JPH01251762A - イメージセンサー - Google Patents
イメージセンサーInfo
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- JPH01251762A JPH01251762A JP63078994A JP7899488A JPH01251762A JP H01251762 A JPH01251762 A JP H01251762A JP 63078994 A JP63078994 A JP 63078994A JP 7899488 A JP7899488 A JP 7899488A JP H01251762 A JPH01251762 A JP H01251762A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- face
- substrate
- image sensor
- adhesive
- chipping
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は密着型イメージセンサ−に関するものであり、
ファクシミリの画像読取装置、ディジタル複写機、ディ
ジタルカラー複写機等の画像読取装置に応用される。
ファクシミリの画像読取装置、ディジタル複写機、ディ
ジタルカラー複写機等の画像読取装置に応用される。
従来の複数個の基板１を配列接続して一体とした画像読
取装置においては、第１図に示すように、基板１の接合
端面ａは光電変換素子２を設置する基板面（以下、素子
面という）ｂに対して垂直にダイシングカットされてお
り、ダイシングには、３２０メツシユのダイアモンドブ
レードが用いられていたにの方式では、片側端面の凹凸
が１００μｍ以上にも達した。従って、第１図のように
支持体５上で基板接合を行なうと、接合部での素子間隔
は２００μｍ以上になり、例えば８ ｄｏｔｓ／ｍｍの
素子ピッチとすると、２素子分も欠落することになり、
この部分でのＭＴＦは０になってしまう。
取装置においては、第１図に示すように、基板１の接合
端面ａは光電変換素子２を設置する基板面（以下、素子
面という）ｂに対して垂直にダイシングカットされてお
り、ダイシングには、３２０メツシユのダイアモンドブ
レードが用いられていたにの方式では、片側端面の凹凸
が１００μｍ以上にも達した。従って、第１図のように
支持体５上で基板接合を行なうと、接合部での素子間隔
は２００μｍ以上になり、例えば８ ｄｏｔｓ／ｍｍの
素子ピッチとすると、２素子分も欠落することになり、
この部分でのＭＴＦは０になってしまう。
さらに図中に示すように接着剤３が端面の隙間を通して
素子表面にまで回り込んでしまい、レンズ作用などをし
て画素に影響を及ぼすことにもなった。
素子表面にまで回り込んでしまい、レンズ作用などをし
て画素に影響を及ぼすことにもなった。
第２図Ａ及びＢは、特開昭６１−２３１７５７で開示さ
れた従来例であり、図中角度Ｒを９０’未満として接合
面に接着剤だまりができるようにして素子面すへの接着
剤の回り込みを防ぎ、且つ光電変換素子の接続精度の向
上を狙ったものである。しかし、図中に示したように原
稿７の画像は遮光層６の窓を通る入射光によって読取ら
れるのであるが、接合基板端面ａと、接着剤３との界面
での入射光の散乱が完全には迎えられないため、接合部
以外の素子部での４Ωｐ／ｍｍのＭ Ｔ Ｆが８０％程
度であるのに対し、接合部では２０％程度低下するとい
う現象が生ずる。この程度のＭＴＦの劣化は２値化画像
ではほとんど問題にならないが、１６階調等の中間調の
階調を狙う場合には問題となる。さらにまた、このよう
な条件でダイシングカットまたは研磨を行うと、接着剤
３の素子面すへの滲出しか幾分改善されるものの、第３
図及び第４図に示すように端部が欠損（チッピング）し
たりし易くなり、欠損部Ｃが生じることによって素子も
欠けたり、剥れ易くなったりする欠点があった。さらに
接合部の接点が小さく、接合ずれが起き易く、接着剤が
滲出し易い欠点があった。
れた従来例であり、図中角度Ｒを９０’未満として接合
面に接着剤だまりができるようにして素子面すへの接着
剤の回り込みを防ぎ、且つ光電変換素子の接続精度の向
上を狙ったものである。しかし、図中に示したように原
稿７の画像は遮光層６の窓を通る入射光によって読取ら
れるのであるが、接合基板端面ａと、接着剤３との界面
での入射光の散乱が完全には迎えられないため、接合部
以外の素子部での４Ωｐ／ｍｍのＭ Ｔ Ｆが８０％程
度であるのに対し、接合部では２０％程度低下するとい
う現象が生ずる。この程度のＭＴＦの劣化は２値化画像
ではほとんど問題にならないが、１６階調等の中間調の
階調を狙う場合には問題となる。さらにまた、このよう
な条件でダイシングカットまたは研磨を行うと、接着剤
３の素子面すへの滲出しか幾分改善されるものの、第３
図及び第４図に示すように端部が欠損（チッピング）し
たりし易くなり、欠損部Ｃが生じることによって素子も
欠けたり、剥れ易くなったりする欠点があった。さらに
接合部の接点が小さく、接合ずれが起き易く、接着剤が
滲出し易い欠点があった。
また、このような欠損の発生を防ぐために、素子の接続
面を少くとも１０μｍ以上残し、他の残り部分を削り取
るという提案がなされたが（特開昭６１−２３４５６２
参照）、接続面の形状をこのようにする工程が煩雑であ
ったり、接続部における光学的特性が劣化する欠点があ
った。
面を少くとも１０μｍ以上残し、他の残り部分を削り取
るという提案がなされたが（特開昭６１−２３４５６２
参照）、接続面の形状をこのようにする工程が煩雑であ
ったり、接続部における光学的特性が劣化する欠点があ
った。
本発明は、従来の欠点を克服した、複数個の基板を配列
接続して一体となした密着型イメージセンサ−で、基板
の接合部における素子配列精度を向上し、解像度の低下
を防ぎ、製造の容易なイメージセンサ−を提供すること
を目的とする。
接続して一体となした密着型イメージセンサ−で、基板
の接合部における素子配列精度を向上し、解像度の低下
を防ぎ、製造の容易なイメージセンサ−を提供すること
を目的とする。
本発明者等は前記目的を達成するために鋭意研究した結
果、複数個の基板を配列接続して一体とした密着型イメ
ージセンサ−において、接続されるそれぞれの基板の接
合部における各端面の研磨材による研磨傷の方向が、光
電変換素子を設置した基板面とほぼ平行であり、且つ前
記接合部の各端面の表面粗さが５μｍ以下であることを
特徴とする密着型イメージセンサ−を提供することによ
って前記目的が達成できることを見出した。
果、複数個の基板を配列接続して一体とした密着型イメ
ージセンサ−において、接続されるそれぞれの基板の接
合部における各端面の研磨材による研磨傷の方向が、光
電変換素子を設置した基板面とほぼ平行であり、且つ前
記接合部の各端面の表面粗さが５μｍ以下であることを
特徴とする密着型イメージセンサ−を提供することによ
って前記目的が達成できることを見出した。
本発明の好ましい実施態様では基板の接合端面ａと素子
面すとはほぼ直角をなしている。
面すとはほぼ直角をなしている。
第５図に本発明による基板の接続端面部の形成手順を示
す。接合すべき基板１の端部より、一定距離外側をダイ
シングブレードによるダイシング、または超硬ロールカ
ッタ、またはダイアモンドポイント等によるドライ式ス
クライビングにより切断後、粒度２０００メツシユの研
磨砥石４で素子表面すと直角に所望の位置まで端面ａの
研磨を行なう。ここでダイシングによる切断の場合は、
端面の凹凸やチッピングが１００μｍ以上にも達するの
で、端面研磨の所望終端位置より少なくとも１００μｍ
以上外側を切断し、ドライ式スクライビングの場合には
凹凸やチッピングが比較的少ないので、２０〜３０μｍ
外側で切断する。端面研磨の終端位置は、端面の凹凸チ
ッピングの量。
す。接合すべき基板１の端部より、一定距離外側をダイ
シングブレードによるダイシング、または超硬ロールカ
ッタ、またはダイアモンドポイント等によるドライ式ス
クライビングにより切断後、粒度２０００メツシユの研
磨砥石４で素子表面すと直角に所望の位置まで端面ａの
研磨を行なう。ここでダイシングによる切断の場合は、
端面の凹凸やチッピングが１００μｍ以上にも達するの
で、端面研磨の所望終端位置より少なくとも１００μｍ
以上外側を切断し、ドライ式スクライビングの場合には
凹凸やチッピングが比較的少ないので、２０〜３０μｍ
外側で切断する。端面研磨の終端位置は、端面の凹凸チ
ッピングの量。
素子密度及び素子間隔等によって決まる。２０００メツ
シユの端面研磨の場合には、端面の凹凸およびチッピン
グは５μｍ以下であることから、所望の端面からもっと
も近い素子から５μｎ以上外側であることが必要となる
。また素子間隔の１／２以内（２本を接合するため）と
いう要請から、例えば素子密度８ ｄｏｔｓ／ｍｍで素
子間隔２０μｍの場合、最も外側に位置する素子の外側
５μｍ以上、１０μｍ以内のところを端面研磨の終端位
置とする。
シユの端面研磨の場合には、端面の凹凸およびチッピン
グは５μｍ以下であることから、所望の端面からもっと
も近い素子から５μｎ以上外側であることが必要となる
。また素子間隔の１／２以内（２本を接合するため）と
いう要請から、例えば素子密度８ ｄｏｔｓ／ｍｍで素
子間隔２０μｍの場合、最も外側に位置する素子の外側
５μｍ以上、１０μｍ以内のところを端面研磨の終端位
置とする。
以上のようにして、それぞれ切断および端面研磨を行な
った基板同士を接合したものを第６図Ａ及びＢに示す。
った基板同士を接合したものを第６図Ａ及びＢに示す。
接着剤として粘度が約１００ｐｏｉｓｅでＵＶ硬化型の
光学接着剤（アクリレート系）を用いると接着剤は基板
の厚さ（約１ ｍｍ）程度には接合面にしみ込むが、素
子表面すにまで回り込むことはない。その理由は１本発
明によれば、接合端面ａにおける研磨傷は、基板表面す
とほぼ平行につけられているため、接着剤しみ込みのス
トツピング効果を有するからである。
光学接着剤（アクリレート系）を用いると接着剤は基板
の厚さ（約１ ｍｍ）程度には接合面にしみ込むが、素
子表面すにまで回り込むことはない。その理由は１本発
明によれば、接合端面ａにおける研磨傷は、基板表面す
とほぼ平行につけられているため、接着剤しみ込みのス
トツピング効果を有するからである。
また第７図に示す従来例にように、もし＃２０００メツ
シュ程度のダイシングブレードでダイシングしたとする
と、端面ａの表面粗さは５μｍ以下になるものの、研磨
傷ｄの方向は、基板１の板厚方向となるため、接着剤の
ストツピング効果は期待できず、また表面のチッピング
Ｃは５μｍ以上となってしまう恐れもある。さらにまた
このようなダイシング方式では、幅１０ｍｍ厚さ１ｍｍ
の基板をダイシングカットするのに６０分以上も要する
という欠点もある。
シュ程度のダイシングブレードでダイシングしたとする
と、端面ａの表面粗さは５μｍ以下になるものの、研磨
傷ｄの方向は、基板１の板厚方向となるため、接着剤の
ストツピング効果は期待できず、また表面のチッピング
Ｃは５μｍ以上となってしまう恐れもある。さらにまた
このようなダイシング方式では、幅１０ｍｍ厚さ１ｍｍ
の基板をダイシングカットするのに６０分以上も要する
という欠点もある。
このように、本発明によれば、接合端面ａの表面粗さを
約５μｍ以下とすることにより入射光の散乱を最小限に
抑え、素子２の配列精度を改良することができ、接合端
面ａにおける研磨傷ｄの方向を素子面すとほぼ平行にす
ることにより接着剤３が素子面にしみ出ることを防ぐこ
とができる。
約５μｍ以下とすることにより入射光の散乱を最小限に
抑え、素子２の配列精度を改良することができ、接合端
面ａにおける研磨傷ｄの方向を素子面すとほぼ平行にす
ることにより接着剤３が素子面にしみ出ることを防ぐこ
とができる。
素子チップの基板の材質としては石英板が一般的である
が、コーニング＃１１４０（パイレックス）や＃ ７０
５９相当の基板も用いられる。
が、コーニング＃１１４０（パイレックス）や＃ ７０
５９相当の基板も用いられる。
以上述べたように、本発明によれば、基板の接合端部の
欠損が生じず、接着剤の接合部からの滲出しもなく、接
合部における素子の配列精度が向上し、入射光の散乱等
によるＭＴＦの低下がなくて、接合部における解像度の
劣化がほとんどなく、製造も容易な大型密着等倍イメー
ジセンサ−が提供される。
欠損が生じず、接着剤の接合部からの滲出しもなく、接
合部における素子の配列精度が向上し、入射光の散乱等
によるＭＴＦの低下がなくて、接合部における解像度の
劣化がほとんどなく、製造も容易な大型密着等倍イメー
ジセンサ−が提供される。
第１図及び第２図Ａ及びＢは従来のイメージセンサ−に
おける素子基板の接合部の説明図であり、第３図は第２
図Ａに示した基板の接合端の断面の拡大図であり、第４
図は第３図を平面的に見た説明図である。 第５図は本発明の基体の接着端面部の形成手順を示す説
明面である。 第６図Ａ及びＢは本発明のイメージセンサ−の素子基板
同士の接合部の説明図である。 第７図は基板をダイシングブレードでダイシングカット
する説明図である。 １・・・基 板 ２・・・素 子３・・・接
着剤 ４・・・砥 石 ５・・・支持体 ６・・・遮光層 ７・・・原 稿 ８・・・ダイシングブレード
ａ・・・接合端面 ｂ・・・素子面Ｃ・・・欠損
部 ｄ・・・研磨傷 第１同 第２図 （Ａ） （８１％３
図 第４図 ｉ ０８ 、Ｌ
おける素子基板の接合部の説明図であり、第３図は第２
図Ａに示した基板の接合端の断面の拡大図であり、第４
図は第３図を平面的に見た説明図である。 第５図は本発明の基体の接着端面部の形成手順を示す説
明面である。 第６図Ａ及びＢは本発明のイメージセンサ−の素子基板
同士の接合部の説明図である。 第７図は基板をダイシングブレードでダイシングカット
する説明図である。 １・・・基 板 ２・・・素 子３・・・接
着剤 ４・・・砥 石 ５・・・支持体 ６・・・遮光層 ７・・・原 稿 ８・・・ダイシングブレード
ａ・・・接合端面 ｂ・・・素子面Ｃ・・・欠損
部 ｄ・・・研磨傷 第１同 第２図 （Ａ） （８１％３
図 第４図 ｉ ０８ 、Ｌ
Claims (1)
- １、複数個の基板を配列接続して一体とした密着型イメ
ージセンサーにおいて、接続されるそれぞれの基板の接
合部における各端面の研磨材による研磨傷の方向が、光
電変換素子を設置した基板面とほぼ平行であり、且つ前
記接合部の各端面の表面粗さが５μｍ以下であることを
特徴とする密着型イメージセンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63078994A JPH01251762A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | イメージセンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63078994A JPH01251762A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | イメージセンサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01251762A true JPH01251762A (ja) | 1989-10-06 |
Family
ID=13677449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63078994A Pending JPH01251762A (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | イメージセンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01251762A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019116654A1 (ja) * | 2017-12-13 | 2019-06-20 | ソニー株式会社 | 発光モジュールの製造方法、発光モジュール及び装置 |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP63078994A patent/JPH01251762A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019116654A1 (ja) * | 2017-12-13 | 2019-06-20 | ソニー株式会社 | 発光モジュールの製造方法、発光モジュール及び装置 |
| JPWO2019116654A1 (ja) * | 2017-12-13 | 2021-01-28 | ソニー株式会社 | 発光モジュールの製造方法、発光モジュール及び装置 |
| US11710942B2 (en) | 2017-12-13 | 2023-07-25 | Sony Corporation | Method of manufacturing light-emitting module, light-emitting module, and device |
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