DE10204397A1 - Laserdiodenarray und Herstellverfahren dafür - Google Patents

Laserdiodenarray und Herstellverfahren dafür

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DE10204397A1
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Andreas Schmidt
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Optolab Licensing GmbH
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Abstract

Es wird ein Laserdiodenarray und ein Herstellverfahren dafür beschrieben, wobei das Laserdiodenarray mehrere Laserdioden (2) und ein alle Laserdioden (2) tragenden Basiskörper (30) aufweist und wobei jede Laserdiode (2) auf einem Zwischenträger (1) befestigt und mit auf dem Zwischenträger (1) vorgesehenen Leitflächen (5, 8) elektrisch verbunden ist und die Zwischenträger (1) auf dem Basiskörper (30) befestigt sind.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Montage von Laserdioden zu einem ein- oder zweidimensionalen Laserdiodenarray aus Laserdioden, wobei die Laserdioden auf spezielle Zwischenträger vormontiert werden und zu dem Array zusammengesetzt werden, sowie ferner auf eine Laserarrayanordnung aus zusammengesetzten Einzeldioden.
Derartige Anordnungen werden in unterschiedlichsten optoelektronischen Geräten und Messeinrichtungen eingesetzt.
Aus der DE 41 37 068 A1 ist ein integrierter optischer Vielfach-Abstandssensor bekannt. In dieser optoelektronische Entfernungsmeßeinrichtung werden zur Positionserkennung von Objekten in einem Flächen- oder Raumwinkelbereich zeilenförmig oder flächig angeordnete positionsempfindliche Dioden und zeilenförmig oder flächig angebrachten Sende-Laserdioden, die sehr dicht nebeneinander angeordnet sind, verwendet.
In der DE 44 29 913 C1 ist eine Vorrichtung zum Plattieren von zwei oder mehreren Metallplatten durch Absorption von Laserstrahlungsenergie beschrieben. Als Strahlquelle werden Laserdioden verwendet. Die hohe Laserstrahlleistung wird aus mehren auf einer Ebene nebeneinander zu Laserdiodenbarren aufgereihten Laserdioden gewonnen.
In der DE 196 44 941 C1 ist ein Hochleistungsdiodenlaser mit einem Laserbarren und ein Verfahren zu dessen Montage beschrieben. Der Hochleistungsdiodenlaser besteht aus einem Streifen aus Halbleitermaterial, der optisch-elektrisch in einzelne Laserdioden aufgeteilt ist. Die einzelnen Laserdioden sind direkt über ein Hartlot mit dem Kühlkörper verbunden. Die mechanische Vereinzelung der Laserdioden erfolgt nach dem Auflöten des ganzen Halbleitermaterialstreifens.
Allen bekannten Fertigungsverfahren ist gemeinsam, daß die Vereinzelung der Laserdioden auf dem Grundkörper (Kühlkörper) erst nach der Montage des ganzen Halbleiterkörpers mit den Laserdioden erfolgt. Da bei der Laserdiodenherstellung die optisch-elektrische Gutausbeute auf den Halbleiterbarren nicht sehr hoch ist, entsteht ein erheblicher Mehraufwand für die Realisierung von Laserbarren mit vielen funktionierenden Laserdioden im Stück. Hinzu kommt, daß die Ausfallrate bei den Laserdioden während der Montage durch Prozesse wie Handling, Löten, Bonden, Sägen u. a. relativ hoch ist, so daß die Gesamtgutausbeute nach der Montage auf dem Grundkörper relativ gering ist und damit erhebliche Mehrkosten entstehen. Ein nachträgliches Auswechseln einer defekten Einzeldiode (Reparatur) ist nach dieser Technologie praktisch ausgeschlossen.
Ausgehend hiervon liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Laserdiodenarray mit einem Basisteil und mehreren Laserdioden, bei dem der Gutausbeuteanteil erhöht ist, sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung anzugeben.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Laserdiodenarray mit mehreren Laserdioden und einem Basiskörper als Wärmesenke gelöst, wobei die Laserdioden jeweils auf einem Zwischenträger befestigt sind, so daß Laserdioden und Zwischenträger jeweils eine Montagegruppe bilden, und mindestens zwei Montagegruppen auf dem Basiskörper befestigt und elektrisch kontaktiert sind. Weiter wird die Aufgabe gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung eines Laserdiodenarrays mit mehreren Laserdioden und einem Basiskörper als Wärmesenke, wobei Laserdioden jeweils auf Zwischenträgern montiert werden, um Montagegruppen zu erhalten, die Laserdioden mit elektrischen Leiterstrukturen verbunden werden, und dann mindestens zwei Montagegruppen auf dem Basiskörper befestigt werden.
Es ist also ein Verfahren zur Herstellung von Laserdiodenarrays mit mehreren Laserdioden und einem Basiskörper vorgesehen, wobei mindestens eine Laserdiode auf einem Zwischenträger montiert und mit elektrischen Leitbahnstrukturen und Kontaktflächen verbunden wird, so daß eine Montagegruppe gebildet wird, mindestens zwei Montagegruppen auf dem Basiskörper befestigt werden, und die elektrischen Kontaktflächen der Montagegruppen elektrisch so verbunden werden, daß alle Laserdioden n- und p-seitig angeschlossen sind. Weiter ist ein Laserdiodenarray mit mehreren Laserdioden und einem alle Laserdioden tragenden Basiskörper vorgesehen, wobei jede Laserdiode auf einem Zwischenträger befestigt und mit auf dem Zwischenträger vorgesehenen Leitflächen elektrisch verbunden ist und die Zwischenträger auf dem Basiskörper befestigt sind.
Vorteilhaft werden geometrisch kleine Zwischenträger hochpräzise mikromechanisch mittels eines photolithographischen Waferprozesses hergestellt. Zur Vereinfachung der Montage wird die Breite der Zwischenträger etwas breiter als die Breite der einzelnen Laserdiode gewählt. Weiter wird auf den einzelnen Zwischenträgern eine elektrische Leitbahnstruktur aufgebracht. Sie dient zur Stromzufuhr für die Laserdiode, die an einem Ende auf den Zwischenträger lagegenau montiert wird.
Die Leitbahnstruktur auf dem Zwischenträger wird vorteilhafterweise auch im Waferverbund nach bekannten Technologien über photolithografische Prozesse aufgebracht. Sie ist hinsichtlich ihres Schichtsystems an das Kontaktsystem der Laserdiode angepaßt. Ein für die Siliziumwaferoberfläche vorteilhaftes Schichtsystem besteht aus Siliziumoxid, Aluminium, Nickel und Gold. Die Schichtfolge hat den besonderen Vorteil, daß es sowohl bondbar als auch lötfähig ist. Ebenso können mit diesem Schichtsystem auch elektrische Kontakte über elektrisch leitfähige Kleber realisiert werden.
Auf der Schichtseite des Zwischenträgers wird die Laserdiode auf einem dafür vorgesehenen Montagepad so lagegenau montiert, daß sie nicht an den Breitseiten des Zwischenträgers übersteht. Vorteilhafterweise sollte sie symmetrisch zur Längsachse des Zwischenträgers montiert werden, die dann zur Strahlaustrittsachse parallel liegt.
Da die aktive Zone (Austrittsfenster) einer Laserdiode sehr empfindlich sind, ist es vorteilhaft, wenn diese geringfügig über die Vorderkante des Zwischenträgers übersteht.
Zur besseren Montage kann es von Vorteil sein, wenn auf den Zwischenträger spezielle Anlagemarken aufgebracht werden, die eine gute Lagezuordnung der Laserdiode zum Zwischenträger gewährleisten. Eine andere vorteilhafte Möglichkeit zur exakten Lagezuordnung der Laserdiode zum Zwischenträger kann über eine spezielle Anlagefläche auf dem Zwischenträger realisiert werden. Diese kann beispielsweise mikromechanisch erzeugt werden oder nachträglich über einen Hilfskörper aufgebracht werden. Für die weitere Gesamtmontage ist es besonders vorteilhaft, wenn diese Anlagefläche zur Hinterkante des Zwischenträgers eng toleriert ist.
Da die Laserdiode einerseits mechanisch stabil auf den Zwischenträger befestigt und andererseits die Unterseite der Laserdiode (p-seitig) elektrisch leitfähig zum Montagepad des Zwischenträgers montiert werden muß, bieten sich hier sowohl das Löten als auch das Kleben mit leitfähigem Klebstoff an.
Die n-seitige Kontaktierung von der Oberseite der Laserdiode zu den vorgesehenen Leitbahnkontakten auf dem Zwischenträger erfolgt vorteilhafterweise mittels einer oder mehrerer Bonddrahtverbindungen.
Die Montagegruppe aus Laserdiode und Zwischenträger steht einfach handhabbar zur Zwischenprüfung und weiteren Montage zur Verfügung. Die so sehr preiswert herstellbaren Montagegruppen können vor der weiteren Montage zum Laserdiodenarray in einfachen Meßanordnungen auf ihre elektrische und optische Funktionsfähigkeit überprüft und selektiert werden.
Da vor allem die mechanischen Montagebelastungen durch Sägen, Plazieren, Kleben/Löten und Bonden auf die sehr empfindlichen Laserdioden abgeschlossen sind, kann davon ausgegangen werden, daß von den funktionsfähigen Montagegruppen bei der weiteren Verarbeitung (Montage) zu einem Laserdiodenarray keine Laserdioden mehr ausfallen. Damit wird die Wahrscheinlichkeit, voll funktionsfähige Laserdiodenarrays zu erhalten, deutlich erhöht.
Die weitere Montage der Montagegruppen auf einem Basis- bzw. Kühlkörper zu einem Laserdiodenarray kann in verblüffend einfachen Montageschritten erfolgen. Dazu werden die Montagegruppen so aneinandergereiht auf den Basiskörper geklebt, daß alle Laserdiodenaustrittsfenster auf der selben Langseite des Basiskörpers liegen.
Für eine präzise Anordnung der Montagegruppen auf dem Basiskörper müssen die Längskanten der Zwischenträger gratfrei sein. Dazu ist es vorteilhaft, wenn spezielle Sägegräben für die Vereinzelung der Zwischenträger mittels einer Wafersäge vorgesehen sind, die zugleich eine Fase an der Klebefläche der Montagegruppen bilden, um eine gute Dünnspaltklebung zu realisieren.
Vorteilhaft kann die Positionierung der Montagegruppen auf dem Basiskörper in einer Montagevorrichtung erfolgen, in der die Vorderkanten der Zwischenträger an einen definierten Anschlag zum Basiskörper angelegt werden.
Besonders vorteilhaft können die Montagegruppen auf dem Basiskörper montiert werden, wenn dieser selbst eine Anlagefläche für die rechtwinklige Lage und für die Längsauflage zur exakten Ausrichtung der Montagegruppen und damit der Einzeldioden bietet. Diese kann für die Vorder- oder Hinterkante der Zwischenträger ausgeführt werden. Als Anlagekanten auf dem Basiskörper kann auch ein speziell aufgebrachter Anlagewinkel dienen.
Für die elektrischen Verbindung der einzelnen Montagegruppen zum p- und n-seitigen Anschluß der Laserdioden sind die Kontakt- bzw. Anschlußpads auf dem Zwischenträger über Bond- oder Lötbrücken zu verbinden.
Sind flexible Anschlußdrähte zur Gesamtbaugruppe vorgesehen, ist es vorteilhaft, wenn für den p- und n-seitigen Anschluß jeweils ein Kontaktpad verwendet wird. Diese Kontaktpads sollten vorteilhafterweise nach der gleichen Technologie wie die Zwischenträger hergestellt werden. Die flexiblen Anschlußdrähte können nach den bekannten Technologien auf die großflächigen Anschlußpads gelötet oder mittels Leitkleber geklebt werden.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren und die vorgeschlagene Anordnung kann mit einfachen Mitteln sichergestellt werden, daß eine hohe Gutausbeute bei fertig montierten Laserdiodenarrays erzielt wird, da über die Zwischenmessung an den Montagegruppen sichergestellt wird, daß nur funktionsfähige Montagegruppen und damit funktionsfähige Einzeldioden verwendet werden.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Zeichnungen im Prinzip beispielshalber noch näher erläutert. In den Fig. 1 bis 9 ist in prinzipieller Darstellung eine Laserzeile gezeigt. Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf einen Zwischenträger mit Leitbahnstrukturen und Montage- und Anschlußpads;
Fig. 2 einen Querschnitt durch einen Siliziumwafer mit einem Schichtsystem für die Leitbahnstrukturen;
Fig. 3 eine Draufsicht auf einen Waferabschnitt mit Zwischenträgern;
Fig. 4 eine Draufsicht auf eine vereinzelte Laserdiode;
Fig. 5 eine Draufsicht auf eine Montagegruppe;
Fig. 6 eine Seitenansicht einer Montagegruppe;
Fig. 7 eine Draufsicht auf ein eindimensionales 8-fach Laserdiodenarray mit Basis- bzw. Kühlkörper;
Fig. 8 eine Montagevorrichtung zum Positionieren der Montagegruppen auf dem Basiskörper und
Fig. 9 eine Ansicht eines eindimensionalen 8-fach Laserdiodenarrays mit Kühlkörper.
Zwischenträger 1 zur Aufnahme einer schon vereinzelten Laserdiode 2 werden mittels bekannter Wafertechnologien für die Mikrostrukturierung, Mikromechanik und Dünnschichttechnik hergestellt.
In Fig. 1 ist eine Draufsicht auf einen Zwischenträger 1 mit Leitbahnstrukturen 3, 4 und einem Montagepad 5 für die Aufnahme einer Laserdiode 2 und Anschlußpads 6, 7, 8 für elektrische Bondanschlüsse dargestellt. Der einzelne Zwischenträger 1 ist zwischen zwei Längskanten 9, 10 400 µm breit und zwischen Vorderkante 11 und Hinterkante 12 4 mm lang. Die Dicke beträgt 200 µm.
Für die Leitbahnstrukturen 3, 4, das Montagepad 5 und die Anschlußpads 6, 7, 8 wird ein Schichtaufbau eines hochbelastbaren Metall-Dünnfilm-Schichtsystems verwendet. Es ist in Fig. 2 schematisch dargestellt. Auf einem 200 µm dicken Siliziumwafer 13 wird eine durchgehende Isolatorschicht 14 aus SiO2 und photolithographisch strukturierten Metallschichten aus Aluminium 15, Nickel 16 und Gold 17 hergestellt. Für eine effektive Herstellung werden die Wafer 13 im Verbund prozessiert und erst nach dem Aufbringen des löt- und bondfähigen Schichtsystem in Dünnfilmtechnik mittels einer Wafersäge zu Zwischenträgern 1 vereinzelt. Fig. 3 zeigt eine Draufsicht auf den Siliziumwafer 13. Auf einem 6-Zoll-Wafer können so einige Tausend Zwischenträger 1 gleichzeitig prozessiert werden.
Die Breite der Zwischenträger 1 ist mit 400 µm so bemessen, daß bei einer symmetrischen Montage die vereinzelte Laserdiode 2 in Chipform nicht über die Längskanten 10, 11 des Zwischenträgers 1 hinausragt und somit geschützt ist.
In Fig. 4 ist ein handelsüblicher Laserdiodenchip dargestellt. Er besitzt einen sehr empfindlichen Laserstrahlaustrittsbereich 19. Die Abmessungen betragen 300 µm × 300 µm, und die Dicke beträgt 100 µm. Mittels eines Leitklebers 20 wird diese Laserdiode 2 auf den Montagepad 5 des Zwischenträgers 1 geklebt. Die Positionierung der Laserdiode 2 auf dem Zwischenträger 1 erfolgt mittels einer (nicht dargestellten) Montagevorrichtung. Diese nimmt den Zwischenträger 1 lagegenau auf. Dabei sind zwei Anlagekanten so bemessen, daß die Laserdiode 2 mit der Seite, an der ihr Laserstrahlaustrittsbereich 19 liegt, 50 µm über die Vorderkante 11 übersteht und symmetrisch zu den Längskanten 9, 10 positioniert wird.
Mittels des Leitklebers 20 wird die Laserdiode 2 p-seitig elektrisch mit dem Montagepad 5, der an das Anschlußpad 6 angeschlossen ist, verbunden. Nach Aushärtung des Leitklebers 20 wird mittels eines Drahtbonds die Laserdiode 2 n-seitig kontaktiert. Dazu werden zwei 25 µm dicke Golddrähte 21 von der Oberseite der Laserdiode 2 auf das Anschlußpad 8, welches an das Anschlußpad 7 angeschlossen ist, gebondet.
Damit ist eine Montagegruppe 25 mit einer über die Anschlußpads 6, 7 elektrisch kontaktierbaren Laserdiode 2 hergestellt. In Fig. 5 ist die Draufsicht auf die Montagegruppe 25 und in Fig. 6 die Seitenansicht dieser Montagegruppe 25 dargestellt.
Mehrere Montagegruppen 25 werden vor der weiteren Montage zu einem Laserarray in einer hier nicht näher dargestellten Meßanordnung auf ihre elektrische und optische Funktionsfähigkeit überprüft und nichtfunktionsfähige Montagegruppen 25 bzw. Laserdioden 2 ausgesondert.
Da vor allem die mechanischen Montagebelastungen durch Sägen, Plazieren, Kleben/Löten und Bonden auf die sehr empfindlichen Laserdioden 2 abgeschlossen sind, können von den funktionsfähigen Montagegruppen 25 bei der weiteren Verarbeitung zu einem Laserdiodenarray mit Kühlkörper keine Laserdioden 2 mehr ausfallen. Damit wird die Wahrscheinlichkeit, voll funktionsfähige Laserdiodenzeilen zu erhalten, deutlich erhöht.
Zur elektrischen Kontaktierung des 8-fach Laserdiodenarrays der Fig. 7 werden spezielle Anschlußträger 27, 28 mit Kontaktpads 29 nach gleicher Technologie wie die Zwischenträger 1 hergestellt.
Die weitere Montage der Montagegruppen 25 zu einem Laserdiodenarray auf einen Kühlkörper 30 kann in verblüffend einfachen Montageschritten erfolgen. Zwei Anschlußträger 27, 28 und acht Montagegruppen 25 werden aneinandergereiht auf den Basiskörper 30 geklebt, wobei ein handelsüblicher Kleber 31 verwendet wird.
Zur exakten Lagepositionierung der Anschlußträger 27, 28 und der Montagegruppen 25 wird eine spezielle Montagevorrichtung 32, wie in Fig. 8 dargestellt, mit Anlagekanten 33, 34 verwendet. Die Anlagekanten 33, 34 bilden einen rechten Winkel und sind so bemessen, daß entsprechend der mechanischen Toleranzkette die acht Laserstrahlaustrittsbereiche 19 einen Laserbarren 40 bilden.
Für die elektrische Verbindung der einzelnen Montagegruppen 25 zum p- und n-seitigen Anschluß der Laserdioden 2 werden die auf den Zwischenträgern 1 vorgesehenen Anschlußpads 6, 7 mit dem jeweiligen Kontaktpad 29 der zwei Anschlußträger 27, 28 mittels 100 µm dicker Goldbonddrähte 36 verbunden.
Zur Stromversorgung des gesamten Laserdiodenarrays werden die Kontaktpads 29 auf den zwei Zwischenträgern 1 mit einer flexiblen Kupferdrahtlitze 37, 38 mittels Lot verbunden.

Claims (23)

1. Laserdiodenarray mit mehreren Laserdioden (2) und einem Basiskörper (30) als Wärmesenke, wobei die Laserdioden (2) jeweils auf einem Zwischenträger (1) befestigt sind, so daß Laserdioden (2) und Zwischenträger (1) jeweils eine Montagegruppe (25) bilden, und mindestens zwei Montagegruppen (25) auf dem Basiskörper (30) befestigt und elektrisch kontaktiert sind.
2. Laserdiodenarray nach Anspruch 1, wobei die Laserdioden (2) an einer Begrenzungsfläche einen Laserstrahlaustrittsbereich (19) aufweisen und jeweils so auf dem Zwischenträger (1) justiert sind, daß diese Begrenzungsfläche über eine Kante des Zwischenträgers (1) übersteht.
3. Laserdiodenarray nach einem der obigen Ansprüche, wobei auf jedem Zwischenträger (1) eine Leiterstruktur (3) mit einer Kontaktfläche (5) ausgebildet ist, auf der die Laserdiode (2) elektrisch verbindend angebracht ist.
4. Laserdiodenarray nach Anspruch 3, wobei die Laserdioden (2) eine plattenförmige Gestalt mit Deckflächen haben, die Deckflächen als Kontakte dienen, und eine der Deckflächen auf die Kontaktfläche (5) der Leiterstruktur (3) gelötet, gebondet oder leitend geklebt ist.
5. Laserdiodenarray nach Anspruch 3 oder 4, wobei die Leiterstruktur (3) ein Schichtsystem aus leitenden (15, 16, 17) und nichtleitenden (14) Schichten umfaßt.
6. Laserdiodenarray nach Anspruch 5, wobei das Schichtsystem Schichten aus Siliziumoxid, Aluminium, Nickel und Gold umfaßt.
7. Laserdiodenarray nach einem der obigen Ansprüche, wobei der Zwischenträger (1) in der Draufsicht auf die Montagegruppe (25) zumindest an zwei Kanten über die Laserdiode (2) übersteht.
8. Laserdiodenarray nach einem der obigen Ansprüche, wobei auf dem Zwischenträger (1) Marken oder Anlageflächen zur Justierung der Laserdiode (2) auf dem Zwischenträger (1) angeordnet sind.
9. Laserdiodenarray nach einem der obigen Ansprüche, wobei mehrere Montagegruppen (25) auf einem Basiskörper (30) befestigt und zueinander ausgerichtet sind, wobei vorzugsweise die Montagegruppen (25) miteinander durch eine Dünnspaltklebung verbunden sind.
10. Laserdiodenarray nach einem der obigen Ansprüche, wobei der Basiskörper (30) Anlageflächen zur Ausrichtung der Montagegruppen (25) aufweist.
11. Verfahren zur Herstellung eines Laserdiodenarrays mit mehreren Laserdioden (2) und einem Basiskörper (30) als Wärmesenke, wobei Laserdioden (2) jeweils auf Zwischenträgern (1) montiert werden, um Montagegruppen (25) zu erhalten, die Laderdioden (2) mit elektrischen Leiterstrukturen (3) verbunden werden, und dann mindestens zwei Montagegruppen (25) auf dem Basiskörper (30) befestigt werden.
12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die elektrischen Kontaktflächen (6, 7) der Montagegruppen (25) elektrisch so verbunden werden, daß alle Laserdioden (2) p- und n-seitig angeschlossen sind
13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei der Zwischenträger (1) unter Verwendung eines photolithographischen Prozesses hergestellt wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei auf einem Wafer zur Vereinzelung darauf prozessierter Zwischenträger (1) Sägegräben angeordnet werden, und die Zwischenträger (1) anschließend mittels einer Wafersäge so vereinzelt werden, daß eine Fase an den Kanten der Zwischenträger (1) entsteht.
15. Verfahren nach einem der obigen Verfahrensansprüche, wobei die Leiterstrukturen (3) durch Löten, Kleben oder Bonden mit den Laserdioden (2) und/oder dem Basiskörper (30) verbunden werden.
16. Verfahren nach einem der obigen Verfahrensansprüche, wobei auf dem Zwischenträger (1) eine Kontaktfläche (5) ausgebildet wird, auf der dann die Laserdiode (2) befestigt und kontaktiert wird.
17. Verfahren nach einem der obigen Verfahrensansprüche, wobei die Laserdioden (2) an einer Begrenzungsfläche einen Laserstrahlaustrittsbereich (19) aufweisen und so auf den Zwischenträgern (1) justiert werden, daß diese Begrenzungsfläche über den Zwischenträger (1) übersteht.
18. Verfahren nach einem der obigen Verfahrensansprüche, wobei auf den Zwischenträgern (1) Marken oder Anlageflächen aufgebracht und die Laserdioden (2) anhand dieser Marken oder Anlageflächen auf den Zwischenträgern (1) justiert werden.
19. Verfahren nach Anspruch 18, wobei die Marken oder Anlageflächen mikromechanisch erzeugt werden.
20. Verfahren nach einem der obigen Verfahrensansprüche, wobei Montagegruppen (25) aus Zwischenträger (1) und Laserdiode (2) einer Funktionsüberprüfung unterzogen werden, bevor sie auf dem Basiskörper (30) befestigt und kontaktiert werden.
21. Verfahren nach Anspruch 20, wobei die Montagegruppen (25) nach der Funktionsüberprüfung miteinander durch Dünnspaltklebung verbunden werden.
22. Verfahren nach Anspruch 21, wobei in einer Montagevorrichtung (32) mit Anlageflächen (33, 34) die Montagegruppen (25) mittels der Anlageflächen (33, 34) gegenüber dem Basiskörper (30) justiert und in dieser Lage auf dem Basiskörper (30) befestigt und kontaktiert werden.
23. Verfahren nach einem der obigen Verfahrensansprüche, wobei es insbesondere zur Herstellung eines Laserdiodenarrays nach einem der Ansprüche 1 bis 10 verwendet wird.
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