な仮想線E上に夫々一直線に並ぶように前記面発光レーザ12、13を前記マイクロレンズアレイ15に対し位置決めする。これにより、前記面発光レーザ12、13を前記マイクロレンズアレイ15に対し図示X方向及び図示Y方向の双方に正確に位置決めできる。前記マーク部は、着色、凹凸形状等、特に形態を限定するものではない。また前記マーク部の形成はレーザマーキングやエッチング、スパッタ等特に限定されない。また前記面発光レーザ12、13のマイクロレンズアレイ15に対する位置決め方法は上記のように複数のマーク部を一直線上に揃える以外の方法であってもよい。
図9に示す実施形態は図2に示す面発光レーザアレイ14を一部変更したものとし、図2と同じ部材については同じ符号をつけて説明する。
図9に示す実施形態では、前記支持板50と前記支持板50の下方に所定距離離れた位置に対向して基台95が設けられている。前記支持板50と基台95との間にはスペーサ96が設けられている。
図9に示すように前記基台95上には上方に向けて立体成形された弾性部材97,98が設けられている。前記弾性部材97,98は、例えばCuで形成された心材の周囲にばね性に優れるNiあるいはその合金(特にNiPが好ましい)がメッキ等により被覆されたものである。前記弾性部材97,98の弾性変形部97a,98aは例えばスパイラル形状(螺旋形状)で上方に向けて立体成形されており、前記弾性変形部97a,98aは弾性変形可能とされた部位である。
前記基台95上には基台側電極(第1の支持板側電極と同じもの)99,100が設けられ、前記面発光レーザ12,13の裏面電極33,34と前記基台側電極99,100間が前記弾性部材97,98を介して電気的に接続されている。
前記弾性部材97,98の弾性変形部97a,98aは、前記面発光レーザ12、13の裏面電極33,34を支持板50方向(上方)へ押圧しており、特に前記裏面電極33,34と前記弾性部材97,98間を導電性接着剤等で固定しなくても前記裏面電極33,34と前記弾性部材97,98間の導通接続を適切に図ることが可能である。
なお図2から図8の実施形態においては、前記面発光レーザ12,13と支持板50間を次に説明するように接着剤を介して接着固定することが好ましいが、図9の実施形態では、前記接着剤を使用しなくても、前記弾性部材97,98による押圧力によって、前記面発光レーザ12,13の素子表面12b,13bを前記支持板50の対向面(同一平面)50a下で固定することが可能である。
前記弾性部材97,98には、少なくとも前記面発光レーザ12,13を前記支持板50側へ押圧する機能を持たせ、前記裏面電極33,34と前記基台側電極99,100間を導通させるための導通接続部として用いなくてもよい。例えば図2に示すように、前記裏面電極33,34と導通接続する電極(第1の支持板側電極)51,52を前記支持板50の前記対向面50aに設けた場合には、前記基台95上に前記電極99,100が必要なくなるため、かかる場合、前記弾性部材97,98は、前記面発光レーザ12,13を前記支持板50側へ押圧する押圧部材としてのみ機能する。
図10に示すように、前記支持板50の対向面50aには、第2の支持板側電極25、26が設けられている。前記第2の支持板側電極25、26は同一平面で形成された前記対向面50a下に重ねて形成され、前記第2の支持板側電極25、26の前記面発光レーザ13との対向面25a、26aと前記支持板50の対向面50a間には段差が生じている。
図10に示すように、前記面発光レーザ12、13の表面電極32、46と前記第2の支持板側電極25の前記対向面25a、26a間には半田等の導電性接着層27が介在し、またその周囲を樹脂等の接着層74が、前記面発光レーザ12、3の素子表面12b、13bと前記対向面50a間に介在し、前記面発光レーザ13が前記支持板50に固定されている。前記接着層74は形成されなくてもよいが形成されたほうが、接着強度を強めることができ好ましい。また図10では2層の接着層27、74であるが例えば異方性導電ペースト等を使用すれば、前記面発光レーザ12、13の素子表面12b、13bと対向面50a間全体を1層の接着層で形成できる。
ところで図10に示すように前記支持板50の対向面50aから下方へ突出する第2の支持板側電極25、26が形成されている場合、前記第2の支持板側電極25、26の厚さにばらつきが生じていると、その厚さのばらつきが発光点12a1、13a1の高さ位置のばらつきに反映される。前記接着層27、74の厚さにばらつきがある場合も同様である。
しかし、前記第2の支持板側電極25、26や接着層27、74の厚さのばらつきは前記面発光レーザ12,13の厚さのばらつきに比して小さい。前記面発光レーザ12,13の厚さのばらつきは、前記第2の支持板側電極25、26や接着層27、74の厚さのばらつきに対し数十倍〜数百倍程度となる。また、支持板50に形成される電極や接着層の厚さのばらつきは従来においても当然に生じていた(従来における厚さのばらつきは図15に示す基板1と面発光レーザ2,3間の接着層の厚さのばらつきや、前記基板1上の電極の厚さのばらつきである)。
よって本実施形態のように、支持板50の対向面50aを同一平面とし、前記面発光レーザ12,13の素子表面12b,13bを前記同一平面50a下で支持するようにすれば、少なくとも従来に比べて前記面発光レーザ12,13の各発光点12a1,13a1の高さのばらつきを小さくすることが可能である。
なお図11に示すように、各面発光レーザ12、13の素子表面12b、13b上に表面電極32、46が形成され、前記表面電極32、46の表面32a、46aと前記素子表面12b、13b間に段差が生じている形態であってもよい。前記表面電極32、46も図10で説明した第2の支持板側電極25、26や接着層27、74と同様に、前記面発光レーザ12、13の各表面電極32、46の膜厚にばらつきが生じていると、その厚さのばらつきは、発光点12a1、13a1の高さ位置のばらつきに反映されるが、前記表面電極32、46の厚さのばらつきは前記面発光レーザ12,13の厚さのばらつきに比して小さい。前記面発光レーザ12,13の厚さのばらつきは、前記表面電極32、46の厚さのばらつきに対し数十倍〜数百倍程度となる。また、前記面発光レーザ12,13の電極の厚さのばらつきは従来においても当然に生じていた(従来における厚さのばらつきは図15に示す面発光レーザ2,3の裏面電極の厚さのばらつきである)。
図11に示す形態では、第2の支持板側電極25,26、接着層27、74及び表面電極32、46の各厚さのばらつきが累積するが、その累積値は、前記面発光レーザ12,13の厚さのばらつきに比して十分に小さい。よって本実施形態のように、支持板50の対向面50aを同一平面とし、前記面発光レーザ12,13の素子表面12b,13bを前記同一平面50a下で支持するようにすれば、少なくとも従来に比べて前記面発光レーザ12,13の各発光点12a1,13a1の高さのばらつきを小さくすることが可能である。
また、既に述べたように、前記第2の支持板側電極25,26の対向面25a,26aが前記対向面50aと同一平面で形成され、また図10のように面発光レーザ12、13の表面電極46,32の表面が素子表面12b,13bと同一平面で形成され、前記対向面50aと素子表面12b,13b間が樹脂層を介して接合される形態では、より効果的に各発光点12a1,13a1(図2を参照)の高さのばらつきを小さくすることが可能である。さらに、樹脂層も設けず、例えば図9のように弾性部材を用いて、前記対向面50aと素子表面12b,13bとを当接すれば、さらに効果的に各発光点12a1,13a1(図2を参照)の高さのばらつきを小さくすることが可能である。
なお、前記対向面50aから発光点12a1,13a1までの距離を等しく調整し、その状態にて前記対向面50a下で素子表面12b,13bを接合すれば、第2の支持板側電極25,26、接着層27及び表面電極46,32の各厚さのばらつきに関係なく、前記発光点12a1,13a1の高さ位置を同じ高さに揃えることが出来る。
図2〜図11に示す実施形態は、いずれも、面発光レーザ12、13の素子表面12b,13b及び裏面12c,13cに夫々電極が形成されている形態であったが、例えば図12に示すように、前記面発光レーザ12の素子表面12bに下方に凹む段差部12eが形成され、その段差表面12e1に前記裏面電極に代わる表面電極28が形成されていてもよい。前記支持板50の前記対向面50aには前記表面電極28と対向する位置に支持板側電極29が形成され、前記支持板側電極29と前記表面電極28とが導電性の接着層45を介して電気的に接続されている。
また、前記支持板50の前記対向面50aは全体が同一平面で形成されなくてもよい。図12に示すように前記面発光レーザ12を支持する位置から離れた箇所にて例えば前記対向面50aの一部50a1が下方向に突出していてもよい。
なお図13に示すように、前記面発光レーザ12に形成された段差表面12e1と対向する支持板50の対向面の一部50a2が、下方に突出する形態であってもよい。
なお本実施形態における「素子表面」とは発光点が現れる表面を指す。よって前記発光点が現れない表面は「素子表面」に含めないと考える。例えば図13の形態で言えば、段差表面12e1は発光点12a1が現れる表面ではないので、「素子表面」に前記段差表面12e1を含めないと考える。そうすると図13では、素子表面12bと対向する支持板50の対向面50a全体は同一平面で形成され、前記素子表面12b全体が前記同一平面50a下で支持された状態となっていることがわかる。
なお図12,図13では面発光レーザ12及びそれと対向する支持板50の対向面50aを用いて説明したが、各図において他の面発光レーザ13及びそれに対向する支持板50の対向面50aも同様の形態で形成されている。
以上のように本実施形態によれば、面発光レーザアレイに取り付けられる複数の面発光レーザ12,13の発光点12a1,13a1の高さのばらつきを従来よりも小さくできる。
よって、図14に示すように、複数の前記面発光レーザ12,13の各発光点12b1,13b1とコリメータレンズ16の主点16a間の距離H7,H8を同じにできる。なお図2で説明したように、各発光点12b1,13b1とマイクロレンズ30,31の主点30a,31a間の距離H5,H6も一定となるように調整されている。
したがって前記面発光レーザ12から放射される再生参照光22、及び前記面発光レーザ13から放射される再生参照光73を共に、前記コリメータレンズ16にて適切に平行光に調整できる。よって、前記ホログラムデータ21を再生可能な波長を得るべく、前記面発光レーザ12,13を切り替えても平行光で一定の光強度以上の再生参照光22,71を得ることができ、前記ホログラムデータ21を適切に再生できる。以上により本実施形態により製造された面発光レーザアレイ14を用いて前記ホログラム再生装置10を製造すれば、広範な波長帯域にて再生参照光を一定の光強度以上の平行光で得ることができ、よってホログラム再生機能に優れたホログラム再生装置を製造できる。
なお実施形態では支持板50上に設けられた面発光レーザ12,13は2個であったが、さらに多くの面発光レーザが搭載されてもよい。かかる場合、少なくとも一個の面発光レーザの膜厚が、他の面発光レーザの膜厚と異なる場合、本実施形態における製造方法を適用すると効果的である。
本実施形態では、面発光レーザアレイ14の用途してホログラム再生装置10を説明したが、ホログラム再生装置に限定されるものではない。複数の面発光レーザを使用し、各面発光レーザの発光点が同一高さであることが要求される用途であれば適用可能である。
また「発光素子」として面発光レーザを用いたが、前記面発光レーザに限定されるものではない。
また、本実施形態では、前記面発光レーザ12、13の素子表面12b,13bに表面電極46,32が設けられていたが、前記面発光レーザ12、3の裏面12c,13cに夫々、2つの電極が設けられていてもよい。
ホログラム再生装置によって記録媒体からホログラムデータを再生する概念図、 本実施形態における発光装置(面発光レーザアレイ)及びマイクロレンズアレイの部分断面図、 図2に示す発光装置の部分平面図、 図2に示す発光装置の部分裏面図、 図2とは別の実施形態における発光装置の部分断面図、 図5と一部異なる発光装置の部分断面図、 図2、図5及び図6とは別の実施形態における発光装置の部分断面図、 図7に示す発光装置の部分平面図、 図2、図5、図6及び図8とは別の実施形態における発光装置及びマイクロレンズアレイの部分断面図、 図2の発光装置の一部分を拡大して示す部分拡大断面図、 図10とは一部異なる形態の発光装置の部分拡大断面図、 図2と一部異なる形態の発光装置の部分断面図、 図2と一部異なる形態の発光装置の部分断面図、 本実施形態の発光装置をホログラム再生装置に組み込み、各面発光レーザから照射される再生参照光の照射状態を説明するための概念図、 従来の問題点を説明するための各面発光レーザから照射される再生参照光の照射状態を示す概念図、
符号の説明
10 ホログラム再生装置
12、13 面発光レーザ
12a1、13a1 発光点
12b、13b 素子表面
14、80 面発光レーザアレイ
15 マイクロレンズアレイ
16 コリメータレンズ
18 撮像素子
19 ピンホールフィルタ
20 記録媒体
21 ホログラムデータ
22、73 再生参照光
23 再生光
25、26、61 第2の支持板側電極
30、31 マイクロレンズ
32、46 表面電極
33、34 裏面電極
35、36 ワイヤ
37、38、39、40、51、52、53、54、55、56、57、58、86、87、88、89、90、91、92、93 マーク部
50 支持板
49、52 第1の支持板側電極
60 放熱板
70 金属板(支持板)
71 補助板
72、96 スペーサ
95 基台
97、98 弾性部材

Claims (14)

  1. 複数の発光素子と、各発光素子を発光点が現れる素子表面側から支持する支持板とを有し、
    前記支持板の前記素子表面と対向する対向面は、同一平面を有して形成され、複数の前記発光素子の各素子表面が前記同一平面に支持されていることを特徴とする発光装置。
  2. 前記支持板は、高熱伝導性セラミック板で形成される請求項1記載の発光装置。
  3. 前記支持板には前記支持板よりも熱伝導率が高い放熱板が設けられている請求項1又は2に記載の発光装置。
  4. 前記支持板は絶縁性であり、前記放熱板は金属で形成される請求項3記載の発光装置。
  5. 前記支持板の前記対向面には、前記発光素子に設けられた素子側電極と電気的に接続される支持板側電極が設けられ、前記放熱板は、前記支持板側電極と接続されて電極として機能している請求項4記載の発光装置。
  6. 前記支持板は、金属板で形成される請求項1記載の発光装置。
  7. 前記支持板は、各発光素子に対する共通電極として機能する請求項6記載の発光装置。
  8. 前記発光素子の前記素子表面には、前記支持板に対する位置決め部が設けられ、前記支持板には、発光点及び前記位置決め部と対向する位置に貫通孔が設けられ、前記発光点からの光は、前記貫通孔を通して照射され、また、前記発光素子は前記貫通孔から見える前記位置決め部を用いて前記支持板に対し位置決めされている請求項1ないし7のいずれかに記載の発光装置。
  9. 前記支持板はレンズで形成される請求項1記載の発光装置。
  10. 前記発光素子の前記素子表面には前記支持板に対する位置決め部が設けられ、前記発光素子は前記支持板を表面から透視して見える前記位置決め部を用いて前記支持板に対し位置決めされている請求項9記載の発光装置。
  11. 前記素子表面と反対側の素子裏面が、前記素子表面方向に、弾性部材によって押圧されている請求項1ないし10のいずれかに記載の発光装置。
  12. 前記素子裏面には裏面電極が形成され、前記弾性部材は金属で形成されており、前記裏面電極と前記弾性部材とが電気的に接続されている請求項11記載の発光装置。
  13. 請求項1ないし12のいずれかに記載された発光装置と、記録媒体に記録されているデータを取得する撮像機構と、前記記録媒体を設置する設置部と、を有し、前記発光素子から再生参照光が前記記録媒体に照射されて前記データを前記撮像機構により取得することを特徴とするホログラム再生装置。
  14. 前記設置部と発光装置との間に前記再生参照光を平行光に調整するためのコリメータレンズが設けられ、各面発光レーザの発光点と前記コリメータレンズの主点間距離が各発光素子にて同一距離にされている請求項13記載のホログラム再生装置。
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JPH11259894A (ja) * 1998-03-06 1999-09-24 Ricoh Co Ltd 光ピックアップヘッド
JP2002025104A (ja) * 2000-07-12 2002-01-25 Hitachi Ltd 集積光ヘッド装置
JP4217026B2 (ja) * 2002-04-15 2009-01-28 株式会社リコー 光学素子
JP2004103084A (ja) * 2002-09-06 2004-04-02 Sanyo Electric Co Ltd 光学ヘッドにおける放熱装置
JP4537758B2 (ja) * 2003-11-11 2010-09-08 株式会社リコー 光伝送素子モジュール
JP2005331864A (ja) * 2004-05-21 2005-12-02 Alps Electric Co Ltd ホログラム装置

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